PL110969B1 - Luminous energy converter - Google Patents

Luminous energy converter Download PDF

Info

Publication number
PL110969B1
PL110969B1 PL1975184032A PL18403275A PL110969B1 PL 110969 B1 PL110969 B1 PL 110969B1 PL 1975184032 A PL1975184032 A PL 1975184032A PL 18403275 A PL18403275 A PL 18403275A PL 110969 B1 PL110969 B1 PL 110969B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
protrusions
needle
substrate
emissivity
transducer according
Prior art date
Application number
PL1975184032A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL110969B1 publication Critical patent/PL110969B1/pl

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24SSOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S70/00Details of absorbing elements
    • F24S70/20Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
    • F24S70/25Coatings made of metallic material
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24SSOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S70/00Details of absorbing elements
    • F24S70/20Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
    • F24S70/225Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/40Solar thermal energy, e.g. solar towers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S126/00Stoves and furnaces
    • Y10S126/907Absorber coating
    • Y10S126/908Particular chemical
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12451Macroscopically anomalous interface between layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12611Oxide-containing component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771Transition metal-base component
    • Y10T428/12806Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12826Group VIB metal-base component
    • Y10T428/1284W-base component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771Transition metal-base component
    • Y10T428/12861Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12889Au-base component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24174Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including sheet or component perpendicular to plane of web or sheet
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest przetwornik energi swietl¬ nej stosowany do przemiany padajacego swiatla slo¬ necznego na energie cieplnq.Znane jest z publikacji „Physics Looks at Solar Energy" A.B. Meinel i inni, ukazujace sie w Phisics Today, luty 1972, str. 44-50 urzadzenie do przetwarza¬ nia swiatla slonecznego na energie cieplna posiada¬ jace wielowarstwowe struktury, zwane stosami interfe¬ rencyjnymi lub blokowymi stosami absorpcyjnymi. Stosy te tworza selektywna powierzchnie, która jest czarna dla dlugosci fal krótszych od 1,3 mikronów i zwiercia¬ dlana dla wiekszych dlugosci fal. W ten sposób stosy sluza do tworzenia powierzchni spelniajacej podwójna funkcje, a mianowicie, duzej zdolnosci absorpcyjnej po¬ wyzej pasma emisji slonecznej i malej absorpcji powy¬ zej zakresu emisji ciala czarnego i dlatego nadaja sie do wykorzystania jako wydajne przetworniki energii slo¬ necznej na energie cieplna.W urzadzeniach tych wystepuja problemy trwalosci w umiarkowanych temperaturach, takich jak 550°C i wy¬ magaja one tolerancji grubosci do submikronów na calym obszarze potrzebnym do przemiany promieniowa¬ nia slonecznego. Mala trwalosc cienkich warstw jest glówna przeszkoda w pracy tych urzadzen.Celem wynalazku jest usuniecie wad i niedogodnosci, znanych rozwiazan. Cel ten osiagnieto dzieki temu, ze przetwornik energii swietlnej posiada