RU185574U1 - Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров - Google Patents
Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров Download PDFInfo
- Publication number
- RU185574U1 RU185574U1 RU2018120561U RU2018120561U RU185574U1 RU 185574 U1 RU185574 U1 RU 185574U1 RU 2018120561 U RU2018120561 U RU 2018120561U RU 2018120561 U RU2018120561 U RU 2018120561U RU 185574 U1 RU185574 U1 RU 185574U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- voltage
- current
- capacitor
- forming
- output
- Prior art date
Links
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области электротехники и может найти применение в устройствах для испытаний силовых полупроводниковых приборов. Установка (фиг. 1) включает источник напряжения 1 с накопительным конденсатором 2, токозадающий элемент 3, формирующий конденсатор 5, электронный ключ 6 и регистрирующее устройство 8. Установка дополнительно содержит от 4-х до 6-ти источников напряжения 1, от 4-х до 6-ти накопительных конденсаторов 2, от 4-х до 6-ти токозадающих элементов 3, от 4-х до 6-ти формирующих конденсаторов 5, от 4-х до 6-ти электронных ключей 6, от 5-ти до 7-ми повторителей напряжения 4, от 5-ти до 7-ми ограничителей тока 7 и схему синхронизации 8. Источники напряжения 1 гальванически развязаны между собой, вход каждого повторителя напряжения 4 подключен к соответствующему формирующему конденсатору 5, каждый из электронных ключей 6 подсоединен параллельно формирующему конденсатору 5, выходы повторителей напряжения 4 соединены между собой последовательно через ограничители тока 7, положительный полюс выхода первого повторителя напряжения 4 выполнен с возможностью подключения к аноду испытуемого тиристора, отрицательный полюс выхода последнего повторителя напряжения 4 выполнен с возможностью подключения через ограничитель тока 7 к катоду испытуемого тиристора, а выходы схемы синхронизации 9 подключены к соответствующим входам управления токозадающих элементов 3 и электронных ключей 6.
Техническим результатом при реализации заявленного решения является повышение точности измерений и обеспечение высокой надежности работы измерительной установки в целом. 1 ил.
Description
Полезная модель относится к области электротехники и может найти применение в устройствах для испытаний силовых полупроводниковых приборов.
Известно устройство для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров, описанное в книге Бардин В.М., Моисеев Л.Г., Сурочан Ж.Г. Аппаратура и методы контроля параметров силовых полупроводниковых вентилей. М.: Энергия, 1971, с. 130, включающее автотрансформатор, повышающий трансформатор, выпрямитель, накопительный конденсатор, электронный ключ, переменную катушку индуктивности в качестве регулятора скорости нарастания напряжения и испытуемый тиристор. Основными недостатками известного устройства являются нелинейная (экспоненциальная) форма переднего фронта импульса напряжения, обусловленная применением в качестве регулятора скорости нарастания напряжения пассивного элемента - катушки индуктивности, и низкий коэффициент полезного действия, обусловленный необходимостью создания значительного запаса по напряжению на накопительном конденсаторе, а именно до 2,5 раз больше по сравнению с требуемой амплитудой напряжения на испытуемом тиристоре.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому техническому результату к заявляемой установке для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров является устройство, описанное в статье Грицевский Е.А., Смирнов B.C., Тогатов В.В. Устройство для классификации тиристоров по величине dU/dt. - Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника, 1976, №3, с. 14-16 и в книге Лаппе Р., Фишер Ф. Измерения в энергетической электронике: Пер с нем. - М.: Энергоатомиздат, 1986, с. 93, рис. 3.38, включающее источник напряжения с накопительным конденсатором, электронный ключ, токозадающий элемент, формирующий конденсатор, отсекающий диод, второй источник напряжения и испытуемый тиристор.
