RU2250526C1 - Emitter for integrated device - Google Patents

Emitter for integrated device Download PDF

Info

Publication number
RU2250526C1
RU2250526C1 RU2003122969/28A RU2003122969A RU2250526C1 RU 2250526 C1 RU2250526 C1 RU 2250526C1 RU 2003122969/28 A RU2003122969/28 A RU 2003122969/28A RU 2003122969 A RU2003122969 A RU 2003122969A RU 2250526 C1 RU2250526 C1 RU 2250526C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emitter
base
layer
catalytic
catalytic material
Prior art date
Application number
RU2003122969/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2003122969A (en
Inventor
С.А. Гаврилов (RU)
С.А. Гаврилов
Э.А. Ильичёв (RU)
Э.А. Ильичёв
Э.А. Полторацкий (RU)
Э.А. Полторацкий
Г.С. Рычков (RU)
Г.С. Рычков
Original Assignee
ФГУП Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФГУП Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина filed Critical ФГУП Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина
Priority to RU2003122969/28A priority Critical patent/RU2250526C1/en
Priority to PCT/RU2004/000098 priority patent/WO2005008710A1/en
Publication of RU2003122969A publication Critical patent/RU2003122969A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2250526C1 publication Critical patent/RU2250526C1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/20—Organic diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
    • H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes

Abstract

FIELD: microelectronics and nanoelectronics; emitters for active parts of microelectronics and nanoelectronics, that is diodes and transistors.
SUBSTANCE: proposed emitter has emitter base disposed on substrate and made of catalytic material layer whose surface mounts nanometric carbon tubes arranged perpendicular to emitter base surface, catalytic material layer end being used as emitter base and disposed between non-catalytic material layers. Such design makes it possible to develop planar blade-shaped emitter whose base thickness can be adjusted between 1 and 50 nm by varying thickness of catalytic layer; This emitter is assembled of nanometric tubes whose diameter is not greater than thickness of base.
EFFECT: provision for developing planar emitter.
1 cl, 4 dwg

Description

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно к конструкции эмиттера (в том числе эмиссионного) у активных элементов микро- и наноэлектроники таких, как диодов и транзисторов.The invention relates to the field of micro- and nanoelectronics, and more specifically to the design of the emitter (including emission) for active elements of micro- and nanoelectronics such as diodes and transistors.

