RU162094U1 - Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля - Google Patents
Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля Download PDFInfo
- Publication number
- RU162094U1 RU162094U1 RU2015154712/28U RU2015154712U RU162094U1 RU 162094 U1 RU162094 U1 RU 162094U1 RU 2015154712/28 U RU2015154712/28 U RU 2015154712/28U RU 2015154712 U RU2015154712 U RU 2015154712U RU 162094 U1 RU162094 U1 RU 162094U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- base
- layer
- gold
- thickness
- cover
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля, содержащий основание с углублением, крышку, прокладку, размещенную между основанием и крышкой, и выводную рамку, внутренняя стенка углубления основания выполнена с горизонтальной ступенькой с образованием нижней полости меньшего размера для размещения кристаллов и верхней полости, в двух боковых противоположных стенках углубления основания сформированы выводы к контактным площадкам выводной рамки на наружной поверхности основания, на внутреннее дно основания, верхнюю поверхность основания и горизонтальную ступеньку внутренней части основания нанесено двухслойное покрытие, состоящее из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, по периметру крышки нанесено двухслойное покрытие в виде рамки, состоящее из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, прокладка выполнена из сплава, содержащего 80% золота и 20% олова, выводная рамка выполнена из сплава меди и серебра, с содержанием меди не менее 99%, с нанесением слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, крышка и основание выполнены из немагнитной алюмооксидной керамики с содержанием АlОне менее 92%.
Description
Полезная модель относится к области производства микроэлектронных изделий и может быть использована в конструкциях датчиков и преобразователей магнитного поля.
Известен корпус-экран магнитного поля для микросхемы по патенту на изобретение РФ №2425435 (МПК H01L 39/24, опубл. 27.07.2011 г.), содержащий экранирующее пленочное покрытие, нанесенное на поверхность крышки и основания корпуса, причем покрытие выполнено из высокотемпературного сверхпроводникового материала, содержит окна в местах выхода выводов корпуса, а контакт между основанием и крышкой корпуса является сверхпроводящим с характеристиками сплошного высокотемпературного сверхпроводникового покрытия.
Известен корпус для интегральной микросхемы по патенту на изобретение РФ №2083026 (МПК H01L 23/043, опубл. 27.06.1997 г.), содержащий металлическое основание с монтажной площадкой и закрепленной на основании металлической несущей рамкой, закрытой пластмассовой крышкой, восемь выводов, причем монтажная площадка углублена в основание, выводы расположены в плоскости и в габаритах основания и соединены обратной стороной с несущей рамкой, которая имеет габариты основания и углубление, в котором закреплена пластмассовая крышка.
Известен металлокерамический корпус для установки кристаллов микросхем, описанный в патенте на полезную модель РФ №129297 (МПК H01L 23/045, опубл. 20.06.2013 г.), содержащий основание из керамического материала, коваровые рамку и крышку, контактные площадки, выведенные на боковые и нижнюю поверхности основания, проводники, соединяющие внутренние контактные площадки с внешними, причем основания корпусов изготовлены по технологии с низкой температурой обжига, проводники продублированы проводящими столбиками в слоях керамики.
Указанное устройство является наиболее близким к заявляемой полезной модели. С существенными признаками заявляемого изобретения совпадают следующие признаки: наличие основания с углублением, крышки, прокладки, размещенной между основанием и крышкой, внутренняя стенка углубления основания выполнена с горизонтальной ступенькой с образованием нижней полости меньшего размера для размещения кристалла микросистемы и верхней полости, в двух боковых противоположных стенках углубления основания сформированы выводы к контактным площадкам выводной рамки на наружной поверхности основания.
Получению требуемого технического результата препятствует выбор материала конструкционных элементов: так выполнение рамки и крышки из ковара (магнитный материал) способствует искажению измеряемых магнитных полей микросистемами, содержащими чувствительные элементы магнитного поля, что приведет к некорректным результатам измерений.
Задача, на решение которой направлена полезная модель состоит в создании корпуса для надежной защиты кристаллов магнитополупроводниковых микросхем, датчиков, преобразователей и чувствительных элементов магнитного поля от внешних воздействий.
