RU2269802C1 - Method for manufacturing infrared light filters - Google Patents

Abstract

FIELD: engineering of light-based equipment and integration optics, connected to production of infrared light filters of cutting and band types, absorbing visible emission and letting short-wave and long-wave close infrared emission through.

SUBSTANCE: in accordance to method for manufacturing infrared light filter, sodium fluoride crystal is irradiated by beam of Helium ions He⁺ with energy 1,5-4,6 MeV, while irradiation of working facet of crystal is performed up to fluence (1,2-3,0)·10¹⁶ ion/cm².

EFFECT: improved ability to absorb visible range emission, possible operation under condition of low temperatures, increased resistance to radiation-related effects.

2 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к области светотехники и интегральной оптики, связанной с созданием инфракрасных светофильтров отрезающего и полосового типа, поглощающих видимое излучение и пропускающих коротковолновое и длинноволновое ближнее инфракрасное излучение и предназначенных для защиты инфракрасных датчиков видеоконтрольных устройств и приборов ночного видения от паразитных помех вследствие излучения видимого диапазона, а также для использования в спектральных системах контроля подлинности документов, в охранных телевизионных системах, системах охранной и пожарной сигнализации, в том числе в системах контроля и разграничения доступа и охраны периметра объектов, видеодомофонах, видеоглазках и тому подобных устройствах.The invention relates to the field of lighting engineering and integrated optics related to the creation of cut-off and strip-type infrared filters that absorb visible radiation and transmit short-wave and long-wave near-infrared radiation and are intended to protect infrared sensors of video monitoring devices and night vision devices from spurious interference due to visible radiation, as well as for use in spectral systems for authenticating documents, in security television with systems, security and fire alarm systems, including control and access control systems and perimeter security facilities, video intercoms, video eyes and the like devices.

Известен способ изготовления инфракрасного (ИК) светофильтра на основе целлюлозы (патент США №2418605, кл. F 21 V 9/04, 1970). Известный способ получения ИК-светофильтра на основе целлюлозы заключается в добавлении в целлюлозу органических кубовых красителей. Недостатком известного способа является то, что получаемые по такому способу ИК-светофильтры имеют большие потери полезного длинноволнового ближнего ИК-излучения в области 3-12 мкм, что резко снижает чувствительность видеоконтрольных ИК-устройств на основе кремния в активной части их рабочего ИК-диапазона.A known method of manufacturing an infrared (IR) filter based on cellulose (US patent No. 2418605, CL F 21 V 9/04, 1970). A known method for producing a cellulose-based IR filter is to add organic vat dyes to the cellulose. The disadvantage of this method is that the IR filters obtained by this method have large losses of useful long-wave near-infrared radiation in the region of 3-12 μm, which sharply reduces the sensitivity of silicon-based video monitoring infrared devices in the active part of their working IR range.

Известен способ изготовления ИК-светофильтра (патент США №2579513, кл. F 21 V 9/04, 1970), заключающийся во введении органических красителей в резину и нанесении резинового покрытия с органическими красителями на стеклянную подложку. Недостатком известного способа является то, что получаемые по такому способу ИК-светофильтры обладают потерями полезного длинноволнового излучения ближнего (в области 3-12 мкм) ИК-диапазона, являющегося частью активного рабочего ИК-диапазона видеоконтрольных устройств.A known method of manufacturing an IR light filter (US patent No. 2579513, CL F 21 V 9/04, 1970), which consists in the introduction of organic dyes in rubber and the application of a rubber coating with organic dyes on a glass substrate. The disadvantage of this method is that the IR filters obtained by this method have losses of useful long-wave radiation of the near (in the region of 3-12 μm) infrared range, which is part of the active working infrared range of video monitoring devices.

Известен способ изготовления ИК-светофильтра (патент США №3279938, кл. F 21 V 9/04, 1985), заключающийся в нанесении триселенида сурьмы на прозрачную подложку. Однако сурьмяноселенидные светофильтры выделяют вредные продукты разложения при воздействии света и нагревании.A known method of manufacturing an infrared light filter (US patent No. 3279938, CL F 21 V 9/04, 1985), which consists in applying antimony trislenide on a transparent substrate. However, antimony selenide filters emit harmful decomposition products when exposed to light and heating.

