RU190371U1 - Полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке inp - Google Patents
Полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке inp Download PDFInfo
- Publication number
- RU190371U1 RU190371U1 RU2018144076U RU2018144076U RU190371U1 RU 190371 U1 RU190371 U1 RU 190371U1 RU 2018144076 U RU2018144076 U RU 2018144076U RU 2018144076 U RU2018144076 U RU 2018144076U RU 190371 U1 RU190371 U1 RU 190371U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layers
- thickness
- layer
- doped
- superlattice
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 102
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 16
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к полупроводниковым гетероструктурам ABс множественными квантовыми ямами в качестве активной области, используемым для изготовления электрооптических рефрактивных модуляторов и фотонных интегральных схем инфракрасного диапазона. Сущность: полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке InP включает в себя последовательно слои: полуизолирующая подложка InP, нижний обкладочный контактный легированный донорами слой InGaAsPтолщиной 100 нм и имеет концентрацию доноров 5⋅10см, сверхрешетка, состоящая из чередующихся слоев InGaAs и InAlAs определенной толщины и повторяемая 17 раз, за сверхрешеткой следует верхний обкладочный слой InGaAsPтолщиной 100 нм, легированный акцепторами слой InAlAs толщиной 900 нм и концентрацией акцепторов 5⋅10сми верхний контактный слой 6 легированный акцепторами InGaAs толщиной 100 нм, легирование которого имеет концентрацию акцепторов на уровне 10см. Технический результат заключается в увеличении электрооптического коэффициента C/L в оптическом диапазоне, при сохранении коэффициента поглощения в сверхрешеточной гетероструктуре. 1 таб. 5 ил.
Description
Полезная модель относится к полупроводниковым гетероструктурам AIIIBV с множественными квантовыми ямами в качестве активной области, используемым для изготовления электрооптических рефрактивных модуляторов и фотонных интегральных схем инфракрасного диапазона.
Наиболее перспективным материалом для интеграции активных и пассивных компонент микроволновой фотоники C/L диапазонов (длина волны ~ 1,55 мкм) является фосфид индия (InP) [1,2]. Это обусловлено а) хорошо развитой технологией роста AIIIBV структур методами молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии, б) широким использованием подобных материалов в сверхвысокочастотной (СВЧ) электронике и оптоэлектронике, в) удобством подстройки энергии запрещенной зоны в многокомпонентных твердых растворах полупроводников AIIIBV в диапазоне, соответствующем длинам волн 0,85 мкм - 1,8 мкм, таким образом, охватывая телекоммуникационный C/L диапазон. Кроме того, InP платформа позволяет интегрировать как пассивные элементы (волноводы, фильтры, резонаторы, разветвители и т.д.), так и активные - лазеры, фотодетекторы, СВЧ усилители, смесители и т.д., таким образом, представляя широкие возможности для формирования на подложках InP широкой номенклатуры элементов фотонных интегральных схем [2].
Актуальной проблемой оптимизации гетероструктур для полупроводникового электрооптического рефрактивного модулятора на подложке InP является компромиссное повышение электрооптического коэффициента в C/L оптическом диапазоне одновременно со снижением коэффициента поглощения (потерь). При этом увеличение электрооптического коэффициента позволяет сократить общие оптические потери в интерферометре Маха-Цандера (ИМЦ), таким образом, эта задача является приоритетной [3].
Наиболее эффективными являются конструкции ИМЦ на основе сверхрешеток [4-7]. При этом конструкция слоев сверхрешетки (CP), состав и толщины, сложность каскада CP влияют на электрооптический коэффициент и коэффициент поглощения, таким образом, являются предметом оптимизации.
Актуальным подходом является использование составных квантовых ям (КЯ), содержащих один или несколько туннельно-прозрачных нанобарьеров широкозонных полупроводниковых соединений, обычно - In0.52Al0.48As толщиной от 1,5 нм до 5 нм, которые обеспечивают увеличение энергии квантового уровня электронов. В этом случае, конструкция одного каскада CP может состоять из большого числа полупроводниковых слоев.
