RU180943U1 - Интегральный датчик перегрева ключа - Google Patents

Интегральный датчик перегрева ключа Download PDF

Info

Publication number
RU180943U1
RU180943U1 RU2017132135U RU2017132135U RU180943U1 RU 180943 U1 RU180943 U1 RU 180943U1 RU 2017132135 U RU2017132135 U RU 2017132135U RU 2017132135 U RU2017132135 U RU 2017132135U RU 180943 U1 RU180943 U1 RU 180943U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mos transistor
key
sensor
temperature
overheating
Prior art date
Application number
RU2017132135U
Other languages
English (en)
Inventor
Андрей Михайлович Цырлов
Михаил Александрович Черкасов
Original Assignee
Акционерное общество "Протон" (АО "Протон")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Протон" (АО "Протон") filed Critical Акционерное общество "Протон" (АО "Протон")
Priority to RU2017132135U priority Critical patent/RU180943U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU180943U1 publication Critical patent/RU180943U1/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к коммутационной технике и может быть использована в качестве встроенного устройства контроля управления силовым ключевым устройством. Технический результат заключается в точном контроле перегрева тепловыделяющего кристалла ключевого МОП транзистора, расположенного на одном кристалле с сенсором.Для достижения данного технического результата встроенный температурный датчик, формирователь опорного напряжения, аналоговый компаратор сигналов и схема управления затвором МОП транзистора выполнены в едином КМОП базисе и располагаются на одном кристалле с ключевым МОП транзистором, при этом настройка и регулировка температуры перегрева устанавливаются посредством дополнительного вывода.

Description

Интегральный датчик перегрева ключа относится к коммутационной технике и может быть использован в качестве встроенного устройства контроля управления силовым ключевым устройством.
Известно устройство индикатора перегрева теплоотвода (Бутов А. Индикатор перегрева теплоотвода// Радио. - 2002. - №5 - С. 53), использующего транзистор в качестве датчика температуры.
Недостатками данного устройства являются отсутствие функций управления и дискретные конструктивные элементы, не позволяющие интегрировать датчик температуры в схему управления и силовой коммутатор.
В качестве прототипа выбрана микросхема ADT6501 (Low Cost, 2.7 V to 5.5 V, Micropower Temperature Switches in SOT-2. URL: http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD56502_6503_6504.pdf), содержащая встроенный температурный сенсор, формирователь опорного напряжения для установки напряжения переключения, характеризующие температуру, и аналоговый компаратор сигналов.
Основным недостатком прототипа является дискретное исполнение, которое позволяет точно контролировать температуру собственного кристалла микросхемы, контроль температуры кристалла рядом расположенной тепловыделяющей микросхемы осуществляется с погрешностью.
Полезная модель направлена на получение технического результата - точный контроль перегрева тепловыделяющего кристалла ключевого МОП транзистора, расположенного на одном кристалле с сенсором.
Поставленная цель достигается тем, что встроенный температурный сенсор, формирователь опорного напряжения, аналоговый компаратор сигналов и схема управления затвором МОП транзистора выполнены в едином КМОП базисе и располагаются на одном кристалле с ключевым МОП транзистором, при этом настройка и регулировка температуры перегрева устанавливаются посредством дополнительного вывода.
На фиг. 1 представлена структурная схема кристалла силового ключа с интегральным датчиком перегрева.
Кристалл имеет следующие выводы (контактные площадки): 1 - питание; 2 - вход управления; 3 - общий; 4 - вход установки и регулировки температуры перегрева; 5, 6 - выходы ключа.Интегральный датчик перегрева в составе силового ключа функционирует следующим образом.
Сигнал управления с входа управления 2 поступает на схему управления 7, которая открывает ключевой МОП транзистор 13. Протекание тока через выводы 5 и 6 МОП транзистора 13 приводит к разогреву кристалла в целом и встроенного в кристалл МОП транзистора в диодном включении 12, который играет роль температурного сенсора, в частности.
Разогрев МОП транзистора 12 приводит к увеличению его сопротивления и увеличению потенциала на делителе напряжения, построенного на резисторе 11 и МОП транзисторе 12. Потенциал на втором делителе из резисторов 9 и 10 с ростом температуры не изменяется.
Аналоговый компаратор 8 сравнивает потенциалы с обоих делителей, и при превышении напряжением на МОП транзисторе 12 порогового значения, выдает соответствующий сигнал на схему управления 7, которая закрывает ключевой МОП транзистор 13.
Вывод 4 кристалла предназначен для установки и регулирования температуры перегрева и выключения силового ключа.
Технический результат достигается за счет совпадения температур силового ключа и температурного сенсора, интегрированных в единый кристалл, реализованный в КМОП технологии.