Известен способ изготовления ИК-светофильтра (Advanced illumination system, USA, Xerox Comp., 1970) на основе многослойных и диэлектрических покрытий на стеклянной подложке. Однако покрытия, получаемые по такому способу, сложны в изготовлении.A known method of manufacturing an IR filter (Advanced illumination system, USA, Xerox Comp., 1970) based on multilayer and dielectric coatings on a glass substrate. However, the coatings obtained by this method are difficult to manufacture.

Известен способ получения ИК-светофильтров на основе полистирола или полиметилметакрилата (Лаборатория физики полимеров Санкт-Петербургского технологического института (технического университета), интернет-сайт www.epoxy.newmail.ru) в виде пластин окрашенных органических стекол с глянцевым (полированными) или шероховатыми (матовыми) поверхностями путем заливки в соответствующие формы оптически прозрачных эпоксидных композиций с внедренными органическими красителями и последующего отверждения с границей пропускания 0,66-0,75 мкм. Однако получаемые по такому способу ИК-светофильтры имеют большие потери полезного длинноволнового ИК-излучения в области 3-12 мкм, что резко снижает чувствительность видеоконтрольных ИК-устройств на основе кремния в активной части их рабочего ИК-диапазона.A known method of producing IR filters based on polystyrene or polymethylmethacrylate (Laboratory of Polymer Physics, St. Petersburg Technological University (Technical University), website www.epoxy.newmail.ru) in the form of plates of painted organic glasses with glossy (polished) or rough ( matte) surfaces by pouring in appropriate forms optically transparent epoxy compositions with embedded organic dyes and subsequent curing with a transmission limit of 0.66-0.75 microns. However, IR filters obtained by this method have large losses of useful long-wave IR radiation in the region of 3-12 μm, which sharply reduces the sensitivity of silicon-based video monitoring infrared devices in the active part of their working IR range.

Наиболее близким к заявляемому является известный способ радиационно-лучевого окрашивания кристаллов LiF-U, Me и NaF-U, Me (М.М.Кидибаев. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах (Li, Na)F-U, Me. Каракол; Екатеринбург. Иссык-Кульский государственный университет, 1999, 220 с.) путем облучения их пучками ионов Не⁺ с энергией 1,5-4,6 МэВ плотностью потока 5·10¹²-5·10¹³ ион/см² и флюенсом 10¹³-10¹⁵ ион/см², или импульсными пучками электронов с энергией 0,3 МэВ, током 0,8-10 кА, длительностью импульса 2 нс, или гамма-излучением ⁶⁰Со в течение 57 суток с дозой 2,58·10⁵ Кл/кг. Оптическая плотность центров окраски составляла ~ 1000 см^-1. Этот известный способ окрашивания является основным способом изготовления лазерных элементов на центрах окраски в кристаллах LiF и NaF с полосами поглощения в области 442 нм (F₂ - центры в LiF) и 518-520 нм (F₃ ⁺ - центры в NaF) для миниатюрных лазеров и однокристальных многолучевых лазеров. Однако известный способ окрашивания кристаллов LiF и NaF и получения лазерных элементов на их основе путем их радиационной модификации с помощью ионных или электронных пучков или с помощью гамма-излучения не применялся для получения ИК-светофильтров отрезающего и полосового типа, поскольку концентрация центров окраски при используемых дозах (флюенсах) облучения невысока. Получение лазерного элемента на центрах окраски кристалла NaF и получение полосового светофильтра на основе кристалла NaF с центрами окраски - разные задачи. Лазерный элемент на центрах окраски должен быть прозрачен для собственного когерентного излучения, то есть концентрация центров окраски не должна превышать определенной величины. Светофильтр, отсекающий видимое излучение, напротив, должен иметь максимально достижимую концентрацию центров окраски в приповерхностном облученном слое, который должен играть роль запирающего (черного) слоя, полностью поглощающего видимое излучение в области 400-750 нм. Очевидно, что для изготовления светофильтра требуются гораздо более высокие дозы облучения.Closest to the claimed is a known method of radiation-beam staining of crystals of LiF-U, Me and NaF-U, Me (M. M. Kidibaev. Radiation-stimulated processes in crystals (Li, Na) FU, Me. Karakol; Yekaterinburg. Issyk -Kul State University, 1999, 220 pp.) By irradiating them with beams of He ⁺ ions with an energy of 1.5-4.6 MeV with a flux density of 5 · 10 ¹² -5 · 10 ¹³ ion / cm ² and a fluence of 10 ¹³ -10 ¹⁵ ion / cm ² , or pulsed electron beams with an energy of 0.3 MeV, a current of 0.8-10 kA, a pulse duration of 2 ns, or gamma radiation of ⁶⁰ Co for 57 days with a dose of 2.58 · 10 ⁵ C / kg . The optical density of the color centers was ~ 1000 cm ^-1 . This known staining method is the main method of manufacturing laser elements at color centers in LiF and NaF crystals with absorption bands in the region of 442 nm (F ₂ centers in LiF) and 518-520 nm (F ₃ ⁺ centers in NaF) for miniature lasers and single-chip multipath lasers. However, the known method of coloring LiF and NaF crystals and obtaining laser elements based on them by their radiation modification using ion or electron beams or using gamma radiation was not used to obtain cut-off and band-type IR filters, since the concentration of color centers at the used doses (fluences) exposure is low. Obtaining a laser element at the color centers of the NaF crystal and obtaining a band-pass filter based on the NaF crystal with color centers are different tasks. The laser element at the color centers should be transparent to its own coherent radiation, that is, the concentration of the color centers should not exceed a certain value. The filter that cuts off visible radiation, on the contrary, should have the maximum achievable concentration of color centers in the surface irradiated layer, which should play the role of a blocking (black) layer that completely absorbs visible radiation in the region of 400-750 nm. Obviously, the manufacture of a filter requires much higher radiation doses.

