RU2196365C1 - Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, паста на ее основе и способ формирования антибликового покрытия - Google Patents
Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, паста на ее основе и способ формирования антибликового покрытия Download PDFInfo
- Publication number
- RU2196365C1 RU2196365C1 RU2001116225A RU2001116225A RU2196365C1 RU 2196365 C1 RU2196365 C1 RU 2196365C1 RU 2001116225 A RU2001116225 A RU 2001116225A RU 2001116225 A RU2001116225 A RU 2001116225A RU 2196365 C1 RU2196365 C1 RU 2196365C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- glass
- deformation temperature
- fusible
- melting
- low
- Prior art date
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Группа изобретений относится к области электронной техники и может быть использована в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП). Техническим результатом является получение антибликового покрытия с высокими светотехническими параметрами способом, исключающим операции травления кислотой, это достигается тем, что диэлектрическое покрытие формируют из нанесенного, например, с помощью диэлектрической пасты слоя порошка диэлектрической композиции, включающей два легкоплавких стекла с температурой деформации Тд1=415÷435oC и Тд2=(1,03÷1,1) Тд1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3≥1,3 Тд1 с последующим образованием светопоглощающей аморфной фазы в этом слое. 3 с.п. ф-лы.
Description
Группа изобретений относится к области электронной техники и может быть использована в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП).
Известен состав для снижения бликовости поверхности, содержащий 5÷25 вес. % электропроводного материала на основе тиофена, 0,5÷3 вес.% кремнесодержащего материала и растворитель из группы, состоящей из спирта и деионизованной воды [з. РФ 97107486/09, H 01 J 31/00, 9/00, 1999 г.].
Недостатком данного состава является то, что изделия, имеющие антибликовую поверхность на основе вышеуказанного состава, не могут подвергаться обработке при температурах до 600oС вследствие необратимых реакций между компонентами состава.
Известна диэлектрическая паста, содержащая 30÷70% частично расстеклованного порошка на основе борсиликатов Ва и Mg, 10-30% компонента, уменьшающего число проколов, например, двуокиси Si, стекла на основе борсиликата щелочноземельного металла и Аl с температурой размягчения ≥700oС или их смесь и 20÷50% соответствующего органического связующего [з. Франции 2492396, C 09 D 11/00, 1982 г.].
Недостатком этой пасты является то, что входящее в ее состав стекло на основе борсиликата щелочного металла и Аl или их смеси не позволяют использовать ее при формировании покрытий на стеклоподложках вследствие их низкой температуры деформации, равной (605±10)oС.
Известен способ формирования антибликового покрытия на поверхности стеклоподложки, заключающийся в активировании поверхности водным раствором Sn Cl, обработки ее водным раствором Ag NO3, проведении химического меднения в течение 3÷15 мин при температуре раствора меднения 30÷65oС [пат. США 4379184, 427-169, 1983 г.].
Недостатком этого способа является использование драгметаллов в сложном технологическом процессе формирования антибликового покрытия.
Известен состав для формирования антибликовой поверхности на основе золя кремниевой кислоты, стабилизированного гидроокисью лития [пат. РФ 2070749, H 01 J 17/49, 1996 г.].
Недостатком данного состава является то, что процесс формирования антибликового покрытия на его основе имеет технические сложности технологического процесса, большую трудоемкость изготовления, низкое качество антибликового покрытия.
Известна диэлектрическая паста, состоящая из 15÷55% стеклянного порошка, 15÷65% твердых частиц неорганического наполнителя, 30÷50% органического связующего [з. Великобритании 2143813, 1985 г.].
Недостатком данной пасты является то, что антибликовое покрытие, сформированное на основе указанной пасты, имеет низкий коэффициент светопропускания из-за невозможности получения тонких слоев покрытия на стеклоподложках.
Известен также способ создания антибликового покрытия с низкой отражательной и эмиссионной способностью, заключающийся в напылении на поверхность стеклоподложки серебра со скоростью, обеспечивающей агломерацию частиц серебра с образованием несплошной пленки, при этом напыление прекращают до образования агломерированными частицами серебра сплошной пленки, затем на пленку серебра напыляют медь для получения прозрачной окрашенной двухслойной пленки серебро - медь с низкой отражательной способностью [пат. США 4462884, 204-192, 1984 г.].
