RU1815757C - Устройство дл управлени силовым транзистором - Google Patents
Устройство дл управлени силовым транзисторомInfo
- Publication number
- RU1815757C RU1815757C SU4834672A RU1815757C RU 1815757 C RU1815757 C RU 1815757C SU 4834672 A SU4834672 A SU 4834672A RU 1815757 C RU1815757 C RU 1815757C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- gate
- emitter
- resistors
- power
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Повышение КПД достигаетс тем, что коллектор отпирающего и эмиттер запирающего транзисторов подключены к положительному полюсу источника питани через коллекторно-эмиттерный переход вспомогательного транзистора и последовательно соединенные первый и второй резисторы соответственно, базы запирающего и вспомогательного транзисторов подключены к эмиттеру отпирающего транзистора через третий и четвертый резисторы соответственно , а точнее соединени первого и второго резисторов предназначены дл подключени к базе силового транзистора. 2 ил.
Description
Изобретение относитс к преобразовательной технике и может быть использовано дл управлени транзисторными ключами автономных инверторов и регул торов посто нного напр жени .
Целью изобретени вл етс повышение КПД.
Устройство включает в себ источник питани Е, отпирающий транзистор 1, запирающий транзистор 2, вспомогательный транзистор 3, резисторы 4,5,6,7. Коллектор отпирающего транзистора 1 и эмиттер запирающего транзистора 2 подключены к положительному полюсу источника питани Е непосредственно. Коллектор запирающего транзистора 2 и эмиттер отпирающего транзистора 1 подключены к отрицательному полюсу этого источника питани через коллекторно-эмиттерный переход вспомогательного транзистора 3 и последовательно соединенные резисторы 4,5 соответственно.
базы запирающего 2 и вспомогательного транзистора 3 подключены к эмиттеру отпирающего транзистора 1 через резисторы 6 и 7 соответственно. Точка соединени резистора 4 и резистора 5 подключена к базе силового транзистора 8.
Работает предлагаемое устройство следующим образом.
В исходном состо нии до подачи импульса управлени транзистор 1 находитс в запертом состо нии, а транзистор 2 - в открытом, транзистор 3 находитс в режиме отсечки. Допустим в момент ti подаетс импульс управлени на базу транзистора 1 (Uy), вследствие чего транзистор 1 отпираетс и переходит в режим насыщени . Одновременно запираетс транзистор 2 (см. U4 на фиг.2), а транзистор 3 полностью открываетс , вследствие чего формируетс отпирающий сигнал на участке база-эмиттер силового транзистора 8 (см. Кз фиг. 2). В
00
ел
Ч СЛ М
интервале времени tt 12 на базу-эмиттер силового транзистора 8 действует отпирающий сигнал, уровень которого можно ориентировочно оценить следующим выражением:
Убэ - E/(R4 + Rs) R4 - икэз, где R4, RS - соответственно величине сопротивлений резисторов 4 и 5, а Указ - падение напр жени на участке коллектор-эмиттер транзистора 3.
В момент ta происходит смена пол рности входных, управл ющих импульсов, в результате чего закрываетс транзистор 1 (практически мгновенно) и базовый ток силового транзистора 8 уменьшаетс до нул . Одновременно отпираетс транзистор 2, а транзистор 3 переходит в режим отсечки, так как потенциал базы резко снижаетс практически до нул , т.е. ток через транзистор 3 резко снижаетс и сопротивление коллектор-эмиттер увеличиваетс . При этом создаетс контур дл активного запирани силового транзистора 8. Положительный полюс источника: участок коллектор-эмиттер транзистора 3, участок эмиттер - база транзистора 8, резистор 5 и отрицательный полюс источника, что приводит к быстрому запиранию и восстановлению силового транзистора 8. В момент t3 подаетс очередной импульс управлени и процессы в схеме повтор ютс .
. Величины резисторов 6, 4 и 5 выбирают таким образом, чтобы протекающий по ним ток обеспечил полное отпирание транзистора 2 при закрытом транзисторе 1. С другой стороны резисторы 4 и 5 должны ограничивать максимально допустимый ток транзистора 1.
Транзисторы 1 и 3 выбирают таким образом , чтобы их допустимый эмиттерный . ток был соизмерим с базовым током силового транзистора 8.
Выбор транзистора 2 зависит от параметров силового транзистора 8, он должен обеспечить требуемую величину инверсного базового тока силового транзистора 8 дл быстрого его запирани . Мощность транзистора 2 может быть несколько ниже мощно сти транзисторов 1 и 3. т.е. услови дл выбора сопротивлений 4 и 7 неодинаковы. Резистор 4 в основном ограничивает эмиттерный ток транзистора 1 и базовый ток силового транзистора 8. Резистор 7 выбираетс из услови выбора соответствующего режима транзистора 3. Дл конкретности отметим, что величины сопротивлений резисторов 5, 6, 7 больше, чем сопротивление резистора 4, Величина сопротивлени резистора 6 больше, чем сопротивление резисторов 5 и 7.
После активного запирани силового
транзистора 8 практически отсутствует цепь потреблени электроэнергии, так как цепь через транзисторы 3 и 8 практически невозможна , транзистор 8 заперт, а цепь через транзисторы 2 и 3 потребл ет незначительную энергию, так как транзистор 3 практически заперт, это в целом приводит к уменьшению потери мощности и увеличению КПД схемы.
Claims (1)
- Формула изобретениУстройство дл управлени силовым транзистором, содержащее источник питани , отпирающий, запирающий, вспомогательный транзисторы и четыре резистора,отличающеес тем, что, с целью повышени КПД, коллектор отпирающего и эмиттер запирающего транзисторов подключены к положительному полюсу источника питани непосредственно, коллекторзапирающего и эмиттер отпирающего транзисторов подключены к отрицательному полюсу источника питани через коллекторно-эмиттерный переход вспомогательного транзистора и последовательносоединенные первый и второй резисторы соответственно, базы запирающего и вспомогательного транзисторов подключены к эмиттеру отпирающего транзистора через третий и четвертый резисторы соответственно , а точка соединени первого и второго резисторов предназначены дл подключени к базе силового транзистора.+ Ј1Я1Г.7Я7-К(pual
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4834672 RU1815757C (ru) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | Устройство дл управлени силовым транзистором |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4834672 RU1815757C (ru) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | Устройство дл управлени силовым транзистором |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1815757C true RU1815757C (ru) | 1993-05-15 |
Family
ID=21518393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4834672 RU1815757C (ru) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | Устройство дл управлени силовым транзистором |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1815757C (ru) |
-
1990
- 1990-06-04 RU SU4834672 patent/RU1815757C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N5987873, клг Н 03 К 17/00, 1981. Авторское свидетельство СССР №970588, кл. Н 02 М 1/08, 1981. Авторское свидетельство СССР № 1729789, кл. Н 02 М 7/537, 1978. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4024457A (en) | Hard-firing zero-crossing trigger control circuit | |
RU1815757C (ru) | Устройство дл управлени силовым транзистором | |
JPS6327598B2 (ru) | ||
US5424666A (en) | Control circuit for slowly turning off a power transistor | |
US4739190A (en) | Monolithically integratable high efficiency switching circuit | |
US3530368A (en) | Stabilisers | |
RU2216765C2 (ru) | Импульсный стабилизатор напряжения | |
KR910001076Y1 (ko) | 팝잡음이 제거되는 직류앰프회로 | |
RU2121190C1 (ru) | Устройство для управления электромагнитным реле | |
SU1483570A2 (ru) | Транзисторный преобразователь посто нного напр жени | |
SU748812A1 (ru) | Триггер с эмиттерной св зью на транзисторах разного типа проводимости | |
SU1661935A1 (ru) | Транзисторный ключ без дополнительного запирающего источника напр жени | |
SU1185590A1 (ru) | Пороговое устройство | |
SU1748225A2 (ru) | Импульсный усилитель мощности | |
SU1018225A1 (ru) | Широтно-импульсный модул тор | |
SU1188873A1 (ru) | Способ управлени силовым транзисторным ключом | |
SU1636974A1 (ru) | Двухтактный преобразователь посто нного напр жени | |
SU1667225A1 (ru) | Триггер Шмитта | |
SU1660168A1 (ru) | Устройство реверсировани тока | |
JPH073828Y2 (ja) | オンゲ−ト回路 | |
RU2013860C1 (ru) | Магнитно-транзисторный ключ | |
SU1757096A1 (ru) | Магнитно-транзисторный ключ | |
JPS5833793B2 (ja) | トランジスタインバ−タのトランジスタ駆動装置 | |
SU1580525A1 (ru) | Двухтактный трансформаторный усилитель мощности | |
SU1644372A1 (ru) | Транзисторный ключ |