В известном устройстве фронт импульса испытательного напряжения формируется при заряде формирующего конденсатора через токозадающий элемент. Начало формирования переднего фронта импульса напряжения определяется замыканием электронного ключа, скорость нарастания регулируется величиной емкости формирующего конденсатора и значением тока, который задается токозадающим элементом. Применение в качестве токозадающего элемента электронной лампы, включенной по схеме источника тока, обеспечивает линейный передний фронт импульса напряжения. Амплитуда импульса напряжения ограничивается отсекающим диодом и регулируется изменением выходного напряжения второго источника напряжения. Переключение испытуемого тиристора при достижении критического значения скорости нарастания напряжения регистрируется осциллографом.
Основными недостатками известного устройства является низкая надежность, обусловленная небольшим ресурсом электронно-вакуумных ламп и низкая точность измерений, связанная с влиянием емкости испытуемого тиристора на задаваемую скорость нарастания переднего фронта импульса напряжения. Например, долговечность модуляторного тетрода ГМИ-83, в соответствии с техническими условиями, составляет 150 часов. Величина барьерной емкости p-n-перехода современных мощных тиристоров составляет от 1000 пФ до 10 000 пФ, что сопоставимо с величиной емкости формирующего конденсатора. Более того, величина барьерной емкости тиристора зависит от приложенного к нему напряжения и при его увеличении во время испытаний изменяется в несколько раз. Подключение к испытательной установке испытуемых тиристоров с различной величиной барьерной емкости и ее изменение во время испытаний приводят к нестабильности заданного значения скорости нарастания переднего фронта импульса напряжения, что снижает точность определения значения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии испытуемого тиристора.
В основу полезной модели поставлена задача - усовершенствовать установку для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров путем введения новых конструктивных элементов, новых связей между конструктивными элементами, нового выполнения конструктивных элементов.
Техническим результатом полезной модели является повышение точности измерений и обеспечение высокой надежности измерительной установки в целом.
Поставленная задача решается тем, что установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров, выполненная с возможностью подключения испытуемого тиристора, включает источник напряжения с накопительным конденсатором, токозадающий элемент, формирующий конденсатор, электронный ключ и регистрирующее устройство, причем вход токозадающего элемента соединен с выходом источника напряжения, параллельно которому подключен накопительный конденсатор, формирующий конденсатор подключен к выходу токозадающего элемента, а регистрирующее устройство выполнено с возможностью подключения параллельно испытуемому тиристору. Согласно предлагаемому техническому решению установка дополнительно содержит от 4-х до 6-ти источников напряжения, от 4-х до 6-ти накопительных конденсаторов, от 4-х до 6-ти токозадающих элементов, от 4-х до 6-ти формирующих конденсаторов, от 4-х до 6-ти электронных ключей, от 5-ти до 7-ми повторителей напряжения, от 5-ти до 7-ми ограничителей тока и схему синхронизации, при этом источники напряжения гальванически развязаны между собой, вход каждого повторителя напряжения подключен к соответствующему формирующему конденсатору, каждый из электронных ключей подсоединен параллельно формирующему конденсатору, выходы повторителей напряжения соединены между собой последовательно через ограничители тока, положительный полюс выхода первого повторителя напряжения выполнен с возможностью подключения к аноду испытуемого тиристора, отрицательный полюс выхода последнего повторителя напряжения выполнен с возможностью соединения через ограничитель тока с катодом испытуемого тиристора, а выходы схемы синхронизации подключены к соответствующим входам управления токозадающих элементов и электронных ключей.
Причинно-следственная связь между совокупностью существенных признаков технического решения и достигаемым техническим результатом заключается в следующем.