Недостатки этого способа: использование драгметалла, большая трудоемкость, нестабильность технологического процесса напыления.
Наиболее близкой к предлагаемой композиции в группе изобретений по совокупности признаков является диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, содержащая легкоплавкое стекло (ЛПС) с температурой деформации Тд1 [пат. Великобритании 1390888, Н 01 С 7/00, 1975 г. - прототип].
Недостатком указанной композиции является то, что при использовании ее для формирования антибликового покрытия на стеклоподложках нельзя получить термостойкое покрытие из-за присутствия в ней легкоплавкой стеклянной фритты.
Наиболее близкой к предлагаемой диэлектрической пасте по совокупности признаков является диэлектрическая паста, содержащая органическое связующее и порошок диэлектрической композиции, включающей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 [пат. РФ 2155400, H 01 B 3/12, 3/08, С 03 С 8/22, H 01 J 17/00, 2000 г. - прототип].
Недостатком данной пасты является то, что количество твердой фазы в ее составе составляет 60-80 вес.ч. Это не позволяет получать покрытие с малой толщиной 2-5 мкм. Вследствие этого антибликовое покрытие, сформированное на основе указанной пасты, имеет низкий коэффициент светопропускания (К свет.), равный 40÷50%.
Наиболее близким к предлагаемому способу в группе изобретений по совокупности признаков является способ формирования антибликового покрытия, заключающийся в нанесении на стеклянную подложку слоя порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1, и последующей его термообработке при температуре плавления легкоплавкого стекла [пат. РФ 2152912, С 03 С 17/04, 2000 г. - прототип].
Несмотря на то, что данный способ позволяет получать матированную поверхность с требуемыми параметрами, он очень трудоемок вследствие длительного цикла изготовления антибликового покрытия, критичен к климатическим условиям технологического процесса, что требует использования дорогостоящего оборудования, экологически вреден из-за использования кислоты для травления остатков легкоплавкого стекла.
Задачей группы изобретений является получение антибликового покрытия с высокими отвечающими требованиям, предъявляемым к индикаторам, светотехническими параметрами способом, исключающим операции травления кислотой, за счет формирования светопоглощающей аморфной фазы в процессе термической обработки.
Указанный единый технический результат при осуществлении группы изобретений по объекту-веществу достигается тем, что известная диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, содержащая легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1, содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1= 415-435oС и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2=(1,03÷1,1) Тд1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3≥1,3 Тд1 при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0
Использование данной диэлектрической композиции позволяет получать антибликовое покрытие, термически устойчивое при обработках при 520÷550oС.
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0
Использование данной диэлектрической композиции позволяет получать антибликовое покрытие, термически устойчивое при обработках при 520÷550oС.
Указанный единый технический результат при осуществлении группы изобретений по объекту-веществу достигается тем, что в известной диэлектрической пасте, содержащей органическое связующее и порошок диэлектрической композиции, включающей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1, диэлектрическая композиция содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1= 415÷435oС и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2=(1,03÷1,1) Тд1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3≥1,3 Тд1 при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующее стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0,
при этом диэлектрическая композиция и органическое связующее взяты в количествах, соответственно, равных,10÷15, 85÷90 вес.%.
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующее стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0,
при этом диэлектрическая композиция и органическое связующее взяты в количествах, соответственно, равных,10÷15, 85÷90 вес.%.
Использование данной пасты позволяет формировать слой толщиной 2-5 мкм для получения антибликового покрытия с высоким коэффициентом светопропускания (Ксвет.=80÷85%).
Указанный единый технический результат при осуществлении группы изобретений по объекту-способу достигается тем, что в известном способе формирования антибликового покрытия, заключающемся в нанесении на стеклянную подложку слоя порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1, и последующей его термообработке при температуре плавления легкоплавкого стекла, слой формируют толщиной 2÷5 мкм из диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1=415÷435oС и дополнительно включающей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2=(1,03÷1,1) Тд1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3≥1,3 Тд1 при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.
Данный способ позволяет получить антибликовое покрытие на стеклоподложках с высокими светотехническими параметрами без использования операции травления остатков легкоплавкого стекла в азотной кислоте.
Заявленная группа изобретений соответствует требованию единства изобретения, поскольку изобретение образует единый изобретательский замысел, причем два из заявленных объектов группы - диэлектрическая паста и композиция (состав) предназначены для формирования антибликового покрытия, при этом объекты заявленной группы изобретений направлены на решение одной и той же задачи с получением единого технического результата.
Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленной группы изобретения как для объектов-веществ, так и для объекта-способа, позволяет установить, что заявителем не обнаружены аналоги как для веществ, так и для способа заявленной группы, характеризующихся признаками, идентичными всем существенным признакам как диэлектрических пасты и композиции, так и способа заявленной группы изобретений, а определение из перечня выявленных аналогов прототипов, как наиболее близких по совокупности признаков аналогов, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков для каждого из заявленных объектов группы, изложенных в формуле изобретения.
Следовательно, каждый из объектов заявленной группы изобретений соответствует требованию "новизна".
Дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от выбранных прототипов признаками для каждого из объектов заявленной группы изобретений, не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых раскрывался бы состав диэлектрической композиции, обеспечивающий получение антибликового покрытия, устойчивого к повторным термическим обработкам при 520÷550oС за счет использования в диэлектрической композиции трех стекол - легкоплавких стекол с температурами деформации Тд1= 415÷435oС, Тд2= (1,03÷1,1) Тд1 и легкоплавкого кристаллизующегося стекла с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3≥1,3 Тд1 при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0
Не выявлены технические решения, в которых бы раскрывался состав диэлектрической пасты, обеспечивающей формирование антибликового покрытия толщиной 2÷5 мкм, имеющих Ксвет=80÷85% за счет использования в пасте порошка диэлектрической композиции заданного состава и органического связующего в количествах, равных 90÷85, 10÷15 вес.% соответственно.
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0
Не выявлены технические решения, в которых бы раскрывался состав диэлектрической пасты, обеспечивающей формирование антибликового покрытия толщиной 2÷5 мкм, имеющих Ксвет=80÷85% за счет использования в пасте порошка диэлектрической композиции заданного состава и органического связующего в количествах, равных 90÷85, 10÷15 вес.% соответственно.
Не выявлены технические решения, в которых антибликовое покрытие было бы сформировано способом, исключающим процесс травления в кислоте за счет формирования слоя порошка толщиной 2÷5 мкм из диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1=415÷435oС, легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2=(1,03÷1,1) Тд1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3≥1,3 Тд1 при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1 - 40 - 47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 - 52 - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5 - 2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.
Таким образом, каждый из объектов заявленной группы изобретений соответствует требованию "изобретательский уровень".
Для повышения качества отображаемой информации в индикаторе на внешней поверхности лицевой стеклянной пластины формируют антибликовое покрытие, которое снижает коэффициент отражения света от внутренних и внешних источников.
Получение антибликового покрытия, применимого в индикаторах, обеспечивается за счет формирования светопоглощающей аморфной фазы диэлектрической композиции заданного состава при нанесении слоя порошка этой композиции толщиной 2-5 мкм, например, методом трафаретной печати.
Для формирования антибликового покрытия индикатора используют диэлектрическую композицию, содержащую легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1= 415÷435oС, легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2= (1,03÷1,1) Тд1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3≥1,3 Тд1.
В результате воздействия высоких температур на диэлектрическую композицию происходит расплавление порошка стекла с температурой деформации Тд1, которое частично подплавляет порошок стекла с температурой деформации Тд2, придавая ему матовый оттенок и одновременно обеспечивая его сцепление со стеклоподложкой. В результате образуется шероховатая матовая поверхность покрытия, придающая ему антибликовый эффект.
Введение в состав диэлектрической композиции стекла с температурой деформации Тд3≥1,3 Тд1 позволяет получить антибликовое покрытие, термически устойчивое, за счет оплавления стекла и его последующей кристаллизации. Так как температура деформации закристаллизованной формы значительно выше температуры деформации легкоплавкого стекла, то образовавшаяся трехмерная закристаллизованная структура не размягчается при дальнейших отжигах.
Если использовать легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд2 > 1,1 Тд1, в процессе отжига диэлектрического покрытия не происходит необходимого подплавления порошка стекла с температурой деформации Тд2. Частицы порошка стекла имеют углубленный матовый оттенок, что является следствием низкого коэффициента светопропускания антибликового покрытия, равного 50÷60%.
Если температура деформации порошка стекла Тд2 будет меньше 1,03 Тд1, то в процессе отжига происходит расплавление стекла с температурой деформации Тд2. В результате поверхность антибликового покрытия близка к полированной и эффект антиблика отсутствует.
