NL9101381A - Elektreetstructuur, werkwijze voor het vervaardigen daarvan, en een elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type. - Google Patents
Elektreetstructuur, werkwijze voor het vervaardigen daarvan, en een elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9101381A NL9101381A NL9101381A NL9101381A NL9101381A NL 9101381 A NL9101381 A NL 9101381A NL 9101381 A NL9101381 A NL 9101381A NL 9101381 A NL9101381 A NL 9101381A NL 9101381 A NL9101381 A NL 9101381A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- charge
- dielectric layer
- thickness
- electret
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
- H01G7/025—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an inorganic dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R25/00—Deaf-aid sets, i.e. electro-acoustic or electro-mechanical hearing aids; Electric tinnitus maskers providing an auditory perception
- H04R25/60—Mounting or interconnection of hearing aid parts, e.g. inside tips, housings or to ossicles
- H04R25/604—Mounting or interconnection of hearing aid parts, e.g. inside tips, housings or to ossicles of acoustic or vibrational transducers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Description
Titel: Elektreetstructuur, werkwijze voor het vervaardigen daarvan, en een elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type.
De uitvinding heeft betrekking op een elektreetstructuur, omvattende een substraat, een op het substraat aangebracht diëlektricum, en een in het diëlektricum geïntroduceerde hoeveelheid lading.
Een belangrijk ontwerperiterium voor een elektreetstructuur is de maximale hoeveelheid lading die kan worden aangebracht per oppervlakte-eenheid. Een ander belangrijk ontwerpcriterium van een elektreetstructuur is het verval van de lading, uitgedrukt in bijvoorbeeld Volt per tijdseenheid, hetwelk zo klein mogelijk dient te zijn. Genoemd verval wordt veroorzaakt door bulk- en oppervlaktegeleiding van het elektreetmateriaal, welke mede beïnvloed wordt door omgevingstemperatuur en vochtigheid.
Een elektreetstructuur van het bovengenoemde type is bijvoorbeeld bekend uit het Amerikaanse octrooischrift 4.910.840. Daarbij is als materiaal voor de ladingdragende laag SiC>2 gebruikt, en is het oppervlak daarvan hydrofoob gemaakt door een behandeling met hexamethyl-disilazane (HMDS) of een vergelijkbare stof. Door de verkregen hydrofobe karakteristiek van de ladingdragende laag wordt bereikt, dat vochtafzetting uit de omringende atmosfeer wordt tegengegaan hetgeen ook resulteert in een op langere termijn verminderde geleidbaarheid van het oppervlak van de ladingdragende laag, zodat het weglekken van lading uit de ladingdragende laag wordt verminderd en de door het verval bepaalde levensduur van de elektreetstructuur wordt vergroot.
De uitvinding beoogt de bekende elektreetstructuur te verbeteren en een elektreetstructuur te verschaffen met een ten opzichte van de bekende elektreetstructuur vergrote levensduur.
Meer in het bijzonder beoogt de uitvinding een elektreetstructuur te verschaffen die ook bij hoge temperaturen en hoge relatieve omgevingsvochtigheid een bijzonder lage bulk- en oppervlaktegeleiding heeft en daardoor een stabiele werking over een langere tijd vertoont.
Daartoe heeft de elektreetstructuur volgens de uitvinding het kenmerk, dat de ladingdragende laag zich bevindt tussen een eerste en een tweede diëlectrische laag, die elk bestaan uit een materiaal dat verschilt van het materiaal van de ladingdragende laag, waarbij de eerste laag zich het meest nabij het substraat bevindt en het niet aan de ladingdragende laag grenzende opprvlak van de tweede laag hydrofoob is.
De uitvinding beoogt ook te voorzien in een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke elektreet en omvat daartoe de stap van het aanbrengen van een ladingslaag op een substraat en het introduceren van elektrische lading in deze laag en wordt gekenmerkt door in de beschreven volgorde de stappen van: het aanbrengen van een eerste diëlectrische laag op het substraat; het aanbrengen van de ladingslaag op de eerste diëlectrische laag; het aanbrengen van een tweede diëlectrische laag op de ladingdragende laag; het hydrofoob maken van het vrije oppervlak van de tweede diëlectrische laag.
De uitvinding zal nader worden verduidelijkt in de hiernavolgende beschrijving van een voorkeursuitvoeringsvorm onder verwijzing naar de tekening, waarin de enkele figuur schematisch een dwarsdoorsnede toont van een voorkeursuitvoeringsvorm van de elektreetstructuur volgens de uitvinding.
Met nadruk wordt er op gewezen, dat de figuur niet op schaal is, zodat de dikteverhoudingen van de in de figuur weergegeven lagen niet representatief zijn voor in de praktijk geschikte dikteverhoudingen.
