RU2172946C1 - Device for photoluminescent chart-making of semiconductor plates ( versions ) - Google Patents
Device for photoluminescent chart-making of semiconductor plates ( versions ) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2172946C1 RU2172946C1 RU2000120247/28A RU2000120247A RU2172946C1 RU 2172946 C1 RU2172946 C1 RU 2172946C1 RU 2000120247/28 A RU2000120247/28 A RU 2000120247/28A RU 2000120247 A RU2000120247 A RU 2000120247A RU 2172946 C1 RU2172946 C1 RU 2172946C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser beam
- photodetector
- photoluminescence
- lens
- mirror
- Prior art date
Links
- 0 *=CC1C*CC1 Chemical compound *=CC1C*CC1 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области систем для бесконтактного неразрушающего картографирования электрофизических свойств полупроводниковых пластин, в частности систем, предназначенных для фотолюминесцентного картографирования полупроводниковых пластин. The invention relates to the field of systems for non-destructive non-destructive mapping of the electrophysical properties of semiconductor wafers, in particular systems intended for photoluminescent mapping of semiconductor wafers.
Современные условия микроэлектронного производства выдвигают жесткие требования к однородности полупроводниковых пластин. Одним из распространенных методов контроля качества пластин прямозонных полупроводниковых соединений является метод фотолюминесценции. В основе метода лежит процесс облучения полупроводника сфокусированным световым зондом, энергия квантов которого больше ширины запрещенной зоны полупроводника. В результате поглощения света у поверхности на глубине ~1 мкм генерируются электронно-дырочные пары, процесс рекомбинации которых сопровождается излучением света - фотолюминесценцией. Интенсивность фотолюминесценции обычно довольно слабая, поэтому при ее регистрации стремятся обеспечить максимальный коэффициент сбора для улучшения соотношения сигнал/шум. Для создания светового зонда, как правило, используют лазерный источник. Интенсивность фотолюминесценции, ее спектральный состав, а также пространственное распределение указанных параметров позволяют охарактеризовать исследуемый полупроводниковый материал. Modern conditions of microelectronic production put forward stringent requirements for the uniformity of semiconductor wafers. One of the common methods of quality control of plates of direct-gap semiconductor compounds is the method of photoluminescence. The method is based on the process of irradiating a semiconductor with a focused light probe whose quantum energy is greater than the semiconductor band gap. As a result of light absorption at the surface at a depth of ~ 1 μm, electron-hole pairs are generated, the recombination process of which is accompanied by light emission - photoluminescence. The intensity of photoluminescence is usually quite weak, so when registering it, they tend to provide the maximum collection coefficient to improve the signal-to-noise ratio. As a rule, a laser source is used to create a light probe. The intensity of photoluminescence, its spectral composition, as well as the spatial distribution of these parameters allow us to characterize the studied semiconductor material.
Квантовый выход фотолюминесценции зависит прежде всего от материала полупроводника и состояния его поверхности, а также в ряде случаев от плотности мощности возбуждения, что характерно, например, для полуизолирующих материалов [1] . Поэтому для картографирования полупроводниковых пластин в режиме фотолюминесценции существенным является поддержание одинаковых условий светового возбуждения по всей площади пластины. The quantum yield of photoluminescence depends primarily on the semiconductor material and the state of its surface, and also in some cases on the excitation power density, which is typical, for example, for semi-insulating materials [1]. Therefore, for the mapping of semiconductor wafers in the photoluminescence mode, it is essential to maintain the same conditions of light excitation over the entire area of the wafer.
Известны два основных типа лазерных приборов, предназначенных для картографирования образцов. В первом из них, обычно называемом лазерными приборами со сканирующим пучком, образец неподвижен, а сканирование осуществляется сфокусированным световым пятном, которое разворачивается в растр при помощи системы сканирующих зеркал. Преимущество таких приборов состоит в оперативности работы, когда телевизионный растр формируется за доли секунды. Наиболее совершенные из таких систем (например, описанные в [2] и [3]) обладают широким диапазоном увеличений, где размер растра может варьироваться от порядка 1 мм до нескольких сантиметров. Недостаток лазерных приборов со сканирующим пучком состоит в том, что для создания растра больших размеров с однородными характеристиками светового пятна по всему полю зрения необходимо применять дорогостоящие телецентрические объективы, которые обладают малой числовой апертурой и соответственно малой эффективностью сбора фотолюминесценции. Two main types of laser devices are known for mapping samples. In the first of them, usually called laser devices with a scanning beam, the sample is stationary, and scanning is carried out by a focused light spot, which is deployed into the raster using a system of scanning mirrors. The advantage of such devices is the operational efficiency when a television raster is formed in a split second. The most advanced of such systems (for example, described in [2] and [3]) have a wide range of magnifications, where the raster size can vary from about 1 mm to several centimeters. The disadvantage of laser devices with a scanning beam is that to create a large-sized raster with uniform characteristics of the light spot across the entire field of view, it is necessary to use expensive telecentric lenses that have a small numerical aperture and, accordingly, low photoluminescence collection efficiency.
Ко второму классу лазерных приборов для картографирования исследуемых объектов относятся устройства, использующие принцип неподвижного светового пятна и сканирующего объекта. Такие приборы обладают высокой степенью однородности светового облучения по всему полю зрения даже для протяженных плоских объектов, имеют высокую эффективность сбора фотолюминесценции, используя объектив с большой числовой апертурой. Приборы со сканированием образцом подразделяются на два подкласса: приборы, где используется XY тип сканирования, и приборы со спиральным типом сканирования образцом, где вращение образца сочетается с его линейным перемещением. The second class of laser devices for mapping the studied objects includes devices that use the principle of a fixed light spot and a scanning object. Such devices have a high degree of uniformity of light irradiation over the entire field of view even for extended flat objects, and have high photoluminescence collection efficiency using a lens with a large numerical aperture. Devices with a scanning sample are divided into two subclasses: devices using the XY type of scanning, and devices with a spiral type of scanning a sample, where the rotation of the sample is combined with its linear movement.
Устройства первого подкласса наиболее широко распространены и сочетают достоинства широкого выбора диапазона разверток, произвольного выбора местоположения области сканирования и возможность получать пространственное разрешение порядка 1 мкм. К недостаткам следует отнести большое время сканирования протяженных объектов, например полупроводниковых пластин диаметром 150 мм, поскольку максимальная скорость перемещения, обеспечиваемая коммерчески доступными столами линейного перемещения, как правило, существенно ниже 100 мм/с. The devices of the first subclass are the most widespread and combine the advantages of a wide choice of the sweep range, arbitrary choice of the location of the scan area and the ability to obtain a spatial resolution of the order of 1 μm. The disadvantages include the long scanning time of extended objects, for example, semiconductor wafers with a diameter of 150 mm, since the maximum movement speed provided by commercially available linear displacement tables, as a rule, is significantly lower than 100 mm / s.
