RU2009130823A

RU2009130823A - METHOD FOR MANUFACTURING OMIC CONTACT TO GaAs BASED ON THIN FILMS Ge and Cu

Info

Publication number: RU2009130823A
Application number: RU2009130823/28A
Authority: RU
Inventors: Евгений Викторович Ерофеев (RU); Евгений Викторович Ерофеев; Валерий Алексеевич Кагадей (RU); Валерий Алексеевич Кагадей
Original assignee: Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU); Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран"
Priority date: 2009-08-12
Filing date: 2009-08-12
Publication date: 2011-02-20
Also published as: RU2422941C2

Abstract

1. Способ изготовления омического контакта к GaAs на основе тонких пленок Ge и Cu, включающий создание на поверхности пластины n-GaAs маски для реализации процесса обратной литографии, послойное осаждение пленок Ge и Сu на поверхность пластины n-GaAs, первую термообработку в едином вакуумном цикле с процессом осаждения слоев, извлечение пластины n-GaAs из вакуумной камеры, удаление маски и вторую термообработку, отличающийся тем, что первую термообработку производят в атмосфере атомарного водорода при температуре от 150 до 460°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины n-GaAs, равной 1013-1016 ат·см2 с-1. ! 2. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1, отличающийся тем, что осаждение металлизации и первую термообработку проводят в вакуумной камере при давлении остаточной атмосферы менее 5·10-6 торр. ! 3. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1 или 2, отличающийся тем, что сначала на поверхность пластины n-GaAs осаждают пленку Cu, а затем пленку Ge. ! 4. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.3, отличающийся тем, что толщины пленок Cu и Ge выбирают таким образом, что массовое содержание Ge в двухслойной композиции составляет 20-45%. ! 5. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1 или 2, отличающийся тем, что осаждение на поверхность пластины n-GaAs пленок Сu и Ge производят одновременно, либо из сплава CuGex, либо из двух независимых источников Сu и Ge с образованием пленки CuGex, где х=0,2-0,45. 1. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs based on thin Ge and Cu films, comprising creating a mask on the surface of the n-GaAs plate for the reverse lithography process, layer-by-layer deposition of Ge and Cu films on the surface of the n-GaAs plate, the first heat treatment in a single vacuum cycle with the process of deposition of the layers, removing the n-GaAs plate from the vacuum chamber, removing the mask and the second heat treatment, characterized in that the first heat treatment is carried out in an atmosphere of atomic hydrogen at a temperature of from 150 to 460 ° C and atomic flux density hydrogen on the surface of the n-GaAs wafer, equal to 1013-1016 at · cm2 s-1. ! 2. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs according to claim 1, characterized in that the metallization deposition and the first heat treatment are carried out in a vacuum chamber at a residual atmosphere pressure of less than 5 · 10-6 torr. ! 3. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs according to claim 1 or 2, characterized in that first a Cu film is deposited on the surface of the n-GaAs plate, and then a Ge film. ! 4. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs according to claim 3, characterized in that the thicknesses of the Cu and Ge films are selected so that the mass content of Ge in the two-layer composition is 20-45%. ! 5. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs according to claim 1 or 2, characterized in that the deposition on the surface of the n-GaAs wafer of Cu and Ge films is performed simultaneously, either from a CuGex alloy or from two independent sources of Cu and Ge to form a CuGex film where x = 0.2-0.45.

Claims

1. Способ изготовления омического контакта к GaAs на основе тонких пленок Ge и Cu, включающий создание на поверхности пластины n-GaAs маски для реализации процесса обратной литографии, послойное осаждение пленок Ge и Сu на поверхность пластины n-GaAs, первую термообработку в едином вакуумном цикле с процессом осаждения слоев, извлечение пластины n-GaAs из вакуумной камеры, удаление маски и вторую термообработку, отличающийся тем, что первую термообработку производят в атмосфере атомарного водорода при температуре от 150 до 460°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины n-GaAs, равной 10¹³-10¹⁶ат·см² с^-1.1. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs based on thin Ge and Cu films, comprising creating a mask on the surface of the n-GaAs plate for the reverse lithography process, layer-by-layer deposition of Ge and Cu films on the surface of the n-GaAs plate, the first heat treatment in a single vacuum cycle with the process of deposition of the layers, removing the n-GaAs plate from the vacuum chamber, removing the mask and the second heat treatment, characterized in that the first heat treatment is carried out in an atmosphere of atomic hydrogen at a temperature of from 150 to 460 ° C and atomic flux density hydrogen on the surface of the n-GaAs wafer equal to 10 ¹³ -10 ¹⁶ at · cm ² s ^-1 .

2. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1, отличающийся тем, что осаждение металлизации и первую термообработку проводят в вакуумной камере при давлении остаточной атмосферы менее 5·10^-6 торр.2. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs according to claim 1, characterized in that the metallization deposition and the first heat treatment are carried out in a vacuum chamber at a residual atmosphere pressure of less than 5 · 10 ^-6 torr.

3. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1 или 2, отличающийся тем, что сначала на поверхность пластины n-GaAs осаждают пленку Cu, а затем пленку Ge.3. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs according to claim 1 or 2, characterized in that first a Cu film is deposited on the surface of the n-GaAs plate, and then a Ge film.

4. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.3, отличающийся тем, что толщины пленок Cu и Ge выбирают таким образом, что массовое содержание Ge в двухслойной композиции составляет 20-45%.4. A method of manufacturing an ohmic contact to GaAs according to claim 3, characterized in that the thicknesses of the Cu and Ge films are selected so that the mass content of Ge in the two-layer composition is 20-45%.

5. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1 или 2, отличающийся тем, что осаждение на поверхность пластины n-GaAs пленок Сu и Ge производят одновременно, либо из сплава CuGe_x, либо из двух независимых источников Сu и Ge с образованием пленки CuGe_x, где х=0,2-0,45. 5. A method of manufacturing an ohmic contact with GaAs according to claim 1 or 2, characterized in that the deposition on the surface of the n-GaAs wafer of Cu and Ge films is performed simultaneously, either from a CuGe _x alloy or from two independent Cu and Ge sources to form a film CuGe _x , where x = 0.2-0.45.