Claims (1)

  1. Интегральный датчик перегрева ключа, характеризующийся тем, что встроенный температурный сенсор, формирователь опорного напряжения, аналоговый компаратор сигналов и схема управления затвором МОП транзистора выполнены в едином КМОП базисе и располагаются на одном кристалле с ключевым МОП транзистором, при этом настройка и регулировка температуры перегрева устанавливаются посредством дополнительного вывода.
RU2017132135U 2017-09-13 2017-09-13 Интегральный датчик перегрева ключа RU180943U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017132135U RU180943U1 (ru) 2017-09-13 2017-09-13 Интегральный датчик перегрева ключа

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017132135U RU180943U1 (ru) 2017-09-13 2017-09-13 Интегральный датчик перегрева ключа

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU180943U1 true RU180943U1 (ru) 2018-07-02

Family

ID=62813374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017132135U RU180943U1 (ru) 2017-09-13 2017-09-13 Интегральный датчик перегрева ключа

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU180943U1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6489831B1 (en) * 1999-08-31 2002-12-03 Stmicroelectronics S.R.L. CMOS temperature sensor
RU2244936C2 (ru) * 1999-11-30 2005-01-20 Некрасов Яков Анатольевич Устройство стабилизации температуры микромеханического чувствительного элемента
US7611279B2 (en) * 2006-08-18 2009-11-03 Stmicroelectronics Maroc Temperature sensor providing a temperature signal in digital form
US20120181651A1 (en) * 2011-01-14 2012-07-19 North China University Of Technology Temperature Sensor Based on Magnetic Tunneling Junction Device
RU2466496C1 (ru) * 2011-10-18 2012-11-10 Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") Микросхема с микроэлектромеханической защитой от электрических и/или тепловых перегрузок

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6489831B1 (en) * 1999-08-31 2002-12-03 Stmicroelectronics S.R.L. CMOS temperature sensor
RU2244936C2 (ru) * 1999-11-30 2005-01-20 Некрасов Яков Анатольевич Устройство стабилизации температуры микромеханического чувствительного элемента
US7611279B2 (en) * 2006-08-18 2009-11-03 Stmicroelectronics Maroc Temperature sensor providing a temperature signal in digital form
US20120181651A1 (en) * 2011-01-14 2012-07-19 North China University Of Technology Temperature Sensor Based on Magnetic Tunneling Junction Device
RU2466496C1 (ru) * 2011-10-18 2012-11-10 Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") Микросхема с микроэлектромеханической защитой от электрических и/или тепловых перегрузок

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8097835B2 (en) Temperature control circuit
US8253078B2 (en) Temperature control circuit
JP2019515641A5 (ru)
JP2013527930A5 (ru)
US7145108B2 (en) Configurable heating pad controller
CN103036203A (zh) 保护电路
US20130249291A1 (en) Power supply circuit
US10447258B2 (en) Circuit and system for driving switching modules
RU180943U1 (ru) Интегральный датчик перегрева ключа
CN104158150B (zh) 一种电子***的过热保护电路和电子***
JP7292286B2 (ja) 温度過昇保護回路
JP2015170918A5 (ru)
CN104539275A (zh) 一种igbt驱动短路保护阈值设置方法
CN104980136B (zh) 开关器件
TW201537337A (zh) 控制裝置及控制方法
US9513653B2 (en) Method and apparatus for control of a switched current circuit
CN110645601A (zh) 燃气灶的按键检测装置和燃气灶
JP2020505901A5 (ru)
JP2011258827A5 (ru)
CN109493822B (zh) 显示器上电控制电路
JP2015032451A5 (ru)
RU2011122938A (ru) Устройство автоматического управления для электронагревательного прибора
CN201182011Y (zh) 过塑机加热器温控电路
CN207490892U (zh) 一种半导体温控开关电路
ES2915526T3 (es) Control de un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20180914

NF9K Utility model reinstated

Effective date: 20200427