Устройства второго подкласса со спиральным типом сканирования образцом, описаны, например, в [4] и [5], причем устройство [5] предназначено для работы, в том числе, в режиме фотолюминесценции. Устройства этого подкласса имеют достоинства высокой скорости сканирования даже для протяженных объектов, но имеют ограничения по выбору области сканирования, центр которой всегда совпадает с осью вращения. Кроме того, в устройствах второго подкласса невозможно организовать сканирование маленького участка с высоким (микронным) разрешением в произвольной области образца. Devices of the second subclass with a spiral type of scanning a sample are described, for example, in [4] and [5], and the device [5] is designed to operate, including in the photoluminescence mode. Devices of this subclass have the advantages of high scanning speed even for extended objects, but have restrictions on the choice of the scanning area, the center of which always coincides with the axis of rotation. In addition, in devices of the second subclass it is impossible to organize scanning of a small area with high (micron) resolution in an arbitrary region of the sample.
Стоит упомянуть также прибор, описанный в [6], предназначенный для регистрации рассеянного света, но который может использоваться и для регистрации фотолюминесценции, если установленный в этом приборе светофильтр рассчитан на спектральную область фотолюминесценции. В приборе [6] свет от источника излучения (лазера) после фокусировки объективом проходит через отверстие в наклонном зеркале и падает на образец. Рассеянный свет либо фотолюминесценция собираются конденсором, выполненным в виде эллиптического или параболического зеркала, и после отражения от наклонного зеркала и прохождения через светофильтр поступает на фотоприемник. В этом приборе полупроводниковая платина вращается, а весь оптический узел собран в корпусе, выполненном подвижным, поэтому в этой конструкции технически сложно реализовать регистрацию спектральных характеристик фотолюминесценции, поскольку используемый для этого монохроматор, имеющий большие габариты, придется размещать в подвижном корпусе. It is also worth mentioning the device described in [6], designed to detect scattered light, but which can also be used to detect photoluminescence, if the filter installed in this device is designed for the spectral region of photoluminescence. In the device [6], the light from a radiation source (laser) after focusing by the lens passes through an opening in an inclined mirror and falls on the sample. Scattered light or photoluminescence is collected by a capacitor made in the form of an elliptical or parabolic mirror, and after reflection from an inclined mirror and passing through a light filter, it enters the photodetector. In this device, the semiconductor platinum rotates, and the entire optical assembly is assembled in a movable housing; therefore, it is technically difficult to record the photoluminescence spectral characteristics in this design, since the large-sized monochromator used for this will have to be placed in a movable housing.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является прибор для фотолюминесцентного картографирования полупроводниковых пластин [7], включающий предметный столик для размещения на нем полупроводниковой пластины, лазерный источник, формирующий лазерный луч с практически плоским волновым фронтом, распространяющийся вдоль оптической оси, фотоприемник, датчик фотолюминесценции, содержащий расположенный на оптической оси объектив для фокусировки лазерного луча на поверхности полупроводниковой пластины, систему сканирования, включающую два стола линейного перемещения, при этом 2-й стол линейного перемещения установлен перпендикулярно 1-му на его подвижной каретке. The closest in technical essence to the present invention is a device for photoluminescent mapping of semiconductor wafers [7], including a stage for placing a semiconductor wafer on it, a laser source that generates a laser beam with a practically flat wavefront, propagating along the optical axis, a photodetector, a photoluminescence sensor comprising a lens located on the optical axis for focusing a laser beam on the surface of a semiconductor wafer, a system y scanning, comprising two table linear movement, wherein the 2nd table linear movement is perpendicular 1st its movable carriage.
Прибор [7] обладает указанным выше недостатком, присущим устройствам XY сканирования: обладает медленной скоростью сканирования для больших объектов, в частности, время сканирования полупроводниковой пластины составляет 40 мин. Кроме того, в этом приборе для разделения лазерного излучения и фотолюминесценции используется расщепитель света, что обуславливает недостаточную эффективность датчика фотолюминесценции вследствие потерь света на расщепителе. В случае нейтрального расщепителя существуют потери как на пропускание лазерного излучения, так и на отражение фотолюминесценции, причем в оптимальном случае для каждого светового потока теряется половина мощности. В случае поляризационного светофильтра теряется половина мощности фотолюминесценции. Кроме того, расщепитель светового пучка оптимизирован на работу в относительно узком спектральном интервале порядка нескольких сотен нанометров, в то время как спектральный диапазон регистрируемой фотолюминесценции желателен быть более широким. Недостаточная эффективность датчика фотолюминесценции ухудшает соотношение сигнал/шум и также не позволяет производить быстрое картографирование в режиме фотолюминесценции. The device [7] has the above drawback inherent in XY scanning devices: it has a slow scanning speed for large objects, in particular, the scanning time of a semiconductor wafer is 40 minutes. In addition, a light splitter is used in this device for the separation of laser radiation and photoluminescence, which leads to insufficient efficiency of the photoluminescence sensor due to light loss on the splitter. In the case of a neutral splitter, there are losses both in the transmission of laser radiation and in the reflection of photoluminescence, and in the optimal case, half the power is lost for each light flux. In the case of a polarizing filter, half the photoluminescence power is lost. In addition, the light splitter is optimized to operate in a relatively narrow spectral range of the order of several hundred nanometers, while the spectral range of the recorded photoluminescence is desirable to be wider. The insufficient efficiency of the photoluminescence sensor degrades the signal-to-noise ratio and also does not allow for fast mapping in the photoluminescence mode.
Задачей изобретения является повышение быстродействия картографирования фотолюминесцентных характеристик полупроводниковых пластин в широком диапазоне размеров исследуемых объектов. The objective of the invention is to increase the speed of mapping the photoluminescent characteristics of semiconductor wafers in a wide range of sizes of the studied objects.
Указанная задача решается применением быстродействующей системы сканирования и эффективной оптической системы для сбора фотолюминесценции, позволяющей улучшить соотношение сигнал/шум. This problem is solved by using a high-speed scanning system and an effective optical system for collecting photoluminescence, which allows to improve the signal-to-noise ratio.