Использование порошка легкоплавкого кристаллизующегося стекла с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3<1,3 Тд1 не обеспечивает термическую устойчивость антибликового покрытия вследствие того, что температура деформации закристаллизованной формы близка к температуре отжига антибликового покрытия, в процессе которого происходит размягчение образовавшейся трехмерной структуры.
Качество антибликового покрытия зависит и от количественного содержания компонентов, входящих в состав диэлектрической композиции.
Если содержание в диэлектрической композиции порошка ЛПС с температурой деформации Тд1<40%, то в процессе отжига из-за недостатка порошка не происходит подплавление порошка ЛПС с температурой деформации Тд2=(1,03÷1,1) Тд1 во всем объеме и закрепление его на стеклоподложке. В результате антибликовое покрытие имеет низкий Ксвет. и недостаточную адгезию покрытия.
Количество порошка ЛПС с температурой деформации Тд1>47,5% приводит к тому, что в процессе отжига антибликового покрытия наблюдается полное расплавление в нем порошка легкоплавкого стекла с температурой деформации Тд2 и не происходит образования аморфной фазы, поэтому антибликовый эффект отсутствует.
Если диэлектрическая композиция содержит порошок ЛПС с температурой деформации Тд2=(1,03÷1,1) Тд1 в количестве менее 52%, то в этом случае антибликовый эффект будет минимальным, т. к. в процессе отжига не образуется достаточное количество частиц, имеющих матовый оттенок.
При содержании в диэлектрической композиции порошка ЛПС с температурой деформации Тд2= (1,03÷1,1) Тд1>58% коэффициент светопропускания антиблика равен 60% и менее вследствие того, что антибликовое покрытие имеет в основной массе неподплавленные матовые частицы указанного порошка ЛПС.
Если содержание порошка легкоплавкого кристаллизующегося стекла с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3≥1,3 Тд1<0,5%, то этого количества недостаточно для получения жесткой закристаллизованной структуры.
При количестве порошка этого стекла >2% качество структуры не ухудшается, но Ксвет. уменьшается, т.к. порошок ЛПС с указанной температурой имеет темный цвет.
Антибликовый эффект покрытия на основе заявленной диэлектрической композиции зависит от распределения ее частиц в сформированном из нее слое на стеклоподложке.
Оптимальное распределение частиц диэлектрической композиции на стеклоподложке обеспечивается с помощью диэлектрической пасты со следующим соотношением компонентов, вес.%: диэлектрическая композиция - 10÷15%, органическое связующее - 85÷90%.
При содержании в диэлектрической пасте диэлектрической композиции менее 10% и органического связующего более 90% формируемое покрытие имеет слабо выраженный антибликовый эффект вследствие дискретного неравномерного распределения частиц диэлектрической композиции.
Когда содержание органического связующего в диэлектрической пасте менее 85%, диэлектрической композиции - более 15%, формируемое покрытие, наоборот, имеет плотную упаковку частиц диэлектрической композиции, антибликовый эффект присутствует, но покрытие характеризуется низким коэффициентом светопропускания, равным 50÷60%.
В качестве органического связующего в пасте могут быть использованы растворы целлюлозы в высших спиртах.
Способ формирования антибликового покрытия заключается в формировании слоя толщиной 2-5 мкм порошка диэлектрической композиции, обеспечивающего оптимальное распределение частиц на стеклоподложке и образовании светопоглощающей аморфной фазы диэлектрической композиции в процессе его отжига.
Если толщина сформированного покрытия будет более 5 мкм, то антибликовое покрытие имеет низкий коэффициент светопропускания.
Покрытие, имеющее толщину менее 2 мкм, дает дискретное неравномерное расположение частиц порошка диэлектрической композиции на стеклоподложке и антибликовый эффект отсутствует.
Технологический процесс изготовления антибликового покрытия включает к себя приготовление диэлектрической композиции, диэлектрической пасты, формирование покрытия и его отжиг.
Для получения диэлектрической композиции берутся все компоненты по рецепту и перемешиваются в стеклянной таре со стеклянными шарами в течение 1 ч. Затем рассчитанное количество диэлектрической композиции берут для приготовления диэлектрической пасты.
