RU2006120309A -
DEVICE FOR PLASMA-CHEMICAL PROCESSING OF MATERIALS
- Google Patents
DEVICE FOR PLASMA-CHEMICAL PROCESSING OF MATERIALS
Download PDF
Info
Publication number
RU2006120309A
RU2006120309ARU2006120309/28ARU2006120309ARU2006120309ARU 2006120309 ARU2006120309 ARU 2006120309ARU 2006120309/28 ARU2006120309/28 ARU 2006120309/28ARU 2006120309 ARU2006120309 ARU 2006120309ARU 2006120309 ARU2006120309 ARU 2006120309A
Общество с ограниченной ответственностью "ПирамидСтарт" (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "Пирамид Старт"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "ПирамидСтарт" (RU), Общество с ограниченной ответственностью "Пирамид Старт"filedCriticalОбщество с ограниченной ответственностью "ПирамидСтарт" (RU)
Priority to RU2006120309/28ApriorityCriticalpatent/RU2395134C2/en
Publication of RU2006120309ApublicationCriticalpatent/RU2006120309A/en
Application grantedgrantedCritical
Publication of RU2395134C2publicationCriticalpatent/RU2395134C2/en
Устройство для плазмохимической обработки материалов состоит из последовательно расположенных по направлению к центру системы и помещенных в высоковакуумную камеру диаметрально противоположных источника электронов и мишени из материала для напыления, электронно-оптической системы для транспортировки пучка электронов с плотностью тока около 0,3 А/см2, внешних катушек магнитного поля с индукцией вдоль пучка электронов порядка 50 Гс, камеры пучково-плазменного разряда с подачей рабочего газа и расположенного перпендикулярно траектории пучка электронов ввода вращения-перемещения с закрепленным образцом и возможностью подачи напряжения смещения.A device for plasma-chemical processing of materials consists of diametrically opposite electron sources and targets from a material for sputtering, electronically-optical systems for transporting an electron beam with a current density of about 0.3 A / cm 2 , sequentially located towards the center of the system and placed in a high vacuum chamber external coils of a magnetic field with induction along an electron beam of the order of 50 G, a beam-plasma discharge chamber with a working gas supply and a trajectory located perpendicular electron beam input rotational displacement with clamped-pattern and for supplying the bias voltage.
RU2006120309/28A2006-06-132006-06-13Device for plasma-chemical treatment of materials
RU2395134C2
(en)