Технический результат, получаемый при реализации заявляемой полезной модели, выражается в повышении надежности и точности измерений при анализе магнитных полей.
Для достижения вышеуказанного технического результата корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля содержит основание с углублением, крышку, прокладку, размещенную между основанием и крышкой, и выводную рамку, внутренняя стенка углубления основания выполнена с горизонтальной ступенькой с образованием нижней полости меньшего размера для размещения кристаллов и верхней полости, в двух боковых противоположных стенках углубления основания сформированы выводы к контактным площадкам выводной рамки на наружной поверхности основания, на внутреннее дно основания, верхнюю поверхность основания и горизонтальную ступеньку внутренней части основания нанесено двухслойное покрытие, состоящее из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, по периметру крышки нанесено двухслойное покрытие в виде рамки, состоящее из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, прокладка выполнена из сплава, содержащего 80% золота и 20% олова, выводная рамка выполнена из сплава меди и серебра, с содержанием меди не менее 99%, с нанесением слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, крышка и основание выполнены из немагнитной алюмооксидной керамики с содержанием Al2O3 не менее 92%.
Отличительными признаками являются признаки выполнения выводной рамки на наружной поверхности основания и материалов конструкционных элементов, в том числе наличие, на внутреннем дне основания, верхней поверхности основания и горизонтальной ступеньке внутренней части основания двухслойного покрытия, состоящего из первого слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и второго слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм; наличие по периметру крышки двухслойного покрытия в виде рамки, состоящего из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, выполнение прокладки из сплава, содержащего 80% золота и 20% олова, выполнение выводной рамки из сплава меди и серебра, с содержанием меди не менее 99%, с последующим нанесением слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, выполнение крышки и основания из немагнитной алюмооксидной керамики с содержанием Al2O3 не менее 92%.
Выполнение выводной рамки и подбор материалов конструкционных элементов в виде немагнитных материалов обеспечивают отсутствие влияния материалов корпуса на анализ магнитных полей. Выполнение прокладки из сплава, содержащего 80% золота и 20% олова, выполнение по периметру крышки двухслойного покрытия в виде рамки, состоящего из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм; покрытие верхней поверхности основания двухслойным покрытием из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм обеспечивают герметичность корпуса после пайки, что обеспечивает защиту кристалла микросистемой от влияния внешних воздействий. Диапазон толщин слоев в двухслойном покрытии обусловлен тем, что при уменьшении толщины слоя никеля меньше 1 мкм и слоя золота меньше 0,5 мкм не будет обеспечиваться необходимая адгезия материалов в процессе разварки внутренних межсоединений, а также герметизации методом пайки, увеличение толщин для слоя никеля более 9 мкм, для слоя золота более 7 мкм экономически нецелесообразно.
Полезная модель поясняется следующими чертежами.
Фиг. 1 Внешний вид корпуса;
Фиг. 2 Основание разрез
Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля содержит основание 1 с углублением 2, крышку 3, прокладку 4, размещенную между основанием 1 и крышкой 3, и выводную рамку 5 (фиг. 1). Внутренняя стенка углубления 2 основания 1 выполнена с горизонтальной ступенькой 6 с образованием нижней полости 7 меньшего размера для размещения кристаллов и верхней полости 8 (фиг. 2). В двух боковых противоположных стенках углубления 2 основания сформированы выводы 9 к контактным площадкам 10 выводной рамки 5 на наружной поверхности основания 1. Внутреннее дно основания 11, верхняя поверхность основания 12 и горизонтальная ступенька 6 внутренней части основания 1 покрыты слоем никеля толщиной от 1 до 9 мкм, а затем слоем золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм. По периметру крышки 3 выполнена рамка 13 из двухслойного покрытия, состоящего из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм. Прокладка выполнена из сплава, содержащего 80% золота и 20% олова. Выводная рамка 5 выполнена из сплава меди и серебра, с содержанием меди не менее 99%, с последующим нанесением слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм. Крышка 3 и основание 1 выполнены из немагнитной алюмооксидной керамики с содержанием Al2O3 не менее 92%.
Согласно полезной модели был реализован корпус, в котором был размещен кристалл микросистемы анализа магнитного поля. Испытания показали повышение надежности и точности измерения магнитного поля.