В настоящее время известны различные варианты конструкции эмиттеров у нанотранзисторов и нанодиодов. Так, известна конструкция эмиссионного эмиттера на основе углеродных нанотрубок, сформированных в пористом оксиде алюминия [1, 2], но пока эмиссионные свойства таких эмиттеров остаются низкими, так как плотность расположения нанотрубок получается высокой. Поэтому, хотя одиночная трубка может обладать очень высокими эмиссионными свойствами (иметь пороговые напряженности поля ~1 В/мкм и эмиссионный ток до 10-4 А [3], все эти свойства утрачиваются при плотной упаковке нанотрубок. В рассматриваемой конструкции нанотрубки формируются вертикально и поэтому рассматриваемый способ годится только для создания вертикальных транзисторов. Наиболее близкой по технической сущности и достигаемому эффекту является конструкция эмиттера активного элемента микро- и наноэлектроники, включающая основание эмиттера, расположенное на поверхности подложки и выполненное из слоя каталитического материала, на поверхности которого сформированы углеродные нанотрубки, расположенные перпендикулярно поверхности основания эмиттера. Формирование нанотрубок осуществляют с помощью метода газофазного осаждения при использовании каталитических материалов (каталитические материалы - это металлы, стимулирующие рост углеродных нанотрубок), которые локально наносятся на основание эмиттера или сами служат основанием эмиттера [4]. Основание эмиттера формируется в виде проводящей площадки, минимальные размеры которой определяются разрешающей способностью литографии. Существенным недостатком формируемых таким способом эмиттеров является то, что нанотрубки вырастают плотноупакованными. Но главный недостаток остается прежний: эмиттер имеет форму “столбика” и может использоваться только в вертикальной конструкции эмиттера. Известны планарные конструкции транзисторов, канал которых представляет горизонтально лежащую нанотрубку [5]. Эти транзисторы формируются посредством механического прикрепления нанотрубки к двум контактным площадкам, одна из которых играет роль эмиттера, а другая - анода. Поэтому они могут служить только демонстрационным целям и не являются примером интегральных нанотранзисторов. Следует также заметить, что в подобных транзисторах используются только нанотрубки, обладающие полупроводниковыми свойствами.Currently, various design options for emitters of nanotransistors and nanodiodes are known. Thus, the design of an emitter emitter based on carbon nanotubes formed in porous alumina is known [1, 2], but so far the emission properties of such emitters remain low, since the density of nanotubes is high. Therefore, although a single tube can have very high emission properties (have threshold field strengths of ~ 1 V / μm and an emission current of up to 10 -4 A [3], all these properties are lost when the nanotubes are densely packed. In this design, nanotubes are formed vertically and therefore the considered method is suitable only for creating vertical transistors.The closest in technical essence and the achieved effect is the design of the emitter of the active element of micro- and nanoelectronics, including the base ytter located on the surface of the substrate and made of a layer of catalytic material on the surface of which carbon nanotubes are formed, which are perpendicular to the surface of the emitter base. that are locally applied to the base of the emitter or themselves serve as the base of the emitter [4]. The emitter base is formed in the form of a conductive pad, the minimum dimensions of which are determined by the resolution of lithography. A significant drawback of the emitters formed in this way is that the nanotubes grow closely packed. But the main drawback remains the same: the emitter has the shape of a “column” and can only be used in the vertical design of the emitter. Known planar designs of transistors, the channel of which is a horizontally lying nanotube [5]. These transistors are formed by mechanically attaching a nanotube to two contact pads, one of which acts as an emitter, and the other as an anode. Therefore, they can serve only demonstration purposes and are not an example of integrated nanotransistors. It should also be noted that in such transistors only nanotubes with semiconductor properties are used.

Целью изобретения является создание планарного эмиттера. Такая конструкция позволит создавать планарные эмиссионные триоды и диоды, т.е. такие активные элементы, эмиттеры и аноды которых располагаются в одной плоскости.The aim of the invention is the creation of a planar emitter. Such a design will allow the creation of planar emission triodes and diodes, i.e. active elements whose emitters and anodes are located in the same plane.

Поставленная цель достигается тем, что в эмиттере для интегральных приборов, содержащем основание эмиттера, расположенное на подложке и выполненное из слоя каталитического материала, на поверхности которого сформированы углеродные нанотрубки, расположенные перпендикулярно поверхности основания эмиттера, в качестве основания эмиттера использован торец слоя каталитического материала, находящегося между слоями некаталитического материала. Эта конструкция позволит создать планарный эмиттер в форме “лезвия”, толщину основания которого посредством изменения толщины каталитического слоя можно регулировать в пределах 1-50 нм и которое состоит из нанотрубок с диаметрами не более толщины основания.This goal is achieved by the fact that in an emitter for integrated devices containing an emitter base located on a substrate and made of a layer of catalytic material on the surface of which carbon nanotubes are formed perpendicular to the surface of the emitter base, the end face of the layer of catalytic material located between layers of non-catalytic material. This design will allow you to create a planar emitter in the form of a “blade”, the thickness of the base of which by changing the thickness of the catalytic layer can be adjusted within 1-50 nm and which consists of nanotubes with diameters of not more than the thickness of the base.

Одним из вариантов выполнения изобретения является вариант, в котором на каталитический слой наносят сначала слой ванадия, а затем диоксида кремния, который позволяет формировать затвор для управления потоком электронов.One embodiment of the invention is an embodiment in which a vanadium layer is then deposited on the catalytic layer, followed by silicon dioxide, which allows the formation of a shutter to control the flow of electrons.

