RU2064206C1 - Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления - Google Patents

Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2064206C1
RU2064206C1 SU915016146A SU5016146A RU2064206C1 RU 2064206 C1 RU2064206 C1 RU 2064206C1 SU 915016146 A SU915016146 A SU 915016146A SU 5016146 A SU5016146 A SU 5016146A RU 2064206 C1 RU2064206 C1 RU 2064206C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
semiconductor
laser screen
multilayer
mirror
Prior art date
Application number
SU915016146A
Other languages
English (en)
Inventor
В.И. Козловский
А.А. Колчин
Original Assignee
Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН filed Critical Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН
Priority to SU915016146A priority Critical patent/RU2064206C1/ru
Priority to US07/875,816 priority patent/US5313483A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2064206C1 publication Critical patent/RU2064206C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
    • H01J29/89—Optical or photographic arrangements structurally combined or co-operating with the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/327—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

Использование: проекционные кинескопы с лазерным экраном (ЛЭ) для отображения информации на большом внешнем экране и для засветки фотоматериалов в проекционной фотолитографии. Сущность изобретения: ЛЭ содержит последовательно расположенные электропроводящее зеркальное покрытие, активный монокристаллический слой, многослойное полупрозрачное зеркало, наращенный на это зеркало полупроводниковый пассивный спой, клеевой слой и хладопроводящую прозрачную подложку. ЛЭ обладает повышенной эффективностью излучения при комнатной температуре. Способ изготовления ЛЭ включает полировку с одной стороны монокристаллической полупроводниковой пластины, нанесение на эту сторону многослойного частично пропускающего зеркального покрытия, наращивание слоя более широкозонного, полупроводникового соединения, закрепление пластины на прозрачной подложке, обработку обратной стороны пластины и нанесение на нее электропроводящего зеркального покрытия. 2 с. и 1 з.п.ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к электронной технике, в частности к кинескопам высокой яркости, и может быть использовано в проекционном телевидении и в проекционной фотолитографии.
Известен лазерный экран в виде монокристаллической полупроводниковой пластины с зеркальными покрытиями на обеих поверхностях, приклеенной к прозрачной хладопроводящей подложке (Козловский В.И. и др. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdSxSe1-x и ZnSe. Квантовая электроника, 1977, Т.4, C.351-354.).
В этой же работе описан способ изготовления лазерного экрана электронно-лучевой трубки, включающий выращивание монокристаллического слитка полупроводникового соединения, вырезание из слитка пластины необходимой ориентации, полировку одной стороны этой пластины, напыление полупрозрачного зеркального покрытия на эту сторону, приклейку пластины на подложку, шлифовку и полировку второй стороны пластины и нанесение второго электропроводящего зеркального покрытия. В этом способе используется органический клей.
Недостатком устройства и способа его изготовления является то, что такой лазерный экран не может работать достаточно эффективно длительное время при температурах, близких к комнатной температуре. Если толщину монокристаллической пластины делают значительно большей, чем характерная глубина проникновения электронов в лазерный экран, то из-за сильного поглощения излучения в невозбужденной области монокристаллической пластины эффективность лазерного экрана при работе при комнатной температуре мала. Если толщину монокристаллической пластины делают сравнимой с характерной глубиной проникновений электронов в лазерный экран, то эффективность лазерного экрана остается достаточно высокой даже при комнатной температуре. Однако срок службы такого экрана мал из-за быстрого разрушения клеевого слоя под действием частично проникающего в этот слой электронного пучка, а также из-за наличия высоких термоупругих напряжений на границе монокристаллическая пластина - клеевой слой, обусловленных низкой теплопроводностью клеевого слоя.
Известен полупроводниковый лазер с оптической накачкой, который в качестве активной среды содержит многослойную структуру, состоящую из активных, отражающих и пассивных монокристаллических эпитаксиальных слоев с различными значениями ширины запрещенной зоны и показателя преломления (Jewell J.L. et. al. Vertical cavity single quantum well laser. Appl. Phyb. Lett. 1989. Vol.55. P.424).