Введены новые конструктивные элементы и новые связи между конструктивными элементами, а также осуществлено новое выполнение конструктивных элементов заявляемой установки для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров, а именно то, что она:
дополнительно содержит 4-6 источников напряжения,
дополнительно содержит 4-6 накопительных конденсаторов,
дополнительно содержит 4-6 токозадающих элементов,
дополнительно содержит 4-6 формирующих конденсаторов,
дополнительно содержит 4-6 электронных ключей,
дополнительно содержит 5-7 повторителей напряжения,
дополнительно содержит 5-7 ограничителей тока,
дополнительно содержит схему синхронизации,
источники напряжения гальванически развязаны между собой, вход каждого повторителя напряжения подключен к соответствующему формирующему конденсатору, каждый из электронных ключей подсоединен параллельно формирующему конденсатору, выходы повторителей напряжения соединены между собой последовательно через ограничители тока, положительный полюс выхода первого повторителя напряжения выполнен с возможностью подключения к аноду испытуемого тиристора, отрицательный полюс выхода последнего повторителя напряжения выполнен с возможностью соединения через ограничитель тока с катодом испытуемого тиристора, а выходы схемы синхронизации подключены к соответствующим входам управления токозадающих элементов и электронных ключей, в совокупности с известными признаками технического решения обеспечено формирование импульса напряжения с линейно нарастающим фронтом, крутизна которого не зависит от параметров испытуемого тиристора, что повышает точность измерений и надежность установки в целом.
Это объясняется тем, что после заряда накопительных конденсаторов от источников напряжения, схема синхронизации формирует сигналы управления ключами, которые переводят ключи в состояние низкой проводимости, затем схема синхронизации формирует импульсы управления токозадающими элементами, которые обеспечивают одновременное формирование импульсов тока со стабилизированной амплитудой. При заряде формирующих конденсаторов импульсами тока со стабилизированной амплитудой на них формируются импульсы напряжения с линейно нарастающим передним фронтом. Крутизна переднего фронта каждого импульса напряжения определяется значением амплитуды импульса тока, который формирует токозадающий элемент, и емкостью формирующего конденсатора. Каждый повторитель напряжения, вход которого подключен к формирующему конденсатору, имеет высокое входное и низкое выходное.
Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров содержит 5-7 источников напряжения 1, к каждому из которых подключен накопительный конденсатор 2. К положительным обкладкам накопительных конденсаторов 2 подключены входы токозадающих элементов 3 и положительные клеммы питания повторителей напряжения 4. Выходы токозадающих элементов 3 соединены с положительными обкладками формирующих конденсаторов 5 и со входами повторителей напряжения 4. Параллельно каждому формирующему конденсатору 5 подключен электронный ключ 6. Отрицательные обкладки каждого накопительного конденсатора 2 соединены с отрицательными обкладками формирующих конденсаторов 5 и отрицательными клеммами питания повторителей напряжения 4. Положительный полюс выхода первого повторителя напряжения 4 выполнен с возможностью подключения к аноду испытуемого тиристора, отрицательный полюс выхода первого повторителя напряжения 4 соединен через ограничитель тока 7 с положительным полюсом выхода второго повторителя напряжения 4, отрицательный полюс выхода второго повторителя напряжения 4 соединен через ограничитель тока 7 с положительным полюсом выхода третьего повторителя напряжения 4, и т.д. Другими словам, выходы всех повторителей напряжения 4 соединены через ограничители тока 7 последовательно. Отрицательный полюс выхода последнего повторителя напряжения 4 выполнен с возможностью подключения через ограничитель тока 7 к катоду испытуемого тиристора. Регистрирующее устройство 8 подсоединено к положительному полюсу выхода первого повторителя напряжения 4 и к выходу последнего ограничителя тока 7. Один из выходов схемы синхронизации 9 подключен к управляющим входам токозадающих элементов 3, второй выход схемы синхронизации 9 соединен с управляющими входами электронных ключей 6.
Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров работает следующим образом.