podloze, a na nim dendrytyczny: uklad materialu posiadajacy w zasadzie wyprostowane iglopodobne wystepy na podlozu, przy czym zageszczenie wystepów, ich dlugosc i szerokosc jest rzedu kilku dlugosci padajacej fali swietlnej.Podloze jest przyczepione do przewodzacego cieplo czlonu, w którym iglopodobne wystepy zwrócone sa w 5 kierunku na zewnatrz od przewodzacego cieplo dla lat¬ wego wystawienia na dzialanie bezposrednio padajace¬ go promieniowania swietlnego.Iglopodobne wystepy skladaja sie z materialu o malej emisyjnosci, korzystnie z szafiru lub z materialu zaro- 10 odpornego, korzystnie z wolframu. Podlozem korzystnie jest stal nierdzewna. Denokrytyczny uklad podloza i wy¬ stepów jest korzystnie pokryty powloka o znacznie mniej¬ szej emisyjnosci anizeli iglopodobne wystepy dla zmniej¬ szenia hemisferycznej emisyjnosci denokrytycznej po- 15 wierzchni.W rozwiazaniu wedlug wynalazku wykorzystano po¬ wierzchnie absorpcyjna, która jest labirynt geometrycz¬ ny, którego mikrostruktura jest geometrycznie podobna do akustycznej powierzchni bezechowej. Powierzchnia op- 20 tyczna absorbujaca energie swietlna sklada sie z ge¬ stych szeregów wyprostowanych iglopodobnych wyste¬ pów o wymiarach rzedu dlugosci fal widzialnych z od¬ stepami pomiedzy takimi wystepami rzedu kilku dlugos¬ ci fal swiatla widzialnego. 25 Powierzchnia taka daje gwarancje absorbowania z duza sprawnoscia z powodu wielokrotnych odbic, wyste¬ pujacych gdy padajace promieniowanie przenika do labirynt iglopodobnych wystepów w sposób podobny do absorbcji dzwieku w komorze bezechowej, wskutek 30 wielokrotnego odbicia dzwieku. Dla waskiego stozka pa- 110 969110 969 dajacego swiatla otaczajacego kierunek iglopodobnych wystepów labirynt posiada zdolnosc absorpcyjna osia¬ gajaca 1. Jednakze, tylko niewielka czesc hemisferycz- nej emisyjnósci skupiona jest w. waskim stozku. Wykonu¬ jac w przetworniku wystepy z metalu o malej emisyjnós¬ ci np: wolframu, uzyskuje sie calkowita emisyjnosc hemi- sferyczna urzadzenia znacznie mniejsza od 1.Material posiada korzystnie duza zdolnosc absorpcyjna w obrebie waskiego stozka padajacego swiatla, lecz bardzo mala emisyjnosc hemisferyczna powyzej dlugos¬ ci fal promieniowania ciala czarnego w temperaturze pracy przetwornika.Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia przetwornik wedlug wynalazku, schematycznie, czescio¬ wo w przekroju, fig. 2 — przetwornik z fig. 1 w widoku perspektywicznym, w powiekszeniu, fig. 3 — stozek wy¬ sokiej absorpcji, którego pionowa os jest równolegla do promieni padajacego promieniowania i kat stozka wy¬ nosi 15-20 stopni, fig. 4 — schemat zastosowania prze¬ twornika wedlug wynalazku jako odbiornika i akumula¬ tora energii slonecznej, fig. 5 - przetwornik w widoku z boku z uwidocznieniem wplywu chemicznego trawienia na dendrytyczny rozrost powierzchni.Przetwornik wedlug wynalazku (fig. 1) zawiera grafi¬ towy luk weglowy przewodnik bierny 2 umieszczony w komorze 4, przy czym przewodnik bierny 2 utrzymywa¬ ny jest w wymaganej temperaturze 450 do 550°C za pomoca skretek grzejnych 6, otaczajacych komore 4 w poblizu przewodnika biernego 2. Przed: umieszczeniem przewodnika biernego 2 w komorze 4, na przewodniku* biernym 2 zamocowywane sa w róznych miejscach pod¬ loza 8. Podloza 8 wykonane moga byc z szafiru (AI2O3), stali nierdzewnej lub polerowanego wolframu. Najko¬ rzystniejsza jest stal nierdzewna, która jest najpierw tra¬ wiona w HCI dla. rozpuszczenia zawartego w niej chro¬ mu, ewentualnie na stal nierdzewna jest nakladany gal¬ wanicznie nikiel dla zapewnienia podloza, na którym moga rozrastac sie dendryty.Po umieszczeniu podlozy 8 i podtrzymujacego je klocka przewodnika biernego 2 w komorze 4, skretki grzejne 6 zasilane zostaja energia dla nagrzania pod¬ lozy 8 do temperatury pomiedzy 450-550°C za pomca znanych termopar do kontroli temperatury i obwodów sprzezenia zwrotnego dla dostarczania wiekszej lub mniejszej ilosci pradu do skretek grzejnych 6 (nie po¬ kazanych). Jednoczesnie do komory 4 wprowadzane sa wodór H2 i szesciofluorek wolframu WF6 przez otwór wlotowy 1Q. Predkosc przeplywu szesciofluorku Wolframu l(WF6) wynosi 100 cm3 na minute a predkosc przeplywu fH2 wynosi 10—25 litrów na minute, przy cisnieniu atmo¬ sferycznym. Gazy WF6 i H2 reaguja w komorze 4 wedlug wzoru WF6+3H2-*6HF+W, przy czym wol¬ fram osadza sie na podlozach & a niewykorzystane H2, WF6 w stanie gazowym i HF w stanie gazowym jako i produkt reakcji, odprowadzane sa przez otwór wylotowy 12. Proces redukcji wodorem szesciofluorku wolframu, - opisany jest bardziej szczególowo w artykule A.F. Maya- das'a, JJ. Cuemo i H. Rpsenberg'a na stronach 1742- . 45, tom 116 Journal of the Electrochemical Society, wyd. 1969 r.W jednym z przykladów szybkosc przeplywu H2 wy¬ nosi okolo 10 litrów/minute a szybkosc przeplywu WF6 - i 0,1 litra/minute. Po czasie 15 minut, grubosc warstewki 20 wolframu osadzonego na podlozu 8 siega od 125 do 500 mikronów. Po przeanalizowaniu, stwierdzono, ze warstewka wolframu na podlozu z szafiru posiada struk¬ ture krysztalu (111 )W/ / (0001)aAI2O3 i orientacja jej 5 w plaszczyznie warstewki wolframu jest (110~~)W/ / / (1l20)aAI2O3. Orientacja dendrytów wolframu byla blizniacza i ustalono, ze wystepuje ona w dwóch spe¬ cyficznych ukladach, jednym posiadajacym 6-krotnq sy¬ metrie i drugim posiadajacym 3-krotnq symetrie.Dendrytyczny rozrost wolframu osadzonego za pomoca redukcji wodorem szesciofluorku wolframu przy cisnieniu atmosferycznym (fig. 2) daje w rezultacie zazwyczaj po¬ wloke wielowarstwowa. Podloze 8 z szafiru, wolframu, stali nierdzewnej lub podobnego materialu okresla ko- 15 rzystna orientacje, poczatkowych iglopodobnych wyste¬ pów 14 wolframu, które narosly na nim. Poczatkowe wy¬ stepy rosna w pierwszych 10-15 minutach i posiadaja wysokosc okolo 2-3 mikronów. Dalszy rozrost daje ko¬ rzystnie wyzsze ostrza. Zazwyczaj, rozrost ma miejsce dla skutecznego wytworzenia trójwarstowej struktury, zlozonej z podloza 8, rzedów poszczególnych dendrytów formujacych wystepy 14, które posiadaja wysokosc oko¬ lo 5 mikronów i sa oddalone od siebie o okolo 5 mikro¬ nów oraz z mniej zwartych rzedów wolframowych den¬ drytów formujacych wystepy 16, które posiadaja wysokosc od okolo 20 do 40 mikronów i oddalone sa od siebie o 40 do 60 mikronów.Stwierdzono, ze ponad 98 procent energii swietlnej, o dlugosci fal pomiedzy 0,2 do 40 mikronów, absorbo¬ wane jest przez strukture dendrytyczna, jezeli fale te pa¬ daja na rzedy wystepów 14, 16 w obrebie stozka o kacie 5 stopni i os pionowa 1ff tego stozka jest równo¬ legla do kierunku osi rozrostu dendrytów. 