RU2060299C1 - Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase - Google Patents

Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase Download PDF

Info

Publication number
RU2060299C1
RU2060299C1 RU93041349A RU93041349A RU2060299C1 RU 2060299 C1 RU2060299 C1 RU 2060299C1 RU 93041349 A RU93041349 A RU 93041349A RU 93041349 A RU93041349 A RU 93041349A RU 2060299 C1 RU2060299 C1 RU 2060299C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mandrel
heater
reactor
silicon carbide
upper plate
Prior art date
Application number
RU93041349A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU93041349A (en
Inventor
В.Г. Левин
Е.Н. Люкшин
Л.С. Иванов
Е.И. Куроленкин
Ю.Я. Ольский
Original Assignee
Иванов Леонард Степанович
Черников Георгий Евгеньевич
Митин Владимир Васильевич
Акционерное общество "Корпорация НТЛ"
Акционерное общество "РОПЭ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Иванов Леонард Степанович, Черников Георгий Евгеньевич, Митин Владимир Васильевич, Акционерное общество "Корпорация НТЛ", Акционерное общество "РОПЭ" filed Critical Иванов Леонард Степанович
Priority to RU93041349A priority Critical patent/RU2060299C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2060299C1 publication Critical patent/RU2060299C1/en
Publication of RU93041349A publication Critical patent/RU93041349A/en

Links

Images

Abstract

FIELD: devices for precipitating layers of composite materials from gaseous phase and may be used to obtain layers and articles of silicon carbide. SUBSTANCE: device for precipitating layers of composite materials from gaseous phase has water cooled circular vertical reactor installed on water cooled base, steam/gas mixture inlet and outlet branch pipes, mandrel with coaxial heater inside. The mandrel and the heater are installed on support members. The heater is made in the form of external cylinder of carbon material and current-carrying rod inside. Support member is made in the form of two plates with one installed above another with central opening in upper plate for current carrying rod. The mandrel and heater cylinder are sealed on upper plate. Current carrying rod is fastened on lower support plate with gap in central opening of upper plate. Sleeve of insulating material is installed in upper plate. Relationship between diameters of the mandrel and reactor, mandrel height and reactor height are 1:(3 - 4) and 1;(1.3 - 2.0) respectively. . The mandrel is made of inert composite material with thermal expansion coefficient being higher than one of silicon carbide. For example silicon carbide or siliconized graphite. The mandrel is cylindrical or polygonal, or is made of many layers with external layer of graphite fabric and/or graphite felt. The heater is made of a material operating in temperature range up to 2500 C. The reactor has sight glasses placed on the height of the mandrel. EFFECT: density close to theoretical, stoichiometric composition, high productivity. 8 cl, 5 dwg

Description

Изобретение относится к устройствам для осаждения из газовой фазы слоев композиционных материалов и может быть использовано для получения слоев и изделий из карбида кремния, характеризующихся высокой плотностью (значение плотности соответствует теоретическому) и стехиометрическим составом, а также высокой производительностью и выходом готовой продукции. The invention relates to devices for deposition from the gas phase of layers of composite materials and can be used to obtain layers and products of silicon carbide, characterized by a high density (the density value corresponds to the theoretical) and stoichiometric composition, as well as high performance and finished products.

Известно устройство для получения поликристаллических стержней осаждением из газовой фазы, включающее вертикальную металлическую водоохлаждаемую камеру, патрубки для ввода и вывода парогазовой фазы, кварцевый реактор, установленный на основании коаксиально оправке, закрепленной графитовыми электродами, токовыводы и нагреватель, размещенный между металлической камерой и кварцевым реактором [1]
Устройство не обеспечивает возможности получения полых изделий различной конфигурации.A device is known for producing polycrystalline rods by vapor deposition, including a vertical metal water-cooled chamber, nozzles for introducing and outputting a gas-vapor phase, a quartz reactor mounted on a coaxial base fixed by graphite electrodes, current leads and a heater located between the metal chamber and the quartz reactor [ 1]
The device does not provide the possibility of obtaining hollow products of various configurations.