В соответствии с поставленной задачей в приборе для фотолюминесцентного картографирования полупроводниковых пластин, включающем предметный столик для размещения на нем полупроводниковой пластины, лазерный источник, формирующий лазерный луч с практически плоским волновым фронтом, распространяющийся вдоль оптической оси, фотоприемник, датчик фотолюминесценции, содержащий расположенный на оптической оси объектив для фокусировки лазерного луча на поверхности полупроводниковой пластины, систему сканирования, включающую два стола линейного перемещения, при этом 2-й стол линейного перемещения установлен перпендикулярно 1-му на его подвижной каретке, система сканирования дополнительно включает поворотный стол, выполненный с возможностью вращения расположенного на нем предметного столика, при этом сам поворотный стол установлен на подвижной каретке 2-го стола линейного перемещения, датчик фотолюминесценции дополнительно включает расположенное над объективом плоское наклонное зеркало, выполненное с отверстием для прохождения лазерного луча, и конденсор, расположенный под плоским наклонным зеркалом, причем фокус объектива оптически сопряжен с фотоприемником через плоское наклонное зеркало и конденсор. In accordance with the task, a device for photoluminescent mapping of semiconductor wafers, including a stage for placing a semiconductor wafer on it, a laser source generating a laser beam with an almost flat wavefront propagating along the optical axis, a photodetector, a photoluminescence sensor, containing located on the optical axis a lens for focusing a laser beam on the surface of a semiconductor wafer, a scanning system comprising two lineworks slight movement, while the 2nd linear displacement table is mounted perpendicular to the 1st on its movable carriage, the scanning system further includes a rotary table configured to rotate the object table located on it, while the rotary table itself is mounted on the movable carriage of the 2nd a linear displacement table, the photoluminescence sensor further includes a flat inclined mirror located above the lens, made with an opening for the passage of the laser beam, and a condenser located It is located under a flat inclined mirror, and the focus of the lens is optically coupled to the photodetector through a flat inclined mirror and a condenser.
Поворотный стол может быть выполнен в виде шагового электродвигателя, на валу которого укреплена платформа вращения для фиксации на ней предметного столика. The rotary table can be made in the form of a stepper motor, on the shaft of which a rotation platform is mounted to fix the object table on it.
Конденсор может быть выполнен в виде одной оптической линзы или системы оптических линз, каждая из которых имеет осесимметричное отверстие для прохождения без преломления лазерного луча и расположена коаксиально с объективом. The capacitor can be made in the form of a single optical lens or a system of optical lenses, each of which has an axisymmetric hole for passage without refraction of the laser beam and is located coaxially with the lens.
Конденсор также может быть выполнен с использованием одного или нескольких зеркальных оптических элементов, не пересекающихся с лазерным лучом, например, в виде части эллипсоида вращения с осью, расположенной на оптической оси, один фокус которого совпадает с фокусом объектива, а другой фокус переносится плоским наклонным зеркалом на фоточувствительную площадку фотоприемника. The capacitor can also be made using one or more mirror optical elements that do not intersect with the laser beam, for example, as a part of a rotation ellipsoid with an axis located on the optical axis, one focus of which coincides with the focus of the lens, and the other focus is transferred by a flat tilted mirror to the photosensitive area of the photodetector.
В качестве объектива может быть использована оптическая линза, у которой устранены сферические аберрации, например линза с градиентным индексом показателя преломления или ахроматическая склеенная линза. An optical lens can be used as a lens, in which spherical aberrations are eliminated, for example, a lens with a gradient index of refractive index or an achromatic bonded lens.
Предлагаемый прибор может дополнительно содержать расширитель лазерного луча, расположенный между лазерным источником и датчиком фотолюминесценции, причем диаметр лазерного луча на выходе расширителя примерно равен диаметру входного зрачка объектива. The proposed device may additionally contain a laser beam expander located between the laser source and the photoluminescence sensor, and the diameter of the laser beam at the output of the expander is approximately equal to the diameter of the entrance pupil of the lens.
Упомянутый расширитель лазерного луча может быть выполнен подвижным с возможностью фиксации в двух положениях, при этом в первом положении ось расширителя лазерного луча совпадает с оптической осью, а во втором положении расширитель лазерного луча не пересекается с лазерным лучом. Said laser beam expander can be made movable with the possibility of fixing in two positions, while in the first position the axis of the laser beam expander coincides with the optical axis, and in the second position, the laser beam expander does not intersect with the laser beam.
Предлагаемый прибор также может дополнительно содержать расположенный между датчиком фотолюминесценции и расширителем лазерного луча оптический узел, сжимающий лазерный луч и выполненный подвижным с возможностью фиксации на оптической оси и вне ее. The proposed device may also further comprise an optical unit located between the photoluminescence sensor and the laser beam expander, compressing the laser beam and made movable with the possibility of fixation on the optical axis and outside it.
В качестве фотоприемника может быть использован спектрально-разрешаемый фотоприемник. As a photodetector, a spectrally resolved photodetector can be used.
Предлагаемый прибор может также дополнительно содержать 2-й фотоприемник и подвижное зеркало, выполненное плоским и с возможностью фиксации в двух положениях, при этом в 1-м положении подвижное зеркало находится в стороне от потока фотолюминесценции из датчика фотолюминесценции, а во 2-м положении подвижное зеркало находится на пути потока фотолюминесценции из датчика фотолюминесценции, причем 2-й фотоприемник расположен симметрично с 1-м фотоприемником по отношению к плоскости подвижного зеркала в его 2-м положении. The proposed device may also additionally contain a 2nd photodetector and a movable mirror made flat and can be fixed in two positions, while in the 1st position the movable mirror is located away from the photoluminescence flux from the photoluminescence sensor, and in the 2nd position it is movable the mirror is in the path of the photoluminescence flux from the photoluminescence sensor, wherein the 2nd photodetector is located symmetrically with the 1st photodetector with respect to the plane of the moving mirror in its 2nd position.
В качестве 1-го фотоприемника может быть использован спектрально-разрешаемый фотоприемник, а 2-го фотоприемника - интегрально-чувствительный в широком спектральном диапазоне фотоприемник. As the 1st photodetector, a spectrally resolvable photodetector can be used, and the 2nd photodetector can be integrated-sensitive in a wide spectral range of the photodetector.