Данная структура может быть использована в качестве лазерного экрана электронно-лучевой трубки. Ее особенностью является то, что в ней отсутствует клеевой слой, один из слоев структуры выполнен толстым и несет функции прозрачной хладопроводящей подложки и, кроме того, как и все остальные слои отражающие слои являются монокристаллическими.
Известен способ изготовления подобных структур, включающий последовательное эпитаксиальное наращивание слоев различного состава химическим осаждением из элементоорганических соединений (Koyama F. et. al. GaAIAs/GaAs MOCVD Growth for Surface Emitting Laser. Jap. J. of Appl. Рhуs. 1987. Vol.26. N 7. P.1077-1081.).
Этот способ осуществим лишь при высоком структурном совершенстве ростовых подложек и хорошем согласовании параметров решеток всех наращиваемых монокристаллических слоев.
Недостатком устройства и способа его изготовления является то, что такие структуры удается вырастить лишь для ряда полупроводниковых соединений A3B5, излучающих в ближней инфракрасной области спектра.
Наиболее близким к изобретению является лазерный экран, содержащий прозрачную подложку и структуру, состоящую из последовательно расположенных серебряного зеркального покрытия, активного полупроводникового слоя, пассивного прозрачного полупроводникового слоя и многослойного полупрозрачного покрытия, которым структура приклеена к подложке (Кацап В.Н. и др. Гетероструктуры CdSxSe1-x/CdS в лазерах с продольной накачкой электронным пучком. Квантовая электроника. 1987. Т.14. N 10. C.1994-1997).
В данной работе описан и наиболее близкий к изобретению способ изготовления лазерного экрана, при котором монокристаллическую полупроводниковую пластину необходимой ориентации полируют с одной стороны, наращивают на эту сторону пассивный слой из близкого по составу, но более широкозонного полупроводникового соединения, полируют наращенный слой, наносят полупрозрачное диэлектрическое покрытие на этот слой, приклеивают пластину на подложку, шлифуют и полируют вторую сторону монокристаллической полупроводниковой пластины и наносят глухое металлическое покрытие.
В этом способе пассивный слой наращивается методом статической пересублимации в квазизамкнутом объеме при температуре 1175-1225 К в атмосфере аргона или водорода. У лазерного экрана, изготовленного этим способом, граница монокристаллическая пластина пассивный слой находится внутри оптического резонатора, образованного металлическим и диэлектрическим зеркалами. Толщина пассивного слоя может быть достаточно большой, чтобы удалить клеевой слой на необходимое расстояние от области возбуждения электронным пучком.
Недостатком данного устройства и способа его изготовления является то, что такие лазерные экраны имеют низкую эффективность излучения при комнатной температуре в видимой или в ближней ультрафиолетовой области спектра. Для изготовления лазерных экранов, излучающих в этих областях спектра, используются полупроводниковые соединения A2B5, для которых наращивание пассивного слоя описанным методом приводит к ухудшению излучательных свойств активного слоя.
Целью настоящего изобретения является увеличение эффективности излучения при комнатной температуре лазерного экрана электронно-лучевых трубок без уменьшения срока службы.
Поставленная цель достигается тем, что в лазерном экране, содержащем прозрачную хладопроводящую подложку и приклеенную к ней структуру, состоящую из монокристаллического слоя полупроводникового соединения, помещенного между многослойным полупрозрачным и электропроводящим высокоотражающим зеркалами, образующими оптический резонатор, и из пассивного слоя, выполненного из полупроводникового соединения с шириной запрещенной зоны не меньшей, чем у полупроводникового соединения активного слоя, пассивный слой наращен на многослойное полупрозрачное зеркало и размещен вне оптического резонатора между полупрозрачным зеркалом и подложкой.
