RU2088911C1 - Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота - Google Patents
Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота Download PDFInfo
- Publication number
- RU2088911C1 RU2088911C1 RU96105487A RU96105487A RU2088911C1 RU 2088911 C1 RU2088911 C1 RU 2088911C1 RU 96105487 A RU96105487 A RU 96105487A RU 96105487 A RU96105487 A RU 96105487A RU 2088911 C1 RU2088911 C1 RU 2088911C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ozone
- chlorine
- nitrogen oxides
- air
- selectively determining
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Использование: аналитическое приборостроение, медицина, очистка питьевой воды, промышленная технология, для определения концентрации озона в приповерхностном слое Земли и в верхних слоях атмосферы. Сущность изобретения: чувствительный слой работает при 170-200oC и содержит оксид индия и оксид железа в виде γ - модификации (структура шпинели) в количестве 3-6 мол.%. 3 табл.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может найти применение для определения концентрации озона в приповерхностном слое Земли, в верхних слоях атмосферы, в медицинской технике, при очистке питьевой воды, в промышленной технологии, а также в сельском хозяйстве.
Известен способ определения озона с помощью полупроводниковых оксидов металлов, нанесенных на диэлектрическую подложку [1]
Однако этот способ не позволяет достичь высокой чувствительности и селективности к озону. Рабочие температуры таких сенсоров составляют 370oC и выше.
Однако этот способ не позволяет достичь высокой чувствительности и селективности к озону. Рабочие температуры таких сенсоров составляют 370oC и выше.
Наиболее близким является способ [2] согласно которому на подложку из оксида алюминия, снабженную Pt контактами и Pt нагревателем наносят последовательно слои оксида индия, оксида железа (3-6 мол.) и оксида кремния и формируют пленку при 500oC в течение 2 ч.
Наилучшая чувствительность к озону достигается при 370oC. Изменение концентрации озона на три порядка по данным работы [2] приводит к изменению сопротивления пленки на порядок.
Недостатками способа являются высокая рабочая температура сенсора, низкая разрешающая способность к озону и недостаточная селективность к другим окислительным газам.
Изобретение позволяет снизить рабочую температуру сенсора до 170-200oC, резко повысить чувствительность к озону (в 30-50 раз) и поднять селективность в отношении хлора в 100 раз.
Сущность изобретения состоит в том, что на подложку из поликора, снабженную Pt нагревателем и Pt контактами, наносят методом толстопленочной технологии смесь оксида индия с 3-6 мол. оксида железа в виде γ - модификации и формируют пленку в течении 1 ч при 300-350oC, так как при температуре выше 400oC g модификация оксида железа переходит в a - форму. Наибольшая чувствительность к озону проявляется при 170-200oC.
Согласно изобретению, при помещении сенсора в измеряемую среду без содержания в ней озона, хлора и окислов азота на измерительном приборе устанавливается начальное значение сопротивления пленки. При введении озона, хлора, окислов азота в смеси с воздухом происходит изменение сопротивления пленки пропорционально их концентрации.
Изобретение иллюстрируется примерами, представленными в табл. 1-3.
Таким образом способ позволяет снизить рабочую температуру сенсора до 170-200oC, повысить его чувствительность к озону (30-50 раз) и тем самым повысить разрешающую способность сенсорного устройства, а также его селективность в присутствии других окислительных газов, таких как хлор и окислы азота.