Вариантом выполнения предлагаемого прибора для фотолюминесцентного картографирования полупроводниковых пластин является прибор, включающий предметный столик для размещения на нем полупроводниковой пластины, лазерный источник, формирующий лазерный луч с практически плоским волновым фронтом, распространяющийся вдоль оптической оси, фотоприемник, датчик фотолюминесценции, включающий расположенный на оптической оси объектив, систему сканирования, включающую два стола линейного перемещения, при этом 2-й стол линейного перемещения установлен перпендикулярно 1-му на его подвижной каретке, отличающийся тем, что система сканирования дополнительно включает поворотный стол, выполненный с возможностью вращения расположенного на нем предметного столика, при этом сам поворотный стол установлен на подвижной каретке 2-го стола линейного перемещения, датчик фотолюминесценции дополнительно включает плоское наклонное зеркало, выполненное с отверстием для прохождения лазерного луча, и конденсор, расположенный под плоским наклонным зеркалом коаксиально с объективом и выполненный в виде системы линз, по крайней мере одна из которых имеет осесимметричное отверстие для прохождения лазерного луча, причем фокус оптической системы, образованной объективом и центральными областями линз конденсора без отверстий, оптически сопряжен с фотоприемником через плоское наклонное зеркало и периферийные области линз конденсора. An embodiment of the proposed device for photoluminescent mapping of semiconductor wafers is a device including a stage for placing a semiconductor wafer on it, a laser source generating a laser beam with an almost flat wavefront propagating along the optical axis, a photodetector, a photoluminescence sensor, including a lens located on the optical axis , a scanning system comprising two tables of linear movement, while the 2nd table of linear movement of mouth mounted perpendicularly to the 1st one on its movable carriage, characterized in that the scanning system further includes a rotary table configured to rotate the stage located on it, while the rotary table itself is mounted on a movable carriage of the 2nd linear displacement table, an additional photoluminescence sensor includes a flat inclined mirror made with a hole for the passage of the laser beam, and a condenser located under the flat inclined mirror coaxially with the lens and is made a first lens system, at least one of which has an axisymmetric opening for passage of the laser beam, the focus of the optical system formed by the central regions of the lens and the condenser lens without holes, optically coupled to the photodetector through an inclined flat mirror and the peripheral region of the condenser lens.
На фиг. 1 представлена блок-схема предлагаемого прибора. In FIG. 1 shows a block diagram of the proposed device.
На фиг. 2 представлен датчик фотолюминесценции, содержащий конденсор, выполненный из оптических линз, имеющих осесимметричные отверстия. In FIG. 2 shows a photoluminescence sensor containing a condenser made of optical lenses having axisymmetric openings.
На фиг. 3 представлен расширитель лазерного луча, расположенный между лазерным источником и датчиком фотолюминесценции. In FIG. Figure 3 shows a laser beam expander located between the laser source and the photoluminescence sensor.
На фиг. 4 представлена схема оптической коммутации двух фотоприемников с помощью плоского подвижного зеркала. In FIG. 4 shows a diagram of the optical switching of two photodetectors using a flat movable mirror.
На фиг. 5 представлен датчик фотолюминесценции, конденсор которого выполнен из оптических линз, одна из которых имеет осесимметричное отверстие. In FIG. 5 shows a photoluminescence sensor, the condenser of which is made of optical lenses, one of which has an axisymmetric hole.
Исследуемый объект - полупроводниковая пластина 1 размещается на предметном столике 2, который в свою очередь крепится на системе сканирования 3, состоящей из двух столов линейного перемещения 4 и 5 и поворотного стола 6, причем 2-й стол линейного перемещения 5 установлен перпендикулярно 1-му столу 4 на его подвижной каретке, а поворотный стол 6 установлен на подвижной каретке 2-го стола линейного перемещения 5. Предметный столик 2 крепится на платформе вращения поворотного стола 6. Система сканирования 3 позволяет осуществлять независимое перемещение предметного столика 2 в двух взаимно перпендикулярных направлениях и его вращение по командам соответствующего блока управления. The studied object - a
Для возбуждения фотолюминесценции служит лазерный источник 7, формирующий лазерный луч 8 с практически плоским волновым фронтом. Направление лазерного луча определяет оптическую ось. Луч 8 фокусируется датчиком фотолюминесценции 9 на верхней поверхности полупроводниковой пластины 1. Юстировочный элемент 10 позволяет перемещение датчика фотолюминесценции в вертикальном направлении в небольших пределах для обеспечения минимального диаметра светового пятна 11 на поверхности полупроводниковой пластины 1. Датчик фотолюминесценции 9 собирает фотолюминесценцию, возбуждаемую в полупроводниковой пластине 1 и направляет ее на фотоприемник 12. Фотоприемник 12 преобразует световой поток в электрический сигнал, поступающий далее в систему регистрации 13, которая может включать, например, компьютер. To excite photoluminescence, a laser source 7 is used, which forms a
Датчик фотолюминесценции (фиг. 2) состоит из объектива 14, ось которого совпадает с направлением лазерного луча, конденсора 15 и плоского наклонного зеркала 16. Плоское наклонное зеркало 16 имеет отверстие для беспрепятственного прохождения лазерного луча 8, который фокусируется объективом 14 на верхней поверхности полупроводниковой пластины 1 в световое пятно 11. Фотолюминесценция, эмиттируемая из области светового пятна 11, собирается конденсором 15 и после отражения от плоского наклонного зеркала 16 поступает на фотоприемник 12. The photoluminescence sensor (Fig. 2) consists of a
Взаимное расположение фотоприемника 12 и компонентов датчика фотолюминесценции 9 таково, что фокус объектива оптически сопряжен с фотоприемником через оптическую систему "конденсор - плоское наклонное зеркало". The mutual arrangement of the
Взаимное расположение датчика фотолюминесценции 9 и сканирующей системы 3 таково, что ось объектива датчика фотолюминесценции 11 находится внутри области возможных положений оси поворотного стола 6. Эта область определяется допустимым перемещением кареток столов линейного перемещения 4 и 5. The relative position of the photoluminescence sensor 9 and the scanning system 3 is such that the axis of the lens of the
Конденсор 15 может быть выполнен в виде одной оптической линзы или системы оптических линз, каждая из которых имеет осесимметричное отверстие для прохождения без преломления лазерного излучения и расположена коаксиально с объективом. The
Конденсор 15 также может быть выполнен с использованием одного или нескольких зеркальных оптических элементов, не пересекающихся с лазерным лучом, например в виде части эллипсоида вращения с осью, расположенной на оптической оси, один фокус которого совпадает с фокусом объектива 14, а другой фокус переносится плоским наклонным зеркалом 16 на фоточувствительную площадку фотоприемника 12. Использование зеркальных оптических элементов для сбора фотолюминесценции позволяет избежать хроматических аберраций, присущих оптическим линзам и расширить диапазон регистрируемой фотолюминесценции. The
В качестве объектива 14 может быть использована одна оптическая линза, у которой устранены сферические аберрации, например, линза с градиентным индексом показателя преломления или ахроматическая склеенная линза. As the
Для получения минимального диаметра светового пятна 11 на поверхности полупроводниковой пластины в конструкцию прибора вводится расширитель лазерного луча 17 (фиг. 3), расположенный между лазерным источником 7 и датчиком фотолюминесценции 9, причем диаметр лазерного луча на выходе расширителя примерно равен диаметру входного зрачка объектива. Если считать объектив безаберрационным, то диаметр светового пятна 11 определяется двумя факторами: расходимостью падающего на объектив светового пучка и дифракционными эффектами, которые определяют дифракционный предел диаметра светового пятна:
d = 1,22λ/sinα, (1)
где λ - длина волны света, α - угловая аппертура пучка, формирующего световое пятно (фиг. 2). Поэтому для уменьшения диаметра светового пятна 11 необходимо уменьшать расходимость падающего на объектив светового пучка и увеличивать угловую апертуру α, что достигается увеличением степени заполнения входного зрачка объектива, то есть увеличением диаметра падающего на объектив лазерного луча.To obtain the minimum diameter of the
d = 1,22λ / sinα, (1)
where λ is the wavelength of light, α is the angular aperture of the beam forming the light spot (Fig. 2). Therefore, to reduce the diameter of the
Диаметр луча на выходе лазерного источника, как правило, порядка 1 мм, что существенно меньше диаметра выходного зрачка объектива. После выхода из расширителя лазерного луча уменьшается расходимость лазерного луча и одновременно увеличивается его диаметр, и использование расширителя лазерного луча позволяет уменьшить диаметр светового пятна 11 на поверхности полупроводниковой пластины. The diameter of the beam at the exit of the laser source is, as a rule, about 1 mm, which is significantly smaller than the diameter of the exit pupil of the lens. After exiting the laser beam expander, the divergence of the laser beam decreases and its diameter increases at the same time, and the use of the laser beam expander reduces the diameter of the
Изменение диаметра светового пятна 11 осуществляется посредством выполнения расширителя лазерного луча подвижным с возможностью фиксации в двух положениях, при этом в первом положении ось расширителя лазерного луча совпадает с оптической осью, а во втором положении расширитель лазерного луча не пересекается с лазерным лучом. Changing the diameter of the
Изменение диаметра светового пятна 11 возможно также в конструкции прибора, содержащего, помимо установленного на оптической оси расширителя лазерного луча, оптический узел, сжимающий лазерный луч и выполненный подвижным с возможностью фиксации в двух положениях: в первом положении на оптической оси, во втором положении - вне ее. Во втором положении диаметр светового пятна 11 будет меньше, чем в первом. Оптическим узлом, сжимающим лазерный луч, может являться, например, стандартный расширитель, выход которого обращен к лазерному источнику. Changing the diameter of the
Для картографирования спектральных характеристик фотолюминесценции в качестве фотоприемника необходимо использовать спектрально-разрешаемый фотоприемник, которым может быть, например, монохроматор с расположенным на выходе обычным фотоприемником, воспринимающим свет в широком спектральном диапазоне. В этом случае установка монохроматора на определенную длину волны позволяет производить картографирование фотолюминесценции в узком спектральном интервале порядка 1 нм. При использовании на выходе монохроматора фотодиодной линейки возможно одновременное снятие всего спектра или его части в каждой точке образца в процессе сканирования. To map the spectral characteristics of photoluminescence as a photodetector, it is necessary to use a spectrally resolved photodetector, which can be, for example, a monochromator with an ordinary photodetector located at the output, which receives light in a wide spectral range. In this case, setting the monochromator to a specific wavelength allows mapping photoluminescence in a narrow spectral range of the order of 1 nm. When using a photodiode array at the monochromator output, it is possible to simultaneously remove the entire spectrum or its part at each point of the sample during scanning.
Если в качестве фотоприемника выбран фотоприемник, интегрально чувствительный в широком спектральном интервале порядка нескольких сотен нанометров, то осуществляется интегральный режим работы. If a photodetector integrally sensitive over a wide spectral range of the order of several hundred nanometers is selected as the photodetector, the integrated mode of operation is performed.
Прибор может быть оснащен 2-м фотоприемником, используя подвижное зеркало, выполненное плоским, как показано на фиг. 4. Подвижное зеркало 18 имеет два фиксированных положения. В первом положении, показанном сплошной линией, подвижное зеркало 18 не пересекается с потоком фотолюминесценции из датчика фотолюминесценции к 1-му фотоприемнику 12. Во втором положении, показанном пунктирной линией, подвижное зеркало направляет поток фотолюминесценции на 2-й фотоприемник 19, при этом 2-й фотоприемник 19 расположен симметрично с 1-м фотоприемником 12 относительно плоскости подвижного зеркала 18 в его 2-м положении, поэтому весь поток фотолюминесценции поступает на 2-й фотоприемник 19. Электрический сигнал с выхода 2-го фотоприемника 19 поступает на систему регистрации 13. The device can be equipped with a 2nd photodetector using a movable mirror made flat, as shown in FIG. 4. The
Если 1-й фотоприемник 12 выбран спектрально-разрешаемым, а 2-й фотоприемник 19 - интегрально-чувствительным, то использование подвижного зеркала 18 в качестве коммутатора потока фотолюминесценции позволяет реализовать как спектральный режим работы прибора, так и интегральный. If the
Вариант выполнения заявляемого прибора отличается конструкцией датчика фотолюминесценции 9, представленной на фиг. 5. Датчик фотолюминесценции состоит из объектива 14, ось которого совпадает с направлением лазерного луча 8, плоского наклонного зеркала 16 с отверстием для прохождения лазерного луча и конденсора 15, состоящего из нескольких линз, по крайней мере одна из которых имеет осесимметричное отверстие для прохождения лазерного луча без преломления, причем линзы конденсора расположены коаксиально с объективом 14. Центральные части линз конденсора 15 без отверстий участвуют вместе с объективом 14 в формировании светового пятна 11, а периферийные области линз конденсора 15 собирают фотолюминесценцию, которая далее направляется плоским наклонным зеркалом 16 на фотоприемник 12. Фокус оптической системы, образованной объективом 14 и центральными областями линз конденсора 15 без отверстий, является оптически сопряженным с фотоприемником 12 через периферийные области линз конденсора и плоское наклонное зеркало. An embodiment of the inventive device is distinguished by the design of the photoluminescence sensor 9 shown in FIG. 5. The photoluminescence sensor consists of a
Прибор для фотолюминесцентного картографирования полупроводниковых пластин по настоящему изобретению работает следующим образом. Лазерный луч 8 от источника лазерного излучения 7 фокусируется датчиком фотолюминесценции 9 на поверхности полупроводниковой пластины 1 в световое пятно 11, возбуждая в полупроводниковой пластине 1 фотолюминесценцию, которая собирается датчиком фотолюминесценции 9 и направляется им на фотоприемник 12. Фотоприемник 12 преобразует фотолюминесценцию в электрический сигнал, который поступает в систему регистрации 13, в состав которой может входить, например, персональный компьютер. Система регистрации считывает и запоминает сигнал от фотоприемника 12 синхронно со сканированием полупроводниковой пластины 1, которое осуществляется по командам блока управления. Полученная информация может отображаться на экране монитора персонального компьютера системы регистрации в виде картограммы. При этом яркость или цвет каждой точки картограммы определяется интенсивностью фотолюминесценции соответствующей точки полупроводниковой пластины 1. The device for photoluminescent mapping of semiconductor wafers of the present invention operates as follows. The
Сканирование осуществляется по командам блока управления. Система сканирования может работать в одном из двух режимов по выбору оператора, осуществляя либо XY сканирование, либо спиральный тип сканирования. Scanning is performed according to the commands of the control unit. The scanning system can operate in one of two modes at the choice of the operator, performing either XY scanning or a spiral type of scanning.
