Claims (21)
1. Композитный материал, содержащий металл и неорганическое соединение, причем большая часть указанного соединения представляет собой гранулированные зерна с размером не более, чем 50 мкм, и дендриты.1. A composite material containing metal and an inorganic compound, with most of this compound being granular grains with a size of not more than 50 μm, and dendrites.
2. Композитный материал по п. 1, в котором каждый из дендритов имеет стержнеподобный ствол и ветви гранулированной формы, сформированные около ствола. 2. The composite material according to claim 1, wherein each of the dendrites has a rod-like trunk and granular shaped branches formed near the trunk.
3. Композитный материал по пп. 1-2, в котором большая часть соединения представляет собой гранулированные зерна размером от 5 мкм до не более чем 50 мкм и дендриты, причем от 1 до 10% всего указанного соединения представляет собой мелкие гранулированные зерна с диаметром не более 1 мкм. 3. Composite material according to paragraphs. 1-2, in which most of the compounds are granular grains ranging in size from 5 microns to not more than 50 microns and dendrites, and from 1 to 10% of the total specified compound is small granular grains with a diameter of not more than 1 micron.
4. Композитный материал по любому из пп. 1-3, у которого коэффициент теплового расширения или теплопроводность в направлении отвердевания больше, чем в направлении, вертикальном по отношению к направлению отвердевания. 4. Composite material according to any one of paragraphs. 1-3, in which the coefficient of thermal expansion or thermal conductivity in the direction of solidification is greater than in the direction vertical to the direction of solidification.
5. Композитный материал по любому из пп. 1-4, который содержит медь и от 10 до 55% по объему оксида меди, причем указанный материал имеет коэффициент линейного расширения в температурном диапазоне от комнатной температуры до 300oС от 5•10-6/oС до 17•10-6/oС, теплопроводность при комнатной температуре от 100 до 380 (Вт/(м•К), и обладает анизотропией.5. Composite material according to any one of paragraphs. 1-4, which contains copper and from 10 to 55% by volume of copper oxide, and the specified material has a coefficient of linear expansion in the temperature range from room temperature to 300 o From 5 • 10 -6 / o C to 17 • 10 -6 / o C, thermal conductivity at room temperature from 100 to 380 (W / (m • K), and has anisotropy.
6. Композитный материал по п. 5, в котором кристаллы оксида меди имеют форму стержней, ориентированных в одном направлении, причем указанный материал имеет коэффициент линейного расширения в температурном диапазоне от комнатной температуры до 300oС от 5•10-6/oС до 17•10-6/oС, теплопроводность при комнатной температуре от 100 до 380 (Вт/(м•К), и другое значение теплопроводности в ориентированном направлении выше, чем в направлении, расположенном под прямым углом к ориентированному направлению, и разница между этими двумя значениями составляет от 5 до 100 Вт/(м•К).6. The composite material according to claim 5, in which the crystals of copper oxide have the shape of rods oriented in one direction, said material having a coefficient of linear expansion in the temperature range from room temperature to 300 ° C from 5 • 10 -6 / o C to 17 • 10 -6 / o С, thermal conductivity at room temperature from 100 to 380 (W / (m • K), and another value of thermal conductivity in the oriented direction is higher than in the direction located at right angles to the oriented direction, and the difference between these two values is about 5 to 100 W / (m • K).
7. Композитный материал по любому из пп. 1-6, в котором неорганическое соединение имеет форму стержней, ориентированных в одном направлении. 7. Composite material according to any one of paragraphs. 1-6, in which the inorganic compound is in the form of rods oriented in one direction.
8. Композитный материал по пп. 5 или 6, который является способным пластически обрабатываться. 8. Composite material according to paragraphs. 5 or 6, which is capable of being plastically machined.
9. Способ получения композитного материала, содержащий стадии получения металла и неорганического соединения, которое формирует эвтектическую структуру с указанным металлом, и плавления и отверждения металла и неорганического соединения. 9. A method for producing a composite material comprising the steps of producing a metal and an inorganic compound that forms a eutectic structure with said metal, and melting and curing the metal and inorganic compound.
10. Способ получения композитного материала по п. 9, который содержит стадии плавления меди и оксида меди сырого материала в атмосфере с парциальным давлением кислорода от 10-2 Па до 103 Па, за которым следует литье, посредством которого получают литой материал, и холодная или горячая пластическая обработка указанного литого материала.10. The method of producing a composite material according to claim 9, which contains the stage of melting copper and copper oxide of the crude material in the atmosphere with a partial oxygen pressure of 10 -2 Pa to 10 3 Pa, followed by casting, by which the cast material is obtained, and cold or hot plastic processing of said cast material.