Предлагаемое изобретение связано с разработкой способа изготовления инфракрасного светофильтра на основе монокристалла фторида натрия путем радиационной модификации его приповерхностного слоя пучком ионов гелия, приводящей к интенсивному окрашиванию этого слоя в связи с созданием в нем высокой концентрации центров окраски, обеспечивающих поглощение излучения в видимом диапазоне спектра, и сохранением прозрачности в ближнем ИК-диапазоне 0,8-12 мкм.The present invention relates to the development of a method of manufacturing an infrared filter based on a single crystal of sodium fluoride by radiation modification of its surface layer with a beam of helium ions, which leads to intense coloring of this layer due to the creation of a high concentration of color centers in it, which absorb radiation in the visible spectrum, and maintaining transparency in the near infrared range of 0.8-12 microns.

Сущность предлагаемого способа заключается в том, что радиационную модификацию приповерхностного слоя кристалла фторида натрия ведут при комнатной температуре с помощью пучка ионов гелия с энергией 1,5-4,6 МэВ до флюенса (дозы) 1,2·10¹⁶-3·10¹⁶ ион/см². Радиационная обработка поверхности рабочей грани кристалла NaF ионами гелия приводит к эффективному накоплению в приповерхностном слое толщиной 5-10 мкм простых центров окраски (F-типа) и агрегатных электронных центров окраски F₂ и F₃ ⁺ типа, поглощающих свет ближнего ультрафиолетового (от 250 нм и выше) и видимого диапазона (250-780 нм) в широких полосах при 310 нм (F-центр), при 442 нм (F₂-центр) и при 518 нм (F₃ ⁺ - центр), чертеж. По достижении флюенса 1,2-10¹⁶ ион/см² концентрация центров окраски F₂ и F₃ ⁺-типа в приповерхностном слое толщиной 5-10 мкм возрастает в 10000 раз, что делает кристалл NaF непрозрачным для видимого света как сине-голубого диапазона (420-500 нм), так и желто-оранжевого (550-590 нм). В ближнем инфракрасном диапазоне длин волн 0,8-12 мкм для кристалла NaF с модифицированной поверхностью поглощение излучения не наблюдалось. Предлагаемый способ включает в себя не только режим облучения поверхности одной рабочей грани кристалла, но и режим последовательного облучения вначале рабочей грани кристалла, а затем противоположной ей грани до флюенса (1,2-3,0)·10¹⁶ ион/см² на каждую грань. Это обеспечивает повышенную способность и надежность светофильтров поглощать излучение видимого диапазона даже при механическом нарушении приповерхностного модифицированного излучением слоя рабочей грани кристалла. Предлагаемый способ позволяет изготовить инфракрасный светофильтр, пропускающий излучение в рабочей области приборов ночного видения и видеоконтрольных устройств, - в области 0,8-12 мкм, и защищает эти приборы и устройства от засветки за счет прямого действия солнца (желто-оранжевый диапазон спектра), так и от засветки вследствие релеевского рассеянного света голубого неба (диапазон 420-500 нм), что необходимо для снижения и устранения паразитных помех.The essence of the proposed method lies in the fact that the radiation modification of the surface layer of the sodium fluoride crystal is carried out at room temperature using a beam of helium ions with an energy of 1.5-4.6 MeV to a fluence (dose) of 1.2 · 10 ¹⁶ -3 · 10 ¹⁶ ion / cm ² . Radiation treatment of the surface of the working face of a NaF crystal with helium ions leads to the effective accumulation of simple color centers (F-type) and aggregate electronic color centers of F ₂ and F ₃ ⁺ type, absorbing light from near ultraviolet (from 250 nm) in the surface layer with a thickness of 5-10 μm and above) and the visible range (250-780 nm) in wide bands at 310 nm (F center), at 442 nm (F ₂ center) and at 518 nm (F ₃ ⁺ center), drawing. Upon reaching a fluence of 1.2-10 ¹⁶ ion / cm ^{2, the} concentration of color centers of the F ₂ and F ₃ ⁺ type in the near-surface layer with a thickness of 5-10 μm increases 10,000 times, which makes the NaF crystal opaque to visible light as a blue-blue range (420-500 nm), and yellow-orange (550-590 nm). In the near infrared wavelength range of 0.8-12 μm, radiation absorption was not observed for a NaF crystal with a modified surface. The proposed method includes not only the irradiation mode of the surface of one working face of the crystal, but also the sequential mode of irradiation at the beginning of the working face of the crystal, and then the opposite face to fluence (1.2-3.0) · 10 ¹⁶ ion / cm ² each the brink. This provides an increased ability and reliability of optical filters to absorb visible range radiation even when there is a mechanical violation of the near surface radiation-modified layer of the working face of the crystal. The proposed method allows to manufacture an infrared filter that transmits radiation in the working area of night vision devices and video monitoring devices, in the region of 0.8-12 μm, and protects these devices and devices from exposure due to direct exposure to the sun (yellow-orange range of the spectrum), and from exposure due to Rayleigh scattered light of the blue sky (range 420-500 nm), which is necessary to reduce and eliminate spurious interference.