Если осуществляется XY тип сканирования, то вращение предметного столика 2 не производится, при этом один из столов линейного перемещения производит строчную развертку, а другой - кадровую. Привод в начальную точку сканирования может осуществляться комбинацией перемещений столами линейного перемещения и поворотом поворотного стола 2 на необходимый угол. If the XY type of scanning is performed, then the stage 2 is not rotated, while one of the linear movement tables performs a horizontal scan, and the other a frame scan. The drive to the starting point of the scan can be carried out by a combination of movements by linear displacement tables and by turning the rotary table 2 to the required angle.
Если осуществляется спиральный тип сканирования, то производится равномерное вращение предметного столика 2 и одновременное перемещение каретки одного из столов линейного перемещения или двух столов одновременно. При этом начало сканирования соответствует совмещению оси поворотного стола 6 с оптической осью, а для построения картограммы система регистрации переводит полярные координаты развертки в декартовы. If a spiral type of scanning is carried out, then the object stage 2 is uniformly rotated and the carriage of one of the linear movement tables or two tables is simultaneously moved at the same time. At the same time, the start of scanning corresponds to the alignment of the axis of the rotary table 6 with the optical axis, and for constructing a cartogram, the registration system translates the polar coordinates of the sweep into Cartesian ones.
Спиральный тип сканирования позволяет производить быстрое картографирование всей полупроводниковой пластины даже большого диаметра, например 150 мм, поскольку скорость вращения полупроводниковой пластины может быть сделана довольно высокой, вплоть до нескольких оборотов в секунду. В этом случае при использовании XY типа сканирования потребуется существенно большее время, поскольку скорость линейного перемещения ограничена. Однако картографирование небольшого участка в произвольной области полупроводниковой пластины может быть произведено только с использованием XY типа сканирования. The spiral type of scanning allows you to quickly map the entire semiconductor wafer, even a large diameter, for example 150 mm, since the rotation speed of the semiconductor wafer can be made quite high, up to several revolutions per second. In this case, when using the XY type of scanning, a significantly longer time is required, since the speed of linear movement is limited. However, mapping a small area in an arbitrary area of the semiconductor wafer can only be done using the XY scan type.
Для получения информативной картограммы диаметр d светового пятна 11 на поверхности полупроводниковой пластины должен удовлетворять условию:
d < L/n
где L - размер области сканирования, n - количество строк в растре. Полагая n = 400, для L = 150 мм получаем d<375 мкм и для L = 2 мм d<5 мкм.To obtain an informative cartogram, the diameter d of the
d <L / n
where L is the size of the scan area, n is the number of lines in the raster. Assuming n = 400, for L = 150 mm we get d <375 μm and for L = 2 mm d <5 μm.
Изменение диаметра светового пятна 11 возможно в конструкции прибора, снабженного расширителем лазерного луча 17, который может находиться в одном из двух фиксированных положений. При картографировании небольших участков полупроводниковой пластины 1 с высоким пространственным разрешением необходимо использовать 1-е положение расширителя лазерного луча 17 для обеспечения минимального диаметра (порядка нескольких микрометров) светового пятна. При этом расширитель лазерного луча находится на оптической оси. Этот режим позволяет визуализировать распределение дислокаций прямозонных полупроводниковых соединений. Changing the diameter of the
При картографировании целиком всей пластины предпочтительнее использовать 2-е положение расширителя лазерного луча, поскольку, во-первых, диаметр светового пятна 11 может быть больше, чем минимальный в соответствии с формулой (2), а во-вторых, неоднородность толщины пластины приводит к меньшему изменению диаметра светового зонда при сканировании вследствие меньшего значения апертурного угла α. Постоянство диаметра светового пятна на поверхности полупроводниковой пластины является существенным фактором при сравнительном анализе фотолюминесценции от различных участков полупроводниковой пластины, поскольку интенсивность фотолюминесценции зависит не только от интенсивности возбуждающего света, но в общем случае и от плотности мощности возбуждения [1]. When mapping the entire plate, it is preferable to use the 2nd position of the laser beam expander, because, firstly, the diameter of the
Неоднородность толщины полупроводниковой пластины приводит к изменению диаметра светового пятна, которое тем больше, чем больше угловая апертура α (фиг. 2). Неоднородность толщины полупроводниковой пластины в пределах всей пластины выше, чем в пределах небольшого ее участка, что обуславливает необходимость использования 2-го положения расширителя лазерного луча при сканировании всей полупроводниковой пластины. The inhomogeneity of the thickness of the semiconductor wafer leads to a change in the diameter of the light spot, which is greater, the larger the angular aperture α (Fig. 2). The heterogeneity of the thickness of the semiconductor wafer within the entire wafer is higher than within its small portion, which necessitates the use of the 2nd position of the laser beam expander when scanning the entire semiconductor wafer.