Другим вариантом является конструкция, в которой каталитический слой и его торец заключены между некаталитическими слоями. В этом случае торец каталитического слоя находится в полости, образованной нижним и верхним некаталитическими слоями. В любом случае вся поверхность каталитического слоя (кроме торца, обращенного в сторону анода) должна быть закрыта некаталитическим материалом.Another option is a design in which the catalytic layer and its end are enclosed between non-catalytic layers. In this case, the end of the catalytic layer is in the cavity formed by the lower and upper non-catalytic layers. In any case, the entire surface of the catalytic layer (except the end facing the anode) should be covered with non-catalytic material.

Существо изобретения поясняется ниже с помощью чертежей, на которых схематично изображено:The invention is illustrated below using the drawings, which schematically depict:

Фиг.1 - основные конструктивные особенности эмиттера.Figure 1 - the main structural features of the emitter.

На фиг.2 - один из примеров последовательности операций формирования эмиттера для планарного эмиссионного триода.Figure 2 is one example of a sequence of operations for forming an emitter for a planar emission triode.

На фиг.3 - конструкция канального триода.Figure 3 - design of the channel triode.

На фиг.4 - расположение электродов на чипе изготавливаемой интегральной схемы для формирования ориентированных углеродных нанотрубок.Figure 4 - the location of the electrodes on the chip manufactured integrated circuit for the formation of oriented carbon nanotubes.

1 - подложка1 - substrate

2 - слой некаталитического материала2 - layer of non-catalytic material

3 - слой каталитического материала3 - layer of catalytic material

4 - слой некаталитического материала4 - layer of non-catalytic material

5, 6, 7 - торцы соответственно слоев 2, 3, 45, 6, 7 - ends of layers 2, 3, 4, respectively

8 - слой некаталитического материала8 - layer of non-catalytic material

9 - нанотрубки9 - nanotubes

10 - полость10 - cavity

6 - торец каталитического материала, образующий основание эмиттера6 - end face of the catalytic material forming the base of the emitter

11 - анод11 - anode

12 - затвор12 - shutter

13 - электрический электрод13 - electric electrode

14 - электрический электрод14 - electric electrode

15 - эмиттеры.15 - emitters.

На фигуре 1а, б, в показаны основные конструктивные особенности эмиттера планарных триодов. Здесь (фиг.1а) 1 - подложка, на которой формируется интегральная схема и 2, 3, 4 - рабочие слои, сформированные в виде прямоугольного параллелепипеда; 5, 6, 7 - торцы слоев (фиг.1б); 6 - торец слоя каталитического материала, являющийся основанием эмиттера; 5, 7 - торцы некаталитических слоев, один из которых находится над каталитическим слоем, а другой - под; 8 - слой из некаталитического материала, закрывающий слои 2, 3, 4, кроме их торцов 5, 6, 7; слой 8 (на фиг.1б) может быть как из проводящего электрический ток материала, так и из непроводящего, например SiO2; 9 - углеродные нанотрубки (фиг.1в.).Figure 1a, b, c shows the main structural features of the emitter of planar triodes. Here (figa) 1 - the substrate on which the integrated circuit is formed and 2, 3, 4 - the working layers formed in the form of a rectangular parallelepiped; 5, 6, 7 - the ends of the layers (figb); 6 - end face of the catalytic material layer, which is the base of the emitter; 5, 7 — ends of non-catalytic layers, one of which is above the catalytic layer, and the other under; 8 - a layer of non-catalytic material covering layers 2, 3, 4, except for their ends 5, 6, 7; layer 8 (in FIG. 1 b) can be either from an electrically conductive material, or from non-conductive material, for example SiO 2 ; 9 - carbon nanotubes (figv.).