Диэлектрическую пасту готовят следующим образом. Рассчитанное количество диэлектрической композиции смешивается с необходимым количеством органического связующего на основе терпинеола и этилцеллюлозы, тщательно перемешивается и перетирается на пастотерке. Для формирования антибликового покрытия индикатора на стеклянной подложке формируют слой порошка диэлектрической композиции предложенного состава толщиной 2÷5 мкм. Затем слой порошка обрабатывают при температуре плавления легкоплавкого стекла с температурой деформации Тд1.
Например, для формирования антибликового покрытия ГИП на внешней стороне лицевой стеклянной подложки формируют слой диэлектрической пасты толщиной 3 мкм. Проводят его сушку при температуре > 120÷150oС в течение 10÷15 мин. Слой диэлектрической пасты обрабатывают при температуре плавления легкоплавкого стекла с температурой деформации Тд1=(425±10)oС в течение 2,5 ч.
Для формирования антибликового покрытия использовались диэлектрические композиции и пасты следующих составов:
Пример 1
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 13
Органическое связующее - 87
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 43
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 56
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 1
Антибликовое покрытие, полученное после отжига, имеет высокий Ксвет.= 82÷85%, термоустойчиво.
Пример 1
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 13
Органическое связующее - 87
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 43
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 56
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 1
Антибликовое покрытие, полученное после отжига, имеет высокий Ксвет.= 82÷85%, термоустойчиво.
Пример 2
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 13
Органическое связующее - 87
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 40
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 2
Антибликовое покрытие, полученное после отжига, имеет высокий Ксвет.= 82÷85%, термически устойчиво.
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 13
Органическое связующее - 87
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 40
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 2
Антибликовое покрытие, полученное после отжига, имеет высокий Ксвет.= 82÷85%, термически устойчиво.
Пример 3
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 7
Органическое связующее - 93
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 43
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 56
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 1
Антибликовое покрытие после отжига имеет дискретное (локальное) распределение частиц порошка легкоплавкого стекла, антибликовый эффект практически отсутствует.
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 7
Органическое связующее - 93
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 43
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 56
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 1
Антибликовое покрытие после отжига имеет дискретное (локальное) распределение частиц порошка легкоплавкого стекла, антибликовый эффект практически отсутствует.
Пример 4
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 10
Органическое связующее - 90
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 39
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 59
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло CЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 2
Антибликовое покрытие, сформированное на основе данной пасты после отжига, имеет низкий коэффициент светопропускания.
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 10
Органическое связующее - 90
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 39
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 59
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло CЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 2
Антибликовое покрытие, сформированное на основе данной пасты после отжига, имеет низкий коэффициент светопропускания.
Пример 5
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 16
Органическое связующее - 84
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 41
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 57,5
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 1,5
Антибликовое покрытие после отжига имеет низкий коэффициент светопропускания, термически неустойчиво.
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 16
Органическое связующее - 84
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 41
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480±10)oС - 57,5
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 1,5
Антибликовое покрытие после отжига имеет низкий коэффициент светопропускания, термически неустойчиво.
Пример 6
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 15
Органическое связующее - 85
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 48
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480+10)oС - 50
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 2
Антибликовый эффект покрытия, сформированного на основе данной пасты, после отжига практически отсутствует.
Диэлектрическая паста включает, вес.%:
Диэлектрическая композиция - 15
Органическое связующее - 85
Диэлектрическая композиция следующего состава, вес.%:
Легкоплавкое стекло С 82-3 с температурой деформации Тд1=(425±10)oС - 48
Легкоплавкое стекло С 71-3 с температурой деформации Тд2=(480+10)oС - 50
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло СЦ-33 с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3=(605±10)oС - 2
Антибликовый эффект покрытия, сформированного на основе данной пасты, после отжига практически отсутствует.
Таким образом, предложенная группа изобретений позволяет получить термически устойчивое антибликовое покрытие с высоким коэффициентом светопропускания, при формировании которого не используется процесс травления в азотной кислоте.
Claims (2)
1. Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, содержащая легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1, отличающаяся тем, что композиция содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1= 415÷435oС и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2= (1,03÷1,1) ТД1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы ТД3≥1,3 ТД1 при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5÷2,0
2. Диэлектрическая паста, состоящая из органического связующего и порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1, отличающаяся тем, что диэлектрическая композиция содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1= 415÷435oC и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2= (1,03÷1,1) ТД1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы ТД3≥1,3 ТД1 при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы ТД3 - 0,5÷2,0
а диэлектрическая композиция и органическое связующее взяты в количествах, соответственно равных 10÷15, 85÷90 вес. %.