Изменение диаметра светового пятна 11 на поверхности полупроводниковой пластины возможно также с использованием оптического узла, сжимающего лазерный луч, расположенного между датчиком фотолюминесценции и расширителем лазерного луча и выполненного подвижным с возможностью фиксации на оптической оси и вне ее. При этом реализуется возможность достижения минимального диаметра светового пятна 11 при заполнении лазерным лучом входного зрачка объектива, когда оптический узел, сжимающий лазерный луч, находится вне оптической оси. При фиксации упомянутого оптического узла на оптической оси диаметр светового пятна 11 увеличивается и одновременно уменьшается апертурный угол α в степени, определяемой конфигурацией оптического узла, сжимающего лазерный луч. Changing the diameter of the
При использовании в качестве фотоприемника 12 спектрально-разрешаемого фотоприемника возможно проведение картографирования в выбранном узком (порядка нескольких нанометров) спектральном интервале фотолюминесценции. Кроме того, проведя серию последовательных сканирований всей полупроводниковой пластины на различных длинах волн регистрируемой фотолюминесценции, путем последующей математической обработки массива полученных данных возможно вычисление для каждой точки полупроводниковой пластины таких параметров, как спектральное положение максимума фотолюминесценции, полуширина спектра и т.д. When using a spectrally resolved
Для совмещения возможностей топографирования спектральной и интегральной фотолюминесценции или расширения спектрального диапазона регистрируемой интегральной фотолюминесценции прибор может быть снабжен 2-м фотоприемником 19 (фиг. 4), а поток фотолюминесценции на 1-й и 2-й фотоприемники коммутируется плоским подвижным зеркалом 18 (фиг. 4). Выход 2-го фотоприемника 19 также подключается к системе регистрации 13. При этом система регистрации считывает сигнал с того фотоприемника, которому соответствует данное положение подвижного зеркала 18. Например, во 2-м положении подвижного зеркала 18, направляющего поток фотолюминесценции на 2-й фотоприемник 19, система регистрации считывает сигнал со 2-го фотоприемника. To combine the capabilities of topographic mapping of spectral and integrated photoluminescence or expand the spectral range of the recorded integral photoluminescence, the device can be equipped with a 2nd photodetector 19 (Fig. 4), and the photoluminescence flux at the 1st and 2nd photodetectors is switched by a flat movable mirror 18 (Fig. 4). The output of the
Если 1-й фотоприемник выполнен спектрально-разрешаемым, а 2-й - интегрально-чувствительным, то возможно картографирование как интегральной, так и спектральной фотолюминесценции. If the 1st photodetector is spectrally resolvable and the 2nd is integrally sensitive, then mapping of both integral and spectral photoluminescence is possible.
Для изготовления макетного варианта заявляемого прибора были использованы прецизионные столы линейного перемещения, приводимые в движение шаговыми электродвигателями. На подвижной каретке 1-го стола линейного перемещения 4 (фиг. 1) устанавливался 2-й стол линейного перемещения 5. На подвижной каретке 2-го стола устанавливался поворотный стол 6, выполненный в виде шагового электродвигателя, на валу которого крепилась платформа вращения с предметным столиком 2. Фиксация полупроводниковой пластины на предметном столике осуществлялась посредством вакуумного присоса. Шаговые электродвигатели обоих столов линейного перемещения и поворотного стола запитывались от блока управления, состыкованного с системой регистрации 13, которой являлся персональный компьютер, снабженный интерфейсной платой. В режиме XY сканирования вращение предметного столика не производилось, 1-й стол линейного перемещения 4 обеспечивал кадровую развертку, а 2-й стол 5 - строчную. В режиме спирального сканирования производилось вращение предметного столика со скоростью 4 об/с и одновременное его перемещение 2-м столом линейного перемещения 5, при этом каретка 1-го стола линейного перемещения 4 оставалась неподвижной. For the manufacture of the mock version of the inventive device, precision linear motion tables were used, driven by stepper motors. On the movable carriage of the 1st table of linear displacement 4 (Fig. 1), the 2nd table of linear displacement 5 was installed. On the movable carriage of the 2nd table was installed a rotary table 6, made in the form of a stepper motor, on the shaft of which a rotation platform with an object was mounted table 2. The fixation of the semiconductor wafer on the stage was carried out by means of a vacuum suction cup. The stepper motors of both linear displacement tables and the rotary table were powered from a control unit docked with the registration system 13, which was a personal computer equipped with an interface board. In the XY scanning mode, the stage was not rotated, the 1st table of linear movement 4 provided a frame scan, and the 2nd table 5 - a horizontal one. In the spiral scanning mode, the stage was rotated at a speed of 4 r / s and its simultaneous movement by the 2nd linear displacement table 5, while the carriage of the 1st linear displacement table 4 remained stationary.
В качестве лазерного источника 7 использовался инжекционный лазер со встроенной оптической системой, формирующей луч света 8 диаметром 1 мм, расходимостью 1 мрад и длиной волны 0,67 мкм. As the laser source 7, an injection laser was used with an integrated optical system forming a
Расширитель лазерного луча 17 (фиг. 3) состоял из отрицательной и положительной линз и имел коэффициент расширения 4X. The laser beam expander 17 (Fig. 3) consisted of negative and positive lenses and had an expansion coefficient of 4X.
В качестве объектива 14 использовалась ахроматическая склеенная линза с числовой апертурой A = 0,25, которая обеспечивала световое пятно около 5 мкм при введенном расширителе лазерного луча и световое пятно около 20 мкм, когда расширитель лазерного луча выводился из оптического пути. As an objective 14, an achromatic bonded lens with a numerical aperture A = 0.25 was used, which provided a light spot of about 5 μm with the introduced laser beam expander and a light spot of about 20 μm when the laser beam expander was removed from the optical path.
Трехлинзовый конденсор собирал фотолюминесценцию в интервале телесных углов 15-48o, обеспечивал коэффициент сбора фотолюминесценции около 40%.A three-lens condenser collected photoluminescence in the range of solid angles of 15-48 o , provided a photoluminescence collection coefficient of about 40%.
Сравнивая датчик фотолюминесценции макетного варианта предлагаемого прибора с прототипом, следует отметить, что в предлагаемом приборе вся мощность лазерного луча доходит до полупроводниковой пластины (за исключением потерь на поверхностях объектива), а относительные потери фотолюминесценции на коаксиальных отверстиях конденсора составляют примерно 12% по отношению ко всему потоку фотолюминесценции, собираемому конденсором, что обеспечивает более высокую по сравнению с прототипом эффективность датчика фотолюминесценции. Comparing the photoluminescence sensor of the mock-up of the proposed device with the prototype, it should be noted that in the proposed device all the power of the laser beam reaches the semiconductor wafer (with the exception of losses on the lens surfaces), and the relative photoluminescence losses at the coaxial holes of the condenser are about 12% with respect to the whole the photoluminescence flux collected by the condenser, which provides a higher efficiency of the photoluminescence sensor compared to the prototype.