Важной особенностью светофильтров, получаемых по предлагаемому способу, является возможность их эксплуатации в условиях низких температур открытого космоса, поскольку центры окраски, обеспечивающие их работоспособность (поглощающие излучение видимого диапазона), устойчивы вплоть до температуры жидкого гелия (4,2 К). Другой важной особенностью светофильтров на основе облученных кристаллов NaF является их прозрачность не только в ИК-диапазоне, но и достаточно высокая прозрачность в вакуумном ультрафиолетовом (ВУФ) (120-200 нм) и ультрафиолетовом (УФ) диапазонах. Они пригодны для обеспечения функционирования видеоконтрольных устройств, осуществляющих наведение и слежение одновременно в ИК и УФ (ВУФ) диапазонах.An important feature of the filters obtained by the proposed method is the possibility of their operation at low temperatures in open space, since the color centers that ensure their operability (absorbing visible radiation) are stable up to the temperature of liquid helium (4.2 K). Another important feature of filters based on irradiated NaF crystals is their transparency not only in the infrared range, but also rather high transparency in the vacuum ultraviolet (VUV) (120-200 nm) and ultraviolet (UV) ranges. They are suitable for the operation of video monitoring devices that provide guidance and tracking simultaneously in the IR and UV (VUV) ranges.

Кроме выше названных, предлагаемый способ обеспечивает еще ряд дополнительных преимуществ. Получаемые по предлагаемому способу ИК-светофильтры негигроскопичны и химически инертны, они устойчивы в условиях морского тумана. Кроме того, они обладают повышенной радиационной стойкостью, поскольку именно радиация является необходимой "питательной" средой для создания центров окраски в кристаллах NaF, обеспечивающих их функциональные рабочие характеристики поглощения излучения в видимом диапазоне. ИК-светофильтры на основе кристаллов NaF, полученные по предлагаемому способу, устойчивы к радиационным ударам и долговременным радиационным воздействиям.In addition to the above, the proposed method provides a number of additional advantages. Obtained by the proposed method, IR filters are non-hygroscopic and chemically inert, they are stable in conditions of sea fog. In addition, they have increased radiation resistance, since it is radiation that is the necessary “nutrient” medium for creating color centers in NaF crystals, providing their functional operating characteristics of radiation absorption in the visible range. IR filters based on NaF crystals obtained by the proposed method are resistant to radiation shocks and long-term radiation effects.

