RU201795U1 - Электропроводящее покрытие - Google Patents
Электропроводящее покрытие Download PDFInfo
- Publication number
- RU201795U1 RU201795U1 RU2020125341U RU2020125341U RU201795U1 RU 201795 U1 RU201795 U1 RU 201795U1 RU 2020125341 U RU2020125341 U RU 2020125341U RU 2020125341 U RU2020125341 U RU 2020125341U RU 201795 U1 RU201795 U1 RU 201795U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- optical
- electrically conductive
- layer
- conductive
- adhesive
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims abstract description 6
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- -1 photositall Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Полезная модель может быть использована в оптических элементах из оптической керамики для коммутации элементов электрических схем оптико-электронных приборов, в том числе космического назначения, создания контактных электродов и электрообогрева входных окон из оптической керамики. Электропроводящее покрытие содержит нанесенные на подложку из керамики адгезионный, токопроводящий и контактный слои. Покрытие дополнительно содержит буферный слой, выполненный из хрома, который расположен между адгезионным и токопроводящим слоями и имеет хорошее сцепление с ними, при этом подложка выполнена из оптической керамики, адгезионный слой выполнен из оксида иттрия, а токопроводящий слой выполнен из алюминия. Подложка из оптической керамики может быть выполнена из селенида цинка или из сульфида цинка. Использование полезной модели позволяет получить электропроводящее покрытие с хорошей адгезией к подложкам из оптической керамики, выдерживающее термическое воздействие до 250°С. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Полезная модель относится к области оптоэлектроники и может быть использована в оптических элементах из оптической керамики для коммутации элементов электрических схем оптико-электронных приборов, в том числе космического назначения, создания контактных электродов и электрообогрева входных окон из оптической керамики.
В настоящее время в оптоэлектронике широко используют оптические элементы из оптической керамики, которая прозрачна в видимом и инфракрасном диапазонах спектра в интервале длин волн от 0,5 мкм до 13 мкм и в этой области не имеет полос поглощения.
Однако оптические элементы из оптической керамики не могут быть использованы в оптико-электронных системах для коммутации элементов электрических схем, создания контактных электродов и электрообогрева, так как до настоящего времени не разработаны электропроводящие покрытия на поверхностях из оптической керамики. Известные электропроводящие покрытия для оптических элементов (ОСТ 3-1901-95. Покрытия оптических деталей. С. 72-74) предназначены для применения на поверхностях из оптического и кварцевого стекла и не могут применяться на поверхностях из оптической керамики ввиду слабой адгезии к ней.
Известно электропроводящее покрытие, описанное в способе создания электропроводящих покрытий на диэлектрических деталях электровакуумных приборов (Авторское свидетельство СССР SU 860166, опубликовано 30.08.1981, МПК H01J 9/20), состоящее из индия или сплавов на его основе, нанесенных на такие диэлектрические подложки, как стекло, фотоситалл, кварц, корунд, лейкосапфир, слюда, монокристаллы фторидов металлов, керамика ГБ-7 и 22Хс.
Известны также металлические электропроводящие покрытия, находящие применение в микроэлектронике в качестве токопроводящих дорожек микросхем (Технология тонких пленок (справочник). Под ред. Л. Майселла, Р. Глэнга. Нью-Йорк. Пер. с англ. Под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко, Т. 2. М., «Сов. радио», 1977, с. 729, Б. Межсоединения, с. 730, В. Типичные материалы), которые состоят из металлического токопроводящего слоя, расположенного на подложке из кремния.
Прототипом является металлическое электропроводящее покрытие, описанное в способе создания токопроводящих дорожек (Патент RU 2494492, МПК H01L 21/28, опубликован 27.09.2013, фиг. 1). Электропроводящее покрытие (токопроводящая дорожка) на подложке из неоптической керамики (оксид алюминия, нитрид алюминия) содержит адгезионный слой из хрома, токопроводящий слой из меди, барьерный слой из никеля, служащий для защиты токопроводящего медного слоя от окисления и ограничения миграции атомов меди, и контактный слой из золота, служащий для пайки.
Общим недостатком аналогов и прототипа является то, что используемые при их получении металлы - как с хорошей электропроводимостью (алюминий, медь, серебро, индий), так и хром, используемый в качестве адгезионного слоя, обладают плохой адгезией к оптической керамике, в частности к селениду цинка и сульфиду цинка вследствие слабости сил межмолекулярного взаимодействия между ними.