Исследуемым объектом являлась пластина диаметром 76 мм монокристаллического GaAs, легированного Si, фотолюминесценция которого регистрировалась при помощи спектрально-разрешаемого фотоприемника 12, либо интегрально-чувствительного фотоприемника 19, оптическая коммутация между которыми осуществлялась используя подвижное зеркало 18. Спектрально-разрешаемым фотоприемником являлся монохроматор МДР-23 с установленным на выходной щели Si фотодиодом с предусилителем. Фотоприемником 19 являлся Si фотодиод с предусилителем. В интегральном режиме перед фотодиодом устанавливался фильтр, отсекающий рассеянный свет лазерного источника и пропускающий фотолюминесценцию. The object under study was a plate with a diameter of 76 mm of single-crystal GaAs doped with Si, whose photoluminescence was recorded using a spectrally resolved
Получаемые картограммы в режиме интегральной фотолюминесценции имели дискретность 400х400 пикселей. При этом в режиме XY сканирования по растру размером 2 мм Х 2 мм наилучшее разрешение составляло 5 мкм, в режиме спирального сканирования время получения картограммы всей полупроводниковой пластины составляло около 1 минуты. Такая скорость картографирования недостижима при использовании стандартных систем XY сканирования. The resulting cartograms in the integrated photoluminescence mode had a resolution of 400x400 pixels. Moreover, in the XY mode, scanning along a 2 mm X 2 mm raster with the best resolution was 5 μm; in the spiral scanning mode, the time to obtain a cartogram of the entire semiconductor wafer was about 1 minute. This mapping speed is unattainable with standard XY scanning systems.
В режиме спектральной фотолюминесценции прибор позволял производить картографирование спектральных характеристик фотолюминесценции с локальностью 5 мкм и 20 мкм. In the spectral photoluminescence mode, the device allowed mapping the spectral characteristics of photoluminescence with a locality of 5 μm and 20 μm.
Источники информации. Sources of information.
1. H.J.Hovel, D.Guidotti. Correlations of Photoluminescence with Defect Densities in Semi-Insulating Gallium Arsenide. IEEE Transactions on Electron Devices, v. ED-32, N 11 (1985), p. 2331-2338. 1. H. J. Hovel, D. Guidotti. Correlations of Photoluminescence with Defect Densities in Semi-Insulating Gallium Arsenide. IEEE Transactions on Electron Devices, v. ED-32, N 11 (1985), p. 2331-2338.
2. Dixon A. Scanning beam laser microscope with wide range of magnification. US Patent N 5532873. 2. Dixon A. Scanning beam laser microscope with wide range of magnification. US Patent N 5532873.
3. Dixon A., Damaskinos, Apparatus and method for scanning laser imaging of macroscopic samples. US Patent N 5760951. 3. Dixon A., Damaskinos, Apparatus and method for scanning laser imaging of macroscopic samples. US Patent N 5,760,951.
4. Steigmeier E. F. , Knop K. Defect detection system. US Patent N 4314763. 4. Steigmeier E. F., Knop K. Defect detection system. US Patent N 4314763.
5. E.F. Steigmeier, H. Auderset. Light scattering topography and photoluminescence topography. Appl. Phys. A 50, 531-540 (1990). 5. E.F. Steigmeier, H. Auderset. Light scattering topography and photoluminescence topography. Appl. Phys. A 50, 531-540 (1990).
6. Войналович А. В. Способ контроля анализируемой поверхности и сканирующий анализатор поверхности. Патент РФ N 2141647. 6. Voinalovich A. V. The method of control of the analyzed surface and a scanning surface analyzer. RF patent N 2141647.
7. Miner C.J. Non-destructive, whole wafer assessment of optoelectronic epitaxial materials. Semicond. Sci. Technol., v. 7, N 1A, p. 10-15 (1992) - прототип. 7. Miner C.J. Non-destructive, whole wafer assessment of optoelectronic epitaxial materials. Semicond. Sci. Technol., V. 7, N 1A, p. 10-15 (1992) - a prototype.
Claims (12)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000120247/28A RU2172946C1 (en) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | Device for photoluminescent chart-making of semiconductor plates ( versions ) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000120247/28A RU2172946C1 (en) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | Device for photoluminescent chart-making of semiconductor plates ( versions ) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2172946C1 true RU2172946C1 (en) | 2001-08-27 |
Family
ID=36714592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000120247/28A RU2172946C1 (en) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | Device for photoluminescent chart-making of semiconductor plates ( versions ) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2172946C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2454657C2 (en) * | 2010-05-11 | 2012-06-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Apparatus for investigating luminescent properties of material with spatial micro- or nano-scale resolution (versions) |
-
2000
- 2000-08-01 RU RU2000120247/28A patent/RU2172946C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Miner C.J. Non-destructive, whole wafer assessment of optoelectronic epitaxial materials. Semicond. Sci. Technol. V.7, № 1А, р.10 - 15 (1992). * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2454657C2 (en) * | 2010-05-11 | 2012-06-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Apparatus for investigating luminescent properties of material with spatial micro- or nano-scale resolution (versions) |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6552513B2 (en) | Apparatus and method combining bright field inspection, dark field inspection, and photothermal inspection | |
| KR100483357B1 (en) | Apparatus and method for detecting micro defects in semi-conductors | |
| US6069690A (en) | Integrated laser imaging and spectral analysis system | |
| US5760951A (en) | Apparatus and method for scanning laser imaging of macroscopic samples | |
| TWI604185B (en) | Optical metrology system for spectral imaging of a sample | |
| JPH09509256A (en) | Scanning beam laser microscope with a wide range of magnification | |
| JP2004529327A (en) | Laser scanning wafer inspection using nonlinear optical phenomena | |
| US5859364A (en) | Scanning probe microscope | |
| KR20110068975A (en) | Semiconductor inspection device and inspection method | |
| CN106990095A (en) | Reflection-type confocal CARS micro-spectrometer method and devices | |
| CN102192706B (en) | Device and method for in situ measurement of energy distribution of focused laser faculae | |
| US6075592A (en) | Fiber-optics based micro-photoluminescence system | |
| US7042647B2 (en) | Scanning optical system | |
| WO1992022805A1 (en) | Surface analysis apparatus | |
| RU2172946C1 (en) | Device for photoluminescent chart-making of semiconductor plates ( versions ) | |
| CN116448711A (en) | Terahertz near-field microscope capable of being combined with fluorescence and application method thereof | |
| CN114217095B (en) | Scanning probe microscope suitable for semiconductor defect location | |
| CN115980083A (en) | Wafer and chip defect detection system and method based on linear array Brillouin microscopy | |
| JPH07248217A (en) | Analyzing apparatus for sample | |
| KR102181487B1 (en) | 3-dimensional image mapping measuring device of flowable sample | |
| JP2001174708A (en) | Infrared microscope | |
| CN116660285B (en) | Wafer characteristic spectrum on-line measuring device | |
| EP4202409A1 (en) | Resonant scattering spectroscopy based wafer scale testing | |
| CN116840256A (en) | Light and dark field fusion harmonic microscopic imaging device and method | |
| Beauvineau et al. | Improved spectrometer for cathodoluminescence studies in scanning electron microscopy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050802 |