На фиг.2 подробно изображен один из способов формирования эмиттера для планарного эмиссионного триода. Здесь 1 - диэлектрическая подложка; 2 - слой ванадия; 3 - слой никеля; 4 - слой ванадия (фиг.2а); А-В - горизонтальная линия, по которой производится предполагаемый вертикальный разрез формируемого эмиттера (фиг.2б); 8 - нанесенный на всю подложку диэлектрический слой (фиг.2в); фиг.2г - освобождение от диэлектрика периферийной части основания эмиттера; 10 - полость, образованная травлением слоев 2, 3, 4, со стороны, свободной от диэлектрика (фиг.2д); 9 - сформированные газофазным осаждением нанотрубки (фиг.2е); 11 - анод триода и 12 - затвор триода (фиг.2ж).Figure 2 depicts in detail one of the methods of forming an emitter for a planar emission triode. Here 1 is the dielectric substrate; 2 - a layer of vanadium; 3 - nickel layer; 4 - a layer of vanadium (figa); A-B is the horizontal line along which the estimated vertical section of the formed emitter is made (Fig.2b); 8 — a dielectric layer deposited on the entire substrate (FIG. 2 c); Fig.2g - the release from the dielectric of the peripheral part of the base of the emitter; 10 - a cavity formed by etching of the layers 2, 3, 4, from the side free of dielectric (fig.2d); 9 - formed by gas-phase deposition of a nanotube (Fig.2e); 11 - the anode of the triode and 12 - the gate of the triode (Fig.2g).

На фиг.3 показана конструкция канального триода.Figure 3 shows the design of the channel triode.

На фиг.4 показано расположение электродов на чипе изготавливаемой интегральной схемы. Здесь 13 и 14 электроды, нанесенные по краям подложки для формирования нанотрубок, расположенных по направлению вектора СД; 15 - формируемые эмиттеры.Figure 4 shows the location of the electrodes on the chip manufactured integrated circuit. Here, 13 and 14 are electrodes deposited along the edges of the substrate to form nanotubes located in the direction of the SD vector; 15 - formed emitters.

Конструкция эмиттера имеет две основные особенности. Первая состоит в том, что на подложке 1 (фиг.1a) многослойная структура 2, 3, 4 обязательно включает слой 3 каталитического материала (из Со, Fe, Ni или их композиции) толщиной 1-50 нм и эта структура покрыта некаталитическим материалом 8 таким образом, чтобы исключить возможность обнажения каталитического слоя, кроме торца 6 каталического слоя, который образует основание эмиттера и обращен в сторону анода (фиг.1б).The emitter design has two main features. The first is that, on the substrate 1 (Fig. 1a), the multilayer structure 2, 3, 4 necessarily includes a layer 3 of catalytic material (from Co, Fe, Ni or their composition) 1-50 nm thick and this structure is covered with non-catalytic material 8 Thus, in order to exclude the possibility of exposure of the catalytic layer, in addition to the end face 6 of the catalytic layer, which forms the base of the emitter and faces the anode (Fig. 1b).

Вторая особенность заключается в том, что одним из известных методов [2] формируют углеродные нанотрубки, которые начинают расти только из торца 6 каталитического слоя, образуя в форме “лезвия” слой 9, толщина которого равна ширине торца каталитического слоя (см. фиг.1в), а длина определяется длительностью роста нанотрубок и может лежать в диапазоне 0,1-10 мкм.The second feature is that one of the known methods [2] is formed of carbon nanotubes, which begin to grow only from the end face 6 of the catalytic layer, forming a “blade” layer 9, the thickness of which is equal to the width of the end face of the catalytic layer (see figv ), and the length is determined by the duration of the growth of nanotubes and can lie in the range of 0.1-10 microns.

Для более полного понимания изобретения и с целью его иллюстрации ниже приводится пример изготовления предлагаемого эмиттера. Однако следует понимать, что возможны его различные модификации, очевидные для специалиста в данной области техники, не меняющие существа изобретения и не выходящие за пределы объема изобретения, определенного прилагаемой формулой изобретения.For a more complete understanding of the invention and for the purpose of illustrating it below is an example of the manufacture of the proposed emitter. However, it should be understood that its various modifications are possible, obvious to a person skilled in the art, not changing the essence of the invention and not beyond the scope of the invention defined by the attached claims.