Прототипом заявленного устройства является устройство для осаждения из газовой фазы слоев карбида кремния, включающее вертикальный водоохлаждаемый реактор, установленный на водоохлаждаемом основании, патрубки для ввода и вывода газовой фазы, оправку в виде кварцевой колбы с выступами, графитовый нагреватель, расположенный коаксиально внутри колбы, и токовводы, установленные на опорных элементах. The prototype of the claimed device is a device for deposition of silicon carbide layers from the gas phase, including a vertical water-cooled reactor mounted on a water-cooled base, nozzles for input and output of the gas phase, a mandrel in the form of a quartz flask with protrusions, a graphite heater located coaxially inside the flask, and current leads mounted on supporting elements.

Устройство не обеспечивает однородного осаждения по всей площади подложек, что снижает выход готовой продукции. Кроме того, изделия имеют ограничения по форме. The device does not provide uniform deposition over the entire area of the substrates, which reduces the yield of finished products. In addition, products have shape limitations.

Техническим результатом заявленного изобретения являются возможность осуществления процесса осаждения в режиме свободной конвекции, обеспечивающей однородность слоев карбида кремния по всей поверхности осаждения, увеличение срока службы нагревателя, повышение выхода готовой продукции и получение полых изделий различной конфигурации. The technical result of the claimed invention is the possibility of carrying out the deposition process in free convection mode, ensuring the uniformity of silicon carbide layers over the entire deposition surface, increasing the life of the heater, increasing the yield of finished products and obtaining hollow products of various configurations.

Технический результат достигается тем, что в устройстве для осаждения слоев карбида кремния из газовой фазы, содержащем вертикальный водоохлаждаемый реактор круглого сечения, установленный на водоохлаждаемом основании, патрубки для ввода и вывода парогазовой смеси, оправку, внутри которой коаксиально расположен нагреватель, и токовводы, установленные на опорных элементах, согласно изобретению нагреватель выполнен в виде внешнего цилиндра из углеродсодержащего материала и размещенного внутри него токоведущего стержня, опорный элемент выполнен в виде двух плит, установленных одна над другой с центральным отверстием в верхней плите для токоведущего стержня, оправка и цилиндр нагревателя герметично установлены на верхней плите, токоведущий стержень укреплен на нижней плите с зазором в центральном отверстии верхней плиты, выполненной с втулкой из изолирующего материала, при этом соотношение диаметра оправки и диаметра реактора, высоты оправки и высоты реактора 1:(3-4) и 1:(1,3-2,0) соответственно; оправка выполнена из инертного композиционного материала с коэффициентом термического расширения КТР>КТР карбида кремния; оправка выполнена в форме цилиндра или многогранника, например, из карбида кремния или силицированного графита, или многослойной с наружным слоем из графитовой ткани и/или графитового войлока; нагреватель выполнен из материала, работающего в диапазоне температур >2500оС; реактор выполнен со смотровыми окнами, расположенными по высоте оправки; кроме того, суммарный зазор между стержнем, втулкой и верхней опорной плитой не превышает 1 мм.The technical result is achieved by the fact that in the device for deposition of silicon carbide layers from the gas phase, containing a vertical water-cooled circular reactor mounted on a water-cooled base, pipes for entering and outputting a gas-vapor mixture, a mandrel inside which a heater is coaxially located, and current leads installed on supporting elements, according to the invention, the heater is made in the form of an external cylinder of carbon-containing material and a current-carrying rod placed inside it, supporting element NT is made in the form of two plates installed one above the other with a central hole in the upper plate for the current-carrying rod, the mandrel and heater cylinder are sealed on the upper plate, the current-carrying rod is mounted on the lower plate with a gap in the central hole of the upper plate made with an insulating sleeve material, while the ratio of the diameter of the mandrel and the diameter of the reactor, the height of the mandrel and the height of the reactor 1: (3-4) and 1: (1.3-2.0), respectively; the mandrel is made of an inert composite material with a coefficient of thermal expansion KTR> KTR silicon carbide; the mandrel is made in the form of a cylinder or a polyhedron, for example, silicon carbide or siliconized graphite, or multilayer with an outer layer of graphite fabric and / or graphite felt; a heater made of a material operating in the temperature range> 2500 C; the reactor is made with viewing windows located along the height of the mandrel; in addition, the total gap between the rod, the sleeve and the upper base plate does not exceed 1 mm.