Для реализации поставленной цели в способе изготовления лазерного экрана электронно-лучевой трубки, при котором монокристаллическую пластину из полупроводникового соединения полируют с одной стороны, наносят на эту сторону пассивный прозрачный полупроводниковый слой и частично пропускающее зеркальное покрытие, приклеивают пластину к подложке, обрабатывают обратную сторону пластины и наносят на нее электропроводящее зеркальное покрытие, сначала на полированную сторону пластины наносят термо- и химическистойкое частично пропускающее многослойное покрытие, а затем наращивают пассивный слой химическим осаждением из паровой фазы, причем для изготовления лазерного экрана, излучающего в зеленой области спектра, термо- и химическистойкое частично пропускающее многослойное покрытие наносят при 450-600К распылением в вакууме ZrO2 и Al2O3, а пассивный слой также из CdS наращивают в кварцевом реакторе при температуре 750-1100K и соотношении мольных расходов паров кадмия, сероводорода и нейтрального газа аргона (1 - 1,5):1:(200-400) до толщины 15-30 мкм.
Сущность изобретения заключается в том, что, вынося пассивный слой из оптического резонатора путем изменения порядка операций в изготовлении лазерного экрана, удается удалить клеевой слой из области возбуждения электронным пучком без ухудшения излучательных характеристик монокристаллического полупроводникового слоя.
В прототипе пассивный слой является монокристаллическим и имеет непосредственный контакт (на молекулярном уровне) с активным слоем. Поскольку такой контакт достигается для полупроводниковых соединений A2B6, излучающих в видимой или ближней ультрафиолетовой области спектра, лишь путем наращивания одного слоя на другой при высоких температурах, то во время этого наращивания происходит эффективный обмен атомами этих слоев. В частности, если вы наращиваете Cds на слой CdSSe, то на границе этих слоев, при температуре 1200К идет обмен атомами S и Sе. Атомы Se из слоя CdSSe диффундируют в слой CdS, а их места занимают атомы S из слоя CdS. При этом возникает большое количество точечных дефектов типа вакансий и междоузельных атомов, которые имеют значительно большие коэффициенты диффузии, быстро распространяются по объему слоев и образуют безызлучательные центры рекомбинации, ухудшающие излучательные свойства активного слоя, особенно при комнатной температуре.
В предложенном техническом решении между активным и пассивным слоями расположено термо- и химическистойкое частично пропускающее многослойное покрытие. Это покрытие предотвращает взаимодействие активного и пассивного слоев в процессе изготовления лазерного экрана, а также в процессе его эксплуатации, когда диффузия атомов стимулируется мощным возбуждающим электронным пучком и интенсивной рекомбинацией неравновесных носителей тока.
Если полупрозрачное зеркало не является термо- и химическистойким, то наращивание на него пассивного слоя приводит к ухудшению излучательных свойств активного слоя, прозрачности пассивного слоя и к ухудшению отражательных свойств самого зеркала, что в целом приводит к ухудшению характеристик лазерного экрана. Требованию химической и термической стойкости удовлетворяет, в частности, зеркало в виде многослойного покрытия из чередующихся четвертьволновых слоев ZrO2 и Al2O3, полученных при вакуумном распылении. Могут быть использованы и другие пары окислов с малым и большим показателем преломления: SiO2 TiO2, SiО2 HfО2, однако коэффициенты температурного расширения слоев ZrO2 и Al2O3 наиболее близки к полупроводниковым соединениям A2B6, используемым для получения излучения в видимой области спектра. Сильное рассогласование коэффициентов температурного расширения (например, как у SiO2 и CdSSe) приводит к растрескиванию зеркального покрытия при нагревании его до температуры наращивания, что в конечном счете может привести к ухудшению однородности излучения лазерного экрана.
Для улучшения адгезии многослойного покрытия к полупроводниковой пластине напыление необходимо проводить при температуре пластины T=450-600К. Если напыление проводить при Т<450К, то покрытие разрушается при наращивании пассивного слоя. Если напыление проводить при Т>600К, то возможно окисление поверхности полупроводника, что приводит к изменению как излучательных свойств активного слоя, так и к изменению свойств зеркала.
