RU2006132106A - METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALS OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS OF TYPE A3B5 - Google Patents

Claims (2)

1. Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа А³В⁵ вертикальной направленной кристаллизацией, включающий кристаллизацию расплава в тигле на затравочный кристалл, расположенный в нижней части тигля и имеющий площадь поперечного сечения много меньше площади основного сечения тигля, отличающийся тем, что в качестве затравочного кристалла используют монокристалл, в котором линии дислокации преимущественно расположены под углом к вертикали 45 градусов и более.1. A method of growing single crystals of type A ³ B ⁵ semiconductor compounds by vertical directional crystallization, comprising crystallizing the melt in a crucible onto a seed crystal located in the lower part of the crucible and having a cross-sectional area much smaller than the crucible main cross-sectional area, characterized in that it is a seed crystal use a single crystal in which the dislocation lines are mainly located at an angle to the vertical of 45 degrees or more. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве затравочного кристалла используют монокристалл, содержащий изовалентную легирующую примесь с концентрацией выше 10¹⁸ атом/см³.2. The method according to claim 1, characterized in that as the seed crystal using a single crystal containing isovalent dopant with a concentration of above 10 ¹⁸ atom / cm ³ .