На чертеже изображено предлагаемое устройство. The drawing shows the proposed device.

Устройство для осаждения из газовой фазы карбида кремния содержит вертикальный водоохлаждаемый реактор 1, который установлен на водоохлаждаемом основании 2. Внутри реактора 1 установлена тонкостенная оправка 3, а внутри оправки 3 коаксиально ей расположен нагреватель, состоящий из внешнего цилиндра 4 и токоведущего стержня 5. Оправка 3 и нагреватель установлены на верхней 6 и нижней 7 опорных плитах, причем оправка 3 и цилиндр 4 нагревателя герметично соединены с опорной плитой 6, а токоведущий стержень 5 укреплен на нижней опорной плите 7 и проходит через центральное отверстие верхней опорной плиты 6. Цилиндр 4 и токоведущий стержень 5 через опорные плиты 6 и 7 соединены с медными охлаждаемыми токовводами 8. Между стержнем 5 и верхней опорной плитой 6 установлена втулка 9 таким образом, чтобы суммарный зазор (δ) между стержнем 5, втулкой 9 и плитой 6 не превышал 1 мм. Реактор 1 снабжен патрубками 10, 11 входа и выхода ПГС, расположенными по центральной оси реактора сверху и снизу соответственно, и смотровыми окнами 12 на наружной стенке реактора. Соотношение диаметра (d) оправки 3 и диаметра (D) реактора 1 равно 1:(3-4), соотношение высоты (l) оправки 3 и высоты (L) реактора 1 равно 1:(1,3-2,0), оправка 3 имеет форму цилиндра или многогранника. Герметичное соединение оправки 3 и цилиндра 4 нагревателя предотвращает попадание ПГС в пространство между ними, а заявляемый суммарный зазор между стержнем 5, втулкой 9 и плитой 6 предотвращает попадание ПГС внутрь нагревателя. Суммарный зазор >1 мм обеспечивает диффундирующий режим проникновения ПГС во внутреннюю полость цилиндра 4 нагревателя, что, во-первых, снижает возможность осаждения карбида кремния внутри нагревателя и, во-вторых, уравнивает давление внутри нагревателя и в реакционном пространстве при нагреве, что предотвращает разрушение цилиндра 4. The device for deposition of silicon carbide from the gas phase contains a vertical water-cooled reactor 1, which is installed on a water-cooled base 2. A thin-walled mandrel 3 is installed inside the reactor 1, and a heater consisting of an external cylinder 4 and a current-carrying rod 5 is located coaxially thereto. Mandrel 3 and the heater are mounted on the upper 6 and lower 7 base plates, the mandrel 3 and the cylinder 4 of the heater are hermetically connected to the base plate 6, and the current-carrying rod 5 is mounted on the lower base plate 7 and goes through the central hole of the upper base plate 6. Cylinder 4 and the current-carrying rod 5 are connected through the base plates 6 and 7 to the cooled copper conductors 8. A sleeve 9 is installed between the rod 5 and the upper base plate 6 so that the total gap (δ) between the rod 5, sleeve 9 and plate 6 did not exceed 1 mm. The reactor 1 is equipped with nozzles 10, 11 of the inlet and outlet of the ASG located on the central axis of the reactor above and below, respectively, and viewing windows 12 on the outer wall of the reactor. The ratio of the diameter (d) of the mandrel 3 and the diameter (D) of the reactor 1 is 1: (3-4), the ratio of the height (l) of the mandrel 3 and the height (L) of the reactor 1 is 1: (1.3-2.0), the mandrel 3 has the shape of a cylinder or a polyhedron. The tight connection of the mandrel 3 and the cylinder 4 of the heater prevents the ASG from entering the space between them, and the claimed total gap between the rod 5, the sleeve 9 and the plate 6 prevents the ASG from entering the heater. The total gap> 1 mm provides a diffusing mode of penetration of the ASG into the internal cavity of the cylinder 4 of the heater, which, firstly, reduces the possibility of deposition of silicon carbide inside the heater and, secondly, equalizes the pressure inside the heater and in the reaction space during heating, which prevents destruction cylinder 4.

