RU1807101C - Способ выращивани монокристаллов магнитных сплавов - Google Patents

Abstract

Использование: литейное производство магнитных сплавов. Сущность изобретени : кристаллы выращивают в затравку в огнеупорной форме при наличии градиента температуры в расплаве перед фронтом кристаллизации G 1-10 град/мм и при скорости кристаллизации - 100 /G мм/ мин. 2 табл.

Description

Изобретение относитс  к литейному производству, преимущественно к технологии получени  отливок из магнитных сплавов с монокристаллической структурой.

Цель изобретени  - увеличение производительности способа, выхода годных монокристаллов и кратности использовани  огнеупорных форм.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в известном способе получени  отливок с монокристаллической структурой из магнитных сплавов, включающем выращивание монокристалла направленным затвердеванием на затравку, создают в тепловом узле температурное поле такое, что в расплаве температурный градиент перед фронтом кристаллизации составл ет 1,0-10,0 град/мм при скорости выращивани , определ емой из формулы V 1-100/G мм/мин, где G - температурный градиент в

жидкости перед фронтом кристаллизации, град/мм.

При создании невысоких и умеренных температурных градиентов (1,0-10,0 град/мм) можно значительно увеличивать скорости выращивани  до значений, которые определ ютс  из предложенной форму- лы. Это св зано с тем, что перегрев расплава незначительный, и тепло перегрева успевает уйти через боковую поверхность формы и затвердевшую часть кристалла. Скорость перемещени  фронта кристаллизации мало отличаетс  от скорости подъема нагревател . Поэтому зарождени  новых кристаллов на боковой поверхности формы не происходит.

Пример. Выплавл ют сплавы ЮНДК24. ИНДК35Т5, ЮНДК40Т8 по ГОСТ 17809/79.

Получают исходные поликристаллические заготовки диаметром 24 мм. Заготовки

00

о VI

защищают и помещают в керамические формы из окиси алюмини , собранные формы устанавливают в тепловой узел многопозиционной установки Кристаллизатор -203. В расплаве перед фронтов кристаллизации создают температурный градиент равный 5 град/мм, скорость выращивани  10 мм/мин. После выращивани  заготовку охлаждают до комнатной температуры, От верха заготовки отрезают образец высотой 20 мм и контролируют макроструктуру. В результате получают дендритную монокристаллическую заготовку.

Другие услови  изготовлени  и качество полученных отливок указано в табл.1 и 2.

В табл.2 приведена зависимость качества кристаллов от скорости выращивани  дл  различных составов магнитных сплавов. .

Использование предлагаемого способа получени  монокристаллов обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества:

0

5

0

а) увеличить производительное получени  монокристчллических загоовок в 2-3 раза;

б) улучшить качество монокристаллических заготовок за счет уменьшени  паразитных кристаллов;

Claims (1)

1. в) увеличить кратность использовани  огнеупорных форм не менее чем в 10 раз. Формула изобретени  Способ выращивани  монокристаллов магнитных сплавов путем направленной кристаллизации расплава на затравку в огнеупорной форме при наличии градиента температуры, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  производительности способа, выхода годных монокристаллов и кратности использовани  огнеупорных форм, градиент температуры создают величиной G 1,0-10,0 град/мм в расплаве перед фронтом кристаллизации и кристаллизацию ведут со скоростью V 1- 100/G мм/мин.

   Таблица 1

   Зависимость качества кристаллов и производительности технологического процесса и кратности использовани  огнеупорных форм от условий изготовлени  (выращивание на установке Кристалл ЕМ, диаметр кристалла 24 мм)

   Таблица 2

   Зависимость Качества кристаллов от скорости выращивани  дл  различных составов магнитных сплавов

   Продолжение габл.1.

   Продолжение табл.2.