RU2018099C1 - Емкостный матричный датчик давления - Google Patents

Емкостный матричный датчик давления Download PDF

Info

Publication number
RU2018099C1
RU2018099C1 SU5028454A RU2018099C1 RU 2018099 C1 RU2018099 C1 RU 2018099C1 SU 5028454 A SU5028454 A SU 5028454A RU 2018099 C1 RU2018099 C1 RU 2018099C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
layer
sensor
capacitors
plates
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
А.А. Казарян
Original Assignee
Центральный аэрогидродинамический институт им.проф.Н.Е.Жуковского
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Центральный аэрогидродинамический институт им.проф.Н.Е.Жуковского filed Critical Центральный аэрогидродинамический институт им.проф.Н.Е.Жуковского
Priority to SU5028454 priority Critical patent/RU2018099C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2018099C1 publication Critical patent/RU2018099C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Использование: для измерения дискретных и интегральных значений пульсации давления на поверхности изделий в нескольких точках Сущность изобретения: датчик состоит из пяти диэлектрических пленок, из них две перфорированные. Для повышения чувствительности ячейки перфорации выполнены шестигранной формы. Чувствительные элементы датчика для измерения интегрального и дискретного значений пульсации давления расположены на верхней и нижней поверхностях третьей диэлектрической пленки соответственно. Обладки для поляризации датчика выполнены сплошными на верхней поверхности первой и нижней поверхности пятой диэлектрической пленки. 7 ил.

Description

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления при аэродинамических испытаниях авиационной техники.
Известен пленочный датчик с чувствительным элементом (ЧЭ) пироэлектрического материала. На стеклянную пластинку осаждают полимерную подложку. На эту подложку последовательно запыляют электроды и слой ЧЭ из пироэлектрического материала и верхний электрод. Такой способ сборки датчиков не обеспечивает измерения давления на поверхности изделия без дренирования [1].
К недостаткам следует отнести низкую надежность контактов пайки, плохую адгезию пироэлектрика со стеклом, незащищенность от внешних электромагнитных помех и трибоэлектрического эффекта.
Наиболее близким к изобретению техническим решением является пленочный емкостной датчик давления, который состоит из четырех слоев диэлектрической пленки, выполненных из однородного материала. Первая пленка является изолятором. На второй пленке (слое) снизу металлизированный сплошной экран, сверху на поверхности этой пленки металлизированы верхние обкладки датчика прямоугольной формы. Вторые обкладки датчиков металлизированы на наружной поверхности четвертой пленки. Между второй и четвертой пленками расположена третья перфорированная пленка. Соединение четырех пленок между собой и установка датчика на поверхность исследуемой модели осуществляется с помощью клея. Такое решение в указанной конструкции обеспечивает измерение давления на поверхности исследуемого объекта без дренирования [2].
Недостаток этого датчика заключается в том, что он не позволяет одновременно измерять дискретное и интегральное значения пульсации давления на поверхности модели.
Задачей изобретения является повышение чувствительности, информативности, расширение области применения, надежности, помехоустойчивости и экономической эффективности.
Технический результат достигается тем, что в емкостной матричный датчик давления, содержащий четыре слоя диэлектрической пленки, соединенные в пакет, прямоугольные обкладки конденсаторов с выводами и экраны, при этом один из слоев пленки перфорирован, а на верхней поверхности первого слоя пленки, являющегося основанием датчика, сформирован общий экран, дополнительно введен соединенный с четвертым слоем пленки пятый слой диэлектрической пленки, на нижней поверхности которого сформированы экран и введенная первая общая обкладка конденсаторов с выводом, четвертый и второй слой пленки перфорированы, на верхней и нижней поверхностях третьего слоя пленки сформированы соответствующие экраны и прямоугольные обкладки конденсаторов с выводами, на верхней поверхности первого слоя пленки дополнительно сформирована введенная вторая общая обкладка конденсаторов, идентичная первой общей обкладке, при этом ячейки перфорации во втором и четвертом слоях пленки выполнены шестигранной формы, а минимальное значение площади каждой обкладки конденсаторов на верхней поверхности третьего слоя пленки больше площади обкладки конденсаторов на нижней поверхности третьего слоя пленки в 2,5-3 раза, максимальное значение равно площади общей обкладки конденсаторов.
На фиг.1 - 7 изображен предлагаемый датчик давления.
Датчик сконструирован на базе пяти металлизированных и неметаллизированных диэлектрических пленок I-Y из полиимида (см. фиг.3) и имеет пленочную основу 1, вывод 2, экран 3, общую обкладку 4 конденсатора, перфорированную вторую пленку 5, третий слой диэлектрической пленки 6, выводы 7, экран 8 и обкладки 9. Верхняя поверхность третьего слоя оснащена экраном 10, выводами 11 и обкладками 12. Четвертая диэлектрическая пленка 13 тоже перфорируется. Нижняя поверхность пятой диэлектрической пленки 14 содержит экран 15, обкладку 16 и вывод 17. Все диэлектрические пленки I-Y между собой и на поверхности изделий скрепляют клеем.
Напряжение поляризации датчиков подают на выводы 2 и 17, а полезный сигнал снимают с выходов выводов 7 и 11. Обкладки 4 и 16 поляризуют датчик, их высота и длина соразмерны с размерами обкладок 9 и 12. Формы и размеры обкладок 4 и 16 конденсаторов одинаковые. Обкладки 9 конденсаторов предусмотрены для измерения дискретного значения пульсации давления в заданной точке. Обкладки 12 предназначены для измерения интегрального значения пульсации давления. Минимальное значение площади обкладок 12 на верхней поверхности третьей диэлектрической пленки больше в 2,5-3 раза площади обкладок конденсаторов на нижней поверхности третьей диэлектрической пленки, что установлено путем эксперимента.
Расположение обкладок 12 именно на верхней поверхности третьей диэлектрической пленки объясняется тем, что интегральное значение пульсации давления намного меньше дискретного значения. При этом чувствительность ЧЭ датчика, образованного обкладками 9 и 16, больше чувствительности ЧЭ датчика, образованного обкладками 4 и 9 в (δ123)3 раза, где δ1, δ2 и δ3 - толщина третьей, четвертой и пятой пленок соответственно.
Образование ячеек шестигранной формы позволяет рационально использовать перфорируемую площадь. При этом расстояние между ячейками получается минимальным и равномерным и за счет компактного расположения ячеек их число и площадь увеличивается. С увеличением числа и площади ячеек перфорации возрастает коэффициент чувствительности датчика.
Помехоустойчивость датчика повышается за счет введения в конструкцию датчика сплошных обкладок 4 и 16, которые одновременно являются экранами ЧЭ для измерения дискретного и интегрального значений давления. Экономическая эффективность повышается за счет одновременного измерения в заданной поверхности изделий дискретного и интегрального значении давления.
Надежность датчика повышается за счет оформления конструкции таким образом, что металлизированные обкладки, выводы и экран образованы на нижней поверхности пятой диэлектрической пленки и их поверхность не обтекается потоком газа при проведении экспериментального исследования.
Принцип работы датчика. При изменении давления на некоторую величину изменяется геометрические размеры слоев ЧЭ, что приводит к изменению емкости на некоторую величину. По этому изменению судят о величине давления. Сигнал снимают с выхода выводов 7 и 12 относительно выводов 2 и 17 соответственно.

