RU2012112104A - METHOD FOR IMPROVING PHOTOSTABILITY OF SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS OF TYPE OF NUCLEAR-SHELL WITH A SHELL OF ORGANIC, METAL-ORGANIC OR SILICON-ORGANIC COMPOUNDS - Google Patents

Abstract

1. Способ улучшения фотостабильности полупроводниковых квантовых точек типа ядро-оболочка с оболочкой из органических, металлоорганических или кремнийорганических соединений, отличающийся тем, что квантовые точки в сухом виде подвергаются воздействию газовых смесей, одним из компонентов которых является газообразный фтор F.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание фтора во фторирующей смеси варьируется от 0,1 до 99 об.%.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что компонентами фторирующей газовой смеси являются, кроме фтора, газы-разбавители: азот, кислород, воздухом, гелий, аргон, ксенон, неон, двуокись углерода или их смеси.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление фторирующей смеси варьируется от 0,01 до 2 бар.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что время обработки квантовых точек фторирующей смесью варьируется от 5 с до 10 мин.6. Способ по п.1, отличающийся тем, что фторирование проводится в диапазоне температур от -196°C до +100°C.1. A method for improving the photostability of semiconductor quantum dots of the core-shell type with a shell of organic, organometallic, or organosilicon compounds, characterized in that the quantum dots in dry form are exposed to gas mixtures, one of the components of which is fluorine gas F.2. The method according to claim 1, characterized in that the fluorine content in the fluorinating mixture varies from 0.1 to 99% by volume. The method according to claim 1, characterized in that the components of the fluorinating gas mixture are, in addition to fluorine, diluent gases: nitrogen, oxygen, air, helium, argon, xenon, neon, carbon dioxide, or mixtures thereof. The method according to claim 1, characterized in that the pressure of the fluorinating mixture varies from 0.01 to 2 bar. The method according to claim 1, characterized in that the processing time of quantum dots with a fluorinating mixture varies from 5 s to 10 min. The method according to claim 1, characterized in that the fluorination is carried out in the temperature range from -196 ° C to + 100 ° C.

Claims (6)

1. Способ улучшения фотостабильности полупроводниковых квантовых точек типа ядро-оболочка с оболочкой из органических, металлоорганических или кремнийорганических соединений, отличающийся тем, что квантовые точки в сухом виде подвергаются воздействию газовых смесей, одним из компонентов которых является газообразный фтор F₂.1. A method of improving the photostability of semiconductor quantum dots of the core-shell type with a shell of organic, organometallic or organosilicon compounds, characterized in that the quantum dots in dry form are exposed to gas mixtures, one of the components of which is gaseous fluorine F ₂ . 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание фтора во фторирующей смеси варьируется от 0,1 до 99 об.%.2. The method according to claim 1, characterized in that the fluorine content in the fluorinating mixture varies from 0.1 to 99 vol.%. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что компонентами фторирующей газовой смеси являются, кроме фтора, газы-разбавители: азот, кислород, воздухом, гелий, аргон, ксенон, неон, двуокись углерода или их смеси.3. The method according to claim 1, characterized in that the components of the fluorinating gas mixture are, in addition to fluorine, diluent gases: nitrogen, oxygen, air, helium, argon, xenon, neon, carbon dioxide, or mixtures thereof. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление фторирующей смеси варьируется от 0,01 до 2 бар.4. The method according to claim 1, characterized in that the pressure of the fluorinating mixture varies from 0.01 to 2 bar. 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что время обработки квантовых точек фторирующей смесью варьируется от 5 с до 10 мин.5. The method according to claim 1, characterized in that the processing time of quantum dots with a fluorinating mixture varies from 5 s to 10 minutes 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что фторирование проводится в диапазоне температур от -196°C до +100°C. 6. The method according to claim 1, characterized in that the fluorination is carried out in the temperature range from -196 ° C to + 100 ° C.