Требования к оптическим характеристикам пассивного слоя существенно более низкие, чем в случае, когда он находится внутри резонатора. В частности, он может быть поликристаллическим и может быть наращен при существенно более низких температурах, чем в известных способах. Одним из наиболее эффективных методов выращивания полупроводниковых соединений при пониженных температурах является метод химического осаждения из паровой фазы (CVD). Температурный диапазон наращивания пассивного слоя и соотношение газовых потоков зависят от материала пассивного слоя и приемлемой скорости наращивания. Кроме того, с уменьшением температуры наращивания ниже 750К адгезия пассивного слоя к зеркалу становится недостаточно высокой (полупроводники на окислы садятся хуже, чем окислы на полупроводники), а при температуре наращивания выше 1100K зеркала растрескиваются даже для наиболее удачной пары ZrO2 и Al2O3. Проведение наращивания при более низкой температуре приводит к снижению упругих напряжений в лазерном экране и в результате к увеличению его срока службы.
Если пассивный слой расположен не между полупрозрачным зеркалом и подложкой, то он является первым слоем со стороны электронного пучка и не является пассивным.
Если пассивный слой не будет наращен, то есть не будет пристыкован к полупрозрачному зеркалу на уровне молекулярной связи, то не будет хорошего теплового и электрического контакта с активным слоем, что приведет к ухудшению излучательных характеристик лазерного экрана и к уменьшению его срока службы.
Для работы при комнатной температуре толщину монокристаллической полупроводниковой пластины делают равной характерной глубине проникновения электронов в лазерный экран, составляющей 5-10 мкм для электронов с энергией 50-75 кэВ. Однако полный пробег электрона по криволинейной траектории примерно в 4 раза больше. Поэтому для того, чтобы предотвратить проникновение электронов в клеевой слой, толщина пассивного слоя должна быть не меньше 15-30 мкм для энергии электронов 50-75 кэВ. При наращивании пассивного слоя толщиной до 30 мкм коэффициент потерь на рассеяние и поглощение в этом слое на длине волны генерируемого излучения может иметь значения 30-100 см-1, и в качестве материала пассивного слоя может быть использовано то же полупроводниковое соединение, что и у монокристаллической пластины. При этом достигается идеальное согласование коэффициентов температурного расширения пластины и пассивного слоя. Помещение же этого пассивного слоя внутрь резонатора, как уже отмечалось выше, приводит к существенному уменьшению эффективности излучения лазерного экрана при комнатной температуре.
Толщина пассивного слоя может быть существенно увеличена, если изменить его состав относительно состава полупроводникового соединения монокристаллической пластины в сторону увеличения ширины запрещенной зоны на величину порядка 0,1эВ. При использовании в качестве полупроводниковых соединений твердых растворов соединений A2B6, таких как CdSxSe1-x, ZnSxSe1-x, ZnxCd1-xS, и Zn1-xCdxSe, указанное выше приращение ширины запрещенной зоны достигается изменением параметра состава х на величину не более чем 0,15.
Проблема изготовления лазерного экрана, эффективно излучающего при комнатной температуре и имеющего достаточно большой сpoк службы, обсуждалась в литературе неоднократно. Однако до сих пор решение этой проблемы связывалось с разработкой технологии выращивания двух- или многослойных гетероструктур. Подобные гетероструктуры, к сожалению, не удается изготовить из широкозонных полупроводниковых соединений, излучающих в видимой и ближней ультрафиолетовой областях спектра. Авторам не известны работы, в которых эта проблема решается путем наращивания пассивного слоя полупроводникового соединения на поверхность монокристаллической пластины с уже нанесенным частично пропускающим зеркальным покрытием.
В связи с выше изложенным авторы считают, что заявляемое техническое решение обладает существенными отличиями.
