RU2007112010A - Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления - Google Patents

Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления Download PDF

Info

Publication number
RU2007112010A
RU2007112010A RU2007112010/15A RU2007112010A RU2007112010A RU 2007112010 A RU2007112010 A RU 2007112010A RU 2007112010/15 A RU2007112010/15 A RU 2007112010/15A RU 2007112010 A RU2007112010 A RU 2007112010A RU 2007112010 A RU2007112010 A RU 2007112010A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
hollow cylindrical
melt
melting crucible
fact
Prior art date
Application number
RU2007112010/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2355831C2 (ru
Inventor
Лев Васильевич Кожитов (RU)
Лев Васильевич Кожитов
Тимофей Тимофеевич Кондратенко (RU)
Тимофей Тимофеевич Кондратенко
Всеволод Валерьевич Крапухин (RU)
Всеволод Валерьевич Крапухин
Николай Иванович Казимиров (RU)
Николай Иванович Казимиров
Сергей Леонидович Сорокин (RU)
Сергей Леонидович Сорокин
Владимир Александрович Тарадей (RU)
Владимир Александрович Тарадей
Александр Петрович Блиев (RU)
Александр Петрович Блиев
Иван Вадимович Силаев (RU)
Иван Вадимович Силаев
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU)
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет)
Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" (RU)
Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет), Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" (RU), Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU)
Priority to RU2007112010/15A priority Critical patent/RU2355831C2/ru
Publication of RU2007112010A publication Critical patent/RU2007112010A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2355831C2 publication Critical patent/RU2355831C2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (7)

1. Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния, заключающийся в том, что герметизируют и вакуумируют вакуумную камеру с расположенным в ней тепловым узлом и полой цилиндрической затравкой монокристалла кремния, подают в нее в течение всего процесса роста полых цилиндрических монокристаллов инертный газ с температурой точки росы не менее -70°, прогревают нагревателем тепловой узел, снабженный кварцевым плавильным тиглем с загруженным в него кремнием, после чего вертикально перемещают кварцевый плавильный тигель до расположения его дна в зоне максимальной температуры теплового узла и расплавляют загрузку кремния, затем подплавляют нижний торец полой цилиндрической затравки монокристалла кремния путем его погружения в расплав кремния, находящийся в кварцевом плавильном тигле, после этого вращают в одном направлении и с одинаковой частотой вращения кварцевый плавильный тигель и полую цилиндрическую затравку монокристалла кремния при расположении ее в контакте с расплавом кремния, при этом вращающуюся полую цилиндрическую затравку монокристалла кремния поднимают вверх со скоростью, обеспечивающей рост полого цилиндрического монокристалла кремния на ее нижнем торце, до полного израсходования расплава кремния в кварцевом плавильном тигле, при этом в процессе роста выполняют условия:
qвнутр=qвнеш,
где qвнутр - удельный тепловой поток к внутренней поверхности полого цилиндрического монокристалла кремния в процессе его роста в плоскости кристаллизации, Вт/м2,
qвнеш - удельный тепловой поток к внешней боковой поверхности полого цилиндрического монокристалла в процессе его роста в плоскости кристаллизации, Вт/м2,
и конвективные потоки расплава кремния направлены от центра дна кварцевого плавильного тигля вертикально вверх по оси полой цилиндрической затравки монокристалла кремния.
2. Способ по п.1, заключающийся в том, что прогрев теплового узла производят в течение 35-40 мин при мощности нагревателя 0,45-0,5 максимальной мощности
3. Способ по п.1, заключающийся в том, что вращение кварцевого плавильного тигля и полой цилиндрической затравки монокристалла кремния производят с частотой вращения 6-8 об/мин совместно в одну сторону.
4. Способ по п.1, заключающийся в том, что подъем полой цилиндрической затравки монокристалла кремния осуществляют со скоростью 0,2-1,5 мм/мин.
5. Способ по п.1, заключающийся в том, что загрузку кремния осуществляют в виде мелких гранул.
6. Способ по п.1, заключающийся в том, что постоянное положение уровня расплава в тигле относительно верхней кромки нагревателя в одних и тех же тепловых условиях роста сохраняют при помощи автоматического перемещения тигля вверх по вертикали нижним водоохлаждаемым штоком.
7. Устройство для выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния, включающее вакуумную камеру с промежуточным шиберным затвором-шлюзом,, в которой размещен тепловой узел, содержащий цилиндрический резистивный нагреватель, в полости которого размещен полый цилиндрический держатель, в верхней части которого размещен кварцевый плавильный тигель для кремниевого расплава, имеющий плоское дно, под которым установлена графитовая диафрагма, а в нижней части стенки полого цилиндрического держателя выполнены прорези, при этом параллельно поверхности кремниевого расплава расположен нижний торец полой цилиндрической затравки монокристалла кремния, верхний торец которой закреплен в подвесе механизма вертикального перемещения и вращения, кварцевый плавильный тигель теплоизолирован по боковой поверхности с помощью конусного экрана, а держатель закреплен на платформе, установленной на цилиндрическом полом водоохлаждаемом штоке, соединенном с механизмами вертикального перемещения и вращения, при этом цилиндрический резистивный нагреватель, полый цилиндрический держатель, кварцевый плавильный тигель, графитовая диафрагма, полая цилиндрическая затравка монокристаллов кремния, конусный экран и цилиндрический полый водоохлаждаемый шток установлены симметрично относительно общей центральной оси вращения.
RU2007112010/15A 2007-04-03 2007-04-03 Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления RU2355831C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007112010/15A RU2355831C2 (ru) 2007-04-03 2007-04-03 Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007112010/15A RU2355831C2 (ru) 2007-04-03 2007-04-03 Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007112010A true RU2007112010A (ru) 2008-10-10
RU2355831C2 RU2355831C2 (ru) 2009-05-20