Дополнительным преимуществом предлагаемого изобретения является возможность выполнения получаемыми ИК-светофильтрами не только функции покрытие-фильтр (роль покрытия выполняет модифицированный приповерхностный слой, насыщенный агрегатными центрами окраски), но и функции линза-фильтр. Последнее достигается, если облучаемый ионами He⁺ кристалл фторида натрия изготовляют изначально в форме линзы.An additional advantage of the invention is the ability to obtain the obtained IR filters not only the coating-filter function (the coating role is played by a modified surface layer saturated with aggregate color centers), but also the lens-filter function. The latter is achieved if a crystal of sodium fluoride irradiated with He ⁺ ions is produced initially in the form of a lens.

Пример 1. Светофильтр на основе кристалла NaF, получаемый путем облучения одной из граней (рабочей грани) кристалла пучком ионов гелия Не⁺ с энергией 3 МэВ до флюенса 1,2·10¹⁶ ион/см². Спектр поглощения светофильтра в диапазоне 200-1000 нм показан на чертеже. Светопоглощающий слой имеет толщину 5-7 мкм. Интенсивное поглощение излучения наблюдается в диапазоне длин волн 300-600 нм. Основной максимум поглощения приходится на область 450-550 нм. Начиная с 0,8 мкм, поглощение вплоть до 12 мкм отсутствует.Example 1. A light filter based on a NaF crystal obtained by irradiating one of the faces (working face) of a crystal with a beam of He ⁺ He ions of 3 MeV energy to a fluence of 1.2 · 10 ¹⁶ ion / cm ² . The absorption spectrum of the filter in the range of 200-1000 nm is shown in the drawing. The light-absorbing layer has a thickness of 5-7 microns. Intensive radiation absorption is observed in the wavelength range of 300-600 nm. The main absorption maximum is in the region of 450-550 nm. Starting from 0.8 μm, absorption up to 12 μm is absent.

Пример 2. Светофильтр на основе кристалла NaF, получаемый путем облучения одной из граней кристалла пучком ионов гелия He⁺ с энергией 4,6 МэВ до флюенса 3·10¹⁶ ион/см². Светопоглощающий слой имеет толщину 8-10 мкм. Светофильтр прозрачен для ИК-излучения в диапазоне длин волн 0,8-12 мкм, в области длин 300-600 нм происходит практически полное поглощение излучения. Коэффициент поглощения не ниже 10⁴-10⁵ см^-1. Пропускается лишь слабая компонента красного излучения в области длин волн 650-750 нм. Свечение, соответствующее спектру солнца и спектру дневного неба, практически полностью поглощается.Example 2. A light filter based on a NaF crystal, obtained by irradiating one of the crystal faces with a beam of He ⁺ ions of He ⁺ energy with an energy of 4.6 MeV to a fluence of 3 · 10 ¹⁶ ion / cm ² . The light-absorbing layer has a thickness of 8-10 microns. The filter is transparent to infrared radiation in the wavelength range of 0.8-12 microns, in the region of lengths of 300-600 nm, almost complete absorption of radiation occurs. The absorption coefficient is not lower than 10 ⁴ -10 ⁵ cm ^-1 . Only the weak component of red radiation is transmitted in the wavelength range of 650-750 nm. The glow corresponding to the spectrum of the sun and the spectrum of the daytime sky is almost completely absorbed.

Пример 3. Светофильтр на основе кристалла NaF, получаемый путем последовательного облучения вначале рабочей грани кристалла, а затем противоположной ей грани пучком ионов гелия He⁺ с энергией 1,5 МэВ до флюенса 2·10¹⁶ ион/см² для каждой грани. Светопоглощающий слой имеет толщину 5-8 мкм. Светофильтр прозрачен для ИК-излучения в диапазоне длин волн 0,8-12 мкм, в области длин 300-600 нм происходит практически полное поглощение излучения. Коэффициент поглощения 2·10⁴-10⁵ см^-1. Пропускается лишь слабая компонента красного излучения в области длин волн 650-750 нм. Свечение, соответствующее спектру солнца и спектру дневного неба, практически полностью поглощается.Example 3. A filter based on a NaF crystal, obtained by sequentially irradiating first the working face of the crystal, and then the opposite face with a beam of helium ions He ⁺ with an energy of 1.5 MeV to a fluence of 2 · 10 ¹⁶ ion / cm ² for each face. The light-absorbing layer has a thickness of 5-8 μm. The filter is transparent to infrared radiation in the wavelength range of 0.8-12 microns, in the region of lengths of 300-600 nm, almost complete absorption of radiation occurs. The absorption coefficient of 2 · 10 ⁴ -10 ⁵ cm ^-1 . Only the weak component of red radiation is transmitted in the wavelength range of 650-750 nm. The glow corresponding to the spectrum of the sun and the spectrum of the daytime sky is almost completely absorbed.

