RU2088911C1 - Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота - Google Patents

Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота Download PDF

Info

Publication number
RU2088911C1
RU2088911C1 RU96105487A RU96105487A RU2088911C1 RU 2088911 C1 RU2088911 C1 RU 2088911C1 RU 96105487 A RU96105487 A RU 96105487A RU 96105487 A RU96105487 A RU 96105487A RU 2088911 C1 RU2088911 C1 RU 2088911C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ozone
chlorine
nitrogen oxides
air
selectively determining
Prior art date
Application number
RU96105487A
Other languages
English (en)
Other versions
RU96105487A (ru
Inventor
Э.Е. Гутман
Т.В. Белышева
Original Assignee
Научно-исследовательский физико-химический институт им.Л.Я.Карпова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский физико-химический институт им.Л.Я.Карпова filed Critical Научно-исследовательский физико-химический институт им.Л.Я.Карпова
Priority to RU96105487A priority Critical patent/RU2088911C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2088911C1 publication Critical patent/RU2088911C1/ru
Publication of RU96105487A publication Critical patent/RU96105487A/ru

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Использование: аналитическое приборостроение, медицина, очистка питьевой воды, промышленная технология, для определения концентрации озона в приповерхностном слое Земли и в верхних слоях атмосферы. Сущность изобретения: чувствительный слой работает при 170-200oC и содержит оксид индия и оксид железа в виде γ - модификации (структура шпинели) в количестве 3-6 мол.%. 3 табл.

Description

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может найти применение для определения концентрации озона в приповерхностном слое Земли, в верхних слоях атмосферы, в медицинской технике, при очистке питьевой воды, в промышленной технологии, а также в сельском хозяйстве.
Известен способ определения озона с помощью полупроводниковых оксидов металлов, нанесенных на диэлектрическую подложку [1]
Однако этот способ не позволяет достичь высокой чувствительности и селективности к озону. Рабочие температуры таких сенсоров составляют 370oC и выше.
Наиболее близким является способ [2] согласно которому на подложку из оксида алюминия, снабженную Pt контактами и Pt нагревателем наносят последовательно слои оксида индия, оксида железа (3-6 мол.) и оксида кремния и формируют пленку при 500oC в течение 2 ч.
Наилучшая чувствительность к озону достигается при 370oC. Изменение концентрации озона на три порядка по данным работы [2] приводит к изменению сопротивления пленки на порядок.
Недостатками способа являются высокая рабочая температура сенсора, низкая разрешающая способность к озону и недостаточная селективность к другим окислительным газам.
Изобретение позволяет снизить рабочую температуру сенсора до 170-200oC, резко повысить чувствительность к озону (в 30-50 раз) и поднять селективность в отношении хлора в 100 раз.
Сущность изобретения состоит в том, что на подложку из поликора, снабженную Pt нагревателем и Pt контактами, наносят методом толстопленочной технологии смесь оксида индия с 3-6 мол. оксида железа в виде γ - модификации и формируют пленку в течении 1 ч при 300-350oC, так как при температуре выше 400oC g модификация оксида железа переходит в a - форму. Наибольшая чувствительность к озону проявляется при 170-200oC.
Согласно изобретению, при помещении сенсора в измеряемую среду без содержания в ней озона, хлора и окислов азота на измерительном приборе устанавливается начальное значение сопротивления пленки. При введении озона, хлора, окислов азота в смеси с воздухом происходит изменение сопротивления пленки пропорционально их концентрации.
Изобретение иллюстрируется примерами, представленными в табл. 1-3.
Таким образом способ позволяет снизить рабочую температуру сенсора до 170-200oC, повысить его чувствительность к озону (30-50 раз) и тем самым повысить разрешающую способность сенсорного устройства, а также его селективность в присутствии других окислительных газов, таких как хлор и окислы азота.