11. Излучающая тепло панель для полупроводникового прибора, изготовленная из указанного композитного материала по любому из пп. 1-9. 11. A heat-emitting panel for a semiconductor device made of the specified composite material according to any one of paragraphs. 1-9.
12. Панель по п. 11, которая имеет на своей поверхности слой никелевого гальванического покрытия. 12. The panel according to claim 11, which has on its surface a layer of nickel plating.
13. Полупроводниковый прибор, содержащий излучающую тепло панель, а также изолирующую подложку, укрепленную на излучающей тепло панели, и полупроводниковое устройство, укрепленное на указанной изолирующей подложке, причем указанная излучающая тепло панель является излучающей тепло панелью по п. 11 или 12. 13. A semiconductor device comprising a heat radiating panel, and an insulating substrate mounted on a heat radiating panel, and a semiconductor device mounted on a heat insulating substrate, said heat radiating panel being a heat radiating panel according to claim 11 or 12.
14. Полупроводниковый прибор, содержащий излучающую тепло панель, полупроводниковое устройство, смонтированное на излучающей тепло панели, рамку с внешними выводами, прикрепленную к излучающей тепло панели, и металлический провод для электрического подсоединения рамки с внешними выводами к полупроводниковому устройству, причем полупроводниковое устройство является загерметизированным с помощью полимерных смол, а указанная излучающая тепло панель является излучающей тепло панелью по п. 11 или 12. 14. A semiconductor device comprising a heat radiating panel, a semiconductor device mounted on a heat radiating panel, a frame with external terminals attached to the heat radiating panel, and a metal wire for electrically connecting the frame with external terminals to the semiconductor device, the semiconductor device being sealed with using polymer resins, and said heat-radiating panel is a heat-radiating panel according to claim 11 or 12.
15. Полупроводниковый прибор, содержащий излучающую тепло панель, полупроводниковое устройство, смонтированное на лицевой поверхности излучающей тепло панели, рамку с внешними выводами, прикрепленную к излучающей тепло панели, и металлический провод для подсоединения рамки с внешними выводами к полупроводниковому устройству, причем полупроводниковое устройство является загерметизированным с помощью полимерных смол, причем указанная излучающая тепло панель снабжена открытой поверхностью на стороне, противоположной поверхности установки полупроводникового устройства, причем излучающая тепло панель является излучающей тепло панелью по п. 11 или 12. 15. A semiconductor device comprising a heat emitting panel, a semiconductor device mounted on the front surface of the heat radiating panel, a frame with external terminals attached to the heat radiating panel, and a metal wire for connecting the frame with external terminals to the semiconductor device, the semiconductor device being sealed using polymer resins, and the specified heat-radiating panel is provided with an open surface on the side opposite the surface of the mouth new semiconductor device, and the radiating heat panel is a radiating heat panel according to claim 11 or 12.
16. Полупроводниковый прибор, содержащий излучающую тепло панель, полупроводниковое устройство, смонтированное на излучающей тепло панели, штыревой контакт, подобранный так, чтобы подсоединяться к внешней проводке, керамическую многослойную подложку, расположенную посередине, с открытым пространством для размещения полупроводникового устройства, металлический провод для электрического подсоединения полупроводникового устройства к контактам подложки, причем излучающая тепло панель и подложка присоединяются друг к другу таким образом, что полупроводниковое устройство расположено в указанном открытом пространстве, и крышка прикрепляется к подложке таким образом, что полупроводниковое устройство изолируется от окружающей атмосферы, а излучающая тепло панель является излучающей тепло панелью по п. 11 или 12. 16. A semiconductor device containing a heat-emitting panel, a semiconductor device mounted on a heat-radiating panel, a pin selected so as to be connected to an external wiring, a ceramic multilayer substrate located in the middle, with an open space for accommodating the semiconductor device, a metal wire for electrical connecting the semiconductor device to the contacts of the substrate, and the heat-emitting panel and the substrate are connected to each other in this way ohm, that the semiconductor device is located in the indicated open space, and the lid is attached to the substrate so that the semiconductor device is isolated from the surrounding atmosphere, and the heat-radiating panel is a heat-radiating panel according to claim 11 or 12.
