RU2010131326A - Нанополупроводниковый газовый датчик - Google Patents
Нанополупроводниковый газовый датчик Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010131326A RU2010131326A RU2010131326/28A RU2010131326A RU2010131326A RU 2010131326 A RU2010131326 A RU 2010131326A RU 2010131326/28 A RU2010131326/28 A RU 2010131326/28A RU 2010131326 A RU2010131326 A RU 2010131326A RU 2010131326 A RU2010131326 A RU 2010131326A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nano
- gas sensor
- semiconductor gas
- semiconductor base
- electrode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Датчик оксида углерода, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.
Claims (1)
- Датчик оксида углерода, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010131326/28A RU2458338C2 (ru) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Нанополупроводниковый газовый датчик |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010131326/28A RU2458338C2 (ru) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Нанополупроводниковый газовый датчик |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010131326A true RU2010131326A (ru) | 2012-02-10 |
RU2458338C2 RU2458338C2 (ru) | 2012-08-10 |
Family
ID=45853015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010131326/28A RU2458338C2 (ru) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Нанополупроводниковый газовый датчик |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2458338C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2526226C1 (ru) * | 2013-02-08 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" | Полупроводниковый газоанализатор |
RU2637791C1 (ru) * | 2016-07-12 | 2017-12-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" | Полупроводниковый датчик оксида углерода |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2178559C2 (ru) * | 1999-11-29 | 2002-01-20 | Омский государственный технический университет | Полупроводниковый газовый датчик |
RU2178558C1 (ru) * | 2000-04-20 | 2002-01-20 | Омский государственный технический университет | Газовый датчик |
WO2008039165A2 (en) * | 2005-07-20 | 2008-04-03 | Nanomix, Inc. | Carbon dioxide nanosensor, and respiratory co2 monitors |
-
2010
- 2010-07-26 RU RU2010131326/28A patent/RU2458338C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2458338C2 (ru) | 2012-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2013105425A (ru) | Нанополупроводниковый газовый датчик | |
EP2369648A3 (en) | Light-emitting device | |
EP2367210A3 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
JP2012033615A5 (ru) | ||
JP2017117941A5 (ru) | ||
TW200739706A (en) | Method of polishing a semiconductor-on-insulator structure | |
EA201390962A1 (ru) | Нагревательный элемент из восстановленной керамики | |
EP2323181A3 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
JP2012129234A5 (ru) | ||
RU2008116123A (ru) | Газовый датчик | |
EP2363895A3 (en) | Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package | |
RU2012157560A (ru) | Светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства | |
TW200725839A (en) | Stacked wafer or die packaging with enhanced thermal and device performance | |
EP2378572A3 (en) | Electrode configuration for a light emitting device | |
JP2017117943A5 (ru) | ||
JP2007161574A5 (ru) | ||
RU2014142050A (ru) | Светоизлучающее устройство, выращенное на кремниевой подложке | |
RU2013105301A (ru) | Газовый датчик | |
RU2010131326A (ru) | Нанополупроводниковый газовый датчик | |
RU2008116353A (ru) | Газовый датчик | |
EP2538460A3 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
RU2011121806A (ru) | Полупроводниковый газовый датчик | |
TW200705591A (en) | Semiconductor device | |
RU2016106692A (ru) | Полупроводниковый анализатор оксида углерода | |
RU2004123814A (ru) | Пьезорезонансный газовый датчик |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150727 |