Нагрев оправки 3 осуществляется за счет излучения от цилиндра 4 нагревателя. The mandrel 3 is heated by radiation from the cylinder 4 of the heater.

Однородность осаждения карбида кремния по всей поверхности оправки достигается за счет режима свободной конвекции ПГС, которую обеспечивают заявленные соотношения диаметра оправки и диаметра реактора, высоты оправки и высоты реактора. The uniformity of deposition of silicon carbide over the entire surface of the mandrel is achieved due to the free convection regime of ASG, which provides the stated ratio of the diameter of the mandrel and the diameter of the reactor, the height of the mandrel and the height of the reactor.

Изменение заявленных соотношений диаметров приводит к неравномерности осаждения карбида кремния по наружному диаметру (периметру) оправки. Изменение заявленных соотношений высот приводит к неравномерности скорости осаждения по высоте оправки. На однородность осаждения карбида кремния влияет и центральное расположение патрубков 10, 11 входа и выхода ПГС. A change in the stated diameter ratios leads to uneven deposition of silicon carbide along the outer diameter (perimeter) of the mandrel. A change in the stated height relationships leads to uneven deposition rate along the height of the mandrel. The uniformity of the deposition of silicon carbide is affected by the central location of the nozzles 10, 11 of the inlet and outlet of the ASG.

Выполнение оправки из материала с КТР>КТР карбида кремния предотвращает возможность растрескивания нанесенных слоев карбида кремния при охлаждении полученного изделия. Различная форма оправки определяет различную форму получаемых изделий. The execution of the mandrel of a material with KTR> KTR silicon carbide prevents the possibility of cracking of the deposited layers of silicon carbide during cooling of the obtained product. The different shape of the mandrel determines the different shape of the products obtained.

Выполнение оправки многослойной обеспечивает снижение внутренних напряжений в готовом изделии, т.к. осаждение слоев карбида кремния начинают с пропитки наружного слоя оправки карбида кремния и образования жесткого каркаса. Оправку удаляют, и осаждение ведут на жестком каркасе. Получаемые при этом слои карбида кремния не имеют внутренних напряжений. The implementation of the multilayer mandrel provides a reduction in internal stresses in the finished product, because the deposition of layers of silicon carbide begins with the impregnation of the outer layer of the mandrel of silicon carbide and the formation of a rigid frame. The mandrel is removed, and the deposition is carried out on a rigid frame. The resulting silicon carbide layers have no internal stresses.

Цилиндр 4 нагревателя выполняют из материала, работающего в диапазоне температур >2500оС, для обеспечения нагрева оправки до температуры процесса осаждения карбида кремния. Таким материалом может быть, например, углеродная ткань, пропитанная пироуглеродом.The cylinder 4 of the heater made of a material operating in the temperature range> 2500 C., to provide heating of the mandrel prior to deposition of silicon carbide, the process temperature. Such material may be, for example, carbon cloth impregnated with pyrocarbon.

Устройство работает следующим образом. The device operates as follows.