В качестве прототипа предлагаемой полезной модели выбрана активная область на основе сверхрешетки из слоев решеточно-согласованных тройных твердых растворов In0.53Ga0.47As и In0.52Al0.48As. Сверхрешетка, состоит из 6-слойного асимметричного каскада связанных КЯ [7]. Структура прототипа изображена на фиг. 1 [7], на которой указаны следующие друг за другом слои: на монокристаллической полу изолирующей подложке 1 (InP) эпитаксиально выращивается последовательность слоев: обкладочный контактный легированный донорами слой 2 In0.53Ga0.47As толщиной 280 нм, сверхрешетка 3, повторяемая 14 раз, за сверхрешеткой следует обкладочный слой 4 InxAl1-xAs толщиной 150 нм, слой 5 легированный акцепторами In0.52Al0.48As толщиной 1300 нм и сильно легированный акцепторами и верхний контактный слой 6 In0.53Ga0.47As толщиной 20 нм, при этом сверхрешетка состоит из слоя 7 In0.53Ga0.47As толщиной в 15 монослоев, слоя 8 In0.52Al0.48As толщиной в 3 монослоя, слоя 9 In0.53Ga0.47As толщиной в 4 монослоя, слоя 10 In0.52Al0.48As толщиной в 8 монослоев, слоя 11 In0.53Ga0.47As толщиной в 19 монослоя и слоя 12 In0.52Al0.48As.
Таким образом, CP структура каскада данной гетероструктуры имеет 6 слоев, из которых 3 слоя InxAl1-xAs служат барьерными слоями, а 3 слоя InyGa1-yAs - узкозонными слоями, формирующими 3 туннельно-связанные квантовые ямы. Недостатками данной структуры являются:
ширина КЯ (слой 9) в сверхрешетке оказывается достаточно малой (4 монослоя, т.е. 1,175 нм), а барьер, образованный слоем 10, достаточно толстым (8 монослоев, т.е. 2,35 нм), поэтому эффективная ширина составной структуры мала и не позволяет в полной мере реализовать преимущества квантового эффекта Штарка, который наиболее выражен в широких квантовых ямах; чтобы получить максимальный электрооптический эффект, отражающийся, например, в минимальном рабочем напряжении модулятора (V π⋅L < 1 В мм);
в InxAl1-xAs CP и обкладочных слоях мольная доля x(InAs) совпадает, вследствие этого показатель преломления между слоями CP и обкладками не изменяется, поэтому ограничение оптической волны в области CP - небольшое, а значит, электрооптический коэффициент снижен.
Использование прототипа для изготовления на его основе модулятора Маха-Цендера является малоэффективным, вследствие низкого значения элетрооптического коэффициента, вызванного неоптимальностью слоевой геометрии гетероструктуры.
Технический результат предлагаемой полезной модели заключается в увеличении электрооптического коэффициента в C/L оптическом диапазоне без увеличения или с одновременным снижением коэффициента поглощения в сверхрешеточной гетероструктуре нового типа, за счет эффективного использования эффектов пространственного перераспределения электронных и дырочных волновых функций под действием поперечного электрического поля.
Технический результат достигается тем, что полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке InP включает в себя последовательно слои: монокристаллическая полуизолирующая подложка InP, нижний легированный донорами обкладочный контактный слой, сверхрешетка из комбинации слоев InyGa1-yAs и InxAl1-xAs, верхний обкладочный слой, легированный акцепторами контактный слой и легированный акцепторами верхний контактный слой, при этом нижний легированный донорами обкладочный контактный слой состоит из InwGa1-wAszP1-z, имеет толщину 100 нм и концентрацию доноров 5⋅1017 см-3, сверхрешетка состоит из слоя InyGa1-yAs толщиной в 7 монослоев, слоя InxAl1-xAs толщиной в 4 монослоя, слоя InyGa1-yAs толщиной в 15 монослоев, слоя InxAl1-xAs толщиной в 6 монослоев, слоя InyGa1-yAs толщиной в 8 монослоев, слоя InxAl1-xAs толщиной в 4 монослоя, слоя InyGa1-yAs толщиной в 18 монослоев, слоя InxAl1-xAs толщиной в 10 монослоев, при этом сверхрешетка повторяется 17 раз, верхний обкладочный слой состоит из InwGa1-wAszP1-z и имеет толщину 100 нм, легированный акцепторами контактный слой InxAl1-xAs имеет толщину 900 нм и концентрацию акцепторов 5⋅1017 см-3 и верхний легированный акцепторами контактный слой InyGa1-yAs имеет толщину 100 нм и концентрацию акцепторов 1 1019 см-3, при этом x=0.52, y=0.53, w=0.75, z=0.55.