De figuur toont schematisch een gedeelte van een in zijn algemeenheid met het verwijzingscijfer 10 aangeduide elektreetstructuur. De elektreetstructuur 10 omvat een siliciumsubstraat 1. Het substraat 1 kan bestemd zijn voor het vervaardigen van één elektreetstructuur, danwel bestemd zijn om te worden verdeeld in meerdere elektreten. Het substraat 1 kan echter ook bestemd voor het vervaardigen van ten minste één een elektreetstructuur omvattende inrichting, zoals bijvoorbeeld een elektro-akoestische transducent, en daartoe op een op zich bekende wijze zijn voorzien van geschikte structuren. Behalve uit silicium kan het substraat ook uit andere materialen bestaan die geschikt zijn om in een elektreetstructuur als substraat te fungeren.
Op een oppervlak van het substraat 1 bevindt zich een diëlectrische laag 2 met een zeer lage bulk-geleiding, welke -laag als isolator fungeert. Voorbeelden van voor een dergelijke laag geschikt materiaal zijn AI2O3 en S1O2. S1O2 geniet de voorkeur, omdat het aanbrengen van een dergelijke laag op een siliciumsubstraat bijzonder eenvoudig is.
Bij voorkeur bevindt de dikte van de eerste diëlectrische laag 2 zich in het gebied van 0,01 Mm - 5 Mm. De grenzen voor de dikte van deze laag worden enerzijds bepaald door de vereiste doorslagspanning en anderzijds door de tijd die nodig is om de laag aan te brengen. In de praktijk blijkt een dikte van ongeveer 1 Mm goed te voldoen.
Op de eerste diëlectrische laag 2 bevindt zich een laag 3 uit een materiaal dat verschilt van het materiaal van de eerste diëlectrische laag 2 en dat bij voorkeur eveneens een zeer lage bulk-geleiding heeft, welke ladingslaag bestemd is om, nadat in de laag 3 ladingdragers op een nader te bespreken wijze zijn geïntroduceerd,.als ladingdragende laag te fungeren. Bij voorkeur wordt voor deze laag S13N4 gebruikt, omdat de technologie voor het aanbrengen van lagen uit dit materiaal goed bekend is en voor het overige dit materiaal aan alle gestelde eisen voldoet.
Bij voorkeur bevindt de dikte van de ladingslaag 3 zich in het gebied van 1 nm - 1 M^f waarbij een dikte van ongeveer 20 nm geprefereerd wordt. De ondergrens van de laagdikte wordt bepaald door de technologische mogelijkheden, terwijl een bovengrens in theorie niet bestaat, maar in de praktijk wordt bepaald door de tijd die nodig is voor het aanbrengen van de laag.
Op de ladingslaag 3 bevindt zich een diëlectrische laag 4 uit een materiaal dat verschilt van het materiaal van de ladingslaag 3 en eventueel ook van dat van laag 2 en dat een zeer lage bulk-geleiding heeft. Voorbeelden van een voor deze laag geschikt materiaal zijn AI2O3 en Si02· Bij voorkeur wordt S1O2 gebruikt.
De dikte van de tweede diëlectrische laag 4 kan zich in het gebied van 1 nm - 2 μιη bevinden, bijvoorkeur in het gebied van 2 nm - 20 nm, terwijl een dikte van ongeveer 3 nm in de praktijk goed blijkt te voldoen.
Het buitenoppervlak van de tweede diëlectrische laag 4, dat in de figuur met verwijzingscijfer 5 is aangeduid, is op op zich bekende wijze behandeld met een hydrofoob makende stof, zoals hexamethyl-disilazaan (HMDS) of een vergelijkbare stof, teneinde te bereiken dat het buitenoppervlak 5 van de tweede diëlectrische laag 4 hydrofobe eigenschappen heeft, waardoor wordt tegengegaan dat vocht de elektrische eigenschappen van dit oppervlak nadelig kan beïnvloeden.
Bij de in de figuur weergegeven elektreetstructuur 10 is de lading opgesloten in de ladingdragende laag 3 tussen de twee diëlectrische lagen 2 en 4, zodat de lading niet kan wegvloeien. Bij de uit het Amerikaanse octrooischrift 4.910.840 bekende structuur ontbreken de twee diëlectrische lagen 2 en 4, zodat de lading meer gelegenheid heeft om langs het oppervlak van de ladingdragende laag weg te vloeien.