Claims (1)

  1. ЕМКОСТНЫЙ МАТРИЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий четыре слоя диэлектрической пленки, соединенные в пакет, прямоугольные обкладки конденсаторов с выводами и экраны, при этом один из слоев пленки перфорирован, а на верхней поверхности первого слоя пленки, являющегося основанием датчика, сформирован общий экран, отличающийся тем, что в него дополнительно введен соединенный с четвертым слоем пленки пятый слой диэлектрической пленки, на нижней поверхности которого сформированы экран и введенная первая общая обкладка конденсаторов с выводом, четвертый и второй слои пленки перфорированы, на верхней и нижней поверхностях третьего слоя пленки сформированы соответствующие экраны и прямоугольные обкладки конденсаторов с выводами, на верхней поверхности первого слоя пленки дополнительно сформирована введенная вторая общая обкладка конденсаторов, идентичная первой общей обкладке, при этом ячейки перфорации во втором и четвертом слоях пленки выполнены шестигранной формы, а минимальное значение площади каждой обкладки конденсаторов на верхней поверхности третьего слоя пленки больше площади обкладки конденсаторов на нижней поверхности третьего слоя пленки в 2,5 - 3 раза, максимальное значение равно площади общей обкладки конденсаторов.
SU5028454 1992-02-24 1992-02-24 Емкостный матричный датчик давления RU2018099C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5028454 RU2018099C1 (ru) 1992-02-24 1992-02-24 Емкостный матричный датчик давления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5028454 RU2018099C1 (ru) 1992-02-24 1992-02-24 Емкостный матричный датчик давления

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2018099C1 true RU2018099C1 (ru) 1994-08-15

Family

ID=21597445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5028454 RU2018099C1 (ru) 1992-02-24 1992-02-24 Емкостный матричный датчик давления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2018099C1 (ru)

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Акустический фурнал. 1984. т.XXX N 4, с.428-431. *
2. Recherche Aerospatiale, Annee 1982. n 3, (mai-juin). pp.177-186. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4413202A (en) Transducer with a flexible sensor element for measurement of mechanical values
US3993939A (en) Pressure variable capacitor
AU653164B2 (en) Capacitive strain gauge
US5045798A (en) Planar interdigitated dielectric sensor
US5020377A (en) Low pressure transducer using metal foil diaphragm
JPH0755615A (ja) 静電容量型力センサ
US5345821A (en) Relative humidity sensing apparatus
US4901197A (en) Sensor for capacitively measuring pressure in a gas
RU2018099C1 (ru) Емкостный матричный датчик давления
EP0024945B1 (en) Variable capacitance pressure transducer
JPH04258725A (ja) 静電容量式レベルセンサ
US4354219A (en) Capacitance sensing device
RU1797700C (ru) Емкостный матричный датчик давлени
RU2099681C1 (ru) Емкостный датчик давления и способ его изготовления
RU2089864C1 (ru) Емкостный датчик давления
RU2110778C1 (ru) Датчик давления и температуры
EP3729530A1 (en) Piezoelectric device with a sensor and method for measuring the behaviour of said piezoelectric device
RU2084848C1 (ru) Емкостный датчик давления
RU2082130C1 (ru) Емкостный датчик давления
US3395581A (en) Pressure measuring apparatus
JP2000018905A (ja) 静電容量式センサ
CN86200255U (zh) 实时多功能脉象仪
SU1357723A1 (ru) Датчик дл измерени вибраций
RU2084847C1 (ru) Устройство для измерения давления
JPS58151549A (ja) 静電容量形感湿素子