Сущность изобретения поясняется фигурами 1 и 2. На фигурах и в тексте приняты следующие обозначения: 1 активный монокристаллический слой; 2 - пассивный слой; 3 электропроводящее высокоотражающее зеркальное покрытие; 4 частично пропускающее многослойное зеркальное покрытие; 5 клеевой слой; 6 прозрачная хладопроводящая подложка; e- электронный пучок; hν - электромагнитное излучение.
На фигуре 1 представлен схематично лазерный экран по прототипу, а на фигуре 2 по предлагаемому техническому решению.
Лазерный экран по прототипу содержит структуру из активного монокристаллического слоя 1 полупроводникового соединения, пассивного слоя 2, выполненного из более широкозонного полупроводникового соединения и наращенного на активный слой, электропроводящего высокоотражающего покрытия 3 на активном слое и частично пропускающего многослойного зеркального покрытия 4, которая пристыкована посредством клеевого слоя 5 к прозрачной хладопроводящей подложке 6.
Лазерный экран по заявляемому техническому решению содержит структуру из активного монокристаллического слоя 1 полупроводникового соединения, заключенного между электропроводящим высокоотражающим зеркальным покрытием 3 и частично пропускающим многослойным зеркальным покрытием 4, образующими как и в прототипе оптический резонатор, и из пассивного слоя 2, расположенного вне резонатора между покрытием 4 и прозрачной хладопроводящей подложкой 6. Структура закреплена на подложке посредством клеевого слоя 5.
Лазерный экран по заявляемому техническому решению работает следующим образом. Электронный пучок е-, проникая через покрытие 3 в активный слой 1, создает в нем условия оптического усиления собственного излучения, в результате чего в оптическом резонаторе, образованном покрытиями 3 и 4, возникает режим генерации электромагнитного излучения hν, которое через покрытие 4, пассивный слой 2 без поглощения в нем, клеевой слой 5 и прозрачную хладопроводящую подложку 6 выходит из лазерного экрана наружу. Электронный пучок частично проникает через покрытие 4 и в пассивный слой 2, однако достаточная толщина пассивного слоя полностью препятствует прохождению электронного пучка в клеевой слой. Излишек заряда, вносимый электронным пучком в лазерный экран, стекает из пассивного и активного слоев, а также из тонкого покрытия 4, являющегося электропроводящим под воздействием электронного пучка, через электропроводящее покрытие 3 вдоль поверхности лазерного экрана. Тепло, выделяемое в основном в активном слое, отводится от лазерного экрана через боковую поверхность прозрачной хладопроводящей подложки, омываемую хладоагентом.
Способ изготовления лазерного экрана по заявляемому техническому решению иллюстрируется следующими примерами.
Пример 1. Изготавливают из лейкосапфира подложку толщиной 10 мм и диаметром 60 мм с полированными поверхностями, из монокристаллического слитка СdS вырезают пластину-шайбу диаметром 50 мм толщиной 1,5 мм с ориентацией (0001), одну из сторон шлифуют и полируют химико-механическим способом, на эту сторону напыляют при температуре 550К интерференционное зеркальное покрытие, состоящее из 11 четвертьволновых слоев Al2O3 и ZrO2, на это покрытие наращивают 30 мкм CdS известным методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) в кварцевой ампуле при температуре 850К и скорости роста 0,003 мкм/с (соотношение мольных расходов паров кадмия, сероводорода и нейтрального газа аргона выбирают 1,2 1 300), нарощенный слой сполировывают до толщины 25 мкм, пластину приклеивают эпоксидным клеем ОК-72Ф к подложке со стороны нарощенного слоя, пластину шлифуют и полируют химико-механическим способом до толщины 10 мкм, напыляют на эту полированную поверхность серебряное покрытие толщиной 0,08 мкм. Лазерный экран работает при комнатной температуре и излучает на длине волны 520 нм с эффективностью преобразования энергии электронного пучка в свет не менее 0,07. Оценочный срок службы не менее 1000 часов в режиме телевизионной развертки.