35 Wystepy 16 z dendrytycznego wolframu sa szczegól¬ nie korzystne w przetworniku energii swietlnej, ponie¬ waz wolfram jest metalem slabo absorbujacym i slabo emitujacym promieniowanie. Jednakze bezechowe za¬ chowanie sie zageszczonych dendrytów formujacych ig- ^0 lopodobne wystepy 14 i 16 wzgledem padajacego pro¬ mieniowania powoduje to, ze dendrytyczny labirynt po¬ siada duza zdolnosc absorbowania takiego promienio¬ wania, W widoku pod katem 15-30° rzedy wystepów sa czarne, zas w widoku pod katem wiekszym od 30° - 45 powierzchnia ich ma odcien szary, zblizony do srebrne¬ go wskazujacy na to, ze optyczna emisyjnosc dendrytycz- nej struktury jest znacznie mniejsza.Emisyjnosc fo) w stozku prostopadlym do powierzchni przetwornika (fig. 3) równa jest absorpcji promieniowa- 50 nia (At) w tym samym stozku. Idealnie obydwie wiel¬ kosci równe sa 1. Emisyjnosc (e2) pod wszystkimi katami na zewnatrz stozka równa jest absorpcji (A2), a w przy¬ padku idealnym obydwie wielkosci powinny byc bardzo male. Os 18 ukladu ostrzy jest równolegla do padaja- 55 cego promieniowania, które wpada w obrebie stozka o katach 15—30°, przy czym korzystny jest stozek o kacie 5 stopni. Dla takiego stozka zdolnosc absorbowania i emisyjnósci przetwornika jest rzeczywiscie równa jed¬ nosci. 60 Emisyjnosc hemisferyczna, która jest emisyjnoscia sca¬ lona nad cala hemisfera powierzchni, jest mniejsza od 0,26.W praktycznym zastosowaniu przetwornika wedlug wy¬ nalazku (fig. 4) przewodzacy cieplo czlon 22 w postaci 65 pojemnika z ciecza tworzaca pare wysokoprezna w tern-110 969 peraturze pracy, korzystnie z woda, jest czesciowo oto¬ czony zespolem 24, posiadajacym wlasciwosci fizyczne przetwornika z fig. 2. Promienie sloneczne odbijane sa przez lustro 26 i padaja na labirynt wolframowych den- drytów tworzacych wystepy 14 i 16, zespolu 24 do prze¬ miany promieniowania na cieplo.Dla zaabsorbowania przez dendrytyczny wolfram pro¬ mieniowania o róznej czestotliwosci, niezbedna moze byc zmiana stosunku wysokosci do szerokosci poszcze¬ gólnych iglopodobnych wystepów 14 i 16. Dokonuje sie tego przez trawienie calego ukladu z fig. 2, w roztworze H202 NH4OH. Szerokosci dendrytycznych wystepów wy¬ trawiaja sie szybciej anizeli ich wysokosci tak, ze dla promieniowania o wiekszej dlugosci fal, zastosowac moz¬ na zmodyfikowany uklad pokazany na fig. 5 z lepszym skutkiem, anizeli nietrawiony uklad przedstawiony na fig. 2. Linie przerywane pokazuja szerokosc wystepów po wytrawieniu.Inne wlasnosci absorbowania osiaga sie przez zmiane zageszczenia dendrytycznych wystepów i ich wysokosci.Dokonac tego mozna przez zmiane temperatury osadza¬ nia i szybkosci przeplywu gazu w komorze pokazanej na fig. 1.Korzystne jest nalozenie na iglopodobne wystepy 14 i 16 powloki z materialu o malej emisyjnosci. Wolfram posiada emisyjnosc hemisferyczna wynoszaca 0,08, zas zloto posiada emisyjnosc wynoszaca tylko 0,02 w tem¬ peraturze 550°C. Tak wiec, powloka zlota na wystepach wolframowych obnizylaby emisyjnosc hemisferyczna wol¬ framu z 0,08 do 0,02. Przez rozsadny dobór, powlok, osiagnac mozna porównywalne wlasnosci, uzyskujace jednoczesnie male emisyjnosci. Tego rodzaju powloka o malej emisyjnosci sluzy takze do pasywacji wolframu i wplywa hamujaco na procesy korozji i utlenianie. 15 Przetwornik wedlug wynalazku nadaje sie zwlaszcza do wykorzystania jako przetwornik energii slonecznej, poniewaz uzyty zostal zwykly material zaroodporny, na¬ dajacy przetwornikowi trwalosc. 5 Zastrzezenia pa t e n t o w e 1. Przetwornik energi swietlnej, znamienny tym, ze posiada podloze (8), a na nim dendrytyczny uklad ma¬ lo terialu, posiadajacy w zasadzie wyprostowane iglopo¬ dobne wystepy (14, 16) na podlozu (8), przy czym za¬ geszczenie wystepów (14, 16) ich dlugosc i szerokosc jest rzedu kilku dlugosci padajacej fali swietlnej. 2. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podloze (8) przyczepione jest do przewodzacego cieplo czlonu (22), w którym iglopodobne wystepy (14, 16) zwrócone sa w kierunku na zewnatrz od przewodzacego cieplo czlonu (22) dla latwego wystawiania na dziala¬ nie bezposrednie padajacego promieniowania swietl¬ nego. ' 3. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze iglopodobne wystepy 0V 16) skladaja sie z materialu o malej emisyjnosci, korzystnie z szafiru. 25 4. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze iglopodobne wystepy (14, 16) sa z materialu zarood¬ pornego, korzystnie z wolframu.. 5. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 30 podlozem (8) jest stal nierdzewna. 6. Przetwornik ^wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze dendrytyczny uklad podloza (8) i wystepów (14, 16) jest pokryty powloka o znacznie mniejszej emisyjnosci ani¬ zeli iglopodobne wystepy (14, 16) dla zmniejszenia he- 35 misferycznej emisyjnosci dendrytycznej powierzchni.110 969 Fcg.1 Fig. 3 F£9. 4 22 24 .-14,16 F^ 5 LDA-Zaklad 2 - zam. 584/81-120 szt.Cena 45 zl PL PL PL PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia pa t e n t o w e 1. Przetwornik energi swietlnej, znamienny tym, ze posiada podloze (8), a na nim dendrytyczny uklad ma¬ lo terialu, posiadajacy w zasadzie wyprostowane iglopo¬ dobne wystepy (14, 16) na podlozu (8), przy czym za¬ geszczenie wystepów (14, 16) ich dlugosc i szerokosc jest rzedu kilku dlugosci padajacej fali swietlnej.
2. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podloze (8) przyczepione jest do przewodzacego cieplo czlonu (22), w którym iglopodobne wystepy (14, 16) zwrócone sa w kierunku na zewnatrz od przewodzacego cieplo czlonu (22) dla latwego wystawiania na dziala¬ nie bezposrednie padajacego promieniowania swietl¬ nego. ' 3. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze iglopodobne wystepy 0V 16) skladaja sie z materialu o malej emisyjnosci, korzystnie z szafiru. 25 4. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze iglopodobne wystepy (14, 16) sa z materialu zarood¬ pornego, korzystnie z wolframu.. 5. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 30 podlozem (8) jest stal nierdzewna. 6. Przetwornik ^wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze dendrytyczny uklad podloza (8) i wystepów (14, 16) jest pokryty powloka o znacznie mniejszej emisyjnosci ani¬ zeli iglopodobne wystepy (14, 16) dla zmniejszenia he- 35 misferycznej emisyjnosci dendrytycznej powierzchni.110 969 Fcg.1 Fig.
3. F£9. 4 22 24 .-14,16 F^ 5 LDA-Zaklad 2 - zam. 584/81-120 szt. Cena 45 zl PL PL PL PL
PL1975184032A 1974-10-18 1975-10-16 Luminous energy converter PL110969B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/515,780 US4005698A (en) 1974-10-18 1974-10-18 Photon energy converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL110969B1 true PL110969B1 (en) 1980-08-30

Family

ID=24052710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1975184032A PL110969B1 (en) 1974-10-18 1975-10-16 Luminous energy converter

Country Status (16)

Country Link
US (1) US4005698A (pl)
JP (1) JPS5512562B2 (pl)
CA (1) CA1052212A (pl)
CH (1) CH593462A5 (pl)
CS (1) CS198175B2 (pl)
EG (1) EG12954A (pl)
ES (1) ES441836A1 (pl)
FR (1) FR2346821A1 (pl)
GB (1) GB1515763A (pl)
HU (1) HU172031B (pl)
IL (1) IL48016A (pl)
IT (1) IT1041944B (pl)
PL (1) PL110969B1 (pl)
SE (1) SE417638B (pl)
SU (1) SU741811A3 (pl)
YU (1) YU251875A (pl)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH611405A5 (pl) * 1976-01-08 1979-05-31 Battelle Development Corp
DE2616662C2 (de) * 1976-04-15 1984-02-02 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen Verfahren zur herstellung einer selektiven solarabsorberschicht auf aluminium
