RU207462U1 - Устройство для лазерной модификации образца - Google Patents

Устройство для лазерной модификации образца Download PDF

Info

Publication number
RU207462U1
RU207462U1 RU2021112634U RU2021112634U RU207462U1 RU 207462 U1 RU207462 U1 RU 207462U1 RU 2021112634 U RU2021112634 U RU 2021112634U RU 2021112634 U RU2021112634 U RU 2021112634U RU 207462 U1 RU207462 U1 RU 207462U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation
sample
laser
control unit
terahertz
Prior art date
Application number
RU2021112634U
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Сергеевич Ситников
Андрей Владимирович Овчинников
Олег Владимирович Чефонов
Михаил Борисович Агранат
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Priority to RU2021112634U priority Critical patent/RU207462U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU207462U1 publication Critical patent/RU207462U1/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к устройству для модификации образца на основе источника пикосекундных импульсов терагерцового излучения и может быть использована при обработке поверхности материалов для изменения морфологии их поверхности и оптических свойств. Устройство содержит механизм перемещения обрабатываемого образца, источник излучения, систему фокусировки излучения, блок управления, устройство синхронизации. Блок управления выполнен с возможностью управления механизмом перемещения и источником излучения через устройство синхронизации. Источник излучения выполнен с возможностью генерации импульсов терагерцового излучения сверхкороткой длительности на основе эффекта оптического выпрямления. Технический результат - изменение морфологии поверхности образца и его оптических свойств в случае нахождения образца за защитным экраном или кожухом, непрозрачным в видимом диапазоне длин волн, но имеющим ненулевой коэффициент пропускания в терагерцовом спектре частот. 3 ил.

