RU2074444C1 - Матричный автоэлектронный катод и электронный прибор для оптического отображения информации - Google Patents

Матричный автоэлектронный катод и электронный прибор для оптического отображения информации Download PDF

Info

Publication number
RU2074444C1
RU2074444C1 RU9494027731A RU94027731A RU2074444C1 RU 2074444 C1 RU2074444 C1 RU 2074444C1 RU 9494027731 A RU9494027731 A RU 9494027731A RU 94027731 A RU94027731 A RU 94027731A RU 2074444 C1 RU2074444 C1 RU 2074444C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emitter
tip
cathode
emitters
silicon
Prior art date
Application number
RU9494027731A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94027731A (ru
Inventor
Евгений Инвиевич Гиваргизов
Виктор Владимирович Жирнов
Алла Николаевна Степанова
Лидия Николаевна Оболенская
Original Assignee
Евгений Инвиевич Гиваргизов
Виктор Владимирович Жирнов
Алла Николаевна Степанова
Лидия Николаевна Оболенская
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Евгений Инвиевич Гиваргизов, Виктор Владимирович Жирнов, Алла Николаевна Степанова, Лидия Николаевна Оболенская filed Critical Евгений Инвиевич Гиваргизов
Priority to RU9494027731A priority Critical patent/RU2074444C1/ru
Priority to US08/619,704 priority patent/US5825122A/en
Priority to PCT/RU1995/000154 priority patent/WO1996003762A1/ru
Priority to DE69523888T priority patent/DE69523888T2/de
Priority to EP95927103A priority patent/EP0726589B1/en
Priority to JP8505684A priority patent/JPH09503339A/ja
Publication of RU94027731A publication Critical patent/RU94027731A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2074444C1 publication Critical patent/RU2074444C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
    • H01J2201/30426—Coatings on the emitter surface, e.g. with low work function materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types
    • H01J2201/30457—Diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)