Family

ID=39927368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007112010/15A RU2355831C2 (ru) 2007-04-03 2007-04-03 Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2355831C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111717919A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 新疆大全新能源股份有限公司 一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2630811C1 (ru) * 2017-03-13 2017-09-13 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") Способ формирования полых монокристаллических цилиндрических трубок
KR102502863B1 (ko) * 2022-09-28 2023-02-23 비씨엔씨 주식회사 실린더형 실리콘 잉곳 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111717919A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 新疆大全新能源股份有限公司 一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺

Also Published As

Publication number Publication date
RU2355831C2 (ru) 2009-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6583142B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法及び装置
KR20170070154A (ko) SiC 단결정의 제조 방법 및 SiC 단결정의 제조 장치
JP2013129551A (ja) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
KR101381326B1 (ko) 실리콘으로 구성된 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법
WO2004061166A1 (ja) 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法
RU2007112010A (ru) Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления
CN106661757A (zh) 晶种卡盘和包括其的晶锭生长装置
KR101801867B1 (ko) SiC 단결정의 제조 방법
KR20100056640A (ko) 단결정 성장장치
JPH09175889A (ja) 単結晶引き上げ装置
KR102138455B1 (ko) 단결정 성장용 열차폐 부재 및 이를 적용한 단결정 성장장치
JP2012236755A (ja) 再使用が可能なシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置
JP2002060296A (ja) 単結晶製造用るつぼおよび単結晶製造装置ならびにこれを用いた単結晶の製造方法
KR101134499B1 (ko) 이중가이더를 구비하는 실리콘 단결정 잉곳 형성장치
JP2010132498A (ja) 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置
JP2010143777A (ja) シリコン単結晶引上装置
JP3642174B2 (ja) シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法
CN105887187B (zh) 一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法
KR101069911B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 제어방법
JP3642175B2 (ja) シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法
US20240158952A1 (en) Apparatus and Method for Regulating Hot Zone for Single Crystal Growth
KR101600378B1 (ko) 결정성장장치
KR101292222B1 (ko) 폴리실리콘의 용융 장치 및 용융 방법
KR101934474B1 (ko) 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 및 그 제조방법
RU2563485C1 (ru) Устройство для выращивания монокристалла германия методом чохральского

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090404