Кроме того, вследствие больших внутренних напряжений использование меди в качестве токопроводящего слоя толщиной более 1000 нм в составе электропроводящего покрытия на оптической керамике, полученного методами напыления в вакууме, приводит к разрушению покрытия. Электропроводящие покрытия на оптической керамике из материалов, используемых в прототипе, непрочны, склонны к отслаиванию (не выдерживают испытания на адгезию по ГОСТ Р ИСО 9211-4-2016) и не выдерживают термического воздействия при пайке.
Также недостатком является то, что высокая миграционная активность атомов меди, используемой в качестве токопроводящего слоя, требует наличия в электропроводящем покрытии дополнительного барьерного слоя.
Технической задачей, на решение которой направлена полезная модель, является разработка электропроводящего покрытия на деталях из оптической керамики с заданным электрическим сопротивлением от 0,5 до 20 Ом, обладающего хорошей адгезией к подложкам из оптической керамики, выдерживающего термическое воздействие при пайке.
Техническая задача решается тем, что электропроводящее покрытие, содержащее нанесенные на подложку из керамики адгезионный, токопроводящий и контактный слои, согласно настоящей полезной модели, дополнительно содержит буферный слой, выполненный из хрома, который расположен между адгезионным и токопроводящим слоями, и имеет хорошее сцепление с ними, при этом подложка выполнена из оптической керамики, адгезионный слой выполнен из оксида иттрия, а токопроводящий слой выполнен из алюминия. Подложка из оптической керамики может быть выполнена из селенида цинка или из сульфида цинка.
На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого электропроводящего покрытия (поперечный разрез).
Электропроводящее покрытие содержит нанесенные в вакууме на подложку 1 из керамики адгезионный 2, токопроводящий 4 и контактный 5 слои.
Отличием предлагаемого покрытия является то, что подложка 1, выполненная из оптической керамики, дополнительно содержит буферный слой 3, выполненный из хрома толщиной от 20 до 30 нм, который расположен между адгезионным 2 и токопроводящим 4 слоями.
Подложка 1 из оптической керамики может быть выполнена из селенида цинка или из сульфида цинка.
Адгезионный слой 2 выполнен из оксида иттрия толщиной от 8 до 20 нм, который обеспечивает надежное сцепление электропроводящего покрытия с подложкой 1 из оптической керамики.
Токопроводящий слой 4 выполнен из алюминия толщиной от 1000 до 5000 нм, обеспечивающего электропроводные характеристики покрытия. Токопроводящий слой из алюминия не требует нанесения барьерного слоя, так как по сравнению с медью алюминий не обладает большой миграционной подвижностью атомов.
Контактный слой 5 выполнен из меди толщиной от 100 до 150 нм и обеспечивает пайку электрических проводов припоями на основе олова.
Оптимальные толщины адгезионного, буферного, токопроводящего и контактного слоев, в составе электропроводящего покрытия, определены экспериментально.
Пример конкретного выполнения.
На подложку 1 из селенида цинка, размещенную в камере вакуумной установки, при давлении не менее 10-3 Па и температуре не менее 150°С методом электронно-лучевого испарения в вакууме напыляют адгезионный слой 2 толщиной 10 нм из оксида иттрия, обладающего хорошей адгезией к селениду цинка.
После этого тем же методом при тех же условиях напыляют буферный слой 3 толщиной 25 нм из хрома, имеющего хорошее сцепление как с оксидом иттрия, так и с алюминием.
Затем при тех же условиях методом электронно-лучевого испарения в вакууме напыляют токопроводящий слой 4 толщиной 2700 нм из алюминия, имеющего высокую электропроводимость (ρ=0,028 Ом×мм2/м). Необходимая толщина токопроводящего слоя 4 рассчитана исходя из площади его сечения и заданного сопротивления (5 Ом).
Далее при тех же условиях методом электронно-лучевого испарения в вакууме поверх токопроводящего слоя 4 напыляют контактный слой 5 толщиной 100 нм из меди, обеспечивающий пайку припоями на основе олова.
Адгезионный слой 2 обеспечивает необходимое сцепление буферного слоя 3 с подложкой 1 из оптической керамики.
Буферный слой 3 обеспечивает необходимое сцепление между адгезионным 2 и электропроводящим 4 слоями.
Токопроводящий слой 4 обеспечивает необходимое значение электросопротивления.
Контактный слой 5 обеспечивает надежную пайку электрических проводов припоями на основе олова.
Предлагаемое электропроводящее покрытие, содержащее, нанесенные на подложку из оптической керамики (селенид цинка, сульфид цинка), адгезионный, буферный, токопроводящий и контактный слои, существенно превосходит покрытие-прототип по достигаемым эксплуатационным характеристикам, так как выдерживает испытание на адгезию по методу 02 ГОСТ Р ИСО 9211-4-2016 (интенсивность нагрузки 02), выдерживает термическое воздействие при пайке до температуры 250°С за счет применения адгезионного и буферного слоев.