Abstract

Предлагается конструкция многоэмиттерного острийного автоэлектронного катода для приборов эмиссионной электроники таких как плоские дисплеи, электронные пушки и др. Повышение однородности тока эмиссии в таком катоде достигается за счет того, что каждый эмиттер обладает высоким электросопротивлением, сравнимым с сопротивлением вакуумного промежутка. Таким образом сами эмиттеры выполняют функцию балластных сопротивлений, выравнивающих эмиссионные токи. Это достигается подходящей геометрией эмиттеров (сравнительно большой высотой, малым поперечным сечением, малым углом заострения при вершине) в сочетании с достаточно высоким удельным сопротивлением материала, из которых они изготовлены. Такая конструкция обеспечивается тем, что эмиттеры выполнены из нитевидных кристаллов, эпитаксиально выращенных на монокристаллической подложке кремния.
Кроме того, в данной конструкции катода достигается большое усиление поля у вершины эмиттеров (т. е. возможность работы при малых напряжениях) благодаря большой их высоте при малом радиусе закругления у вершины.
Кроме того, значительное снижение рабочих напряжений достигается в варианте автокатода с покрытием его вершины алмазом или алмазоподобным материалом, обладающими малой работой выхода электронов. Это же покрытие повышает стабильность эмиттера, защищая от разрушений и обеспечивая работу в условиях сравнительно невысокого вакуума.
На основе такого автокатода предложен электронный прибор для оптического отображения информации (например, дисплей) в виде диодной конструкции, в которой эмиттеры выполнены на подложке с проводящими дорожками, а анод выполнен из проводящих дорожек на люминофоре, проекции которых на катод перпендикулярны дорожкам, причем анод выполняет функцию управляющего электрода. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к устройствам эмиссионной электроники и вакуумной микроэлектроники, автоэмиссионным катодам, в том числе с алмазными покрытиями с пониженной эффективной работой выхода, а также к устройствам на основе автоэлектронной эмиссии таким как плоские автоэмиссионные дисплеи, источники электронов для электронных пушек широкого назначения и др.
Катоды для автоэмиссионной электроники и вакуумной микроэлектроники представляют собой, как правило, регулярные системы острийных эмиттеров, сформированных с помощью фотолитографии, травления, напыления через маску и т.д.
Известен автоэлектронный катод, изготовленный из пластины монокристаллического кремния путем травления [1] Он страдает рядом недостатков, в том числе: высота эмиттеров не превышает единиц микронов, что не позволяет получить большого усиления поля; в качестве материала эмиттеров используется материал со сравнительно высокой работой выхода (4 5 эВ). Такие катоды могут обеспечить приемлемо-высокие уровни эмиссии либо при больших напряжениях, либо при очень малых расстояниях между эмиттером и вытягивающим электродом, что значительно повышает паразитную емкость приборов и тем самым уменьшает возможности их использования. К тому же, эмиссия в них неоднородна.
Для повышения однородности эмиссии с разных острий в многоэлементной матрице часто используют дополнительное сопротивление, сравнимое с дифференциальным сопротивлением вакуумного промежутка, включаемое последовательно с каждым эмиттером. Его действие основано на следующем: если через какой-либо эмиттер протекает ток, заметно превышающий ток через другие эмиттеры, то на данном сопротивлении падает сравнительно большее напряжение; это снижает величину вытягивающего напряжения, что в свою очередь, уменьшает указанный чрезмерный ток. Такой подход использован в патентах Мейера [2,3] где дополнительное ("балластное") сопротивление обеспечивается нанесением на изолирующую подложку пленки аморфного кремния, обладающего сравнительно высоким удельным сопротивлением, а эмитирующие острия (молибденовые конусы) осаждают на эту пленку. Однако использование аморфного кремния существенно ограничивает возможности для создания эмиттеров.
Известен матричный автоэлектронный катод, содержащий монокристаллическую систему кремния и систему острийных эмиттеров с последовательными балластными сопротивлениями, выполненными интегрально посредством селективной диффузии легирующей примеси [4] Недостаток такой конструкции состоит в том, что балластные сопротивления занимают на подложке значительную площадь, на которой могли бы быть размещены другие эмиттеры. К тому же, технология создания этих сопротивлений требует выполнения нескольких фотолитографических операций совмещения, что существенно усложняет и делает дороже процесс изготовления автоэлектронных эмиттеров.
Известен электронный прибор для оптического отображения информации (дисплей) в виде диодной структуры, в которой имеется плоский катод, выполненный из алмазной или алмазоподобной пленки, и противолежащий ему анод со слоем люминофора [5] Для эффективной работы такого дисплея необходимы сравнительно высокие напряжения (порядка сотен вольт), трудносовместимые с рабочими напряжениями других компонентов электронных схем, используемых в таком дисплее. Кроме того, эмиссионные свойства алмазной пленки трудновоспроизводимы, т.к. сильно зависят от условий ее осаждения. Наконец, для обеспечения нужных токов эмиссии расстояние от катода до анода-экрана должно быть малым, порядка 20 мкм, что ухудшает условия откачки газовых загрязнений, выделяемых люминофором.