Применение данной полезной модели приводит к значительному увеличению электрооптического коэффициента при сохранении коэффициента оптических потерь за счет изменения сверхрешетки и обкладочных слоев.
На фиг. 2 представлен пример конкретной реализации полупроводниковой гетероструктуры для модулятора на основе интерферометра Маха-Цандера на полуизолирующей монокристаллической подложке InP, демонстрирующий суть настоящей полезной модели. Она состоит из монокристаллической полуизолирующей подложки 1 InP, далее следует нижний обкладочный контактный легированный донорами слой 2 In0.75Ga0.25As0.55P0.45 толщиной 100 нм и имеет концентрацию доноров 5 1017 см-3, сверхрешетка 3, повторяемая 17 раз, за сверхрешеткой следует верхний обкладочный слой 4 In0.75Ga0.25As0.55P0.45 толщиной 100 нм, легированный акцепторами слой 5 In0.52Al0.48As толщиной 900 нм и концентрацией акцепторов 5⋅1017 см-3 и верхний контактный слой 6 легированный акцепторами InyGa1-yAs толщиной 100 нм, легирование которого имеет концентрацию акцепторов на уровне 1019 см-3, при этом сверхрешетка состоит из слоя 7 In0.53Ga0.47As толщиной в 7 монослоев, слоя 8 In0.52Al0.48As толщиной в 4 монослоя, слоя 9 In0.53Ga0.47As толщиной в 15 монослоев, слоя 10 In0.52Al0.48As толщиной в 6 монослоев, слоя 11 In0.53Ga0.47As толщиной в 8 монослоев, слоя 12 In0.52Al0.48As толщиной в 4 монослоя, слоя 13 In0.53Ga0.47As толщиной в 18 монослоев, слоя 14 In0.52Al0.48As толщиной в 10 монослоев.
Данная комбинация слоев была выбрана, поскольку позволяет вышеуказанного технического результата за счет
перехода к более широкой суммарной толщине каскада, реализующего более широкую составную квантовую яму. Увеличение толщины каскада реализуется за счет того, что формируется две составные квантовые ямы из In0.53Ga0.47As, разделенные тонким барьером. Таким образом, в каскаде возникает не 3, а 4 узкозонных слоя, относительно разделяющего барьера 10, поэтому возможно сформировать как более симметричный, так и более асимметричный вариант каскада, в зависимости от толщины слоев. Использование составных КЯ, разделенных барьером, позволяет увеличить суммарную толщину слоев In0.53Ga0.47As;
уменьшения толщины разделяющего барьера 10, которое приводит к увеличению туннельной связи составных слоев и приводит к формированию единой составной квантовой ямы в слоях 7-13;
вариации толщины барьерного слоя 8 и ширины слоев 9 и 11, благодаря чему возможно управлять туннельным расщеплением энергии между нижними электронными уровнями в составной квантовой яме, и, таким образом, направленно изменять асимметрию структуры. Это позволяет достичь выбора рабочей точки с более низким напряжением и увеличенного значения электрооптического коэффициента;
снижения толщины барьера 12, разделяющего каскады CP гетероструктуры, которое приводит к туннельной связи различных каскадов, увеличивает плотность электронных состояний с номерами больше 3, что приводит к усилению электрооптического эффекта;
использования в качестве обкладок CP структуры слоев InwGa1-wAszP1-z (с составом, отвечающим положению максимума пика фотолюминесценции на 1,25 мкм, показатель преломления n=3.431), решеточно-согласованного с подложкой InP, что обеспечит увеличение перепада показателя преломления между слоями CP с обкладочными слоями 1-2 и 4-5 и подложкой InP.
Таким образом, изменение состава обкладочных слоев 2 и 4 с In0.52Al0.48As на InwGa1-wAszP1-z приводит к увеличению контраста по показателю преломления на Δn ~ 0.1 по отношению к подложке InP. Вследствие этого возрастает ограничение оптической волны в области CP, а значит, и величина электрооптического коэффициента.
Для подтверждения заявленного эффекта при помощи решения уравнения Шредингера для квантоворазмерных подзон электронов и дырок были определены уровни энергии подзон размерного квантования, волновые функции электронных и дырочных подзон, определены матричные элементы оптических переходов и коэффициент поглощения в зависимости от величины внешнего однородного электрического поля, приложенного поперек слоев гетероструктуры. Для дырок зонная структура рассчитана в однозонном приближении, отдельно уровни для подзон тяжелых и для подзон легких дырок.