Таким образом, использование предлагаемой полезной модели, благодаря наличию в электропроводящем покрытии адгезионного, буферного, токопроводящего и контактного слоев из предлагаемых материалов, позволяет получить электропроводящее покрытие с хорошей адгезией к подложкам из оптической керамики, выдерживающее термическое воздействие до 250°С и обеспечивающее коммутацию элементов электрических схем оптико-электронных приборов, в том числе космического назначения, создание контактных электродов и электрообогрев входных окон из оптической керамики.
Claims (3)
1. Электропроводящее покрытие, содержащее нанесенные на подложку из керамики адгезионный, токопроводящий и контактный слои, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит буферный слой, выполненный из хрома, который расположен между адгезионным и токопроводящим слоями и имеет хорошее сцепление с ними, при этом подложка выполнена из оптической керамики, адгезионный слой выполнен из оксида иттрия, а токопроводящий слой выполнен из алюминия.
2. Электропроводящее покрытие по п. 1, отличающееся тем, что подложка из оптической керамики выполнена из селенида цинка.
3. Электропроводящее покрытие по п. 1, отличающееся тем, что подложка из оптической керамики выполнена из сульфида цинка.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020125341U RU201795U1 (ru) | 2020-07-23 | 2020-07-23 | Электропроводящее покрытие |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020125341U RU201795U1 (ru) | 2020-07-23 | 2020-07-23 | Электропроводящее покрытие |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU201795U1 true RU201795U1 (ru) | 2021-01-13 |
Family
ID=74183657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020125341U RU201795U1 (ru) | 2020-07-23 | 2020-07-23 | Электропроводящее покрытие |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU201795U1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2494492C1 (ru) * | 2012-06-07 | 2013-09-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Компания РМТ" | Способ создания токопроводящих дорожек |
| US9000442B2 (en) * | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
| RU2558323C1 (ru) * | 2014-04-18 | 2015-07-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
| RU159460U1 (ru) * | 2015-07-06 | 2016-02-10 | Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" | Подложка из алюмонитридной керамики |
-
2020
- 2020-07-23 RU RU2020125341U patent/RU201795U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9000442B2 (en) * | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
| RU2494492C1 (ru) * | 2012-06-07 | 2013-09-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Компания РМТ" | Способ создания токопроводящих дорожек |
| RU2558323C1 (ru) * | 2014-04-18 | 2015-07-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
| RU159460U1 (ru) * | 2015-07-06 | 2016-02-10 | Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" | Подложка из алюмонитридной керамики |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5976186B2 (ja) | １２００℃膜抵抗体 | |
| US4028657A (en) | Deposited layer type thermometric resistance structure | |
| KR101295606B1 (ko) | 평면 접점을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 반도체소자 | |
| KR20000011751A (ko) | 적어도한개층또는복수층을가진전기온도센서및동온도센서의제조방법 | |
| JPH09145489A (ja) | 抵抗温度計 | |
| CN101785112A (zh) | 光伏模块的并联互连接的***和方法 | |
| JP2015532438A (ja) | 高安定性の高温チップ | |
| JPH0235475B2 (ru) | ||
| RU201795U1 (ru) | Электропроводящее покрытие | |
| RU2748182C1 (ru) | Электропроводящее покрытие | |
| KR100349780B1 (ko) | 칩 서미스터 | |
| US3611065A (en) | Carrier for semiconductor components | |
| CA2484794A1 (en) | Glass material for use at high frequencies | |
| KR20010030871A (ko) | 가열 소자와 이 가열 소자의 제조 방법 | |
| EP0093633B1 (fr) | Substrat pour circuit électronique, et procédé de fabrication de ce substrat | |
| US3350222A (en) | Hermetic seal for planar transistors and method | |
| US20060108353A1 (en) | Electrical device having a heat generating resistive element | |
| TWI806692B (zh) | 高功率電阻器製造方法 | |
| CA1153128A (en) | Electrical circuit assemblies | |
| US20240013957A1 (en) | High-power resistor and fabrication method thereof | |
| JP2021113636A (ja) | ペルチェモジュール | |
| JP2804288B2 (ja) | 高温動作素子 | |
| JPH0620627A (ja) | 蛍光表示管 | |
| SU890459A1 (ru) | Пленочный конденсатор | |
| CN109599428A (zh) | 显示面板的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MG9K | Termination of a utility model due to grant of a patent for identical subject |
Ref document number: 2748182 Country of ref document: RU Effective date: 20210520 |