US4235226A (en) * 1976-04-15 1980-11-25 Dornier System Gmbh Collector panel for solar energy
GB1599161A (en) * 1976-07-15 1981-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetic recording medium and method of making the same
US4171993A (en) * 1976-09-01 1979-10-23 Borg-Warner Corporation Coated metal nodule solar heat collector
US4088547A (en) * 1976-09-01 1978-05-09 Borg-Warner Corporation Method for producing a coated metal nodular solar heat collector
US4448487A (en) * 1976-09-16 1984-05-15 International Business Machines Corporation Photon energy conversion
US4252843A (en) * 1977-02-18 1981-02-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for forming a microstructured transmission and reflectance modifying coating
US4190321A (en) * 1977-02-18 1980-02-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Microstructured transmission and reflectance modifying coating
FR2384215A1 (fr) * 1977-03-18 1978-10-13 Elf Union Structure de toiture solaire et ses applications
IT1084595B (it) * 1977-05-09 1985-05-25 Pedone Angelo Collettore solare.
US4209008A (en) * 1977-07-26 1980-06-24 United Technologies Corporation Photon absorbing surfaces and methods for producing the same
PT69113A (en) * 1978-01-25 1979-02-01 Euratom Preparation of selective surfaces for high temperature solar energy collectors
US4160045A (en) * 1978-07-25 1979-07-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for producing a scabrous photosensitive surface
US4340276A (en) * 1978-11-01 1982-07-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of producing a microstructured surface and the article produced thereby
US4316048A (en) * 1980-06-20 1982-02-16 International Business Machines Corporation Energy conversion
US4335189A (en) * 1980-07-28 1982-06-15 International Business Machines Corp. Resolution standard for scanning electron microscope comprising palladium spines on a metal substrate
US4420265A (en) * 1981-07-31 1983-12-13 Everest Charles E Infrared temperature monitoring apparatus having means for sky radiation compensation
US4494881A (en) * 1982-03-10 1985-01-22 Everest Charles E Intra-optical light beam sighting system for an infrared thermometer
US4478209A (en) * 1982-06-30 1984-10-23 Guarnieri C Richard Radiant energy collector having plasma-textured polyimide exposed surface
US4521442A (en) * 1982-06-30 1985-06-04 International Business Machines Corporation Radiant energy collector having plasma-textured polyimide exposed surface
US5137461A (en) * 1988-06-21 1992-08-11 International Business Machines Corporation Separable electrical connection technology
US5185073A (en) * 1988-06-21 1993-02-09 International Business Machines Corporation Method of fabricating nendritic materials
US4920012A (en) * 1989-06-09 1990-04-24 General Electric Company Articles having coatings of fine-grained and/or equiaxed grain structure
JP3128127B2 (ja) * 1990-03-28 2001-01-29 東芝キャリア株式会社 空気調和装置
US5298685A (en) * 1990-10-30 1994-03-29 International Business Machines Corporation Interconnection method and structure for organic circuit boards
US20090074027A1 (en) * 2007-09-18 2009-03-19 Vatell Corporation Heat flux sensor incorporating light conveyance
DE102009048672A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Zentralrohr für ein linear konzentrierendes solarthermisches Kraftwerk mit Absorberschicht sowie Verfahren zum Aufbringen dieser Absorberschicht
US10804841B2 (en) 2010-12-14 2020-10-13 John C. WEEKLEY Solar thermal energy collector