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы Тд3 - 0,5÷2,0
2. Диэлектрическая паста, состоящая из органического связующего и порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1, отличающаяся тем, что диэлектрическая композиция содержит легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1= 415÷435oC и дополнительно включает легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2= (1,03÷1,1) ТД1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы ТД3≥1,3 ТД1 при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы ТД3 - 0,5÷2,0
а диэлектрическая композиция и органическое связующее взяты в количествах, соответственно равных 10÷15, 85÷90 вес. %.
3. Способ формирования антибликового покрытия, заключающийся в нанесении на стеклянную подложку слоя порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации Тд1, и последующей его термообработке при температуре плавления легкоплавкого стекла, отличающийся тем, что слой формируют толщиной 2÷5 мкм из диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1= 415÷435oС и дополнительно включающей легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2= (1,03÷1,1)ТД1 и легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы ТД3≥1,3 ТД1 при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы ТД3 - 0,5÷2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД1 - 40÷47,5
Легкоплавкое стекло с температурой деформации ТД2 - 52÷58
Легкоплавкое кристаллизующееся стекло с температурой деформации закристаллизованной формы ТД3 - 0,5÷2,0
а после нанесения слоя проводят его термообработку для формирования светопоглощающей аморфной фазы.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001116225A RU2196365C1 (ru) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, паста на ее основе и способ формирования антибликового покрытия |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001116225A RU2196365C1 (ru) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, паста на ее основе и способ формирования антибликового покрытия |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2196365C1 true RU2196365C1 (ru) | 2003-01-10 |
Family
ID=20250710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001116225A RU2196365C1 (ru) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, паста на ее основе и способ формирования антибликового покрытия |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2196365C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2641769C2 (ru) * | 2012-09-18 | 2018-01-22 | Ром Энд Хаас Компани | Водная композиция для нанесения покрытия и антибликовое покрытие, сформированное из нее |
-
2001
- 2001-06-13 RU RU2001116225A patent/RU2196365C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2641769C2 (ru) * | 2012-09-18 | 2018-01-22 | Ром Энд Хаас Компани | Водная композиция для нанесения покрытия и антибликовое покрытие, сформированное из нее |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1361199B1 (en) | Lead-free low-melting glass | |
US7884547B2 (en) | Lead-free acid-resistant glass composition and glass paste comprised of the same | |
JP2004284934A (ja) | 無鉛低融点ガラス | |
JP2002053342A (ja) | 電極被覆用低融点ガラス | |
JP2009221027A (ja) | 耐酸性を有する無鉛低融点ガラス組成物 | |
KR20010070107A (ko) | 디스플레이용 글래스 기판의 제조방법 및 이 제조방법에의해 제조된 디스플레이용 글래스 기판 | |
US6497962B1 (en) | Low melting point glass for covering electrodes, and plasma display device | |
JP2006193385A (ja) | 電極被覆用ガラス、プラズマディスプレイパネル前面基板およびプラズマディスプレイパネル背面基板 | |
JPH10255669A (ja) | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びそれを用いたプラズマディスプレイ装置 | |
RU2196365C1 (ru) | Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, паста на ее основе и способ формирования антибликового покрытия | |
KR100203671B1 (ko) | 아이티오 소결체,아이티오 투명전도막 및 그 막의 형성방법 | |
JP2001151532A (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP4300760B2 (ja) | 電極被覆用ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP2000226233A (ja) | フラットパネルディスプレイ基板用フロートガラス | |
JP4151143B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置 | |
EP2285747B1 (en) | Production of coated glass | |
JP4282885B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
TW466528B (en) | Compound for producing electrodes and process for forming electrodes | |
JP4380589B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
KR20060012265A (ko) | 디스플레이 기판용 유리판 | |
US2993001A (en) | Matrix glass for phosphors | |
JP4016560B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよび電極被覆用ガラスセラミック組成物 | |
US6153535A (en) | Method for removing a thin film for a window glass | |
JPH10334813A (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
JP3456631B2 (ja) | 透明絶縁性被膜形成用低融点ガラス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090614 |