Известен электронный прибор для оптической обработки информации, содержащий матричный автоэлектронный катод из острийных эмиттеров, расположенных на монокристаллической подложке кремния с проводящими дорожками, образованными легированными областями, управляющий электрод, балластные сопротивления и анод с люминофорными покрытиями [6] Здесь молибденовые конусы-острия осаждали на подложке из монокристаллического кремния n-типа с проводящими дорожками ("строками"), образованными диффузионным легированием акцепторными примесями, т.е. была реализована изоляция p-n переходами. Управляющие колонки (в виде молибденовых полосок) размещали на катоде, перпендикулярно строкам, изолируя их слоем диэлектрика. Для повышения однородности автоэмиссионного тока с эмиттером последовательно с каждой строкой были включены дискретные балластные сопротивления. Благодаря этому разброс яркости вдоль колонок не превосходит 15% Однако, во-первых, разброс яркости вдоль строк таким образом регулировать не удается. Во-вторых, такой способ выравнивания тока с разных эмиттеров громоздок и для высокоразрешающих дисплеев не годится.
Цель настоящего изобретения:
(1) конструкция автоэлектронного катода, который имел бы низкие по сравнению с существующим уровнем рабочие напряжения, работоспособный в условиях невысокого вакуума и обеспечивающий высокую однородность эмиссии по площади катода;
(2) конструкция диодного варианта электронного прибора для оптического отображения информации, характеризующегося высокой однородностью свечения по всей площади экрана и малой паразитной емкостью.
Указанный технический результат достигается конструкцией эмиттеров, образующих катод. Эмиттеры представляют собой кремниевые острия сравнительно малого поперечного размера, диаметром от 1 до 10 мкм, с длиной (высотой) не менее 10 мкм, с радиусом закругления при вершине менее 10 нм, углом при вершине менее 30o, выполненные из нитевидных кристаллов кремния, эпитаксиально выращенных на монокристаллической кремниевой подложке.
Большая высота и малый радиус закругления вершины автоэлектронных эмиттеров обеспечивают большой коэффициент усиления поля; вместе с тем, алмазные частицы на вершине или алмазоподобные пленочные покрытия, обладающие пониженной эффективной работой выхода, в сочетании с указанными характеристиками эмиттеров обеспечивают низкие рабочие напряжения и снижают требования к рабочему вакууму.
Другой технический результат выравнивание эмиссионных токов с разных эмиттеров в многоострийном катоде обеспечивается высоким удельным сопротивлением материала эмиттера, более 10 Ом.см, что при выбранной геометрической форме острийного эмиттера (больной высоте, малом сечении, конической форме) обеспечивает выполнение эмиттером функции достаточно большого последовательного балластного сопротивления, выравнивающего эмиссионные токи.
Наконец, еще один технический результат данного изобретения достигается конструкцией плоского дисплея, содержащего матричный автоэлектронный катод в виде регуляторного массива острийных кремниевых эмиттеров, выполненных из эпитаксиально выращенных на монокристаллической кремниевой подложке нитевидных кристаллов кремния с указанными выше размерами. При этом катод содержит проводящие дорожки, образованные легированными областями, а ему противолежит анод в котором оптически прозрачный проводящий слой и люминофор нанесены в виде линейных участков, проекции которых перпендикулярны указанным дорожкам на катоде. При приложении напряжений к полоскам и дорожкам анод таким образом выполняет функции управляющего электрода.
Изобретение поясняется чертежами.
На фиг.1 изображен кремниевый острийный эмиттер, выполненный из итевидного кристалла; на фиг.2 вольт-амперные характеристики эмиттеров с алмазной частицей и без нее; на фиг.3 вольт-амперные характеристики эмиттеров разной высоты с алмазной частицей на вершине; на фиг.4 матричный автоэлектронный катод, приготовленный заострением выращенных систем нитевидных кристаллов кремния; ра фиг.5 матричный автоэлектронный катод в виде регулярной системы эмиттеров с алмазными частицами на вершинах; на фиг.6 - схемы систем кремниевых острийных эмиттеров (а), в том числе с одиночными частицами на вершинах (б), с вершинами, покрытыми почти сплошным слоем алмазных частиц (в), и с вершинами, покрытыми алмазоподобным материалом (г); на фиг.7 схема электронного прибора для оптического отображения информации.
Подробное описание изобретения.
На фиг. 1 изображен острийный эмиттер, изготовленный из нитевидного кристалла кремния. Автоэмиссионный ток I(A) такого эмиттера зависит от работы выхода электронов из этого материала на вершине (эВ), радиуса кривизны вершины r(нм), высоты эмиттера h(мкм), расстояния анод-эмиттер d(мм), и напряжения на промежутке анод-эмиттер V(B) по формуле:
I = (K1/Φ)(fhV/rd)2exp[-K2rdΦ3/2/fhV], ...(1)
где К1 1,4х10-6,
K2= 6,83×107×(0,95-1,48×10-7×E/Φ2),
f т.н. "коэффициент идеальности эмиттера", зависящий от отношения высоты острия к диаметру основания эмиттера D и от угла при вершине острия α,
d 0,2 мм типичное значение в приборах вакуумной микроэлектроники.
Из формулы (1) видно, что отношение h/r является одним из основных параметров, влияющих на эмиссионный ток. При высоте эмиттера не менее 10 мкм и радиуса при вершине не более 10 нм значение h/r составляет не менее 1000 в случае идеального эмиттера.
Другим важным параметром в формуле (1) является "коэффициент идеальности эмиттера" f. Для идеального эмиттера f 1, у реальных эмиттеров f 0,1-0,8 в зависимости от формы эмиттера. Численные расчеты [7] показывают, что для достижения максимального значения f необходимо обеспечить как можно большее значение отношения высоты эмиттера к диаметру основания и минимальный угол при вершине.