Claims (1)

  1. Способ определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота, включающий измерение электропроводности пленки оксида индия с добавкой 3 6 мол. оксида железа, нанесенной на диэлектрическую подложку, отличающийся тем, что измерения ведут при 170 220oС, а в качестве оксида железа используют γ -модификацию оксида железа со структурой типа шпинели.
RU96105487A 1996-03-20 1996-03-20 Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота RU2088911C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96105487A RU2088911C1 (ru) 1996-03-20 1996-03-20 Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96105487A RU2088911C1 (ru) 1996-03-20 1996-03-20 Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2088911C1 true RU2088911C1 (ru) 1997-08-27
RU96105487A RU96105487A (ru) 1998-05-27

Family

ID=20178341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96105487A RU2088911C1 (ru) 1996-03-20 1996-03-20 Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2088911C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174115U1 (ru) * 2017-02-21 2017-10-02 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН) Гибкий интегральный газовый сенсор озона
RU2660338C2 (ru) * 2016-07-29 2018-07-05 Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе
RU2660333C2 (ru) * 2016-07-29 2018-07-05 Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе
RU2665348C2 (ru) * 2016-07-29 2018-08-29 Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") Способы изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент США N 4885929, кл. G 01 N 27/00, 1989. 2. Takada T., Suzuri K., Nakane M. Highly Sensitive ozone sensor. Technical Digest of the 4 Jnt. Meet. Chem. Seusor. Tokyo, September, 13 - 17, 1992, p. 470 - 473. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2660338C2 (ru) * 2016-07-29 2018-07-05 Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе
RU2660333C2 (ru) * 2016-07-29 2018-07-05 Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе
RU2665348C2 (ru) * 2016-07-29 2018-08-29 Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") Способы изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе
RU174115U1 (ru) * 2017-02-21 2017-10-02 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН) Гибкий интегральный газовый сенсор озона

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Fleischer et al. Selectivity in high-temperature operated semiconductor gas-sensors
US5635628A (en) Method for detecting methane in a gas mixture
Koncki et al. Screen-printed ruthenium dioxide electrodes for pH measurements
Nitta et al. CO gas detection by ThO 2-doped SnO 2
ITMI922939A1 (it) Sensore di gas a base di ossido semiconduttore per determinare idrocarburi gassosi
EP0940673B1 (en) Method using a semiconductor gas sensor.
JPH11501730A (ja) ガスセンサ
RU2088911C1 (ru) Способ селективного определения озона в воздухе в присутствии хлора и окислов азота
US4194994A (en) Sintered metal oxide semiconductor having electrical conductivity highly sensitive to oxygen partial pressure
Yoshioka et al. La2O3-loaded SnO2 element as a CO2 gas sensor
Sayago et al. The interaction of different oxidizing agents on doped tin oxide
ATE3470T1 (de) Selektiver gassensor hoher empfindlichkeit und stabilitaet zum nachweis und zur messung des verunreinigungsgehaltes von luft auf der basis von metalloxidhalbleitern.
RU2132551C1 (ru) Способ эксплуатации газового датчика
Matsushima et al. NO2 sensing properties of thick Zn2SnO4 film
Kanefusa et al. H/sub 2/S gas detection by ZrO-doped SnO/sub 2
Watson The stannic oxide gas sensor
Sanchez et al. Tin dioxide-based gas sensors for detection of hydrogen fluoride in air
SU1569689A1 (ru) Датчик дл определени концентрации паров ацетона
Yun et al. Abnormal current-voltage characteristics of WO3-doped SnO2 oxide semiconductors and their applications to gas sensors
KR100325342B1 (ko) 고온작동형 반도체식 일산화탄소 가스센서의 감지재료
RU2159931C1 (ru) Способ селективного определения концентраций вредных примесей в газах и устройство для его осуществления
JP2010210519A (ja) 揮発性有機物検出センサ
SU851143A1 (ru) Устройство дл измерени парциаль-НОгО дАВлЕНи КиСлОРОдА B ВАКууМЕ
SU1430858A1 (ru) Чувствительный элемент термокаталитического датчика горючих газов
RU2029292C1 (ru) Датчик концентрации аммиака