RU1519452C - Способ изготовления мдп бис - Google Patents
Способ изготовления мдп бис Download PDFInfo
- Publication number
- RU1519452C RU1519452C SU4216185A RU1519452C RU 1519452 C RU1519452 C RU 1519452C SU 4216185 A SU4216185 A SU 4216185A RU 1519452 C RU1519452 C RU 1519452C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mis
- layer
- thick
- μkm
- annealing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно к изготовлению МДП БИС. Цель изобретения улучшение эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизация ее параметров и повышение процентов выхода годных МДП БИС. На кремниевых подложках формируют полевой окисел толщиной 1,0 мкм. Формируют области истока и стока, слой подзатворного диэлектрика толщиной 0,09 мкм. Изготавливают электрод затвора осаждением слоя поликремния и легирования его до значения поверхностного сопротивления Rs≅ 25 Ом/□. Напыляют слои алюминия толщиной 1,2 мкм и фтолитографически изготавливают металлизированную разводку. Облучают кремниевые подложки рентгеновским излучением для подгонки порогового напряжения. Для достижения цели термический отжиг проводят в два этапа. 0на первом отжиг ведут в среде водяного пара при 400-450°С в течение 30-60 мин, а на втором в нейтральной среде, например в азоте, при 500-510°С в течение 8-12 мин.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС.
Целью изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизация ее параметров и повышение процента выхода годных МДП БИС.
Сущность изобретения состоит в том, что в способе изготовления МДП БИС, включающем формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоя подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения подложки рентгеновским излучением, после облучения рентгеновским излучением подложки термически отжигают в среде водяного пара при 400-450оС в течение 30-60 мин, а затем отжигают в нейтральной среде, например в азоте, при 500-510оС в течение 8-12 мин.
Пределы температуры обработки в парах воды выбраны из тех соображений, что при температуре ниже 400оС процесс удаления радиационно-индуцированного заряда из слоя фосфорно-силикатного стекла (ФСС) и с полевых областей неоправданно удлиняется во времени. При температурах же выше 450оС могут произойти необратимые физико-химические процессы (ускоренная диффузия в твердой фазе, образование эвтектических сплавов и т. п.), приводящие к деградации рабочих параметров МДП БИС. Длительность 30-60 мин обусловлена тем, что при меньшем времени процессы, влияющие на достижение цели, не успевают закончиться, а более длительная обработка так же, как и при повышенной температуре, может привести к нежелательным изменениям электрических характеристик БИС.
Те же самые причины налагают условия на временной интервал второго этапа термической обработки в нейтральной среде. На температурные же пределы второго этапа с одной стороны накладывается условие первого этапа минимальная температура второго должна быть не ниже максимальной первого этапа, иначе не произойдет полного удаления атомарного водорода, и выбрана равной 500оС. Верхний же предел ограничивается теплофизическими возможностями многослойной структуры, которую представляет собой МДП БИС, к кратковременному воздействию высокой температуры.
На кремниевой подложке КДБ (12 Ом˙см) ориентацией <100> выращивают первичный окисел при Т 1000оС толщиной 0,1 мкм, методом фотолитографии формируют рисунок активных областей, легируют неактивные области бором методом ионного легирования дозой D 1,8 мКл/см2 и энергией Е 75 кэВ, стравливают с неактивных областей нитрид кремния в среде фреоновой плазмы (Р 600 Вт, давление 0,2 мм рт. ст.) и выращивают на неактивных областях полевой окисел (Т 900оС, давление паров воды 10 атм, толщина полевого окисла 1,0 мкм). Снимают с активных областей нитрид кремния в ортофосфорной кислоте (Т 150оС, время 60 мин), стравливают первичный окисел в буферном травителе и после серии перекисноаммиачной отмывки выращивают подзатворный диэлектрик (Т 1000оС, толщина 0,09 мкм), методом пиролиза моносилана при пониженном давлении наносят слой поликремния (Т 625оС, давление 0,2 мм рт. ст. толщина 0,5 мкм), легируют поликремний фосфором (Т 900оС, Rs поверхностное сопротивление ≅25 Ом/) и методом фотолитографии формируют поликремниевую разводку, травят поликремний во фреоновой плазме (Р 600 Вт, давление 0,3 мм рт. ст.), в буферном травителе вскрывают под диффузионные области окна и проводят в них диффузию (Т 900оС, Rs≅30 Ом/), наносят слой межслойной изоляции методом химического осаждения из газовой фазы в системе моносилан-фосфин-кислород (Т 450оС, содержание фосфора в пленке ФСС до 10 мас. толщина 1,0 мкм), проводят оплавление межслойной изоляции (Т 1000оС, t 15 мин).