EP2924144A1 (en) * 2014-03-27 2015-09-30 NEM Energy B.V. Method for treating an outer surface of a heat transfer fluid tube

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1497417A (en) * 1919-03-31 1924-06-10 Henry C P Weber Process of coating metals
US2588254A (en) * 1950-05-09 1952-03-04 Purdue Research Foundation Photoelectric and thermoelectric device utilizing semiconducting material
US2677715A (en) * 1950-09-23 1954-05-04 Alois Vogt Dr Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode
US2899659A (en) * 1952-03-07 1959-08-11 mcllvaine
US3276903A (en) * 1953-02-04 1966-10-04 Onera (Off Nat Aerospatiale) Heat treatment of metals
US2836524A (en) * 1955-12-21 1958-05-27 Gen Electric Method and apparatus for the production of single crystals
US2998006A (en) * 1958-07-01 1961-08-29 John G Johnston Solar fluid heater
ES247631A1 (es) * 1959-02-13 1959-06-01 Amat Bargues Miguel Sistema para el aprovechamiento de la energia contenida en los rayos solares
US3173801A (en) * 1961-05-26 1965-03-16 Thompson Ramo Wooldridge Inc Electromagnetic radiation energy arrangement
US3225208A (en) * 1962-02-23 1965-12-21 Bell Telephone Labor Inc Thermoelectric powered satellite
US3368914A (en) * 1964-08-05 1968-02-13 Texas Instruments Inc Process for adherently depositing a metal carbide on a metal substrate
US3229682A (en) * 1964-03-05 1966-01-18 Perlmutter Morris Device for directionally controlling electromagnetic radiation
US3294654A (en) * 1965-07-28 1966-12-27 Ethyl Corp Metal plating process
DE1789046B1 (de) * 1968-09-27 1972-02-03 Siemens Ag Strahlungsdetektor mit einem halbleiterkoerper mit photo thermomagnetischen effekt
GB1326769A (en) * 1970-10-08 1973-08-15 Fulmer Res Inst Ltd Formulation of tungsten and molybdenum carbides

Also Published As

Publication number Publication date
IT1041944B (it) 1980-01-10
DE2539101B2 (de) 1977-03-03
JPS5512562B2 (pl) 1980-04-02
FR2346821A1 (fr) 1977-10-28
EG12954A (en) 1980-07-31
DE2539101A1 (de) 1976-04-29
GB1515763A (en) 1978-06-28
SE7510405L (sv) 1976-04-19
IL48016A (en) 1977-11-30
SE417638B (sv) 1981-03-30
FR2346821B1 (pl) 1978-09-01
US4005698A (en) 1977-02-01
ES441836A1 (es) 1977-04-01
CA1052212A (en) 1979-04-10
SU741811A3 (ru) 1980-06-15
CS198175B2 (en) 1980-05-30
IL48016A0 (en) 1975-11-25
HU172031B (hu) 1978-05-28
YU251875A (en) 1982-02-28
JPS5158353A (pl) 1976-05-21
CH593462A5 (pl) 1977-11-30
AU8575775A (en) 1977-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL110969B1 (en) Luminous energy converter
Cuomo et al. A new concept for solar energy thermal conversion
US5817422A (en) Optical apparatus having a highly diffusive metal surface layer
US4348254A (en) Method of making solar cell
TW201809931A (zh) 熱電裝置及系統
JPS59127879A (ja) 光電変換装置およびその作製方法
US20100170707A1 (en) Optical article
JPS6110998B2 (pl)
JP2006515717A (ja) 球状太陽電池アレイの製造方法
KR20080095252A (ko) 반도체 컴포넌트 및 그를 생산하고 이용하는 방법
JPH0641369B2 (ja) 多結晶シリコンの製造装置
GB2091940A (en) Composition and method for applying antirefelctive coatingon solar cell
US5779848A (en) Corrosion-resistant aluminum nitride coating for a semiconductor chamber window
GB2066565A (en) Structured solar cell and method of making same
JPS5956661A (ja) 太陽熱コレクタ−の製造方法
JP4234295B2 (ja) 球状半導体素子の電極形成方法
JPS6320025B2 (pl)
JP4761705B2 (ja) エッチング装置
JPH0317770B2 (pl)
JP2002314110A (ja) 太陽電池及びその製造方法
JPS59152673A (ja) 光電変換装置作製方法
JPS58151070A (ja) 太陽電池及びその製造方法
JPS62188311A (ja) 化合物半導体薄膜の製造装置
JPS57194556A (en) Heat radiating package
JPS5828877A (ja) 太陽電池及びその製造方法