17. Полупроводниковый прибор, содержащий излучающую тепло панель, полупроводниковое устройство, смонтированное на излучающей тепло панели, контакт, подобранный так, чтобы подсоединяться к внешней проводке, керамическую многослойную подложку, расположенную посередине, с вогнутой частью для размещения указанного полупроводникового устройства, металлической провод для электрического подсоединения указанного полупроводникового устройства к контактам подложки, причем излучающая тепло панель и подложка присоединяются друг к другу таким образом, что полупроводниковое устройство расположено в вогнутой части подложки, и крышка прикрепляется к подложке таким образом, что полупроводниковое устройство изолируется от окружающей атмосферы, а излучающая тепло панель является излучающей тепло панелью по п. 11 или 12. 17. A semiconductor device comprising a heat-emitting panel, a semiconductor device mounted on a heat-radiating panel, a contact selected so as to be connected to an external wiring, a ceramic multilayer substrate located in the middle with a concave portion for receiving said semiconductor device, a metal wire for electrical connecting the specified semiconductor device to the contacts of the substrate, and the heat-radiating panel and the substrate are connected to each other so such that the semiconductor device is located in the concave portion of the substrate, and the lid is attached to the substrate so that the semiconductor device is isolated from the surrounding atmosphere, and the heat-radiating panel is a heat-radiating panel according to claim 11 or 12.
18. Полупроводниковый прибор, содержащий излучающую тепло панель, полупроводниковое устройство, прикрепленное к излучающей тепло панели с помощью теплопроводящей полимерной смолы, рамку с внешними выводами, прикрепленную к керамической изолирующей подложке, TAB для электрического подсоединения полупроводникового устройства к рамке с внешними выводами, причем излучающая тепло панель и изолирующая подложка прикрепляются друг к другу таким образом, что полупроводниковое устройство изолируется от окружающей атмосферы, и гибкий корпус из теплопроводящей полимерной смолы, расположенный между полупроводниковым устройством и изолирующей подложкой, причем излучающая тепло панель является излучающей тепло панелью по п. 11 или 12. 18. A semiconductor device comprising a heat-emitting panel, a semiconductor device attached to a heat-radiating panel using a heat-conducting polymer resin, a frame with external terminals attached to a ceramic insulating substrate, TAB for electrically connecting the semiconductor device to a frame with external terminals, and radiating heat the panel and the insulating substrate are attached to each other so that the semiconductor device is isolated from the surrounding atmosphere, and a flexible housing of a thermally conductive polymer resin located between the semiconductor device and the insulating substrate, the heat emitting panel being a heat radiating panel according to claim 11 or 12.
19, Полупроводниковый прибор, содержащий первую излучающую тепло панель, полупроводниковое устройство, присоединенное с помощью металла, к первой излучающей тепло панели, вторую излучающую тепло панель, к которой прикрепляется заземляющая панель, причем первая излучающая тепло панель монтируется на второй излучающей тепло панели, и TAB электрически подсоединяется к контактам полупроводникового устройства, причем полупроводниковое устройство герметизируется с помощью полимерных смол, причем излучающая тепло панель является излучающей тепло панелью по п. 11 или 12. 19, A semiconductor device comprising a first heat-radiating panel, a metal semiconductor device connected to a first heat-radiating panel, a second heat-radiating panel to which a grounding panel is attached, the first heat-radiating panel being mounted on the second heat-radiating panel, and TAB electrically connected to the contacts of the semiconductor device, and the semiconductor device is sealed with polymer resins, and the heat-radiating panel is radiating heat panel according to claim 11 or 12.
20. Диэлектрическая панель для электростатических поглощающих устройств, причем панель изготавливается из композитного материала по одному из пп. 1-9. 20. The dielectric panel for electrostatic absorbing devices, and the panel is made of composite material according to one of paragraphs. 1-9.
21. Электростатическое поглощающее устройство, содержащее электродный слой и диэлектрическую панель, прикрепленную к электродному слою, в котором при приложении напряжения к электродному слою генерируется электростатическая сила притяжения между диэлектрической панелью и веществом, поэтому вещество прикрепляется к поверхности диэлектрической панели, причем диэлектрическая панель является диэлектрической панелью по п. 20. 21. An electrostatic absorption device comprising an electrode layer and a dielectric panel attached to an electrode layer, in which, when a voltage is applied to the electrode layer, an electrostatic attractive force is generated between the dielectric panel and the substance, therefore, the substance is attached to the surface of the dielectric panel, the dielectric panel being a dielectric panel under item 20.