Пример 2. Изготавливают лазерный экран по примеру 1, но пластину вырезают из слитка CdS0,9Se0,1, а пассивный слой наращивают до толщины 110 мкм и сполировывают его до толщины 100 мкм. Лазерный экран излучает при комнатной температуре на длине волны 550 нм и имеет примерно те же значения по эффективности и сроку службы, что и в примере 1.
Пример 3. Изготовляют лазерный экран по примеру 2, но пластину вырезают из слитка ZrSe с ориентацией (111), а пассивный слой наращивают из полупроводникового соединения ZnS0,1Se0,9. Лазерный экран имеет те же характеристики, что и в примере 2, но излучает на длине волны 470 нм.
Пример 4. Изготовляют лазерный экран по примеру 2, но пластину вырезают из слитка Zn0,4Cd0,6Se, а пассивный слой из Zn0,5Cd0,5Se. Лазерный экран имеет те же характеристики, что и в примере 2, но излучает на длине волны 620 нм.
Пример 5. Изготовляют лазерный экран по примеру 2, но пластину вырезают из слитка Zn0,9Cd0,1S, а пассивный слой из ZnS. Лазерный экран имеет те же характеристики, что и в примере 2, но излучает в ультрафиолетовой области спектра на длине волны 355 нм с эффективностью 0,05.

Claims (3)

1. Лазерный экран электронно-лучевой трубки, содержащий прозрачную подложку и приклеенную к ней структуру, состоящую из активного монокристаллического слоя из полупроводникового соединения, помещенного между многослойным полупрозрачным и электропроводящим высокоотражающим зеркалами, образующими оптический резонатор, и из пассивного слоя, выполненного из полупроводникового соединения с шириной запрещенной зоны не меньшей, чем у полупроводникового соединения активного слоя, отличающийся тем, что пассивный слой наращен на многослойное полупрозрачное зеркало и размещен вне оптического резонатора между многослойным полупрозрачным зеркалом и прозрачной подложкой.
2. Способ изготовления лазерного экрана электронно-лучевой трубки, при котором монокристаллическую полупроводниковую пластину полируют с одной стороны, наносят на эту сторону прозрачный полупроводниковый пассивный слой и многослойное частично пропускающее зеркальное покрытие, приклеивают монокристаллическую полупроводниковую пластину к хладопроводящей прозрачной подложке, затем обрабатывают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой пластины и наносят на нее электропроводящее высокоотражающее зеркальное покрытие, отличающийся тем, что сначала на полированную сторону пластины наносят многослойное частично пропускающее зеркальное покрытие из термо- и химическистойкого материала, а затем наращивают прозрачный полупроводниковый пассивный слой химическим осаждением из паровой фазы.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что многослойное частично пропускающее зеркальное покрытие наносят на монокристаллическую полупроводниковую пластину из CdS при температуре 450 600 К распылением в вакууме окислов ZrO2 и Al2O3, а прозрачный полупроводниковый пассивный слой также из CdS наращивают в кварцевом реакторе при температуре 750 1100 K и соотношении мольных расходов паров кадмия, сероводорода и нейтрального газа аргона (1 1,5) 1: (200 400) до толщины 15 30 мкм.