На сапфировую подложку 1 поочередно напыляется слой ванадия 2 толщиной 20 нм, слой никеля 3 толщиной 1-50 нм и слой ванадия 4 толщиной 20 нм (фиг.2а). С помощью технологии изготовления СБИС на подложке 1 формируется из слоев 2, 3, 4 прямоугольная основа (фиг.2б) для эмиттера размером 0,2×10 мкм2. Затем вся подложка покрывается диэлектриком SiO2 8 так, чтобы он закрыл основу со всех сторон (фиг.2в). На фиг.2в-2ж представлены вертикальные разрезы (по линии АВ (фиг.2б)) формируемого эмиттера. С помощью технологии изготовления СБИС правая торцевая часть основы вместе с торцом каталитического слоя 6 освобождается от окисла SiO2 (фиг.2г) и затем производится травление (в частности, электрохимическое) слоев 2, 3, 4 до тех пор, пока не образуется полость 10 длиной 3-5 мкм (фиг.2д). В этом случае торец каталитического материала образует основание эмиттера 6. После этого методом газофазного осаждения формируют углеродные нанотрубки 9 длиной 1-2 мкм, чем и завершается формирование эмиссионного эмиттера (фиг.2е). Для создания эмиссионного триода нужно с помощью технологии изготовления СБИС сформировать анод 11 и затвор 12 (фиг.2ж).On a sapphire substrate 1, a layer of vanadium 2 with a thickness of 20 nm, a layer of nickel 3 with a thickness of 1-50 nm and a layer of vanadium 4 with a thickness of 20 nm are alternately sprayed (FIG. 2 a). Using manufacturing technology, VLSI on the substrate 1 is formed from layers 2, 3, 4 of a rectangular base (figb) for an emitter of size 0.2 × 10 μm 2 . Then, the entire substrate is coated with a dielectric SiO 2 8 so that it covers the base from all sides (figv). On figv-2zh presents vertical sections (along the line AB (figb) of the formed emitter. Using the VLSI manufacturing technology, the right end part of the base together with the end of the catalytic layer 6 is freed from SiO 2 oxide (Fig. 2d) and then etching (in particular, electrochemical) of layers 2, 3, 4 is performed until a cavity 10 is formed 3-5 microns long (fig.2d). In this case, the end face of the catalytic material forms the base of the emitter 6. After this, carbon nanotubes 9 of 1-2 μm length are formed by gas-phase deposition, which completes the formation of the emission emitter (Fig. 2e). To create an emission triode, it is necessary, using the VLSI manufacturing technology, to form the anode 11 and the gate 12 (Fig.2g).

Рассмотренный метод формирования эмиттера подходит и для создания канального триода. В этом случае, углеродные нанотрубки выращивают такой длины, чтобы они выходили из под диэлектрика SiO2 8, тогда при формировании анода 11 произойдет соединение нанотрубки с анодом (фиг.3). В этом случае затвор будет управлять движением электронов в нанотрубке, которая будет играть роль канала. Поэтому более правильно такой триод называть транзистором, тем более, что для эффективного управления таким триодом необходимо, чтобы трубки были одностенными и имели диаметр порядка 1 нм или обладали полупроводниковыми свойствами.The considered method of emitter formation is also suitable for creating a channel triode. In this case, the carbon nanotubes are grown so long that they come out from under the SiO 2 8 dielectric, then when the anode 11 is formed, the nanotube will connect to the anode (Fig. 3). In this case, the shutter will control the movement of electrons in the nanotube, which will play the role of a channel. Therefore, it is more correct to call such a triode a transistor, especially since for effective control of such a triode it is necessary that the tubes are single-walled and have a diameter of the order of 1 nm or have semiconductor properties.

Для направленного роста нанотрубок используют электрическое поле. Такое поле можно создать подачей напряжения на электроды 13 и 14, нанесенные параллельно друг другу по краям интегральной схемы, как это показано на фиг.4. В этом случае рост нанотрубок у эмиттеров 15 будет происходить по направлению СД.An electric field is used for the directed growth of nanotubes. Such a field can be created by applying voltage to the electrodes 13 and 14, applied parallel to each other along the edges of the integrated circuit, as shown in figure 4. In this case, the growth of nanotubes at emitters 15 will occur in the direction of the LED.

