RU2006130926A - Способ получения полых монокристаллов кремния - Google Patents
Способ получения полых монокристаллов кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006130926A RU2006130926A RU2006130926/15A RU2006130926A RU2006130926A RU 2006130926 A RU2006130926 A RU 2006130926A RU 2006130926/15 A RU2006130926/15 A RU 2006130926/15A RU 2006130926 A RU2006130926 A RU 2006130926A RU 2006130926 A RU2006130926 A RU 2006130926A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- single crystal
- growing
- melt
- seed
- single crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Claims (1)
- Способ получения полых монокристаллов кремния, включающий выращивание монокристаллов с помощью затравки, отличающийся тем, что выращивание осуществляют методом вертикальной бестигельной зонной плавки, включающем создание на расположенном вертикально исходном слитке кремния капли расплава с помощью индуктора, затравление выращиваемого монокристалла на затравке, в виде ориентированного в направлении [111] монокристалла кремния, разращивание конусной части выращиваемого монокристалла до заданного диаметра при смещении исходного слитка и индуктора в горизонтальной плоскости и при условиях выращивания, обеспечивающих выпуклый фронт кристаллизации на растущем монокристалле и, в момент достижения заданного диаметра выращиваемого монокристалла, выход грани (111) на поверхность в центре расплава, а затем выращивание полого монокристалла при положении столбика расплава, соединяющего покоящееся на растущем монокристалле кольцо расплава с каплей на исходном слитке, между краем грани (111) и цилиндрической поверхностью растущего монокристалла.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006130926/15A RU2324017C1 (ru) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | Способ получения полых монокристаллов кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006130926/15A RU2324017C1 (ru) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | Способ получения полых монокристаллов кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006130926A true RU2006130926A (ru) | 2008-03-10 |
| RU2324017C1 RU2324017C1 (ru) | 2008-05-10 |
Family
ID=39280350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006130926/15A RU2324017C1 (ru) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | Способ получения полых монокристаллов кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2324017C1 (ru) |
-
2006
- 2006-08-28 RU RU2006130926/15A patent/RU2324017C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2324017C1 (ru) | 2008-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102140674B (zh) | 用于通过使用熔融颗粒产生由硅构成的单晶体的方法 | |
| JP2012513950A5 (ru) | ||
| CN109695054A (zh) | 用于籽晶法的单晶零件三维取向可控的定向凝固起始端结构和定向凝固方法 | |
| EP1571240A3 (en) | Method for producing compound semiconductor single crystal | |
| US20030145781A1 (en) | Process and apparatus for producing a single crystal of semiconductor material | |
| RU2006130926A (ru) | Способ получения полых монокристаллов кремния | |
| WO2011072278A3 (en) | Germanium ingots/wafers having low micro-pit density (mpd) as well as systems and methods for manufacturing same | |
| RU2005112799A (ru) | Способ выращивания монокристаллов германия | |
| ATE367462T1 (de) | Anordnung zur herstellung von kristallstäben mit definiertem querschnitt und kolumnarer polykristalliner struktur mittels tiegelfreier kontinuierlicher kristallisation | |
| WO2001063022A3 (en) | Controlled neck growth process for single crystal silicon | |
| CN202968737U (zh) | 一种晶体夹持装置及区熔单晶炉 | |
| US9863063B2 (en) | Weir for inhibiting melt flow in a crucible | |
| CN1332070C (zh) | 一种籽晶法定向凝固起始端结构及其应用 | |
| KR102198127B1 (ko) | Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 | |
| CN201545932U (zh) | 制备碲铟汞单晶专用石英坩埚 | |
| RU2002115061A (ru) | Способ выращивания монокристаллов оптического флюорита | |
| DE60224104D1 (de) | Vorrichtung zur herstellung von körnigen kristallen vom fallrohrtyp | |
| KR100847263B1 (ko) | 잉곳 생산을 위한 도가니 | |
| CN108193262A (zh) | 一种用于拉制区熔单晶硅的反射器 | |
| RU2230838C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов из расплава | |
| JPS5973492A (ja) | 帯状シリコン結晶の製造装置 | |
| CN201305650Y (zh) | 一种防止拉晶时产生谐振抖动的重锤 | |
| KR20190102253A (ko) | Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 | |
| RU1382052C (ru) | Устройство дл группового выращивани профилированных кристаллов | |
| JPS6136192A (ja) | 単結晶製造用るつぼ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130829 |