Claims (1)
- Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля, содержащий основание с углублением, крышку, прокладку, размещенную между основанием и крышкой, и выводную рамку, внутренняя стенка углубления основания выполнена с горизонтальной ступенькой с образованием нижней полости меньшего размера для размещения кристаллов и верхней полости, в двух боковых противоположных стенках углубления основания сформированы выводы к контактным площадкам выводной рамки на наружной поверхности основания, на внутреннее дно основания, верхнюю поверхность основания и горизонтальную ступеньку внутренней части основания нанесено двухслойное покрытие, состоящее из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, по периметру крышки нанесено двухслойное покрытие в виде рамки, состоящее из слоя никеля толщиной от 1 до 9 мкм и слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, прокладка выполнена из сплава, содержащего 80% золота и 20% олова, выводная рамка выполнена из сплава меди и серебра, с содержанием меди не менее 99%, с нанесением слоя золота толщиной от 0,5 до 7,0 мкм, крышка и основание выполнены из немагнитной алюмооксидной керамики с содержанием Аl2О3 не менее 92%.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015154712/28U RU162094U1 (ru) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015154712/28U RU162094U1 (ru) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU162094U1 true RU162094U1 (ru) | 2016-05-27 |
Family
ID=56096256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015154712/28U RU162094U1 (ru) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU162094U1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU183076U1 (ru) * | 2017-11-30 | 2018-09-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Корпус для микросистем измерения силы тока |
RU2821166C1 (ru) * | 2023-12-29 | 2024-06-17 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Сборочные Системы" | Способ изготовления металлополимерного корпуса микросхемы |
-
2015
- 2015-12-21 RU RU2015154712/28U patent/RU162094U1/ru active IP Right Revival
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU183076U1 (ru) * | 2017-11-30 | 2018-09-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Корпус для микросистем измерения силы тока |
RU2821166C1 (ru) * | 2023-12-29 | 2024-06-17 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Сборочные Системы" | Способ изготовления металлополимерного корпуса микросхемы |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI102567B (fi) | Kapasitiivinen voima-anturi | |
CN107534022B (zh) | 电子部件收纳用封装体、电子装置以及电子模块 | |
KR101566597B1 (ko) | 케이스형 전기 소자 | |
CN104681500B (zh) | 物理量测定传感器 | |
CN103855104B (zh) | 对湿气密封的半导体模块和用于其制造的方法 | |
US4617606A (en) | Capacitive pressure transducer | |
US9428380B2 (en) | Shielded encapsulating structure and manufacturing method thereof | |
TWI480985B (zh) | 一種半導體氣密封裝結構及其製造方法 | |
CN105806519B (zh) | 一种基于低温共烧陶瓷的压力传感器及制造方法 | |
US20180059091A1 (en) | Sensor assembly | |
KR20130018857A (ko) | 실리콘 압력센서의 패키지구조 | |
CN110078016A (zh) | 封装结构及其制造方法 | |
RU162094U1 (ru) | Корпус для кристаллов микросистем анализа магнитного поля | |
JP2023036718A (ja) | Mems素子およびmemsモジュール | |
RU2489769C1 (ru) | Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона | |
JPH049727A (ja) | 容量型圧力センサ | |
CN109752604B (zh) | 一种电场传感器的封装组件、封装方法及电场传感器 | |
TWI247897B (en) | Semiconductor device | |
WO2019055007A1 (en) | MICROFLUIDIC HOUSING | |
NL7506052A (nl) | Elektrode-constructie. | |
RU183076U1 (ru) | Корпус для микросистем измерения силы тока | |
TW201712814A (zh) | 超低高度半導體裝置封裝及超低高度半導體裝置封裝之製造方法 | |
TW201815661A (zh) | 微機電裝置及製造方法 | |
JP7063718B2 (ja) | プリモールド基板とその製造方法および中空型半導体装置とその製造方法 | |
CN205786688U (zh) | 微机械加速度计封装用陶瓷外壳 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20160603 |
|
NF1K | Reinstatement of utility model |
Effective date: 20170802 |
|
PD1K | Correction of name of utility model owner |