Description

Полезная модель относится к области устройств, осуществляющих обработку поверхности материалов изделий с использованием сфокусированного пучка электромагнитного излучения, и предназначена для изменения морфологии их поверхности и оптических свойств.
В общем виде конструкция устройств обработки поверхности образцов содержит источник излучения, шасси для перемещения либо образца, относительно неподвижного луча, либо источника излучения относительно образца. Источником излучения выступает, как правило, лазер, работающий в импульсно-периодическом режиме.
Известные устройства для лазерной резки представлены в ряде патентов.
Патент US 3422246, В23K 9/00, В23K 9/16 описывает устройство с подвижным рабочим столом и жесткую систему фокусировки луча лазерного источника на обрабатываемый объект. Такое устройство позволяет осуществлять обработку только в двух координатах, что ограничивает область его применения.
Устройства в патентах US 5614115, В23K 26/08, и US 6825439 (В2), В23K 26/08, В23K 26/36, содержащие закрепленный на раме лазерный источник с возможностью перемещения вдоль одной координаты и рабочий стол с возможностью перемещения вдоль перпендикулярной координаты. Рассмотренные устройства позволяют вести обработку только в двух координатах, что ограничивает область применения.
Известно устройство для обработки лазерным излучением поверхности произвольной формы (RU 161667 U1, В23K 26/352), содержащее неподвижный рабочий стол для размещения обрабатываемого объекта, лазерную головку, размещенную над рабочим столом с возможностью перемещения в горизонтальной плоскости в двух координатах, а также источник лазерного излучения, оптически связанный с лазерной головкой с помощью оптического волокна. Как и вышеупомянутые устройства для воздействия на объект обработки оно использует лазер в виде источника излучения, что не позволяет осуществлять воздействие на объект расположенного за экраном, изготовленным из определенного ряда материалов, являющихся либо непрозрачными, либо рассеивающими для широко применяемых в настоящий момент источниками излучения - лазерами.
Известно применение лазерного излучения, характеризующегося высокой плотностью энергии воздействия, для модификации поверхности и формирования изображений на материалах различной структуры, таких как бумага, картон, резина, фольга, металл и др. Известен лазерный маркер (RU 115699 U1), содержащий последовательно расположенные по ходу луча и оптически связанные лазер, коллиматор, пьезокерамический дефлектор света и объектив, сфокусированный на маркируемом изделии, установленным в коробке, расположенной на координатном столе, и компьютер, входы и выходы которого соединены с выходами и входами пьезокерамического дефлектора света и координатного стола; дополнительно установлен модулятор, который расположен между лазером и коллиматором, вход которого соединен с выходом компьютера, и второй пьезокерамический дефлектор света, установленный за первым, вход и выход которого соединены с соответствующими выходом и входом компьютера, причем плоскости сканирования пьезокерамических дефлекторов света взаимно перпендикулярны. Описанное техническое решение имеет возможность создавать изображения практически любых размеров, которые ограничены только зоной перемещений координатного стола.
Наиболее близким аналогом для заявляемой полезной модели выбран известный лазерный маркер (RU 115699 U1), включающий механизм перемещения обрабатываемого изделия, лазер, блок управления, оптическую систему фокусировки излучения лазера, устройство синхронизации. Недостатком указанного устройства является отсутствие возможности осуществлять маркировку и наносить изображения на образец при его нахождении за экраном, изготовленным из материала непрозрачного для излучения используемого лазера или сильно рассеивающего излучение лазера.
Полезная модель относится к области устройств, осуществляющих обработку поверхности материалов изделий с использованием сфокусированного пучка электромагнитного излучения. Однако такая обработка становится невозможной при нахождении перед обрабатываемым изделием экрана, изготовленного из ряда материалов, включающих различные виды пластмасс, полимеры, бумага, керамика, лакокрасочные покрытия. Указанные материалы, как правило, непрозрачны или имеют сильное рассеяние на длинах волн излучения применяемых источников - лазеров. Техническая задача решается с помощью применения источника излучения терагерцового спектра, в котором указанные материалы имеют оптические свойства (низкие коэффициент поглощения и рассеяние), позволяющие осуществить фокусировку терагерцового излучения на образец для модификации его поверхности.
Технически результатом, на достижение которого направлена заявляемая полезная модель, является изменение морфологии поверхности образца и его оптических свойств при его расположении за экраном, изготовленным из определенного ряда материалов, являющихся либо непрозрачными, либо рассеивающими для широко применяемых в настоящий момент источниками излучения - лазерами. К таким материалам экрана могут относиться различные виды пластмасс, полимеры, бумага, керамика, лакокрасочные покрытия.
Задача решена тем, что источник излучения выполнен с возможностью генерации импульсов терагерцового излучения сверхкороткой длительности на основе эффекта оптического выпрямления. Отличительной особенностью воздействия терагерцового излучения является возможность модификации даже в случае нахождения образца за защитным экраном или кожухом, непрозрачным в определенном диапазоне длин волн, но имеющим ненулевой коэффициент пропускания в терагерцовом спектре частот, что расширяет область применения прототипа.
Сущность предлагаемого технического решения поясняется функциональной схемой, показанной на фиг. 1. Устройство для лазерной модификации образца включает в себя блок управления (1), механизм перемещения обрабатываемого образца (2), устройство синхронизации (3), лазерную систему (4), кристалл (5), систему фокусировки (6).
Предлагаемое техническое решение работает следующим образом. Блок управления (1), который включает вычислительное устройство на основе компьютера (на фиг. 1 не показано), осуществляет выполнение заданной программы обработки образца. К блоку управления (1) подсоединен механизм перемещения обрабатываемого образца (2), который состоит из приводов перемещения во взаимно ортогональных направлениях с датчиками перемещений и концевых положений (на фиг. 1 не показаны) и двухкоординатного стола для размещения обрабатываемого образца (7). Блок управления (1) соединен также с электронным устройством синхронизации (3), которое соединено с лазерной системой (4). В качестве лазерной системы (4) использована фемтосекундная лазерная система. Излучение лазерной системы преобразуется в терагерцовое в кристалле (5) и направляется в систему фокусировки (6), состоящую из телескопической системы и фокусирующего элемента (на фиг. 1 не показаны).
Устройство синхронизации (4) обеспечивает временную синхронизацию оптических импульсов лазерного излучения с электронными устройствами лазерной системы (лазеры накачки и электрооптические затворы, входящие в состав лазерной системы) (4). Позволяет формировать последовательность из заданного (изменяемого) числа лазерных импульсов, следующих с частотой работы лазерной системы, и обеспечивает временную синхронизацию внешних электронных устройств таких как видеокамера, осциллограф и т.д. с оптическим импульсом лазерной системы.
Образец (7) закрепляют на двухкоординатном столе (2). С помощью блока управления (1), который включает вычислительное устройство на основе компьютера, задается траектория перемещения образца относительно неподвижного пучка излучения. Образец (7) располагается в фокальной плоскости фокусирующего элемента системы фокусировки (6). Блок управления (1) осуществляет контроль длительности последовательности импульсов излучения, рассчитывая его на основе данных о скорости движения двухкоординатного стола и длины траектории перемещения.
Излучение лазерной системы (4), запускаемой устройством синхронизации (3) в соответствии с командами блока управления (1) направляется в кристалл (5), осуществляющим преобразование лазерного излучения в терагерцовое излучение. Последнее направляется в телескопическую систему (6), коэффициент увеличения которой подбирается так, чтобы заполнить всю апертуру фокусирующего элемента.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1. Функциональная схема устройства.
Фиг. 2. Пример модификации поверхности образца.
Фиг. 3. Пример модификации поверхности образца при его облучении в двух режимах: как на фиг. 2 и вращении относительно оси пучка излучения на 90 градусов.
Осуществление полезной модели
В конкретных случаях выполнения устройства в качестве лазера используют фемтосекундную лазерную систему на основе активной среды хром:форстерит со следующими характеристиками: длина волны лазерного излучения 1240±30 нм, частота следования импульсов 10 Гц-1кГц, длительность импульса ~100 фс, энергия в импульсе от 100 мкДж до 80 мДж. При этом плотность энергии, создаваемая на поверхности кристалла (5), не превышает значения, приводящего к разрушению кристалла (как правило не более 15 Дж/см2).
В конкретных случаях в качестве кристалла используется органический кристалл ОН1 или DSTMS, или DAST.
В результате воздействия излучения на поверхность образца импульсов терагерцового излучения с напряженностью электрического поля в фокусе системы фокусировки не менее 10 МВ/см, интенсивностью излучения - не менее 10 ТВт/см2 и длительностью импульса излучения не более 50 пикосекунд изменяются морфология его поверхности и оптические свойства (коэффициент отражения). Пример воздействия импульса терагерцового излучения на образец, представляющий собой слой титана толщиной 25 нанометров, напыленный на стеклянную подложку, представлен на фиг. 2. Результат представляет собой совокупность трещин, ориентированных горизонтально (перпендикулярно плоскости поляризации лазерного излучения). Морфология поверхности может быть изменена, например, при изменении ориентации образца относительно плоскости поляризации падающего излучения (поворотом образца или плоскости поляризации). Наблюдаемый результат достигается в случае, когда напряженность электрического поля излучения в фокусе системы фокусировки составляет не менее 10 МВ/см, интенсивность излучения - не менее 10 ТВт/см2, а длительность импульса излучения составляет не более 50 пикосекунд.
Морфология поверхности может быть изменена, например, при изменении ориентации образца относительно плоскости поляризации падающего излучения (поворотом образца или плоскости поляризации). Пример морфологии поверхности образца, полученный в результате его последовательного облучения при горизонтальной и вертикальной (относительно плоскости рисунка) плоскости поляризации, представлен на фиг. 3.

Claims (3)

1. Устройство для лазерной модификации образца, содержащее механизм перемещения обрабатываемого образца, источник лазерного излучения, систему фокусировки излучения, блок управления, устройство синхронизации, при этом блок управления выполнен с возможностью управления механизмом перемещения и источником излучения через устройство синхронизации, отличающееся тем, что источник лазерного излучения выполнен с возможностью генерации импульсов терагерцового излучения сверхкороткой длительности на основе эффекта оптического выпрямления.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что источник терагерцового излучения выполнен в виде нелинейного кристалла.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что блок управления выполнен в виде вычислительного устройства на базе компьютера.
RU2021112634U 2021-04-29 2021-04-29 Устройство для лазерной модификации образца RU207462U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021112634U RU207462U1 (ru) 2021-04-29 2021-04-29 Устройство для лазерной модификации образца

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021112634U RU207462U1 (ru) 2021-04-29 2021-04-29 Устройство для лазерной модификации образца

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU207462U1 true RU207462U1 (ru) 2021-10-28

Family

ID=78467016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021112634U RU207462U1 (ru) 2021-04-29 2021-04-29 Устройство для лазерной модификации образца

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU207462U1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU76272U1 (ru) * 2008-02-11 2008-09-20 Закрытое акционерное общество "Научные приборы" Устройство для лазерной обработки
RU2371290C2 (ru) * 2004-06-08 2009-10-27 Таг Хойер Са Способ изготовления микро- и наномеханических компонентов, содержащий этап абляции с помощью фемтолазера
RU2500984C2 (ru) * 2009-03-03 2013-12-10 Витринс С.Р.О. Способ и устройство для оптического измерения поверхности изделия
RU2536327C2 (ru) * 2013-03-12 2014-12-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора
RU2697879C1 (ru) * 2018-08-14 2019-08-21 Общество с ограниченной ответственностью "АВЕСТА" (ООО "АВЕСТА") Фемтосекундный оптико-электронный комплекс для измерения поля тгц импульсов, получаемых с помощью ускорителя электронов

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2371290C2 (ru) * 2004-06-08 2009-10-27 Таг Хойер Са Способ изготовления микро- и наномеханических компонентов, содержащий этап абляции с помощью фемтолазера
RU76272U1 (ru) * 2008-02-11 2008-09-20 Закрытое акционерное общество "Научные приборы" Устройство для лазерной обработки
RU2500984C2 (ru) * 2009-03-03 2013-12-10 Витринс С.Р.О. Способ и устройство для оптического измерения поверхности изделия
RU2536327C2 (ru) * 2013-03-12 2014-12-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора
RU2697879C1 (ru) * 2018-08-14 2019-08-21 Общество с ограниченной ответственностью "АВЕСТА" (ООО "АВЕСТА") Фемтосекундный оптико-электронный комплекс для измерения поля тгц импульсов, получаемых с помощью ускорителя электронов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Krüger et al. Ultrashort pulse laser interaction with dielectrics and polymers
Mills et al. Embedded anisotropic microreflectors by femtosecond-laser nanomachining
US9147989B2 (en) Femtosecond laser processing system with process parameters controls and feedback
JP2810151B2 (ja) レーザマーキング方法
Serafetinides et al. Ultra-short pulsed laser ablation of polymers
JP4944607B2 (ja) 広スペクトル帯域幅を有するレーザ・パルスを用いた材料の加工方法、および該方法を実行するための装置
Zhang et al. High aspect-ratio micromachining of polymers with an ultrafast laser
CN109648191A (zh) 一种可实时调控能量的微米级高分辨率超快激光加工***
CN104625416A (zh) 基于方孔辅助电子动态调控晶硅表面周期性微纳结构方法
Collins et al. Laser scribing of thin dielectrics with polarised ultrashort pulses
Casquero et al. Generation, control and erasure of dual LIPSS in germanium with fs and ns laser pulses
RU207462U1 (ru) Устройство для лазерной модификации образца
JPH11156568A (ja) 透明材料のマーキング方法
Zhang et al. A table-top EUV focusing optical system with high energy density using a modified Schwarzschild objective and a laser-plasma light source
CN101248374A (zh) 包含突起部去除工序的基板制造方法和滤色器突起修正方法及装置
Meinertz et al. Micron and sub-micron gratings on glass by UV laser ablation
Chkalov et al. Development and application possibilities of multifunctional femtosecond laser complex for precision processing
JP2002348146A (ja) 薄膜付き板ガラスより薄膜を除去する方法
CN117677460A (zh) 激光加工方法、光学片的制造方法及激光加工装置
JP2002348147A (ja) 着色ガラスの消色方法
JP2018114529A (ja) レーザー切断加工装置
US7426028B2 (en) Spectroscopic feedback for high density data storage and micromachining
Major et al. Surface transmission enhancement of ZnS via continuous-wave laser microstructuring
Stepak et al. The analysis of harmonic generation during ultrashort lR pulses filamentation in polymer
JP2003073148A (ja) ガラスの描画方法