Voorbeeld I
Een elektreetstructuur volgens de uitvinding, met de volgende specificaties: substraat 1 materiaal Si dikte 500 μιη eerste diëlectrische laag 2 materiaal SiC>2 dikte 1 μιη ladingdragende laag 3 materiaal SÏ3N4 dikte 20 nm tweede diëlectrische laag 4 materiaal S1O2 dikte 3 nm het buitenoppervlak 5 van laag 4 behandeld met HMDS; elektreetspanning opgebouwd d.m.v. corona oplading: 160 V is getest met betrekking tot de stabiliteit, onder de volgende testomstandigheden: relatieve vochtigheid 95 - 100 % zonder dat
condensatie optreedt temperatuur 60 °C
Gemeten is, dat na verloop van 46 dagen het spanningsverval minder dan 0,5 Volt bedroeg, dat wil zeggen minder dan 0,4 %, waarbij wordt opgemerkt dat in de praktijk de meetnauwkeurigheid i.v.m. de noodzaak van het toepassen van een contactloze spanningsmeting eveneens 0,5 Volt bedraagt, zodat het werkelijke spanningsverval wellicht nog kleiner is. Ter vergelijking is onder dezelfde testomstandigheden een bekende elektreetstructuur getest, met als specificaties: substraat materiaal Si dikte 500 μιη ladingdragende laag materiaal SiC>2 dikte 1 μιη
elektreetspanning 160 V
Deze bleek na 46 dagen een spanningsverval van 25 Volt te vertonen, d.w.z een verval van meer dan 15 %.
Voorbeeld II
Een elektreetstructuur zoals beschreven in voorbeeld I, maar met een elektreetspanning van 320 V, werd getest onder dezelfde testomstandigheden als beschreven in voorbeeld I. Gemeten is, dat na verloop van 33 dagen het spanningsverval minder dan 0,5 Volt bedroeg, dat wil zeggen minder dan 0,2 %, waarbij deze waarde ten gevolge van de mogelijke meetnauwkeurigheid opnieuw gunstiger kan zijn.
Ter vergelijking is onder dezelfde testomstandigheden een bekende elektreetstructuur getest, met als specificaties: substraat materiaal Si dikte 500 μιη ladingdragende laag materiaal SiC>2 dikte 1 μιη
elektreetspanning 320 V
Deze bleek na 33 dagen een spanningsverval van 60 Volt te vertonen, d.w.z een verval van meer dan 18 %.
Thans wordt onder verwijzing naar de figuur een voorbeeld van een werkwijze volgens de uitvinding voor het vervaardigen van een voorkeursuitvoeringsvorm van de elektreetstructuur volgens de uitvinding nader beschreven.
Op een siliciumsubstraat 1, bijvoorbeeld een wafer, dat eventueel is voorzien van (niet in de figuur weergegeven) geëtste transducent-structuren, wordt althans ter plaatse van een te vormen elektreetstructuur 10 een eerste laag Si02 2 aangebracht met een dikte van ongeveer 1 μπι. Het aanbrengen van de eerste laag S1O2 kan plaatsvinden door depositie, maar een methode die vanwege de eenvoud de voorkeur verdient, is het thermisch groeien van de eerste laag Si02 door het substraat 1 te verhitten in een oxiderende atmosfeer.
In een tweede stap wordt over de eerste laag S1O2 2 d.m.v. depositie een ladingslaag 3 uit S13N4 aangebracht met een dikte van ongeveer 20 nm.
In een derde stap wordt d.m.v. depositie over de ladingslaag 3 een tweede laag 4 uit S1O2 aangebracht met een dikte van ongeveer 3 nm.
Vervolgens wordt het oppervlak van de tweede laag S1O2 4 hydrofoob gemaakt door behandeling met HMDS.
Ten slotte wordt door middel van de op zich bekende en derhalve niet nader beschreven methode van corona-oplading door laag 4 heen lading geïntroduceerd in de laag 3 ter verkrijging van de gewenste elektreetspanning. Een andere geschikte methode voor het introduceren van lading is vloeibaar-contact-oplading, terwijl nog weer andere methoden ook welbekend zijn.
De behandeling met HMDS, of andere bekende stoffen die geschikt zijn om een oppervlak hydrofoob te maken, kan volgens de uitvinding worden uitgevoerd vóór danwel na het opladen van de ladingslaag 3, waarbij vergelijkbare resultaten werden verkregen, maar de resultaten bij de behandeling vooraf aan het opladen iets beter waren.
De uitvinding betreft ook een elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type. Een dergelijke transducent onderscheidt zich van de bekende elektro-akoestische transducent doordat het bovenbeschreven elektreet-materiaal volgens de uitvinding is toegepast. Aangezien de werking van een dergelijke transducent op zich geen onderwerp van de onderhavige uitvinding vormt, en overigens op zich bekend is, zal deze hier niet nader worden beschreven.
Volstaan kan worden met te verwijzen naar de Amerikaanse octrooien 4.908.805 en 4.910.840 van Aanvraagster. De elektro-akoestische transducent volgens de onderhavige uitvinding is ten opzichte van de bekende transducent verbeterd, doordat deze een betere“stabiliteit heeft bij hoge temperatuur en hoge relatieve vochtigheid.
