RU2010139637A - Светоизлучающее диодное устройство - Google Patents

Светоизлучающее диодное устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2010139637A
RU2010139637A RU2010139637/28A RU2010139637A RU2010139637A RU 2010139637 A RU2010139637 A RU 2010139637A RU 2010139637/28 A RU2010139637/28 A RU 2010139637/28A RU 2010139637 A RU2010139637 A RU 2010139637A RU 2010139637 A RU2010139637 A RU 2010139637A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
filter layer
light emitting
emitting diode
layer
Prior art date
Application number
RU2010139637/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Корнелис Р. РОНДА (NL)
Корнелис Р. РОНДА
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2010139637A publication Critical patent/RU2010139637A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/611—Chalcogenides
    • C09K11/613—Chalcogenides with alkali or alkakine earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767—Chalcogenides
    • C09K11/7769—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Светоизлучающее диодное устройство, которое содержит: ! светоизлучающий слой (103); и ! фильтрующий слой (105), который расположен на поверхности светоизлучающего слоя (103), фильтрующий слой (105) выбран так, чтобы принимать свет от светоизлучающего слоя, пропускать свет, попадающий в угловой диапазон, и не пропускать света, не попадающие в угловой диапазон, при этом фильтрующий слой (105) представляет собой интерференционный фильтрующий слой. ! 2. Светоизлучающее диодное устройство по п.1, в котором угловой диапазон представляет собой диапазон в пределах ±5° относительно нормали к фильтрующему слою или диапазон в пределах ±10° относительно нормали к фильтрующему слою или диапазон в пределах ±15° относительно нормали к фильтрующему слою или диапазон в пределах ±20° относительно нормали к фильтрующему слою или диапазон в пределах ±25° относительно нормали к фильтрующему слою. ! 3. Светоизлучающее диодное устройство по любому из предыдущих пунктов, в котором фильтрующий слой (105) устроен так, чтобы задерживать или абсорбировать или отражать свет в сторону светоизлучающего слоя (103), если свет не попадает в угловой диапазон. ! 4. Светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1 или 2, в котором светоизлучающий слой (103) содержит люминофор, в частности, зеленый узкополосный Ln2O3: Er или Ln2O3: Ho (Ln = Sc, Y, Gd, Lu) или красный узкополосный K2M(IV)F6:Mn, M обозначает четырехвалентный ион металла. ! 5. Светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1 или 2, в котором фильтрующий слой (105) выбран так, чтобы задерживать определенные спектральные компоненты света для того, чтобы регулировать спектральную характеристику света, испускаемого светоизлу

Claims (11)

1. Светоизлучающее диодное устройство, которое содержит:
светоизлучающий слой (103); и
фильтрующий слой (105), который расположен на поверхности светоизлучающего слоя (103), фильтрующий слой (105) выбран так, чтобы принимать свет от светоизлучающего слоя, пропускать свет, попадающий в угловой диапазон, и не пропускать света, не попадающие в угловой диапазон, при этом фильтрующий слой (105) представляет собой интерференционный фильтрующий слой.
2. Светоизлучающее диодное устройство по п.1, в котором угловой диапазон представляет собой диапазон в пределах ±5° относительно нормали к фильтрующему слою или диапазон в пределах ±10° относительно нормали к фильтрующему слою или диапазон в пределах ±15° относительно нормали к фильтрующему слою или диапазон в пределах ±20° относительно нормали к фильтрующему слою или диапазон в пределах ±25° относительно нормали к фильтрующему слою.
3. Светоизлучающее диодное устройство по любому из предыдущих пунктов, в котором фильтрующий слой (105) устроен так, чтобы задерживать или абсорбировать или отражать свет в сторону светоизлучающего слоя (103), если свет не попадает в угловой диапазон.
4. Светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1 или 2, в котором светоизлучающий слой (103) содержит люминофор, в частности, зеленый узкополосный Ln2O3: Er или Ln2O3: Ho (Ln = Sc, Y, Gd, Lu) или красный узкополосный K2M(IV)F6:Mn, M обозначает четырехвалентный ион металла.
5. Светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1 или 2, в котором фильтрующий слой (105) выбран так, чтобы задерживать определенные спектральные компоненты света для того, чтобы регулировать спектральную характеристику света, испускаемого светоизлучающим диодом, в частности, для того, чтобы регулировать спектральную характеристику цветовой точки.
6. Светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1 или 2, в котором фильтрующий слой (105) содержит несколько подслоев, где показатели отражения последующих подслоев различаются.
7. Светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1 или 2, в котором фильтрующий слой (105) содержит несколько подслоев, обладающих толщиной в диапазоне от 0,2λ до 0,3λ, где λ обозначает желаемую испускаемую длину волны.
8. Светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1 или 2, в котором фильтрующий слой (105) дополнительно приспособлен для того, чтобы образовывать линзу.
9. Устройство отображения, которое содержит светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1-8.
10. Светоизлучающая диодная вспышка, которая содержит светоизлучающее диодное устройство по любому из пп.1-8.
11. Способ получения светоизлучающего диодного устройства, который включает: производство светоизлучающего слоя; и размещение фильтрующего слоя на поверхности светоизлучающего слоя, фильтрующий слой выбран так, чтобы принимать свет от светоизлучающего слоя, пропускать свет, попадающий в угловой диапазон, и не пропускать свет, не попадающий в угловой диапазон, при этом фильтрующий слой (105) представляет собой интерференционный фильтрующий слой.
RU2010139637/28A 2008-02-28 2009-02-24 Светоизлучающее диодное устройство RU2010139637A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08102130 2008-02-28
EP08102130.5 2008-02-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010139637A true RU2010139637A (ru) 2012-04-10

