PL420764A1 - Method for producing regular boron nitride - Google Patents
Method for producing regular boron nitrideInfo
- Publication number
- PL420764A1 PL420764A1 PL420764A PL42076417A PL420764A1 PL 420764 A1 PL420764 A1 PL 420764A1 PL 420764 A PL420764 A PL 420764A PL 42076417 A PL42076417 A PL 42076417A PL 420764 A1 PL420764 A1 PL 420764A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- boron nitride
- hexagonal boron
- mixed
- acid
- seconds
- Prior art date
Links
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób funkcjonalizacji eksfoliowanego heksagonalnego azotku boru, który charakteryzuje się tym, że eksfoliowany heksagonalny azotek boru zanurza się w nadtlenku wodoru w stosunku 1 : 2, gotuje się pod chłodnicą zwrotną w temperaturze 110°C przez 48 godzin, suszy się i miesza z wodą w stosunku 2 : 50 w stosunku do wody. Następnie pod chłodnicą zwrotną doprowadza się do wrzenia i dodaje kwas chlorozłotowy w stosunku 4 : 3 w odniesieniu do heksagonalnego azotku boru i podgrzewa przez 5 minut w temperaturze 100°C. Dodaje się kroplami cytrynian sodu w stosunku 5 : 1 do ilości kwasu chlorozłotowego i prowadzi się reakcję przez 1 godzinę w stanie wrzenia, po czym otrzymany roztwór studzi się, odwirowuje się otrzymany związek i przemywa wodą, w celu wyrównania pH do 7. Korzystnie eksfoliowany heksagonalny azotek boru uzyskuje się w taki sposób, że sproszkowany heksagonalny azotek boru miesza się z manganianem (VII) potasu w stosunku 1 : 4, miesza się mieszadłem magnetycznym pod chłodnicą zwrotną, następnie stopniowo dolewa się kwas siarkowy (VI) o stężeniu 96% w ilości 20 : 1 w stosunku do manganianu, podgrzewa się to temperatury 40°C przez 6 godzin i studzi. Następnie dodaje się nadtlenek wodoru w ilości stosunku 10 : 3 w odniesieniu nadtlenku do kwasu i całość utrzymuje się w niskich temperaturach z wykorzystaniem łaźni wodnej z lodem. Tak otrzymany eksfoliowany chemicznie heksagonalny azotek boru poddaje się oczyszczaniu w wirówce, wyrównując pH do 7 i przemywa wodą, a następnie w ilości 0,5% objętościowych miesza się z N-metylopirolidonem, poddaje sonikacji tipem przez 30 minut i odparowuje rozpuszczalnik. Korzystnie stosuje się sonikator o mocy 600 W, w którym moduł pulsowania ustawia się na 5 sekund, 5 sekund włączony, 5 sekund wyłączony.The subject of the application is a functionalization of the exfoliated hexagonal boron nitride, which is characterized by the fact that the exfoliated hexagonal boron nitride is immersed in 1: 2 hydrogen peroxide, boiled under reflux at 110 ° C for 48 hours, dried and mixed with in a ratio of 2:50 to water. Then, under reflux condenser, boil and add 4: 3 hydrochloric acid with respect to hexagonal boron nitride and heat for 5 minutes at 100 ° C. Sodium citrate is added dropwise in a ratio of 5: 1 to the amount of chlorotilic acid and the reaction is refluxed for 1 hour, after which the solution obtained is cooled, the resulting compound is centrifuged and washed with water to adjust the pH to 7. Preferably exfoliated hexagonal boron nitride is obtained in such a way that the powdered hexagonal boron nitride is mixed with potassium manganate (VII) in a ratio of 1: 4, mixed with a magnetic stirrer under reflux condenser, then gradually added 96% sulfuric (VI) acid 20: 1 relative to manganate, it is heated at 40 ° C for 6 hours and cooled down. Hydrogen peroxide is then added in an amount of 10: 3 based on peroxide to acid and the whole is kept at a low temperature using an ice water bath. The chemically exfoliated hexagonal boron nitride obtained in this way is subjected to purification in a centrifuge, equalizing the pH to 7 and washed with water, and then mixed with N-methylpyrrolidone in an amount of 0.5% by volume, tipped sonication for 30 minutes and the solvent evaporated. Preferably a 600 W sonicator is used, in which the pulse module is set to 5 seconds, 5 seconds on, 5 seconds off.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL420764A PL237111B1 (en) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | Method for producing regular boron nitride |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL420764A PL237111B1 (en) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | Method for producing regular boron nitride |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL420764A1 true PL420764A1 (en) | 2018-09-10 |
PL237111B1 PL237111B1 (en) | 2021-03-22 |
Family
ID=63445833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL420764A PL237111B1 (en) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | Method for producing regular boron nitride |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
PL (1) | PL237111B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111137866A (en) * | 2020-01-10 | 2020-05-12 | 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 | Method for preparing boron nitride nanosheet by efficiently stripping h-BN |
-
2017
- 2017-03-08 PL PL420764A patent/PL237111B1/en unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111137866A (en) * | 2020-01-10 | 2020-05-12 | 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 | Method for preparing boron nitride nanosheet by efficiently stripping h-BN |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PL237111B1 (en) | 2021-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
MY158452A (en) | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates | |
PL420764A1 (en) | Method for producing regular boron nitride | |
RU2012140455A (en) | METHOD FOR PROTECTING SILVER AND SURFACES OF SILVER ALLOYS AGAINST STRAW | |
JP2014521673A5 (en) | ||
CN105887151A (en) | Corrosion resistance sulfuric acid hard anodizing process | |
MY188961A (en) | High-throughput thermal processing methods for producing high-efficiency crystalline silicon solar cells | |
DE60326122D1 (en) | MODIFIED CALCIUM PHOSPHATE COMPOUND AND INJECTABLE COMPOSITION CONTAINING THE SAME | |
TW201902878A (en) | Ionic composition and related uses | |
RU2003121292A (en) | METHOD FOR PRODUCING FOAM GRAPHITE AND FOAM GRAPHITE OBTAINED BY THIS METHOD | |
RU2010143337A (en) | METHOD FOR TEXTURING SILICON SURFACES AND PLATES OBTAINED BY THIS METHOD | |
Yong et al. | Stacking-induced broadband near-infrared absorption beyond 2500 nm and deep-red phosphorescence from purely organic radicals | |
PL420763A1 (en) | Method for exfoliation of hexagonal boron nitride | |
JP5667092B2 (en) | Method for weaving a silicon wafer, treatment liquid for the method and use thereof | |
CN108010985A (en) | Flexible thin-film solar cell and preparation method thereof | |
CN102897817B (en) | Preparation method for NaEuF4 microspheres | |
CN107586529A (en) | A kind of preparation method of high-power LED encapsulation heat sink material | |
RU2381595C1 (en) | Silicon-polymer photovoltaic module for low latitudes and method of making said module | |
CN104628404B (en) | A kind of preparation method of carbon-to-carbon combined fire-resistant material bonding agent | |
RU2016130632A (en) | A method of producing colloidal gold nanoparticles with an average diameter of 25-30 nm | |
CN103992284A (en) | Preparation method of 1-hydroxymethyl benzotriazole | |
CN102190335A (en) | Method for improving physical appearance of nickel sulfate crystals | |
CN104591157A (en) | Preparation method for sulfur-free expandable graphite | |
RU2016105275A (en) | METHOD FOR PRODUCING PHTIVASIDE | |
US484385A (en) | Electric light | |
CN102108285A (en) | Multifunctional anti-freezing fluid |