Еще одним существенным параметром эмиссии является величина эффективной работы выхода электронов v. Уменьшая v, можно, с одной стороны, уменьшить рабочие напряжения и, с другой стороны, снизить влияние разброса в радиусах кривизны вершины и высоте острий на однородность эмиссии в массиве. Снизить работу выхода кремниевого эмиттера можно путем осаждения на его вершине материала, снижающего работу выхода, в частности алмаза или алмазоподобного материала. Известно, что плоскость (111) алмаза имеет отрицательное сродство к электроду [8] что позволяет получать значения эффективной работы выхода меньше 2 эВ [9] На фиг.2 приведены три вольт-амперные характеристики автоэмиттеров по фиг.1 с высотой 100 мкм, радиусом закругления вершины 10 нм, с алмазной частицей для v = 1 эВ (1) и Φ = 2,5 эB (2) и без алмазной частицы, Φ = 4,5 эB (3). (3). Фиг.2 иллюстрирует возможность получения, при наличии алмазной частицы на вершине автоэмиттера, при сравнительно малых рабочих напряжениях больших токов эмиссии, значительно превосходящих токи автоэмиттеров без алмазного покрытия.
На фиг.3 приведены вольт-амперные характеристики автоэмиттеров с алмазной частицей на вершине с эффективным размером 10 нм для разной высоты катодов: 10 мкм (1), 50 мкм (2) и 100 мкм (3) при Φ = 2,5 эB.. Эти характеристики указывают на значительное увеличение эмиссионного тока при одних и тех же напряжениях с увеличением высоты автоэмиттера.
На фиг.4 приведен пример острийной структуры кремния, полученной из выращенных нитевидных кристаллов, для использования в качестве катодов. Такие катоды могут иметь площадь несколько кв.см. с плотностью острий от 104> до 106 см-2. Многоострийные автоэлектронные катоды позволяют получать при сравнительно низких напряжениях и при определенных иных условиях большой суммарный ток, который равен току одиночного эмиттера, умноженному на число эмиттеров.
На фиг. 5 приведена схема острийного эмиттера с алмазными частицами на вершинах, а на фиг.6 разные схемы алмазных покрытий: с одиночными частицами (фиг. 6б) и с вершинами, покрытыми почти сплошным слоем мелких алмазных частиц (фиг.6в) и пленкой алмазоподобного материала (фиг.6г).
При осаждении на эмиттер частиц алмаза или пленки алмазоподобного материала увеличивается радиус закругления вершины эмиттера, например, до 1 мкм. Это увеличение радиуса в достаточной степени компенсируется снижением работы выхода эмиттера, как это было проверено непосредственными экспериментами.
Для повышения однородности автоэлектронной эмиссии многоэмиттерном на катоде большой площади, желательно, чтобы каждый эмиттер имел электросопротивление, сравнимое с сопротивлением вакуумного промежутка (это величина порядка 106 107 Ом). Достаточно высокое сопротивление эмиттера может быть достигнуто подходящим выбором его геометрических параметров (малым поперечным сечением D, значительной высотой h, малым углом при вершине α, что влечет за собой удлинение конической части) и уровня легирования (удельного сопротивления r), причем расчет сопротивления может быть проведен по формуле R = 4hρ/πD2 (в предложении цилиндрической формы эмиттера). В частности, удельное сопротивление материала эмиттера должно быть не менее 1 Ом.см.
Пример расчета электросопротивления эмиттера. При поперечнике 1 мкм, высоте эмиттера 50 мкм и удельном сопротивлении, его сопротивление составит около 5•106 Ом. Коническая форма вершины эмиттера даст дополнительный вклад в электросопротивление. Дальнейшие вариации сопротивления эмиттера возможны за счет увеличения удельного сопротивления материала эмиттера. Известно, что при кристаллизации кремния из паровой фазы возможно получать материал с удельным сопротивлением до 10 Ом.см. Дополнительным фактором в управлении сопротивлением эмиттера может служить его легирование такими примесями как золото, которое часто, как в данном случае, используется, для выращивания нитевидных кристаллов по механизму пар жидкость кристалл (как и родственные золоту переходные элементы периодической системы: медь, серебро, никель, палладий и др.).
На фиг.7 изображен электронный прибор для оптического отображения информации, включающий описанные выше матричные автоэлектронные катоды ( фиг.4 и 5), в которых кремниевые острийные эмиттеры выполнены на линейных участках n+-типа, созданных посредством легирования в кремниевой подложке р-типа. К каждому из линейных участков n+-типа, а также к подложке р-типа, создан электрический контакт. На расстоянии 0,1-1 мм от катода находится анод, в котором оптически прозрачный проводящий слой и люминофор нанесены в виде линейных участков, проекции которых на кремниевую подложку - основание катода перпендикулярны линейным участкам n+-типа. К каждому линейному участку проводящего слоя и люминофора сформирован электрический контакт. При подаче напряжения от внешнего источника между двумя выбранными линейными участками анода и катода можно вызвать свечение отдельной небольшой области анода. Для предотвращения электрической связи между различными линейными участками катода предусмотрено включение небольшого (несколько вольт) запирающего напряжения между линейным участком n+-типа и подложкой р-типа. Данный прибор может служить основой для плоского автоэмиссионного дисплея без близко расположенного управляющего электрода.
Алмазное покрытие вершины эмиттера (в виде частицы или пленки), позволяет увеличить электронную эмиссию (при заданной напряженности поля у вершины эмиттера) и повысить его стабильность и стойкость против разрушения или деградации свойств.

Claims (4)

1. Матричный автоэлектронный катод, содержащий монокристаллическую подложку кремния, систему острийных кремниевых эмиттеров и балластные сопротивления, отличающийся тем, что острийные кремниевые эмиттеры выполнены из эпитаксиально выращенных на монокристаллической кремниевой подложке нитевидных кристаллов кремния, при этом угол при вершине острийного кремниевого эмиттера не превосходит 30o, радиус закругления при вершине не более 10 нм, острийный элемент имеет высоту не менее 20 мкм, его поперечный размер составляет от 1 до 10 мкм, а удельное сопротивление материала эмиттера составляет не менее 1 Ом•см, так что эмиттер выполняет функцию балластного сопротивления.
2. Катод по п. 1, отличающийся тем, что вершина острийного кремниевого эмиттера имеет покрытие из материала, снижающего работу выхода электронов.
3. Катод по п. 2, отличающийся тем, что вершина острийного кремниевого эмиттера имеет покрытие из алмаза или алмазоподобного материала, при этом радиус закругления при вершине покрытия составляет от 10 нм до 1 мкм.
4. Электронный прибор для оптического отображения информации, содержащий матричный автоэлектронный катод из острийных эмиттеров, расположенных на монокристаллической подложке кремния с проводящими дорожками, образованными легированными областями, управляющий электрод, балластные сопротивления и анод с люминофорным покрытием, отличающийся тем, что матричный автоэлектронный катод образован острийными кремниевыми эмиттерами, выполненными из эпитаксиально выращенных на подложке нитевидных кристаллов кремния, при этом угол при вершине острийного кремниевого эмиттера не превосходит 30o, радиус закругления при вершине не более 10 нм, острийный эмиттер имеет высоту не менее 10 мкм, его поперечный размер составляет от 1 до 10 мкм, а удельное сопротивление материала составляет не менее 1 Ом•см, так что эмиттер выполняет функцию балластного сопротивления, анод расположен непосредственно напротив катода и выполнен в виде полос, проекция которых на катод перпендикулярна указанным проводящим дорожкам, при этом анод выполняет функцию управляющего электрода.
RU9494027731A 1994-07-26 1994-07-26 Матричный автоэлектронный катод и электронный прибор для оптического отображения информации RU2074444C1 (ru)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9494027731A RU2074444C1 (ru) 1994-07-26 1994-07-26 Матричный автоэлектронный катод и электронный прибор для оптического отображения информации
US08/619,704 US5825122A (en) 1994-07-26 1995-07-18 Field emission cathode and a device based thereon
PCT/RU1995/000154 WO1996003762A1 (fr) 1994-07-26 1995-07-18 Cathode a emission de champ et dispositif l'utilisant
DE69523888T DE69523888T2 (de) 1994-07-26 1995-07-18 Feldemissionskathode und diese kathode verwendende vorrichtung
EP95927103A EP0726589B1 (en) 1994-07-26 1995-07-18 Field emission cathode and a device based thereon
JP8505684A JPH09503339A (ja) 1994-07-26 1995-07-18 電界放出カソードおよびこれに基くデバイス

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9494027731A RU2074444C1 (ru) 1994-07-26 1994-07-26 Матричный автоэлектронный катод и электронный прибор для оптического отображения информации

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94027731A RU94027731A (ru) 1996-04-27
RU2074444C1 true RU2074444C1 (ru) 1997-02-27

Family

ID=20158870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU9494027731A RU2074444C1 (ru) 1994-07-26 1994-07-26 Матричный автоэлектронный катод и электронный прибор для оптического отображения информации

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5825122A (ru)
EP (1) EP0726589B1 (ru)
JP (1) JPH09503339A (ru)
DE (1) DE69523888T2 (ru)
RU (1) RU2074444C1 (ru)
WO (1) WO1996003762A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998034265A1 (fr) * 1997-02-04 1998-08-06 Leonid Danilovich Karpov Mode de preparation d'un appareil a resistances du type planar
WO2014007680A2 (ru) * 2012-07-04 2014-01-09 Evlashin Stanislav Aleksandrovich Трёхмерно-структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода, способ ее получения и автоэмиссионный катод

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0700063A1 (en) 1994-08-31 1996-03-06 International Business Machines Corporation Structure and method for fabricating of a field emission device
US5623180A (en) 1994-10-31 1997-04-22 Lucent Technologies Inc. Electron field emitters comprising particles cooled with low voltage emitting material
EP0716438A1 (en) 1994-12-06 1996-06-12 International Business Machines Corporation Field emission device and method for fabricating it
RU2118011C1 (ru) * 1996-05-08 1998-08-20 Евгений Инвиевич Гиваргизов Автоэмиссионный триод, устройство на его основе и способ его изготовления
KR100278504B1 (ko) * 1996-09-24 2001-02-01 김영남 다이아몬드박막다이오드형fed및그의제조방법
FR2766011B1 (fr) * 1997-07-10 1999-09-24 Alsthom Cge Alcatel Cathode froide a micropointes
KR100279051B1 (ko) * 1997-09-23 2001-02-01 박호군 다이아몬드 전계방출 소자의 제조방법
US6525461B1 (en) * 1997-10-30 2003-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device
DE19809461C2 (de) 1998-03-06 2002-03-21 Solutia Austria Gmbh Niedermolekulare Polyesterpolyole, deren Herstellung und Verwendung in Beschichtungsmitteln
EP1141989A1 (en) * 1998-04-30 2001-10-10 Givargizov, Evgeny Invievich Stabilized and controlled electron sources, matrix systems of the electron sources, and method for production thereof
US7161148B1 (en) 1999-05-31 2007-01-09 Crystals And Technologies, Ltd. Tip structures, devices on their basis, and methods for their preparation
RU2155412C1 (ru) * 1999-07-13 2000-08-27 Закрытое акционерное общество "Патинор Коутингс Лимитед" Плоский люминесцентный экран, способ изготовления плоского люминесцентного экрана и способ получения изображения на плоском люминесцентном экране
US6649824B1 (en) 1999-09-22 2003-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and method of production thereof
US6448700B1 (en) * 1999-10-25 2002-09-10 Southeastern Universities Res. Assn. Solid diamond field emitter
AU2001237064B2 (en) * 2000-02-16 2005-11-17 Fullerene International Corporation Diamond/carbon nanotube structures for efficient electron field emission
KR100499120B1 (ko) * 2000-02-25 2005-07-04 삼성에스디아이 주식회사 카본 나노튜브를 이용한 3전극 전계 방출 표시소자
US6649431B2 (en) * 2001-02-27 2003-11-18 Ut. Battelle, Llc Carbon tips with expanded bases grown with simultaneous application of carbon source and etchant gases
GB2378569B (en) * 2001-08-11 2006-03-22 Univ Dundee Improved field emission backplate
KR100730808B1 (ko) 2001-08-11 2007-06-20 더 유니버시티 코트 오브 더 유니버시티 오브 던디 전계 방출 백플레이트 및 그의 제조방법과 전계 방출 장치
US6781159B2 (en) * 2001-12-03 2004-08-24 Xerox Corporation Field emission display device
US6579735B1 (en) * 2001-12-03 2003-06-17 Xerox Corporation Method for fabricating GaN field emitter arrays
US20060151428A1 (en) * 2002-12-30 2006-07-13 Reiner Windisch Method for roughening a surface of a body, and optoelectronic component
US8295523B2 (en) 2007-10-04 2012-10-23 SoundBeam LLC Energy delivery and microphone placement methods for improved comfort in an open canal hearing aid
US8401212B2 (en) 2007-10-12 2013-03-19 Earlens Corporation Multifunction system and method for integrated hearing and communication with noise cancellation and feedback management
US7668325B2 (en) 2005-05-03 2010-02-23 Earlens Corporation Hearing system having an open chamber for housing components and reducing the occlusion effect
US7867160B2 (en) 2004-10-12 2011-01-11 Earlens Corporation Systems and methods for photo-mechanical hearing transduction
CN100561633C (zh) * 2004-09-10 2009-11-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 场发射发光照明光源
JP5034804B2 (ja) * 2006-09-19 2012-09-26 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド電子源及びその製造方法
US8198106B2 (en) 2007-09-19 2012-06-12 Massachusetts Institute Of Technology Dense array of field emitters using vertical ballasting structures
US8396239B2 (en) 2008-06-17 2013-03-12 Earlens Corporation Optical electro-mechanical hearing devices with combined power and signal architectures
US8715152B2 (en) 2008-06-17 2014-05-06 Earlens Corporation Optical electro-mechanical hearing devices with separate power and signal components
WO2009155361A1 (en) 2008-06-17 2009-12-23 Earlens Corporation Optical electro-mechanical hearing devices with combined power and signal architectures
BRPI0918994A2 (pt) 2008-09-22 2017-06-13 SoundBeam LLC dispositivo, e, método para transmitir um sinal de áudio para um usuário.
DK2438768T3 (en) 2009-06-05 2016-06-06 Earlens Corp Optically coupled acoustically mellemøreimplantatindretning
US9544700B2 (en) 2009-06-15 2017-01-10 Earlens Corporation Optically coupled active ossicular replacement prosthesis
US10286215B2 (en) 2009-06-18 2019-05-14 Earlens Corporation Optically coupled cochlear implant systems and methods
WO2010148345A2 (en) 2009-06-18 2010-12-23 SoundBeam LLC Eardrum implantable devices for hearing systems and methods
WO2011005479A2 (en) 2009-06-22 2011-01-13 SoundBeam LLC Optically coupled bone conduction systems and methods
BRPI1016075A2 (pt) 2009-06-22 2016-05-10 SoundBeam LLC dispositivo para transmitir som para um ouvido de um usuário e métodos associados.
US8715154B2 (en) 2009-06-24 2014-05-06 Earlens Corporation Optically coupled cochlear actuator systems and methods
US8845705B2 (en) 2009-06-24 2014-09-30 Earlens Corporation Optical cochlear stimulation devices and methods
WO2012088187A2 (en) 2010-12-20 2012-06-28 SoundBeam LLC Anatomically customized ear canal hearing apparatus
US10034103B2 (en) 2014-03-18 2018-07-24 Earlens Corporation High fidelity and reduced feedback contact hearing apparatus and methods
EP3169396B1 (en) 2014-07-14 2021-04-21 Earlens Corporation Sliding bias and peak limiting for optical hearing devices
US9924276B2 (en) 2014-11-26 2018-03-20 Earlens Corporation Adjustable venting for hearing instruments
CN105174876A (zh) * 2015-09-10 2015-12-23 无锡市九州船用甲板敷料有限公司 一种超轻质船用甲板基层敷料
EP3888564A1 (en) 2015-10-02 2021-10-06 Earlens Corporation Drug delivery customized ear canal apparatus
WO2017116791A1 (en) 2015-12-30 2017-07-06 Earlens Corporation Light based hearing systems, apparatus and methods
US11350226B2 (en) 2015-12-30 2022-05-31 Earlens Corporation Charging protocol for rechargeable hearing systems
US10492010B2 (en) 2015-12-30 2019-11-26 Earlens Corporations Damping in contact hearing systems
US20180077504A1 (en) 2016-09-09 2018-03-15 Earlens Corporation Contact hearing systems, apparatus and methods
WO2018093733A1 (en) 2016-11-15 2018-05-24 Earlens Corporation Improved impression procedure
WO2019173470A1 (en) 2018-03-07 2019-09-12 Earlens Corporation Contact hearing device and retention structure materials
WO2019199680A1 (en) 2018-04-09 2019-10-17 Earlens Corporation Dynamic filter

