RU2013113078A - Photovoltaic structure - Google Patents

Abstract

Фотовольтаическая однопереходная структура, содержащая слой карбида кремния n-типа проводимости, подложку из монокристаллической пластины Si ориентации (100) p-типа проводимости, верхний и нижний металлические электроды, отличающаяся тем, что представляет собой двухслойный компонент p-n гетероперехода a-SiC/c-Si, где слой аморфного карбида кремния n-типа проводимости с толщиной пленки 6-20 нм нанесен на предварительно подготовленную поверхность монокристаллической кремниевой подложки p-типа проводимости путем нереактивного магнетронного распыления в аргоне из твердотельной мишени SiC, верхний электрод выполнен в виде контактной гребенки из серебра или меди и расположен непосредственно на слое a-SiC, а нижний электрод из серебра или меди расположен на обратной стороне пластины монокристаллического кремния.A single-junction photovoltaic structure containing a layer of n-type silicon carbide, a substrate of a p-type Si single crystal Si (100) orientation, an upper and lower metal electrodes, characterized in that it is a two-layer component of the pn heterojunction a-SiC / c-Si where a layer of amorphous silicon carbide of n-type conductivity with a film thickness of 6-20 nm is deposited on a previously prepared surface of a single-crystal silicon substrate of p-type conductivity by non-reactive magnetron sputtering in argon from a solid-state target SiC, the upper electrode is made in the form of a contact comb made of silver or copper and is located directly on the a-SiC layer, and the lower electrode made of silver or copper is located on the back side of the single-crystal silicon wafer.

Claims (1)

Фотовольтаическая однопереходная структура, содержащая слой карбида кремния n-типа проводимости, подложку из монокристаллической пластины Si ориентации (100) p-типа проводимости, верхний и нижний металлические электроды, отличающаяся тем, что представляет собой двухслойный компонент p-n гетероперехода a-SiC/c-Si, где слой аморфного карбида кремния n-типа проводимости с толщиной пленки 6-20 нм нанесен на предварительно подготовленную поверхность монокристаллической кремниевой подложки p-типа проводимости путем нереактивного магнетронного распыления в аргоне из твердотельной мишени SiC, верхний электрод выполнен в виде контактной гребенки из серебра или меди и расположен непосредственно на слое a-SiC, а нижний электрод из серебра или меди расположен на обратной стороне пластины монокристаллического кремния. A single-junction photovoltaic structure containing a layer of n-type silicon carbide, a substrate of a p-type Si single crystal Si (100) orientation, an upper and lower metal electrodes, characterized in that it is a two-layer component of the pn heterojunction a-SiC / c-Si where a layer of amorphous silicon carbide of n-type conductivity with a film thickness of 6-20 nm is deposited on a previously prepared surface of a single-crystal silicon substrate of p-type conductivity by non-reactive magnetron sputtering in argon from a solid-state target SiC, the upper electrode is made in the form of a contact comb made of silver or copper and is located directly on the a-SiC layer, and the lower electrode made of silver or copper is located on the back side of the single-crystal silicon wafer.