Источники питания 1 обеспечивают заряд накопительных конденсаторов 2 до напряжения около 900 В. В исходном состоянии установки электронные ключи 6 замкнуты и закорачивают формирующие конденсаторы 5. Начало формирования импульса напряжения определяется схемой синхронизации 9, которая подает команду на размыкание электронных ключей 6 и команду на начало формирования импульсов тока токозадающими элементами 3. Токозадающие элементы 3 обеспечивают одновременное формирование импульсов тока со стабилизированной амплитудой, которыми заряжаются формирующие конденсаторы 5. При заряде формирующих конденсаторов 5 импульсами тока со стабилизированной амплитудой на них формируются импульсы напряжения с линейно нарастающим передним фронтом. Крутизна переднего фронта каждого импульса напряжения определяется значением амплитуды импульса тока, который формирует токозадающий элемент 3, и емкостью формирующего конденсатора 5. Изменение крутизны линейного переднего фронта импульса напряжения обеспечивается изменением амплитуды импульса тока. Импульсы напряжения с линейно нарастающим передним фронтом поступают на входы повторителей напряжения 4. Напряжением питания повторителей напряжения 4 служит напряжение на накопительных конденсаторах 2. Каждый повторитель напряжения 4, вход которого подключен к формирующему конденсатору 5, имеет высокое входное и низкое выходное сопротивления, что обеспечивает исключение влияния емкости нагрузки на крутизну переднего фронта импульса напряжения. Выходы повторителей напряжения 4 включены последовательно друг с другом, что обеспечивает суммирование выходных импульсов напряжения, увеличивая амплитуду и скорость нарастания выходного импульса пропорционально количеству соединенных последовательно каскадов. Суммарный импульс напряжения, вследствие одновременного формирования импульсов напряжения на выходах повторителей напряжения 4, также имеет линейно нарастающий передний фронт. Ограничители тока 7, включенные последовательно с выходами каждого повторителя напряжения, обеспечивают ограничение тока через испытуемый тиристор при его переключении в проводящее состояние во время испытаний и предотвращают его выход из строя из-за превышения допустимой коммутационной мощности потерь. По достижении амплитудой импульса заданного значения схема синхронизации 9 формирует команду токозадающему элементу 3 на уменьшение тока формирования до нуля, при этом формируется плоская часть импульса напряжения заданной длительности. Затем схема синхронизации 9 формирует команду на переход электронных ключей 6 в открытое состояние, что приводит к разряду формирующих конденсаторов 5 и окончанию импульса напряжения. При определении значения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии к испытуемому тиристору прикладывается последовательность импульсов напряжения с увеличивающейся от импульса к импульсу крутизной переднего фронта до момента переключения испытуемого тиристора в проводящее состояние. Переключение испытуемого тиристора в проводящее состояние и соответствующее значение крутизны импульса напряжения фиксируются регистрирующим устройством 8.
В устройстве, выбранном в качестве прототипа, при испытании тиристоров крутизна линейно нарастающего переднего фронта импульса напряжения отклоняется от заданного значения. Причиной отклонений является то, что параллельно формирующему конденсатору подключена барьерная емкость p-n-перехода испытуемого тиристора. Величина барьерной емкости p-n-перехода современных мощных тиристоров составляет от 1000 пФ до 10000 пФ, что сопоставимо с величиной емкости формирующего конденсатора. Амплитуду импульса тока токозадающего элемента устанавливают в диапазоне 10-20 А, т.к. увеличение амплитуды тока может приводить к отказу испытуемого тиристора при его переключении в проводящее состояние во время испытаний. Поэтому для обеспечения скорости нарастания напряжения порядка 1000-2000 А/мкс емкость формирующего конденсатора должна составлять примерно 0,01 мкФ. Более того, величина барьерной емкости тиристора зависит от приложенного к нему напряжения и при его увеличении во время испытаний уменьшается в несколько раз. Подключение к испытательной установке испытуемых тиристоров с различной величиной барьерной емкости и ее изменение во время испытаний приводят к нестабильности заданного значения скорости нарастания переднего фронта импульса напряжения, что снижает точность определения значения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии испытуемого тиристора.
В предложенном устройстве к формирующим конденсаторам подключены входы повторителей напряжения, а испытуемый тиристор подключен к последовательно соединенным выходам повторителей напряжения. Каждый повторитель напряжения, вход которого подключен к формирующему конденсатору, имеет высокое входное и низкое выходное сопротивления, что обеспечивает точную передачу формы импульса напряжения на нагрузку и исключает влияния барьерной емкости испытуемого тиристора на крутизну переднего фронта импульса напряжения.