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3466485A (en) * 1967-09-21 1969-09-09 Bell Telephone Labor Inc Cold cathode emitter having a mosaic of closely spaced needles
US3814968A (en) * 1972-02-11 1974-06-04 Lucas Industries Ltd Solid state radiation sensitive field electron emitter and methods of fabrication thereof
FR2629264B1 (fr) * 1988-03-25 1990-11-16 Thomson Csf Procede de fabrication d'emetteurs a pointes a emission de champ, et son application a la realisation de reseaux d'emetteurs
JPH01290598A (ja) * 1988-05-17 1989-11-22 Res Dev Corp Of Japan 微細マルチプローブの製造方法
FR2650119A1 (fr) * 1989-07-21 1991-01-25 Thomson Tubes Electroniques Dispositif de regulation de courant individuel de pointe dans un reseau plan de microcathodes a effet de champ, et procede de realisation
FR2658839B1 (fr) * 1990-02-23 1997-06-20 Thomson Csf Procede de croissance controlee de cristaux aciculaires et application a la realisation de microcathodes a pointes.
US5204581A (en) * 1990-07-12 1993-04-20 Bell Communications Research, Inc. Device including a tapered microminiature silicon structure
JP2620895B2 (ja) * 1990-09-07 1997-06-18 モトローラ・インコーポレーテッド 電界放出装置を備えた電子装置
DE4041276C1 (ru) * 1990-12-21 1992-02-27 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
US5141460A (en) * 1991-08-20 1992-08-25 Jaskie James E Method of making a field emission electron source employing a diamond coating
US5129850A (en) * 1991-08-20 1992-07-14 Motorola, Inc. Method of making a molded field emission electron emitter employing a diamond coating
US5659224A (en) * 1992-03-16 1997-08-19 Microelectronics And Computer Technology Corporation Cold cathode display device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент США N 4307507, кл. H 01 J 1/02, 1981. Патент США N 5142184, кл. H 01 J 1/16, 1992. Ch.Xie. N.Kumar et al, Electron field emission from amorphic diamond thin films, A paper at 6 th Jntern. Conf. Vacuum Microelectronics, July 1993, Newport, RI, USA. N.N. Cleubun etal, Field-emission array cathodes for. a flat panel display, Techn. Dig, IVMC-91, Nagahama, Japan, 1991. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998034265A1 (fr) * 1997-02-04 1998-08-06 Leonid Danilovich Karpov Mode de preparation d'un appareil a resistances du type planar
WO2014007680A2 (ru) * 2012-07-04 2014-01-09 Evlashin Stanislav Aleksandrovich Трёхмерно-структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода, способ ее получения и автоэмиссионный катод
WO2014007680A3 (ru) * 2012-07-04 2014-04-03 Evlashin Stanislav Aleksandrovich Трёхмерно-структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода, способ ее получения и автоэмиссионный катод