Family

ID=40957640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010139637/28A RU2010139637A (ru) 2008-02-28 2009-02-24 Светоизлучающее диодное устройство

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110006333A1 (ru)
EP (1) EP2250680A2 (ru)
JP (1) JP2011513964A (ru)
KR (1) KR20100118149A (ru)
CN (1) CN101960621A (ru)
RU (1) RU2010139637A (ru)
TW (1) TW200945636A (ru)
WO (1) WO2009107056A2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2557358C1 (ru) * 2014-04-03 2015-07-20 Николай Дмитриевич Жуков Источник излучения с изменяемым спектром
RU2662240C2 (ru) * 2013-08-01 2018-07-25 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Светоизлучающая структура с адаптированным выходным спектром

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101939857B (zh) 2008-02-07 2013-05-15 三菱化学株式会社 半导体发光装置、背光源、彩色图像显示装置以及这些中使用的荧光体
EP2323184A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED assembly
CN104880896B (zh) * 2012-03-19 2017-06-20 深圳市光峰光电技术有限公司 照明装置和投影装置
JP6271301B2 (ja) * 2013-03-04 2018-01-31 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6362877B2 (ja) * 2013-03-04 2018-07-25 シチズン電子株式会社 半導体発光素子を含む発光装置、発光装置の設計方法、発光装置の駆動方法、および照明方法
CN111503534B (zh) * 2014-02-13 2022-07-22 飞利浦灯具控股公司 Led照明器
TWI547750B (zh) * 2014-10-13 2016-09-01 台達電子工業股份有限公司 光波長轉換裝置及其適用之光源系統
TWI529696B (zh) * 2014-12-25 2016-04-11 聯詠科技股份有限公司 顯示裝置及其再刷新頻率的控制方法
DE112021002206A5 (de) * 2020-04-08 2023-01-19 Ams-Osram International Gmbh Strahlungsemittierende vorrichtung und Projektor damit
CN113178435B (zh) * 2021-04-19 2024-01-19 深圳市洲明科技股份有限公司 一种cob封装结构光模块、显示屏及喷涂方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3576756A (en) * 1968-06-12 1971-04-27 Mallinckrodt Chemical Works Fluocomplexes of titanium, silicon, tin and germanium, activated by tetravalent manganese
NL8402304A (nl) 1984-07-20 1986-02-17 Philips Nv Beeldbuis.
CA1274613A (en) * 1986-12-24 1990-09-25 Leendert Vriens Projection device and associated display device
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US6191872B1 (en) * 1997-11-26 2001-02-20 Eastman Kodak Company Illuminator with light source arrays
JP2003255344A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Citizen Electronics Co Ltd カラー液晶表示装置のフロントライト
EP1738107A4 (en) * 2004-04-23 2008-12-31 Light Prescriptions Innovators OPTICAL DISTRIBUTOR FOR LIGHT-EMITTING DIODES
US7256057B2 (en) 2004-09-11 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Methods for producing phosphor based light sources
WO2006035388A2 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
US20060164005A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Chuan-Sheng Sun Illumination apparatus having adjustable color temperature and method for adjusting the color temperature
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
DE102006008879A1 (de) * 2006-02-27 2007-08-30 Merck Patent Gmbh Verfahren zum Einbau von Nanophosphoren in mikrooptische Strukturen
DE102006037730A1 (de) * 2006-08-11 2008-02-14 Merck Patent Gmbh LED-Konversionsleuchtstoffe in Form von keramischen Körpern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2662240C2 (ru) * 2013-08-01 2018-07-25 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Светоизлучающая структура с адаптированным выходным спектром
RU2557358C1 (ru) * 2014-04-03 2015-07-20 Николай Дмитриевич Жуков Источник излучения с изменяемым спектром

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011513964A (ja) 2011-04-28
CN101960621A (zh) 2011-01-26
US20110006333A1 (en) 2011-01-13
WO2009107056A3 (en) 2009-12-17
EP2250680A2 (en) 2010-11-17
WO2009107056A2 (en) 2009-09-03
TW200945636A (en) 2009-11-01
KR20100118149A (ko) 2010-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010139637A (ru) Светоизлучающее диодное устройство
TW200623451A (en) LED applied with omnidirectional reflector
RU2010139485A (ru) Осветительное устройство с led и одним или более пропускающими окнами
US9746153B2 (en) Light emitting diode module with improved light characteristics
US8297781B2 (en) Multi-color illuminating back light structure
WO2007042969A3 (en) Illumination system with optical concentrator and wavelength converting element
JP2016006758A5 (ja) 発光素子、発光装置、表示装置、照明装置及び電子機器
WO2009028620A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008287073A5 (ru)
RU2009110170A (ru) Источник света со световодом фотодатчиков
JP2016519829A5 (ru)
RU2011122644A (ru) Светодиод с прессованной двунаправленной оптикой
JP2015032373A5 (ru)
TW200727043A (en) Backlight unit with an oxide compound-laminated optical layer
WO2009037848A1 (ja) 照明用白色発光ランプとそれを用いた照明器具
JP2012038452A5 (ru)
TW200601889A (en) Organic electroluminescence element and display device
WO2009045273A3 (en) Led device having improved light output
WO2011088363A3 (en) Apparatus, method to change light source color temperature with reduced optical filtering losses
WO2012076296A3 (de) Leuchtvorrichtung
WO2011008627A3 (en) Single-color wavelength-converted light emitting devices
JP6405723B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP2015523722A5 (ru)
TW201444123A (zh) 波長變換構件及發光裝置
TW200739960A (en) Method of producing light emitting apparatus