RU2316497C1 - Chalcogenide glass - Google Patents

Abstract

FIELD: composition of chalcogenide glass used in microelectronics.

SUBSTANCE: proposed chalcogenide glass contains the following constituents, mass-%: GeS₂, NaCl, Ga₂S₃, and additionally it contains In₂S₃ and GaAs at the following ratio of constituents, mass-%: GeS₂, 35.0-45.0; NaCl, 10.0-15.0; Ga₂S₃, 15.0-25.0; In₂S₃, 15.0-25.0; GaAs, 5.0-10.0.

EFFECT: enhanced thermal resistance of chalcogenide of glass.

1 tbl

Description

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике.The invention relates to compositions of chalcogenide glasses used in microelectronics.

Известно халькогенидное стекло состава, мас.%: GeS₂ 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga₂S₃ 15,0-25,0 /1/.Known chalcogenide glass composition, wt.%: GeS ₂ 55,0-75,0; NaCl 10.0-20.0; Ga ₂ S ₃ 15.0-25.0 / 1 /.

Целью изобретения является повышение термической устойчивости халькогенидного стекла.The aim of the invention is to increase the thermal stability of chalcogenide glass.

Цель достигается тем, что в состав стекла, содержащего GeS₂, NaCl, Ga₂S₃, дополнительно вводят In₂S₃ и GaAs, при следующем соотношении, мас.%: GeS₂ 35,0-45,0; NaCl 10,0-15,0; Ga₂S₃ 15,0-25,0; In₂S₃ 15,0-25,0; GaAs 5,0-10,0.The goal is achieved in that the composition of the glass containing GeS ₂ , NaCl, Ga ₂ S ₃ is additionally introduced In ₂ S ₃ and GaAs, in the following ratio, wt.%: GeS ₂ 35,0-45,0; NaCl 10.0-15.0; Ga ₂ S ₃ 15.0-25.0; In ₂ S ₃ 15.0-25.0; GaAs 5.0-10.0.

В таблице приведены составы стекла.The table shows the compositions of glass.

ТаблицаTable СоставStructure Компоненты, мас %:Components, wt%: Сохранение твердого состояния до температуры, °СPreservation of a solid state to a temperature, ° C GeS₂ GeS ₂ NaClNaCl Ga₂S₃ Ga ₂ S ₃ In₂S₃ In ₂ s ₃ GaAsGaas 1one 35,035.0 15,015.0 25,025.0 15,015.0 10,010.0 450-500450-500 22 40,040,0 13,013.0 20,020,0 20,020,0 7,07.0 450-500450-500 33 45,045.0 10,010.0 15,015.0 25,025.0 5,05,0 450-500450-500

Халькогенидное стекло получают при медленном подъеме температуры до 1000-1100°С в герметичных вакуумированных сосудах.Chalcogenide glass is obtained by slowly raising the temperature to 1000-1100 ° C in sealed evacuated vessels.

Источники информацииInformation sources

1. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.1. USSR author's certificate No. 1135726, С03С 3/12, 1985.

Claims (1)

Халькогенидное стекло, содержащее GeS₂, NaCl, Ga₂S₃, отличающееся тем, что дополнительно содержит In₂S₃ и GaAs, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Chalcogenide glass containing GeS ₂ , NaCl, Ga ₂ S ₃ , characterized in that it additionally contains In ₂ S ₃ and GaAs, in the following ratio, wt.%: GeS₂ GeS ₂ 35,0-45,035.0-45.0 NaClNaCl 10,0-15,010.0-15.0 Ga₂S₃ Ga ₂ S ₃ 15,0-25,015.0-25.0 In₂S₃ In ₂ s ₃ 15,0-25,015.0-25.0 GaAsGaas 5,0-10,05.0-10.0