Нагреватель, состоящий из цилиндра 4 и стержня 5, разогревают за счет протекания электрического тока, который подводят через токовводы 8 и опорные плиты 6 и 7. За счет излучения происходит разогрев оправки 3 до температуры 1200-1500оС. Разогрев осуществляют в потоке водорода, который подают в реактор через патрубок 10. По достижении заданной температуры водород заменяют на парогазовую смесь, состоящую из метилтрихлорсилана и водорода. На горячей поверхности оправки происходит термическое разложение смеси с образованием слоев карбида кремния и продуктов реакции в парогазовой фазе. Продукты реакции удаляют через охлаждаемый патрубок 11. Процесс осаждения контролируют через смотровые окна 12, расположенные равномерно по высоте оправки.The heater consisting of a cylinder 4 and a rod 5, is heated by flowing the electric current, which is supplied through the current leads 8 and support plates 6 and 7. Due to the radiation heats up the mandrel 3 to the temperature of 1200-1500 C. The heating is carried out in a hydrogen flow, which is fed into the reactor through the nozzle 10. Upon reaching the set temperature, hydrogen is replaced by a vapor-gas mixture consisting of methyltrichlorosilane and hydrogen. Thermal decomposition of the mixture occurs on the hot surface of the mandrel with the formation of layers of silicon carbide and reaction products in the vapor-gas phase. The reaction products are removed through a cooled nozzle 11. The deposition process is controlled through the inspection windows 12 located uniformly along the height of the mandrel.

По достижении требуемой толщины слоя карбида кремния подачу ПГС прекращают, реактор продувают водородом, азотом и отключают электропитание. Реактор 1 работает с проточном режиме. Upon reaching the required thickness of the silicon carbide layer, the supply of ASG is stopped, the reactor is purged with hydrogen, nitrogen and the power is turned off. Reactor 1 operates in flow mode.

При использовании многослойной оправки после нанесения тонкого слоя карбида кремния происходит упрочнение углеродных волокон карбидом кремния и образование из них жесткого каркаса. После образования каркаса оправку удаляют, и осаждение карбида кремния ведут на каркасе. When using a multilayer mandrel after applying a thin layer of silicon carbide, hardening of the carbon fibers with silicon carbide and the formation of a rigid frame from them occurs. After the formation of the frame, the mandrel is removed, and the deposition of silicon carbide is carried out on the frame.

Claims (8)

1. Устройство для осаждения слоев карбида кремния из газовой фазы, содержащее водоохлаждаемый вертикальный реактор круглого сечения, установленный на водоохлаждаемом основании, патрубки для ввода и вывода парогазовой смеси, оправку, внутри которой коаксиально расположен нагреватель, и токовводы, установленные на опорных элементах, отличающееся тем, что нагреватель выполнен в виде внешнего цилиндра из углеродного материала и размещенного внутри него токоведущего стержня, опорный элемент в виде двух плит, установленных одна на другую с центральным отверстием для токоведущего стержня в верхней плите, оправка и цилиндр нагревателя герметично установлены на верхней плите, токоведущий стержень укреплен на нижней плите и с зазором в центральном отверстии верхней плиты, выполненной с втулкой из изолирующего материала, при этом соотношение диаметра оправки к диаметру реактора и соотношение высоты оправки и высоты реактора составляет 1 3 4 и 1 1,3 - 2,0 соответственно. 1. A device for the deposition of layers of silicon carbide from the gas phase, containing a water-cooled vertical circular reactor mounted on a water-cooled base, nozzles for input and output steam-gas mixture, a mandrel, inside which the heater is coaxially located, and current leads mounted on supporting elements, characterized in that the heater is made in the form of an external cylinder made of carbon material and a current-carrying rod placed inside it, a support element in the form of two plates mounted one on top of the other with a central hole for the current-carrying rod in the upper plate, the mandrel and cylinder of the heater are hermetically mounted on the upper plate, the current-carrying rod is mounted on the lower plate and with a gap in the central hole of the upper plate made with a sleeve of insulating material, while the ratio of the diameter of the mandrel to the diameter of the reactor and the ratio of the height of the mandrel and the height of the reactor is 1 3 4 and 1 1.3 - 2.0, respectively. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что оправка выполнена из инертного композиционного материала с коэффициентом термического расширения КТР ≥ КТР карбида кремния. 2. The device according to claim 1, characterized in that the mandrel is made of an inert composite material with a thermal expansion coefficient of KTP ≥ KTP of silicon carbide. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что оправка выполнена в форме цилиндра или многогранника. 3. The device according to claim 1, characterized in that the mandrel is made in the form of a cylinder or a polyhedron. 4. Устройство по пп. 1 3, отличающееся тем, что оправка выполнена из карбида кремния или силицированного графита. 4. The device according to paragraphs. 1 to 3, characterized in that the mandrel is made of silicon carbide or siliconized graphite. 5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что оправка выполнена многослойной с наружным слоем из графитовой ткани и/или графитового войлока. 5. The device according to p. 1, characterized in that the mandrel is made multilayer with the outer layer of graphite fabric and / or graphite felt. 6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что нагреватель выполнен из материала, работающего в диапазоне температур 2500oС.6. The device according to p. 1, characterized in that the heater is made of a material operating in the temperature range 2500 o C. 7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что реактор выполнен со смотровыми окнами, расположенными по высоте оправки. 7. The device according to p. 1, characterized in that the reactor is made with viewing windows located along the height of the mandrel. 8. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что суммарный зазор между стержнем, втулкой и верхней опорной плитой не превышает 1 мм. 8. The device according to p. 1, characterized in that the total clearance between the rod, the sleeve and the upper base plate does not exceed 1 mm.
RU93041349A 1993-08-17 1993-08-17 Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase RU2060299C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93041349A RU2060299C1 (en) 1993-08-17 1993-08-17 Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93041349A RU2060299C1 (en) 1993-08-17 1993-08-17 Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2060299C1 true RU2060299C1 (en) 1996-05-20
RU93041349A RU93041349A (en) 1996-12-27