Предлагаемая конструкция эмиттера позволяет создавать интегральные схемы очень высокой степени интеграции. Принципиально определяющим моментом для размеров эмиссионного триода или канального транзистора является только диаметр нанотрубки. Если d-диаметр нанотрубки, то расстояние между основанием эмиттера и анодом можно сделать равным 10d. Эта величина и будет определять длину триода (транзистора), так как, в рассматриваемом случае, не надо формировать специально сток и исток (как это имеет место у полупроводниковых транзисторов). Роль стока и истока (в нашем случае основание эмиттера и анода) играет непосредственно металлическая разводка. Беря за ширину транзистора величину d=1 нм, получаем плотность размещения транзисторов - 1013 см-2. Естественно, что современные технологии не позволяют даже приблизится к такой плотности. Однако реально в ближайшем будущем можно рассчитывать на минимальный размер металлического рисунка в 10-50 нм, что при длине канала из нанотрубки в 2 мкм обеспечит плотность активных элементов (триодов и диодов) порядка 109 cм-2, которая также недостижима при использовании полупроводниковых транзисторов.The proposed emitter design allows you to create integrated circuits of a very high degree of integration. The crucial moment for the dimensions of the emission triode or channel transistor is only the diameter of the nanotube. If the d-diameter of the nanotube, then the distance between the emitter base and the anode can be made equal to 10d. This value will determine the length of the triode (transistor), since, in the case under consideration, it is not necessary to specifically form the drain and source (as is the case with semiconductor transistors). The role of the drain and the source (in our case, the base of the emitter and the anode) is played directly by the metal wiring. Taking the value of d = 1 nm for the width of the transistor, we obtain the density of transistors - 10 13 cm -2 . Naturally, modern technology does not even allow approaching such a density. However, in reality, in the near future, one can count on the minimum size of a metal pattern of 10-50 nm, which, with a nanotube channel length of 2 μm, will provide a density of active elements (triodes and diodes) of the order of 10 9 cm -2 , which is also unattainable when using semiconductor transistors .

ЛитератураLiterature

1. Iwasaki Т., MotoL, Den T.Multiwalled carbon nanotubes growth in anodic alumina nanoholes, Appl.Phys.Letters, v.75, №14, 1999, рр.2044-2046.1. Iwasaki, T., MotoL, Den, T. T. Multiwalled carbon nanotubes growth in anodic alumina nanoholes, Appl. Phys. Letters, v. 75, No. 14, 1999, pp. 2044-2046.

2. Huczko A. Synthesis of aligned carbon nanotubes, Appl. Phys.A 74, 2002, pp.617-638.2. Huczko A. Synthesis of aligned carbon nanotubes, Appl. Phys. A 74, 2002, pp. 617-638.

3. Zhong L.W., Gao R.P., Poncharal P. et al. In situ imaging of field emission from individual carbon nanotubes and their structural damage. Appl. Phys. Letters, v.80A95, 2002, pp.856-858.3. Zhong L.W., Gao R.P., Poncharal P. et al. In situ imaging of field emission from individual carbon nanotubes and their structural damage. Appl. Phys. Letters, v. 80A95, 2002, pp. 856-858.

4. Sohn J.I., Lee S. Micropattemed vertically aligned carbon-nanotube growth on a Si surface or inside trenches. Appl. Phys. A 74, 2002, pp.287-290 (прототип).4. Sohn J.I., Lee S. Micropattemed vertically aligned carbon-nanotube growth on a Si surface or inside trenches. Appl. Phys. A 74, 2002, pp. 287-290 (prototype).

5. Martel R., Schmidt Т., Shea Y.R. et. al. Single - and multi wall carbon nanotube field - effect transistors, Appl, Phys. Letters, v.73, №17, 1998, pp.2447-2449.5. Martel R., Schmidt T., Shea Y.R. et. al. Single - and multi wall carbon nanotube field - effect transistors, Appl, Phys. Letters, v.73, No. 17, 1998, pp. 2447-2449.