Claims (1)
- Способ определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота, включающий измерение электропроводности пленки оксида индия с добавкой 3 6 мол. оксида железа, нанесенной на диэлектрическую подложку, отличающийся тем, что измерения ведут при 170 220oС, а в качестве оксида железа используют γ -модификацию оксида железа со структурой типа шпинели.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96105487A RU2088911C1 (ru) | 1996-03-20 | 1996-03-20 | Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96105487A RU2088911C1 (ru) | 1996-03-20 | 1996-03-20 | Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2088911C1 true RU2088911C1 (ru) | 1997-08-27 |
RU96105487A RU96105487A (ru) | 1998-05-27 |
Family
ID=20178341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU96105487A RU2088911C1 (ru) | 1996-03-20 | 1996-03-20 | Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2088911C1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU174115U1 (ru) * | 2017-02-21 | 2017-10-02 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН) | Гибкий интегральный газовый сенсор озона |
RU2660338C2 (ru) * | 2016-07-29 | 2018-07-05 | Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") | Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе |
RU2660333C2 (ru) * | 2016-07-29 | 2018-07-05 | Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") | Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе |
RU2665348C2 (ru) * | 2016-07-29 | 2018-08-29 | Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") | Способы изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе |
-
1996
- 1996-03-20 RU RU96105487A patent/RU2088911C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент США N 4885929, кл. G 01 N 27/00, 1989. 2. Takada T., Suzuri K., Nakane M. Highly Sensitive ozone sensor. Technical Digest of the 4 Jnt. Meet. Chem. Seusor. Tokyo, September, 13 - 17, 1992, p. 470 - 473. * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2660338C2 (ru) * | 2016-07-29 | 2018-07-05 | Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") | Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе |
RU2660333C2 (ru) * | 2016-07-29 | 2018-07-05 | Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") | Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе |
RU2665348C2 (ru) * | 2016-07-29 | 2018-08-29 | Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") | Способы изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе |
RU174115U1 (ru) * | 2017-02-21 | 2017-10-02 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН) | Гибкий интегральный газовый сенсор озона |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Fleischer et al. | Selectivity in high-temperature operated semiconductor gas-sensors | |
US5635628A (en) | Method for detecting methane in a gas mixture | |
Koncki et al. | Screen-printed ruthenium dioxide electrodes for pH measurements | |
Nitta et al. | CO gas detection by ThO 2-doped SnO 2 | |
ITMI922939A1 (it) | Sensore di gas a base di ossido semiconduttore per determinare idrocarburi gassosi | |
EP0940673B1 (en) | Method using a semiconductor gas sensor. | |
JPH11501730A (ja) | ガスセンサ | |
RU2088911C1 (ru) | Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота | |
US4194994A (en) | Sintered metal oxide semiconductor having electrical conductivity highly sensitive to oxygen partial pressure | |
Yoshioka et al. | La2O3-loaded SnO2 element as a CO2 gas sensor | |
Sayago et al. | The interaction of different oxidizing agents on doped tin oxide | |
ATE3470T1 (de) | Selektiver gassensor hoher empfindlichkeit und stabilitaet zum nachweis und zur messung des verunreinigungsgehaltes von luft auf der basis von metalloxidhalbleitern. | |
RU2132551C1 (ru) | Способ эксплуатации газового датчика | |
Matsushima et al. | NO2 sensing properties of thick Zn2SnO4 film | |
Kanefusa et al. | H/sub 2/S gas detection by ZrO-doped SnO/sub 2 | |
Watson | The stannic oxide gas sensor | |
Sanchez et al. | Tin dioxide-based gas sensors for detection of hydrogen fluoride in air | |
SU1569689A1 (ru) | Датчик дл определени концентрации паров ацетона | |
Yun et al. | Abnormal current-voltage characteristics of WO3-doped SnO2 oxide semiconductors and their applications to gas sensors | |
KR100325342B1 (ko) | 고온작동형 반도체식 일산화탄소 가스센서의 감지재료 | |
RU2159931C1 (ru) | Способ селективного определения концентраций вредных примесей в газах и устройство для его осуществления | |
JP2010210519A (ja) | 揮発性有機物検出センサ | |
SU851143A1 (ru) | Устройство дл измерени парциаль-НОгО дАВлЕНи КиСлОРОдА B ВАКууМЕ | |
SU1430858A1 (ru) | Чувствительный элемент термокаталитического датчика горючих газов | |
RU2029292C1 (ru) | Датчик концентрации аммиака |