Были рассчитаны 3 варианта компоновки слоев каскада, представленные в таблице 1 - вариант 1, вариант 2 и вариант 3 соответствующий параметрами предложенной полезной модели, а также для сравнения - прототип, для изоморфного состава слоев х=0,521, у=0,53.
Вариант структуры 1 наиболее симметричный из всех, поскольку суммарные толщины составных квантовых ям близки (слои 7-9 и 11-13) и составляют 25 и 26 монослоев, соответственно. Вариант структуры 2 более асимметричен по сравнению с вариантом 1 за счет асимметричного расположения барьера 8 за счет изменения соотношения толщин слоев 7 и 9. Структура 3 самая кососимметричная, в ней увеличена асимметрия слоев составных КЯ: слои 7-9 и 11-13 имеют, соответственно, 22 и 26 монослоев. Кроме того, снижена толщина разделяющего барьера 10 до 6 монослоев.
Расчетные спектральные зависимости коэффициента поглощения для различных вариантов исполнения активных сверхрешеточных слоев структуры показаны на фиг. 3: линия «Прототип» - для структуры-прототипа, описанной в работе [1], линия 1 - для структуры со строением слоев каскада варианта 1, линия 2 - для структуры со строением слоев каскада варианта 2, линия 3 - для структуры со строением слоев каскада варианта 3.
Заявленные структуры 8-слойного каскада CP имеют более высокие значения коэффициента поглощения в области энергий > 1,1 эВ, чем прототип. В области рабочей полосы вблизи 1,55 мкм, что соответствует 0,8 эВ и отмечено вертикальной линией на Фиг. 3 наиболее эффективной является вариант 3 гетероструктуры (указанной в таблице 1).
Далее был рассчитан электрооптический эффект в каскадах CP вариант 1, вариант 2 и вариант 3, а также для сравнения - прототип. Относительное изменение показателя преломления Δn/n0 на длине волны 1,55 мкм было рассчитано в зависимости от внешнего электрического поля в каскаде СР. График расчетных зависимостей изменения показателя преломления от напряженности приложенного к каскаду CP электрического поля для различных вариантов исполнения активных сверхрешеточных слоев структуры приведен на Фиг. 4. Как видно, значения Δn/n0 всюду положительны, а сама зависимость близка к теоретической параболической, типичной для квантово-размерного эффекта Штарка.
Фрагмент зависимости для области напряженности электрического поля минус -80 кВ/см до -40 кВ/см приведен на Фиг. 5. В данной области, новые типы структур CP обеспечивают преимущество в электрооптическом коэффициенте до 25% выше, чем в прототипе. Наиболее высокий электрооптический коэффициент демонстрирует структура типа 3 с наибольшей кососимметрией.
Такая конструкция приводит, во-первых, к увеличению плотности квантовых уровней энергии для носителей тока вблизи экстремумов зоны проводимости и валентной зоны из-за увеличения числа связанных квантовых ям InyGa1-yAs, разделенных туннельно-прозрачными барьерами InxAl1-xAs, во-вторых, к увеличению эффективной ширины составной квантовой структуры из четырех туннельно-связанных квантовых ям, в третьих, направленно изменяется асимметрия структуры за счет возможности независимо варьировать толщины слоев в каскаде относительно его центральной области. Все эти факторы приводят к увеличению амплитуды электрооптического эффекта, выражающемуся в увеличении изменения показателя преломления под действием электрического поля, приложенного к CP гетероструктуре.
Таким образом, применение данной полезной модели (вариант 3) приводит к значительному (до ~ 200% в сравнении с прототипом) увеличению электрооптического коэффициента при сохранении коэффициента оптических потерь, вследствие увеличения эффективной ширины составной квантовой структуры, состоящей из 4-х туннельно связанных квантовых ям, что в конечном счете приводит к снижению линейного размера и/или снижению рабочего напряжения модулятора, а также увеличению граничной частоты модуляции.