Family

ID=20146617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93041349A RU2060299C1 (en) 1993-08-17 1993-08-17 Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2060299C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2521581C2 (en) * 2012-08-03 2014-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Method for preparing nanodiamonds with methane pyrolysis in electric field
CN115057441A (en) * 2022-07-08 2022-09-16 安徽微芯长江半导体材料有限公司 Method for synthesizing high-purity silicon carbide raw material

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент США N 3918396, кл. C 23C 13/08, 1975.2. Патент ФРГ N 144512, кл. 12 G 17/28, 1965. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2521581C2 (en) * 2012-08-03 2014-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Method for preparing nanodiamonds with methane pyrolysis in electric field
CN115057441A (en) * 2022-07-08 2022-09-16 安徽微芯长江半导体材料有限公司 Method for synthesizing high-purity silicon carbide raw material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5389152A (en) Apparatus for densification of porous billets
US6284312B1 (en) Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
JP3759166B2 (en) Equipment for use in CVI / CVD processes
Moore et al. An induction furnace for operations up to 3400 C using well oriented graphite
JP2001181846A (en) Cvd system
US20140182516A1 (en) Apparatus for fabricating ingot
RU2060299C1 (en) Device for precipitating layers of silicon carbide from gaseous phase
US3206331A (en) Method for coating articles with pyrolitic graphite
Tzeng et al. Spiral hollow cathode plasma‐assisted diamond deposition
JPH10502971A (en) Diamond phase carbon tube and CVD method for its production
US3970768A (en) Grid electrodes
JP2000272990A (en) Crucible comprising pyrolytic graphite and used for growing single crystal
AU714238B2 (en) Method for densification of porous billets
JP3676416B2 (en) Vapor grown carbon fiber production equipment
JPH04335520A (en) Vapor growth apparatus
US5468934A (en) Apparatus for annealing diamond water jet mixing tubes
CA1153939A (en) Process and apparatus for manufacturing filaments of a refractory material by high-frequency heating
JP3084881B2 (en) Metal organic chemical vapor deposition equipment
JPH04362092A (en) Equipment and method for separating out pure semiconductor material by pyrolysis
SU1089181A1 (en) Apparatus for depositioning layers from gaseous phase
JPS6372111A (en) Method for controlling temperature of semiconductor substrate
GB2227483A (en) SiC fibres
JP2543754Y2 (en) Artificial diamond deposition equipment
RU93041349A (en) DEVICE FOR DEPOSITION OF LAYERS OF SILICON CARBIDE FROM A GAS PHASE
AU704207B2 (en) Method and apparatus for densification of porous billets