Also Published As

Publication number Publication date
EP0726589A4 (en) 1996-09-13
US5825122A (en) 1998-10-20
WO1996003762A1 (fr) 1996-02-08
EP0726589B1 (en) 2001-11-14
JPH09503339A (ja) 1997-03-31
EP0726589A1 (en) 1996-08-14
DE69523888D1 (de) 2001-12-20
RU94027731A (ru) 1996-04-27
DE69523888T2 (de) 2002-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2074444C1 (ru) Матричный автоэлектронный катод и электронный прибор для оптического отображения информации
KR100307042B1 (ko) 비정질다이아몬드막플랫필드방출캐소드
KR970005760B1 (ko) 마이크로포인트 방출 음극을 가진 전자원과 상기 전자원을 이용한 필드 방출로 여기되는 음극루미네센스에 의한 디스플레이 수단
KR100405886B1 (ko) 전계전자방출물질과그제조방법및그물질을이용한소자
KR100362377B1 (ko) 탄소 나노 튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법
US5572041A (en) Field emission cathode device made of semiconductor substrate
US5717278A (en) Field emission device and method for fabricating it
US5757138A (en) Linear response field emission device
US6012958A (en) Field emission device micropoint with current-limiting resistive structure and method for making same
US6750617B2 (en) Field emission display device
EP0836214A2 (en) Field emission device having a charge bleed-off barrier
WO1997042645A1 (en) Field emission triode, a device based thereon, and a method for its fabrication
US5872421A (en) Surface electron display device with electron sink
US5442256A (en) Single substrate, vacuum fluorescent display incorporating triode light emitting devices
US5828288A (en) Pedestal edge emitter and non-linear current limiters for field emitter displays and other electron source applications
US20040145299A1 (en) Line patterned gate structure for a field emission display
KR100189037B1 (ko) 전계 방출 냉음극 및 그 제조방법
US6861791B1 (en) Stabilized and controlled electron sources, matrix systems of the electron sources, and method for production thereof
RU2187860C2 (ru) Автоэмиссионный катод и электронный прибор на его основе (варианты)
US6015324A (en) Fabrication process for surface electron display device with electron sink
US6144145A (en) High performance field emitter and method of producing the same
US20040113140A1 (en) Robust field emitter array design
KR19980018892A (ko) 전계 방출 냉 음극 (Field Emission Cold Cathode)
KR100582544B1 (ko) 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법
US20040113178A1 (en) Fused gate field emitter