Методом фотолитографии вскрывают контактные окна к диффузионным областям и поликремнию, методом магнетронного распыления напыляют слой алюминия (ток плазмы 10 мА, давление 0,1 мм рт. ст, толщина пленки 1,2 мкм). Методом фотолитографии формируют рисунок металлизированной разводки и травят металл в плазме тетрахлорида углерода (Р 1000 Вт, давление 0,4 мм рт. ст. После снятия фоторезиста в азотной кислоте и отмывки структур в деионизованной воде осаждают слой пассивирующего диэлектрика методом химического осаждения из газовой фазы в системе моносилан-фосфин-кислород (Т 450оС, содержание фосфора в слое ФСС 1,5-1,5 мас. толщина 0,6 мкм) и слой нелегированного окисла толщиной 0,4 мкм. Проводят термическую обработку структур для формирования контактов алюминиевой металлизации к поликремнию и диффузионным областям (Т 450оС, в среде азота, время 45 мин). Измеряют пороговое напряжение и рентгеновским облучением подложек подгоняют последнее до необходимой величины Un. Подложки облучают на рентгеновской установке типа РУМ-17, энергия рентгеновских квантов ≈150 кэВ (ход изменения порогового напряжения под действием дозы облучения предварительно измеряется).
После облучения рентгеном подложки подвергают термической обработке в среде водяного пара при Т 400-450оС в течение 30-60 мин. При этом происходит снятие радиационно-стимулированного заряда с областей полевого окисла таким образом, что значение порогового напряжения паразитного транзистора, состоящего из полевого диэлектрика и межслойной изоляции, как подзатворного диэлектрика полевого транзистора, и металлизированной разводки, как электрода затвора паразитного транзистора, становится равным исходному, полученному до рентгеновской обработки структур.
После обработки подложки в среде водяного пара проводят герметический отжиг МДП структур в среде азота при 510оС в течение 10 мин. Температура 510оС обеспечивает ускоренное движение влаги и продуктов ее диссоциации из слоев структуры и пассивирующего диэлектрика. Время процесса 10 мин определялось скоростью набора температуры пластинами и кратковременным отжигом при этой температуре. Более высокие температуры и продолжительное время термообработок приводят к необратимой деградации параметров МДП-структур вследствие неконтролируемой диффузии металлизированной разводки в области контактов в кремниевой подложке.
Использование изобретения повышает стабильность параметров МДП БИС и процент выхода годных, улучшает эксплуатационные характеристики готовых изделий.
Claims (1)
- СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4216185 RU1519452C (ru) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | Способ изготовления мдп бис |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4216185 RU1519452C (ru) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | Способ изготовления мдп бис |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1519452C true RU1519452C (ru) | 1995-09-20 |
Family
ID=30440636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4216185 RU1519452C (ru) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | Способ изготовления мдп бис |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1519452C (ru) |
-
1987
- 1987-03-30 RU SU4216185 patent/RU1519452C/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 1176777, кл. H 01L 21/268, 1984. * |
Авторское свидетельство СССР N 1464797, кл. H 01l 21/268, 1987. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5393685A (en) | Peeling free metal silicide films using rapid thermal anneal | |
US5089432A (en) | Polycide gate MOSFET process for integrated circuits | |
US5541131A (en) | Peeling free metal silicide films using ion implantation | |
US4291322A (en) | Structure for shallow junction MOS circuits | |
EP0072216A2 (en) | The production of semiconductor devices by methods involving annealing | |
KR100339677B1 (ko) | 반도체장치의제조방법및반도체장치 | |
US5130266A (en) | Polycide gate MOSFET process for integrated circuits | |
US5214305A (en) | Polycide gate MOSFET for integrated circuits | |
US4575921A (en) | Silicon nitride formation and use in self-aligned semiconductor device manufacturing method | |
JPH0613565A (ja) | 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法 | |
US5003375A (en) | MIS type semiconductor integrated circuit device having a refractory metal gate electrode and refractory metal silicide film covering the gate electrode | |
EP0045593B1 (en) | Process for producing semiconductor device | |
EP0471845B1 (en) | Method of forming silicon oxide film | |
EP3888120A1 (en) | Methods of patterning metal layers | |
US3550256A (en) | Control of surface inversion of p- and n-type silicon using dense dielectrics | |
JP5801676B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
RU1519452C (ru) | Способ изготовления мдп бис | |
US5411907A (en) | Capping free metal silicide integrated process | |
US4528211A (en) | Silicon nitride formation and use in self-aligned semiconductor device manufacturing method | |
US6124218A (en) | Method for cleaning wafer surface and a method for forming thin oxide layers | |
JP3015765B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
EP0471844A1 (en) | Silicon oxide film and semiconductor device having the same | |
RU2610056C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
JPH0462173B2 (ru) | ||
JP3015750B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |