NO118610B - - Google Patents

Description

Kobling for å minske effekttap i en motkoblet

transistorforsterker.

Den foreliggende oppfinnelse vedrorer en kobling for å minske effekttap i en motkoblet transistorforsterker med et til-fbringspunkt for inngangs- og motkoblingssignaler på forsterkerens inngangsside og et utgangstrinn med utgangsimpedans som kan tilpasses, og med jordet kollektor.

Det er kjent ved transistorforsterkere å anvende jordet kollektorkobling i utgangstrinnet, såvel innen audioområdet som innen hoyfrekvensområdet, da et slikt utgangstrinn har liten faseforskyvning og konstant spenningsforsterkning opp til relativt hoye frekvenser. En forsterker som i utgangstrinnet anvender en jordet kollektorkobling som gir meget lav utgangsimpedans, er tidligere kjent. Ved eventuell motkobling syn-ker denne utgangsimpedans ytterligere. Onsker man tilpasning til belastningen ved at man innkobler en motstand med belast-ningens storrelse i serie med utgangen, blir klemspenningen

halvparten av utgangsspenningen, hvilket innebærer at den halve uteffekt forbrukes i tilpasningsmotstanden. Dessuten okes sam-tidig impedansnivået i emitterkretsen, hvilket bevirker at ved hoye frekvenser oppstår det ytterligere vanskeligheter ved valg av komponenter. Dette innebærer at man forbruker en ca. 3 dB hoyere effelt i motkoblingskretsen sammenlignet med en slik kobling der det ikke er nodvendig å halvere utgangsspenningen ved en serieimpedans.

Formålet med oppfinnelsen er å oke den lave utgangsimpedans fra det jordede kollektortrinn ved i emitterkretsen å innkoble et utgangsnett i form av to parallelle strømgrener som er i balanse med hverandre.

Koblingen ifolge oppfinnelsen kjennetegnes ved at transistorens

emitter i utgangstrinnet er tilkoblet to parallelle strømgrener, av hvilke den ene over forsterkerens belastningsimpedans og en med denne seriekoblet balanseringsimpedans er tilkoblet jord

og den andre over en andre balanseringsimpedans og en impedans som er lik med belastningsimpedansen, er tilkoblet tilforings-; punktet for inngangs- og motkoblingssignalene, hvorved en diagonalimpedans er koblet mellom impedansenes forbindelsespunkter i de respektive grenene, hvilken diagonalimpedans er dimensjonert på en slik måte at en utgangsimpedans av bnsket

verdi oppnås fra forsterkeren, og nevnte balanseringsimpedan-ser er dimensjonert på en slik måte at diagonalimpedansen er i det nærmeste stromlos i fravær av reflekterte signaler på

utgangen, og dessuten mellom tilforingspunktet for inngangs-og motkoblingssignalene og utgangstrinnet er innkoblet minst et spenningsforsterkende transistortrinn slik at utgangstrinnet styres mellom sin basis og jord.

Oppfinnelsen skal nærmere beskrives nedenfor ved hjelp av et utforelseseksempel under henvisning til tegningen som viser en kobling ifolge oppfinnelsen.

Koblingen består av en motkoblet transistorforsterker med et tilforingspunkt A, til hvilket mates såvel et inngangssignal over en motstand e som et motkoblingssignal fra et utgangstrinn. En transistor Tl som danner et forsterkertrinn, er med sin basis tilkoblet nevnte tilforingspunkt og med sin emitter-kollekt<p>rkrets tilkoblet mellom jord og utgangstrin-nets inngang. Denne inngang utgjores av basis for en transistor T2 hvis kollektor er jordet og har emitter tilkoblet to parallelle strømgrener. Den ene av disse er tilkoblet jord over forsterkerens belastningsimpedans RO og en med denne seriekoblet balanseringsimpedans d. Den andre grenen er tilkoblet nevnte tilforingspunkt A over en balanseringsimpedans a og en med denne seriekoblet impedans c som er lik med belastningsimpedansen RO. Mellom nevnte impedansers forbindelsespunkter B og C i respektive grener er tilkoblet en diagonalimpedans b hvia verdi bestemmes av den dnskede verdi for for-sterkningskoblingens utgangsimpedans målt mellom punktene X

og C. Nevnte tilforingspunkt A antar en potensialverdi som tilnærmet er lik med potensialverdien i jordingspunktet D. Herved blir det mulig ved hensiktsmessig dimensjonering av balanseringsimpedansene a og d å oppnå at diagonalimpedansen b er stromlos i fravær av reflekterte signaler fra utgangen.

Ved denne balanseringsbetingelse fås intet effekttap i diagonalimpedansen b. Dessuten antar balanseringsimpedansen d en omtrentlig verdi RO/F, der F er forsterkningsfaktoren. Fol-gelig blir d generelt sett en liten impedans, betydelig mindre enn den tilpasningsimpedans som ville være nodvendig ved kon-vensjonelle anordninger, og effektforbruket blir herved mindre. Effektforbruket i impedansen a blir det samme som i impedansen d, dvs. meget lite, og i impedansen c nesten neglisjerbart på grunn av balanseringsbetingelsen.

Med koblingen ifolge oppfinnelsen kan man således nyttiggjore de gode klirregenskapene hos et jordet kollektortrinn og sam-tidig spare effekt sammenlignet med tidligere kjente anordninger.

Claims (1)

1. Kobling for å minske effekttap i en motkoblet transistorforsterker med et tilforingspunkt for inngangs- og motkoblingssignaler på forsterkerens inngangsside og et utgangstrinn med utgangsimpedans som kan tilpasses, og med jordet kollektor, karakterisert ved at emitteren på transisto-ren i utgangstrinnet er tilkoblet to parallelle strømgrener,

av hvilke den ene over forsterkerens belastningsimpedans (RO) og en med denne seriekoblet balanseringsimpedans (d) er tilkoblet jord og den andre over en andre balanseringsimpedans (a) og en impedans (c) som er lik med belastningsimpedansen (RO),

er tilkoblet tilforingspunktet (A) for inngangs- og motkoblingssignalene, mens en diagonalimpedans (b) er tilkoblet mellom impedansenes forbindelsespunkter (B, C) i de respektive grenene, hvilken diagonalimpedans er dimensjonert på en slik måte at forsterkeren får en utgangsimpedans av onsket verdi, og at balanseringsimpedansene (a, d) er dimensjonert på en slik måte at diagonalimpedansen er tilnærmet stromlos i fravær av reflekterte signaler i utgangen, og dessuten at det mellom tilforingspunktet for inngangs- og motkoblingssignalene og utgangstrinnet (T2) er innkoblet minst ett spenningsforsterkende transistortrinn (Tl) slik at utgangstrinnet styres mellom sin basis og jord.