В устройстве, выбранном в качестве прототипа, токозадающий элемент, обеспечивающий линейность переднего фронта импульса напряжения при токе формирования 10-20 А и напряжении около 4 кВ, реализован на базе мощной электронной лампы. Долговечность электронных ламп невысока, например, у модуляторного тетрода ГМИ-83, в соответствии с техническими условиями, она составляет 150 часов, вследствие чего устройство, выбранное в качестве прототипа, имеет низкую надежность.
В предложенном устройстве одновременное формирование 5-7 импульсов напряжения и последовательное включение выходов повторителей напряжения обеспечивает суммирование импульсов напряжения как по скорости нарастания, так и по амплитуде, что позволяет формировать импульсы с амплитудой 4 - 4,5 кВ и скоростью нарастания 2000-3200 В/мкс с помощью элементов с рабочим напряжением 800-1000 В. Поэтому токозадающие элементы и повторители напряжения могут быть выполнены на мощных полевых транзисторах, например, на транзисторах IXYS IXTN30N100L с максимально допустимым напряжением сток-исток 1000 В и максимальным током стока 30 А, имеющим долговечность 40 - 60 тысяч часов. Кроме того, гальваническая развязка источников напряжения между собой не приводит к перегрузке транзисторов токозадающих элементов и повторителей напряжения по напряжению вследствие его перераспределения при пробое одного из транзисторов. Следовательно, даже при пробое одного из транзисторов, установка сохраняет работоспособность при уменьшенном на 1/5-1/7 выходном напряжении.
Как видно из вышеизложенного, в заявляемой установке для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров реализуется высокая точность измерений за счет формирования импульса напряжения с линейным передним фронтом, крутизна которого задается с высокой точностью и не зависит от параметров испытуемых тиристоров, а также обеспечивается высокая надежность испытательной установки.
Заявляемая установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров может быть реализована на известном оборудовании с помощью известных материалов и средств.
Claims (1)
- Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров, выполненная с возможностью подключения испытуемого полупроводникового прибора, включающая источник напряжения с накопительным конденсатором, токозадающий элемент, формирующий конденсатор, электронный ключ и регистрирующее устройство, причем вход токозадающего элемента соединен с выходом источника напряжения, параллельно которому подключен накопительный конденсатор, формирующий конденсатор подключен к выходу токозадающего элемента, а регистрирующее устройство выполнено с возможностью подключения параллельно испытуемому тиристору, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит от 4-х до 6-ти источников напряжения, от 4-х до 6-ти накопительных конденсаторов, от 4-х до 6-ти токозадающих элементов, от 4-х до 6-ти формирующих конденсаторов, от 4-х до 6-ти электронных ключей, от 5-ти до 7-ми повторителей напряжения, от 5-ти до 7-ми ограничителей тока и схему синхронизации, при этом Источники напряжения гальванически развязаны между собой, вход каждого повторителя напряжения подключен к соответствующему формирующему конденсатору, каждый из электронных ключей подсоединен параллельно формирующему конденсатору, выходы повторителей напряжения соединены между собой последовательно через ограничители тока, положительный полюс выхода первого повторителя напряжения выполнен с возможностью подключения к аноду испытуемого тиристора, отрицательный полюс выхода последнего повторителя напряжения выполнен с возможностью подключения к катоду испытуемого тиристора через ограничитель тока, а выходы схемы синхронизации подключены к соответствующим входам управления токозадающих элементов и электронных ключей.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018120561U RU185574U1 (ru) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018120561U RU185574U1 (ru) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU185574U1 true RU185574U1 (ru) | 2018-12-11 |
Family