SU915016146A 1991-12-26 1991-12-26 Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления RU2064206C1 (ru)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU915016146A RU2064206C1 (ru) 1991-12-26 1991-12-26 Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления
US07/875,816 US5313483A (en) 1991-12-26 1992-04-30 Laser screen for a cathode-ray tube and method for making same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU915016146A RU2064206C1 (ru) 1991-12-26 1991-12-26 Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2064206C1 true RU2064206C1 (ru) 1996-07-20

Family

ID=21591346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU915016146A RU2064206C1 (ru) 1991-12-26 1991-12-26 Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5313483A (ru)
RU (1) RU2064206C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009123500A1 (ru) 2008-04-03 2009-10-08 Adzhalov Vladimir Isfandeyarov Способ визуализации изображений и устройство для его реализации

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2869279B2 (ja) * 1992-09-16 1999-03-10 三菱電機株式会社 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ
US5677923A (en) * 1996-01-11 1997-10-14 Mcdonnell Douglas Corporation Vertical cavity electron beam pumped semiconductor lasers and methods
WO1998022998A1 (en) * 1996-11-19 1998-05-28 Mcdonnell Douglas Electron beam pumped semiconductor laser screen and method of forming
US6396864B1 (en) 1998-03-13 2002-05-28 Jds Uniphase Corporation Thermally conductive coatings for light emitting devices
KR100496278B1 (ko) * 1998-09-30 2005-09-09 삼성에스디아이 주식회사 레이저 음극선관용 타겟
US6556602B2 (en) 2000-12-05 2003-04-29 The Boeing Company Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method
US6736517B2 (en) * 2001-02-28 2004-05-18 Principia Lightworks Inc. Dual mode laser projection system for electronic and film images
US20020145774A1 (en) * 2001-03-08 2002-10-10 Sherman Glenn H. Telecommunications switch using a Laser-CRT to switch between multiple optical fibers
US7760432B2 (en) * 2002-04-25 2010-07-20 Honeywell International Inc. Photochromic resistant materials for optical devices in plasma environments
US20050110386A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-26 Tiberi Michael D. Laser cathode ray tube
US7309953B2 (en) * 2005-01-24 2007-12-18 Principia Lightworks, Inc. Electron beam pumped laser light source for projection television

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE149738C (ru) *
NL287817A (ru) * 1962-02-20
US3182224A (en) * 1962-10-26 1965-05-04 Dick Co Ab Centering system for an electrostatic writing tube
US3316432A (en) * 1963-11-13 1967-04-25 Gen Electric Cathode ray tube electron gun mount with unitary magnetic centering and gettering means
US3959584A (en) * 1974-07-19 1976-05-25 Massachusetts Institute Of Technology Cathodochromic CRT projection display
JPS5236832B2 (ru) * 1974-08-15 1977-09-19
US3996492A (en) * 1975-05-28 1976-12-07 International Business Machines Corporation Two-dimensional integrated injection laser array
US4140941A (en) * 1976-03-02 1979-02-20 Ise Electronics Corporation Cathode-ray display panel
US4099092A (en) * 1976-08-18 1978-07-04 Atari, Inc. Television display alignment system and method
NL7610353A (nl) * 1976-09-17 1978-03-21 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van referentiepunten voor de magnetische afbuigeenheid van een kleuren- beeldbuis, inrichting voor het uitvoeren van een dergelijke werkwijze en beeldbuis voorzien van refe- rentiepunten volgens de werkwijze of met de inrichting.
US4291256A (en) * 1979-06-11 1981-09-22 International Business Machines Corporation Alignment or correction of energy beam type displays
DE3102930A1 (de) * 1980-03-27 1982-03-04 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai, Sendai, Miyagi Generator fuer langwellige elektromagnetische infrarotwellen
US4349905A (en) * 1980-07-22 1982-09-14 Hewlett-Packard Company Tapered stripe semiconductor laser
US4456853A (en) * 1981-07-06 1984-06-26 Tektronix, Inc. Feedback CRT for use in a closed-loop correction system
US4523212A (en) * 1982-03-12 1985-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Simultaneous doped layers for semiconductor devices
US4479222A (en) * 1982-04-27 1984-10-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Diffusion barrier for long wavelength laser diodes