Список используемых источников
1. Klein, Holger. "Integrated InP Mach-Zehnder Modulators for 100 Gbit/s Ethernet Applications Using QPSK Modulation." PhD thesis. Technischen Universitat Berlin. (2010)
2. Meint Smit, Xaveer Leijtens, Huub Ambrosius et al. "An introduction to InP-based generic integration technology" // Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 083001 (41pp)
3. Chuang, S.L. Physics of Photonics Devices. Wiley; 2 edition, 2009. 840 pp.
4. Feng, Hao, J.P. Pang, M. Sugiyama et al. Field-Induced Optical Effect in a Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Well with Modified Potential. // IEEE Journal of Quantum Electronics 34 (7): 1197-1207 (1998)
5. Ahland, Andreas, Dirk Schulz, and Edgar Voges. Efficient Modeling of the Optical Properties of MQW Modulators on InGaAsP with Absorption Edge Merging // IEEE Journal of Quantum Electronics 34 (9): 1597-1603 (1998)
6. Mohseni, H., H. An, Z.A. Shellenbarger, M.H. et al. Enhanced Electro-Optic Effect in GalnAsP-InP Three-Step Quantum Wells. // Applied Physics Letters 84 (11): 1823-25 (2004)
7. T. Arakawa, T. Hariki, Y. Amma, M. Fukuoka, M. Ushigome, and K. Tada, "Low-voltage Mach-Zehnder modulator with InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well," Jpn. J. Appl. Phys. 51, 042203 (2012)
Claims (1)
- Полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке InP, включающая в себя последовательность слоев: монокристаллическая полуизолирующая подложка InP, нижний легированный донорами обкладочный контактный слой, сверхрешетка из комбинации слоев InyGa1-yAs и InxAl1-xAs, верхний обкладочный слой, легированный акцепторами контактный слой и легированный акцепторами верхний контактный слой, отличающаяся тем, что нижний легированный донорами обкладочный контактный слой состоит из InwGa1-wAszP1-z, имеет толщину 100 нм и концентрацию доноров 5⋅1017 см-3, сверхрешетка состоит из слоя InyGa1-yAs толщиной в 7 монослоев, слоя InxAl1-xAs толщиной в 4 монослоя, слоя InyGa1-yAs толщиной в 15 монослоев, слоя InxAl1-xAs толщиной в 6 монослоев, слоя InyGa1-yAs толщиной в 8 монослоев, слоя InxAl1-xAs толщиной в 4 монослоя, слоя InyGa1-yAs толщиной в 18 монослоев, слоя InxAl1-xAs толщиной в 10 монослоев, при этом сверхрешетка повторяется 17 раз, верхний обкладочный слой состоит из InwGa1-wAszP1-z и имеет толщину 100 нм, легированный акцепторами контактный слой InxAl1-xAs имеет толщину 900 нм и концентрацию акцепторов 5⋅1017 см-3, а верхний легированный акцепторами контактный слой InyGa1-yAs имеет толщину 100 нм и концентрацию акцепторов 1⋅1019 см-3, при этом х=0.52, у=0.53, w=0.75, z=0.55.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018144076U RU190371U1 (ru) | 2018-12-12 | 2018-12-12 | Полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке inp |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018144076U RU190371U1 (ru) | 2018-12-12 | 2018-12-12 | Полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке inp |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU190371U1 true RU190371U1 (ru) | 2019-06-28 |
Family
ID=67215922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018144076U RU190371U1 (ru) | 2018-12-12 | 2018-12-12 | Полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке inp |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU190371U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU196935U1 (ru) * | 2019-10-09 | 2020-03-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | КАЛИБРОВОЧНАЯ ДВУХПЕРИОДНАЯ СВЕРХРЕШЕТКА InAlAs/InGaAs НА ПОДЛОЖКЕ InP |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2153688C2 (ru) * | 1998-02-17 | 2000-07-27 | Майер Александр Александрович | Способ переключения, модуляции, усиления и управления и нелинейный оптический переключатель, модулятор, усилитель и управляющий элемент |
| US20050117623A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-02 | Nl-Nanosemiconductor Gmbh | Optoelectronic device incorporating an interference filter |
| US7072557B2 (en) * | 2001-12-21 | 2006-07-04 | Infinera Corporation | InP-based photonic integrated circuits with Al-containing waveguide cores and InP-based array waveguide gratings (AWGs) and avalanche photodiodes (APDs) and other optical components containing an InAlGaAs waveguide core |
| RU2335035C2 (ru) * | 2001-09-13 | 2008-09-27 | Интенс Лимитед | Способ изготовления оптических устройств и соответствующие устройства |
| US8179585B2 (en) * | 2006-08-17 | 2012-05-15 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Coupled quantum well structure |
