RU1807101C - Способ выращивани монокристаллов магнитных сплавов - Google Patents
Способ выращивани монокристаллов магнитных сплавовInfo
- Publication number
- RU1807101C RU1807101C SU4858172A RU1807101C RU 1807101 C RU1807101 C RU 1807101C SU 4858172 A SU4858172 A SU 4858172A RU 1807101 C RU1807101 C RU 1807101C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- refractory
- crystallization
- melt
- crystals
- frequency
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Использование: литейное производство магнитных сплавов. Сущность изобретени : кристаллы выращивают в затравку в огнеупорной форме при наличии градиента температуры в расплаве перед фронтом кристаллизации G 1-10 град/мм и при скорости кристаллизации - 100 /G мм/ мин. 2 табл.
Description
Изобретение относитс к литейному производству, преимущественно к технологии получени отливок из магнитных сплавов с монокристаллической структурой.
Цель изобретени - увеличение производительности способа, выхода годных монокристаллов и кратности использовани огнеупорных форм.
Поставленна цель достигаетс тем, что в известном способе получени отливок с монокристаллической структурой из магнитных сплавов, включающем выращивание монокристалла направленным затвердеванием на затравку, создают в тепловом узле температурное поле такое, что в расплаве температурный градиент перед фронтом кристаллизации составл ет 1,0-10,0 град/мм при скорости выращивани , определ емой из формулы V 1-100/G мм/мин, где G - температурный градиент в
жидкости перед фронтом кристаллизации, град/мм.
При создании невысоких и умеренных температурных градиентов (1,0-10,0 град/мм) можно значительно увеличивать скорости выращивани до значений, которые определ ютс из предложенной форму- лы. Это св зано с тем, что перегрев расплава незначительный, и тепло перегрева успевает уйти через боковую поверхность формы и затвердевшую часть кристалла. Скорость перемещени фронта кристаллизации мало отличаетс от скорости подъема нагревател . Поэтому зарождени новых кристаллов на боковой поверхности формы не происходит.
Пример. Выплавл ют сплавы ЮНДК24. ИНДК35Т5, ЮНДК40Т8 по ГОСТ 17809/79.
Получают исходные поликристаллические заготовки диаметром 24 мм. Заготовки
00
о VI
защищают и помещают в керамические формы из окиси алюмини , собранные формы устанавливают в тепловой узел многопозиционной установки Кристаллизатор -203. В расплаве перед фронтов кристаллизации создают температурный градиент равный 5 град/мм, скорость выращивани 10 мм/мин. После выращивани заготовку охлаждают до комнатной температуры, От верха заготовки отрезают образец высотой 20 мм и контролируют макроструктуру. В результате получают дендритную монокристаллическую заготовку.
Другие услови изготовлени и качество полученных отливок указано в табл.1 и 2.
В табл.2 приведена зависимость качества кристаллов от скорости выращивани дл различных составов магнитных сплавов. .
Использование предлагаемого способа получени монокристаллов обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества:
0
5
0
а) увеличить производительное получени монокристчллических загоовок в 2-3 раза;
б) улучшить качество монокристаллических заготовок за счет уменьшени паразитных кристаллов;
Claims (1)
- в) увеличить кратность использовани огнеупорных форм не менее чем в 10 раз. Формула изобретени Способ выращивани монокристаллов магнитных сплавов путем направленной кристаллизации расплава на затравку в огнеупорной форме при наличии градиента температуры, отличающийс тем, что, с целью увеличени производительности способа, выхода годных монокристаллов и кратности использовани огнеупорных форм, градиент температуры создают величиной G 1,0-10,0 град/мм в расплаве перед фронтом кристаллизации и кристаллизацию ведут со скоростью V 1- 100/G мм/мин.Таблица 1Зависимость качества кристаллов и производительности технологического процесса и кратности использовани огнеупорных форм от условий изготовлени (выращивание на установке Кристалл ЕМ, диаметр кристалла 24 мм)Таблица 2Зависимость Качества кристаллов от скорости выращивани дл различных составов магнитных сплавовПродолжение габл.1.Продолжение табл.2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4858172 RU1807101C (ru) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Способ выращивани монокристаллов магнитных сплавов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4858172 RU1807101C (ru) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Способ выращивани монокристаллов магнитных сплавов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1807101C true RU1807101C (ru) | 1993-04-07 |
Family
ID=21531539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4858172 RU1807101C (ru) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Способ выращивани монокристаллов магнитных сплавов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1807101C (ru) |
-
1990
- 1990-08-08 RU SU4858172 patent/RU1807101C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Ларичкина Р.Я. и др. Вли ние металлургических факторов и условий термомагнитной обработки на магнитные свойств.а монокристальных магнитов. Электротехнические материалы, 1973, вып.5 (34), с.17- 20. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3536121A (en) | Process for producing single crystal metallic alloy objects | |
GB1369270A (en) | Casting of directionally solidified articles | |
US6343641B1 (en) | Controlling casting grain spacing | |
US4609029A (en) | Method of reducing casting time | |
JPS6046993A (ja) | 単結晶引上装置 | |
RU1807101C (ru) | Способ выращивани монокристаллов магнитных сплавов | |
EP0059549B1 (en) | Method of casting an article | |
US4561930A (en) | Process for the production of coarsely crystalline silicon | |
US3261722A (en) | Process for preparing semiconductor ingots within a depression | |
JP3152971B2 (ja) | 高純度銅単結晶鋳塊の製造方法 | |
EP0059550B1 (en) | Method of casting | |
CN1209505C (zh) | 一种金属单晶横向晶体取向的控制方法 | |
RU2010672C1 (ru) | Способ получения монокристаллических отливок | |
RU2185929C2 (ru) | Способ получения отливок с монокристаллической структурой и изделие, полученное этим способом | |
RU2127774C1 (ru) | Способ получения высококачественных монокристаллических заготовок | |
US5785753A (en) | Single crystal manufacturing method | |
SU1700111A1 (ru) | Способ изготовлени монокристаллических посто нных магнитов | |
JP2814796B2 (ja) | 単結晶の製造方法及びその装置 | |
RU1445270C (ru) | Способ выращивани кристаллов корунда | |
RU2662004C1 (ru) | Способ выплавки с направленной кристаллизацией магнитного сплава системы Fe-Al-Ni-Co | |
JP4141467B2 (ja) | 球状シリコン単結晶の製造方法及び装置 | |
KR960005522B1 (ko) | 단결정 제조방법 | |
RU1299016C (ru) | Устройство дл получени монокристаллических отливок из жаропрочных сплавов | |
RU1175186C (ru) | Способ получения кристаллов со структурой берилла | |
RU2084561C1 (ru) | Способ получения ориентированных монокристаллических заготовок из сплавов с перитектическим превращением |