ID=64754286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018120561U RU185574U1 (ru) | 2018-06-04 | 2018-06-04 | Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU185574U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU191052U1 (ru) * | 2019-04-16 | 2019-07-22 | Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" | Установка для определения времени выключения тиристоров |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1118941A2 (ru) * | 1982-09-30 | 1984-10-15 | Саранский Ордена Трудового Красного Знамени Завод "Электровыпрямитель" | Устройство дл измерени максимально допустимой скорости нарастани пр мого напр жени тиристоров |
| SU1257585A1 (ru) * | 1984-03-20 | 1986-09-15 | Научно-Исследовательский Институт Производственного Объединения "Таллинский Электротехнический Завод Им.М.И.Калинина" | Устройство дл контрол критической скорости нарастани напр жени тиристоров в закрытом состо нии |
| WO1998015010A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-09 | Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg | Thyristor mit durchbruchbereich |
| RU2297075C1 (ru) * | 2005-10-27 | 2007-04-10 | Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" | Полупроводниковый прибор с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств |
-
2018
- 2018-06-04 RU RU2018120561U patent/RU185574U1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1118941A2 (ru) * | 1982-09-30 | 1984-10-15 | Саранский Ордена Трудового Красного Знамени Завод "Электровыпрямитель" | Устройство дл измерени максимально допустимой скорости нарастани пр мого напр жени тиристоров |
| SU1257585A1 (ru) * | 1984-03-20 | 1986-09-15 | Научно-Исследовательский Институт Производственного Объединения "Таллинский Электротехнический Завод Им.М.И.Калинина" | Устройство дл контрол критической скорости нарастани напр жени тиристоров в закрытом состо нии |
| WO1998015010A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-09 | Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg | Thyristor mit durchbruchbereich |
| RU2297075C1 (ru) * | 2005-10-27 | 2007-04-10 | Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" | Полупроводниковый прибор с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ГОСТ 19138.6-86 "Тиристоры. Методы измерения электрических параметров", 1987. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU191052U1 (ru) * | 2019-04-16 | 2019-07-22 | Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" | Установка для определения времени выключения тиристоров |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Xue et al. | Active current balancing for parallel-connected silicon carbide MOSFETs | |
| CN104422849A (zh) | 一种短路模拟试验电路及其试验方法 | |
| CN108471254B (zh) | 一种模拟饱和电抗器绝缘电气应力的模块化固态微秒脉冲发生器 | |
| CN109104090A (zh) | 反激式转换器的操作方法、反激式转换器及其次级侧控制器 | |
| KR101899031B1 (ko) | 테스트 장치 | |
| US20110090724A1 (en) | power converter | |
| RU185574U1 (ru) | Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров | |
| Li et al. | Modelling GaN-HEMT dynamic on-state resistance in high frequency power converter | |
| Kampitsis et al. | A clamping-circuit-based voltage measurement system for high-frequency flying capacitor multilevel inverters | |
| CN108712162B (zh) | 一种雪崩晶体管串并联高压快沿开关电路 | |
| CN109239570A (zh) | 一种二极管正向电流浪涌实验电路 | |
| Almanza et al. | Adaptation of a solid-state Marx modulator for electroactive polymer | |
| CN109752638B (zh) | 一种连续测量igbt芯片输出曲线的装置及方法 | |
| CN110244218B (zh) | 一种用于混合式高压直流断路器的试验装置 | |
| CN110244217B (zh) | 一种用于混合式高压直流断路器的试验方法 | |
| CN105203938A (zh) | 一种大功率晶闸管正向恢复特性检测装置及其检测方法 | |
| US20190196527A1 (en) | Maximum power point tracking circuit | |
| US3942103A (en) | Arrangement for the testing of high voltage direct current switches | |
| CN115877149A (zh) | 一种倍压式脉冲耐压发生器 | |
| RU2647700C1 (ru) | Генератор импульсов переменной амплитуды | |
| CN111381143B (zh) | 一种rbdt动态特性测试装置及测试方法 | |
| CN112397016B (zh) | 一种线电压补偿电路及其补偿方法 | |
| RU110884U1 (ru) | Генератор импульсов | |
| Yao et al. | High step-up tapped inductor SEPIC converter with charge pump cell | |
| CN107248821B (zh) | 一种非线性负载模拟装置 |