Claims (1)

Эмиттер для интегральных приборов, содержащий основание эмиттера, расположенное на подложке и выполненное из слоя каталитического материала, на поверхности которого сформированы углеродные нанотрубки, расположенные перпендикулярно поверхности основания эмиттера, отличающийся тем, что в качестве основания эмиттера использован торец слоя каталитического материала, находящегося между слоями некаталитического материала.An emitter for integrated devices containing an emitter base located on a substrate and made of a layer of catalytic material on the surface of which carbon nanotubes are formed perpendicular to the surface of the emitter base, characterized in that the end face of the catalytic material layer between the non-catalytic layers is used as the emitter base material.
RU2003122969/28A 2003-07-21 2003-07-21 Emitter for integrated device RU2250526C1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003122969/28A RU2250526C1 (en) 2003-07-21 2003-07-21 Emitter for integrated device
PCT/RU2004/000098 WO2005008710A1 (en) 2003-07-21 2004-03-16 Emitter for integrated circuit devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003122969/28A RU2250526C1 (en) 2003-07-21 2003-07-21 Emitter for integrated device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2003122969A RU2003122969A (en) 2005-01-27
RU2250526C1 true RU2250526C1 (en) 2005-04-20

Family

ID=34075223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003122969/28A RU2250526C1 (en) 2003-07-21 2003-07-21 Emitter for integrated device

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2250526C1 (en)
WO (1) WO2005008710A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010010562A2 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Rectifying antenna device
US9083278B2 (en) 2010-07-05 2015-07-14 Stmicroelectronics S.R.L. Device for transforming electromagnetic IR energy from spatially incoherent, low-power density, broad-band radiation in spatially coherent, high-power density, quasi-monochromatic radiation

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6630772B1 (en) * 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
US6062931A (en) * 1999-09-01 2000-05-16 Industrial Technology Research Institute Carbon nanotube emitter with triode structure
KR100480773B1 (en) * 2000-01-07 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 Method for fabricating triode-structure carbon nanotube field emitter array

Also Published As

Publication number Publication date
RU2003122969A (en) 2005-01-27
WO2005008710A1 (en) 2005-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4338910B2 (en) Nano-sized vertical transistor using carbon nanotube and method for manufacturing the same
TWI461350B (en) Triodes using nanofabric articles and methods of making the same
KR101213861B1 (en) A lithographic process using a nanowire mask, and nanoscale devices fabricated using the process
KR101192024B1 (en) Multiple quantum dot device and fabrication method thereof
CN100583454C (en) Fin FET device and its making method
US20070018260A1 (en) Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same
EP1221710A3 (en) Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array
JP2004152787A5 (en)
JP2000086216A (en) Production of carbon nanotube, field-emission cold- cathode device and its production
US20060249391A1 (en) High resolution electrolytic lithography, apparatus therefor and resulting products
KR102037469B1 (en) Graphene electronic device and manufacturing method thereof
TW201431006A (en) Thin film transistor
RU2250526C1 (en) Emitter for integrated device
JP4611228B2 (en) Field electron emission device and manufacturing method thereof
JP2009032819A (en) Manufacturing method of electronic-device, and electronic device using the method
KR101165809B1 (en) Lateral field emission
KR100393189B1 (en) Vertical nano-size magneto random access memory using carbon nanotubes and manufacturing method thereof
KR101646081B1 (en) Method for fabricating gating hysteresis-free carbon nanotube sensor
KR20150109032A (en) Neural electorde based on polymer and manufacturing method thereof
CN108987576B (en) Preparation method of carbon nanotube composite film, carbon nanotube TFT and preparation method thereof
KR20080052250A (en) Manufacturing method of nano-wire array device
KR101829302B1 (en) Method for manufacturing assembly structure of nanomaterial and apparatus therefor
KR20160054170A (en) Method for fabricating carbon nanotube sensor having improved sensitivity
KR20120079323A (en) Method of manufacturing transistor
JP7152813B2 (en) ON-CHIP MINIATURE ELECTRON SOURCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170722