US4714956A (en) * 1982-09-24 1987-12-22 Yin Ronald L Color display apparatus and method therefor
US4539687A (en) * 1982-12-27 1985-09-03 At&T Bell Laboratories Semiconductor laser CRT
US4695332A (en) * 1982-12-27 1987-09-22 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of making a semiconductor laser CRT
DE3346363A1 (de) * 1983-12-22 1985-07-04 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Farbbildroehre, farbbildwiedergabegeraet und verfahren zu deren herstellung und justierung
US4565947A (en) * 1984-03-12 1986-01-21 International Business Machines Corporation Color cathode ray tube for use with a light pen
US4626739A (en) * 1984-05-10 1986-12-02 At&T Bell Laboratories Electron beam pumped mosaic array of light emitters
US4701789A (en) * 1985-03-13 1987-10-20 Rank Electronic Tubes Limited Cathode ray tube
US4706253A (en) * 1985-05-15 1987-11-10 Gte Laboratories Incorporated High speed InGaAsP lasers by gain enhancement doping
US4749907A (en) * 1985-12-02 1988-06-07 Tektronix, Inc. Method and apparatus for automatically calibrating a graticuled cathode ray tube
US4749255A (en) * 1985-12-09 1988-06-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Coating for optical devices
JP2544378B2 (ja) * 1987-03-25 1996-10-16 株式会社日立製作所 光半導体装置
US4813049A (en) * 1987-09-23 1989-03-14 Massachusetts Institute Of Technology Semimagnetic semiconductor laser
FR2633794A1 (fr) * 1988-07-01 1990-01-05 Gen Electric Cgr Tube intensificateur d'images radiologiques muni d'un circuit de compensation des effets de distorsion magnetique
US4955031A (en) * 1988-07-12 1990-09-04 University Of Connecticut Metal insulator semiconductor heterostructure lasers
US4894832A (en) * 1988-09-15 1990-01-16 North American Philips Corporation Wide band gap semiconductor light emitting devices
US4978202A (en) * 1989-05-12 1990-12-18 Goldstar Co., Ltd. Laser scanning system for displaying a three-dimensional color image

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Козловский В.И. и др. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdS x Se 1-x и ZnSe, Квантовая электроника, 1977, т. 4, с. 351-354. 2. Кацап В.Н. и др. Гетероструктуры CdS x Se 1-x /CdS в лазерах с продольной накачкой электронным пучком, Квантовая электроника, 1987, т. 14, N 10, с. 1991-1997. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009123500A1 (ru) 2008-04-03 2009-10-08 Adzhalov Vladimir Isfandeyarov Способ визуализации изображений и устройство для его реализации
CN101939706A (zh) * 2008-04-03 2011-01-05 弗拉基米尔·伊斯凡迪亚洛维奇·阿扎洛夫 用于可视化图像的方法以及用于执行该方法的装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5313483A (en) 1994-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3398638B2 (ja) 発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法
US5321713A (en) Aluminum gallium nitride laser
US20170237230A1 (en) Nitride semiconductor light emitting device
RU2064206C1 (ru) Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления
US20080181275A1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing same
US5807764A (en) Vertical cavity electron beam pumped semiconductor lasers and methods
US6556602B2 (en) Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method
US7916986B2 (en) Erbium-doped silicon nanocrystalline embedded silicon oxide waveguide
US5301204A (en) Porous silicon as a light source for rare earth-doped CaF2 laser
RU2056665C1 (ru) Лазерная электронно-лучевая трубка
US4081763A (en) Electroluminescent laser
US5369657A (en) Silicon-based microlaser by doped thin films
US5339326A (en) Reflector for semiconductor laser end-face and method of manufacturing the same
US5319653A (en) Integrated optical component structure
EP1219731B1 (en) FERROMAGNETIC p-TYPE SINGLE CRYSTAL ZINC OXIDE AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF
JP2007329468A (ja) 発光素子およびその製造方法
US5384795A (en) Light emission from rare-earth element-doped CaF2 thin films by electroluminescence
US5283798A (en) Laser screen for a cathode-ray tube and method for making same
RU2066078C1 (ru) Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления
RU2028020C1 (ru) Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления
JP2001024282A (ja) Ｉｉｉ−ｖ族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法及び光通信システム
JPH09162493A (ja) 導電性反射膜及び電子線励起発光装置
KR100322060B1 (ko) Crt용반도체레이저스크린및그제조방법
JPH06203959A (ja) エレクトロルミネセンスによりＮｄでドープされたＣａＦ２薄膜から発光せしめる装置および方法
JPS62181483A (ja) レ−ザ−素子