Пример 4. Светофильтр на основе кристалла NaF, получаемый путем облучения одной из граней кристалла пучком ионов гелия He⁺ с энергией 3 МэВ до флюенса 2·10¹⁵ ион/см². Светопоглощающий слой имеет толщину 4-5 мкм. Светофильтр прозрачен для ИК-излучения в диапазоне длин волн 0,8-12 мкм. Наблюдается поглощение излучения видимого диапазона в области 300-600 нм, однако коэффициент поглощения невелик, он не превышает 1000 см^-1, и функции полного поглощения видимого света не выполняются, т.е. видимый свет не отфильтровывается.Example 4. A light filter based on a NaF crystal, obtained by irradiating one of the faces of the crystal with a beam of He ⁺ He ions with an energy of 3 MeV to a fluence of 2 · 10 ¹⁵ ion / cm ² . The light-absorbing layer has a thickness of 4-5 microns. The filter is transparent to infrared radiation in the wavelength range of 0.8-12 microns. Absorption of visible radiation in the range of 300-600 nm is observed, however, the absorption coefficient is small, it does not exceed 1000 cm ^-1 , and the functions of the total absorption of visible light are not fulfilled, i.e. visible light is not filtered out.

Пример 5. Светофильтр на основе кристалла NaF, получаемый путем облучения одной из граней кристалла пучком ионов гелия He⁺ с энергией 4,6 МэВ до флюенса 5,1·10¹⁶ ион/см². Светопоглощающий слой имеет толщину 8-10 мкм. Светофильтр прозрачен для ИК-излучения в диапазоне длин волн 0,8-12 мкм, в области длин 300-600 нм происходит практически полное поглощение излучения. Коэффициент поглощения не ниже 5·10⁴-10⁵ см^-1. Пропускается лишь слабая компонента красного излучения в области длин волн 650-750 нм. Свечение, соответствующее спектру солнца и спектру дневного неба, практически полностью поглощается. Особых преимуществ перед примером 2 этот пример не имеет. Однако время облучения в примере 5 возрастает в 1,7 раза, что ведет к неоправданному удорожанию изготовления светофильтров.Example 5. A filter based on a NaF crystal obtained by irradiating one of the crystal faces with a beam of He ⁺ helium ions with an energy of 4.6 MeV to a fluence of 5.1 · 10 ¹⁶ ion / cm ² . The light-absorbing layer has a thickness of 8-10 microns. The filter is transparent to infrared radiation in the wavelength range of 0.8-12 microns, in the region of lengths of 300-600 nm, almost complete absorption of radiation occurs. The absorption coefficient is not lower than 5 · 10 ⁴ -10 ⁵ cm ^-1 . Only the weak component of red radiation is transmitted in the wavelength range of 650-750 nm. The glow corresponding to the spectrum of the sun and the spectrum of the daytime sky is almost completely absorbed. This example has no particular advantages over example 2. However, the irradiation time in example 5 increases by 1.7 times, which leads to an unjustified increase in the cost of manufacturing light filters.

Claims (2)

1. Способ изготовления инфракрасного светофильтра на основе кристалла фторида натрия путем облучения кристалла фторида натрия пучком ионов гелия Не⁺ с энергией 1,5-4,6 МэВ, отличающийся тем, что облучение рабочей грани кристалла ведут до флюенса (1,2-3,0)·10¹⁶ ион/см².1. A method of manufacturing an infrared filter based on a sodium fluoride crystal by irradiating a sodium fluoride crystal with a beam of He ⁺ He ⁺ ions with an energy of 1.5-4.6 MeV, characterized in that the irradiation of the working face of the crystal leads to fluence (1.2-3, 0) · 10 ¹⁶ ion / cm ² . 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что последовательно облучают вначале рабочую грань кристалла, а затем противоположную ей грань до флюенса (1,2-3,0)·10¹⁶ ион/см² на каждую грань.2. The method according to claim 1, characterized in that the working face of the crystal is subsequently irradiated first, and then the opposite face to a fluence of (1.2-3.0) · 10 ¹⁶ ion / cm ² for each face.