| RU2452067C2 (ru) * | 2006-06-16 | 2012-05-27 | Российское общество с ограниченной ответственностью "Коннектор Оптикс" | Оптоэлектронное устройство для высокоскоростной передачи данных, основанное на сдвиге края стоп-зоны распределенного брэгговского отражателя за счет электрооптического эффекта |
| US20120236892A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Finisar Corporation | Lasers with ingaas(p) quantum wells with indium ingap barrier layers with reduced decomposition |
-
2018
- 2018-12-12 RU RU2018144076U patent/RU190371U1/ru active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2153688C2 (ru) * | 1998-02-17 | 2000-07-27 | Майер Александр Александрович | Способ переключения, модуляции, усиления и управления и нелинейный оптический переключатель, модулятор, усилитель и управляющий элемент |
| RU2335035C2 (ru) * | 2001-09-13 | 2008-09-27 | Интенс Лимитед | Способ изготовления оптических устройств и соответствующие устройства |
| US7072557B2 (en) * | 2001-12-21 | 2006-07-04 | Infinera Corporation | InP-based photonic integrated circuits with Al-containing waveguide cores and InP-based array waveguide gratings (AWGs) and avalanche photodiodes (APDs) and other optical components containing an InAlGaAs waveguide core |
| US20050117623A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-02 | Nl-Nanosemiconductor Gmbh | Optoelectronic device incorporating an interference filter |
| RU2452067C2 (ru) * | 2006-06-16 | 2012-05-27 | Российское общество с ограниченной ответственностью "Коннектор Оптикс" | Оптоэлектронное устройство для высокоскоростной передачи данных, основанное на сдвиге края стоп-зоны распределенного брэгговского отражателя за счет электрооптического эффекта |
| US8179585B2 (en) * | 2006-08-17 | 2012-05-15 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Coupled quantum well structure |
| US20120236892A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Finisar Corporation | Lasers with ingaas(p) quantum wells with indium ingap barrier layers with reduced decomposition |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU196935U1 (ru) * | 2019-10-09 | 2020-03-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | КАЛИБРОВОЧНАЯ ДВУХПЕРИОДНАЯ СВЕРХРЕШЕТКА InAlAs/InGaAs НА ПОДЛОЖКЕ InP |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0738204A (ja) | 半導体光デバイス及びその製造方法 | |
| US8179585B2 (en) | Coupled quantum well structure | |
| Odoh et al. | A review of semiconductor quantum well devices | |
| EP0975073B1 (en) | Semiconductor laser | |
| US20130336611A1 (en) | Optical device | |
| JP5801589B2 (ja) | 光変調素子 | |
| RU190371U1 (ru) | Полупроводниковая гетероструктура для интегрального оптического модулятора рефрактивного типа на подложке inp | |
| US5519721A (en) | Multi-quantum well (MQW) structure laser diode/modulator integrated light source | |
| US20080101425A1 (en) | Electro-absorption semiconductor optical modulator | |
| JP7391254B1 (ja) | 半導体光変調器 | |
| US7787736B2 (en) | Semiconductor optoelectronic waveguide | |
| Kaynar et al. | Optical properties of Al x In y Ga1− x− y As/Al z Ga w In1− z− w As quantum wells under electric and magnetic fields for telecommunication applications | |
| US20190187494A1 (en) | Optical modulator | |
| Futami et al. | GaInAsP/InP lateral current injection laser with uniformly distributed quantum-well structure | |
| Sobhani et al. | Proposal for Common Active 1.3-$\mu $ m Quantum Dot Electroabsorption Modulated DFB Laser | |
| JPH04174585A (ja) | 量子井戸構造光素子 | |
| JPH0529716A (ja) | 光半導体素子 | |
| WO2022215105A1 (ja) | 光変調器 | |
| US5170404A (en) | Semiconductor laser device suitable for optical communications systems drive | |
| Sun et al. | AlGaInAs/InP EML with Sidewall Grating Distributed Feedback Laser and Quantum Well Intermixing Technology | |
| JPH0555697A (ja) | 半導体レーザ | |
| Anjum et al. | Effects of variation of quantum well numbers on gain characteristics of type-I InGaAsP/InP nano-heterostructure | |
| Hong et al. | Linewidth enhancement factor of hybrid green InGaN/MgZnO quantum well structures | |
| Lee et al. | Potential utility of nanoscale semiconductor heterostructures from the perspective of telecommunication and information technology | |
| KR101778016B1 (ko) | 분포궤환형 레이저 다이오드 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB9K | Licence granted or registered (utility model) |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20200923 Effective date: 20200923 |