Het zal voor een deskundige duidelijk zijn dat het mogelijk is de weergegeven uitvoeringsvorm van de inrichting volgens de uitvinding te veranderen of te modificeren, zonderde uitvindingsgedachte of de beschermingsomvang te verlaten.
Zo is het bijvoorbeeld mogelijk dat tussen het substraat en de laag 2 een of meerdere lagen worden aangebracht, welke laag of lagen echter geen invloed hebben op de eigenschappen van de elektreetstructuur.
Claims (24)
1. Elektreetstructuur, omvattende een substraat, een op het substraat aangebrachte ladingdragende laag, en een in deze laag geïntroduceerde hoeveelheid lading; met het kenmerk, dat de ladingdragende laag zich bevindt tussen een eerste en een tweede diëlectrische laag, die elk bestaan uit een materiaal dat verschilt van het materiaal van de ladingdragende laag, waarbij de eerste laag zich het meest nabij het substraat bevindt en het niet aan de ladingdragende laag grenzende oppervlak van de tweede laag hydrofoob is.
2. Elektreetstructuur volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste diëlectrische laag tussen het ladingdragende materiaal en het substraat althans in hoofdzaak is vervaardigd van Si02·
3. Elektreetstructuur volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de tweede diëlectrische laag aan de van het substraat afgekeerde zijde van het ladingdragende materiaal althans in hoofdzaak is vervaardigd van S1O2.
4. Elektreetstructuur volgens ten minste één der conclusies 1-3, met het kenmerk, dat het ladingdragende materiaal althans in hoofdzaak is vervaardigd van S13N4.
5. Elektreetstructuur volgens ten minste één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de dikte van de eerste diëlectrische laag is gelegen in het gebied van 0,01 μη - 5 μη.
6. Elektreetstructuur volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de dikte van de eerste diëlectrische laag althans in hoofdzaak gelijk is aan 1 μιη.
7. Elektreetstructuur volgens ten minste één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de dikte van de ladingdragende laag is gelegen in het gebied van 1 nm - 1 μπι.
8. Elektreetstructuur volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de dikte van ladingdragende materiaal althans in hoofdzaak gelijk is aan 20 nm.
9. Elektreetstructuur volgens ten minste één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de dikte van de tweede diëlectrische laag is gelegen in het gebied van 1 nm - 2 Mm.
10. Elektreetstructuur volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de dikte van de tweede diëlectrische laag althans in hoofdzaak gelijk is aan 3 nm.
11. Wafer, omvattende een siliciumsubstraat, gekenmerkt door ten minste één daarin gevormde elektreetstructuur volgens ten minste één der conclusies 1-10.
12. Werkwijze voor het vervaardigen van een elektreetstructuur, omvattende de stap van het aanbrengen van een ladingslaag op een substraat en het introduceren van elektrische lading in deze laag; gekenmerkt door in de beschreven volgorde de stappen van: het aanbrengen van een eerste diëlectrische laag op het substraat; het aanbrengen van de ladingslaag op de eerste diëlectrische laag; het aanbrengen van een tweede diëlectrische laag op de ladingslaag; het hydrofoob maken van het vrije oppervlak van de tweede diëlectrische laag.
13. Werkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de eerste diëlectrische laag in hoofdzaak uit SiC>2 bestaat en wordt gegroeid door het substraat te verhitten in een oxiderende atmosfeer.
14. Werkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de eerste diëlectrische laag in hoofdzaak uit SiC>2 bestaat en wordt aangebracht door middel van depositie.
15. Werkwijze volgens conclusie 12, 13 of 14, met het kenmerk, dat de eerste diëlectrische laag wordt gevormd tot een dikte in het gebied van 0,01 - 5 μιη.
16. Werkwijze volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat de eerste diëlectrische laag wordt gevormd tot een dikte van ongeveer 1 |im.
17. Werkwijze volgens ten minste één der conclusies 12-16, met het kenmerk, dat de ladingslaag wordt aangebracht door depositie van een materiaal dat verschilt van het materiaal van de eerste diëlectrische laag en tot een dikte in het gebied van 0,01 - 1 μπι.
18. Werkwijze volgens conclusie 17, met het kenmerk, dat de ladingslaag wordt aangebracht tot een dikte van ongeveer 20 nm.
19. Werkwijze volgens ten minste één der conclusies 12-18, met het kenmerk, dat de tweede diëlectrische laag wordt aangebracht door depositie van een materiaal dat verschilt van het materiaal van de ladingslaag en tot een dikte in het gebied van 0,001 - 2 μπι.
20. Werkwijze volgens conclusie 19, met het kenmerk, dat de tweede laag wordt gegroeid tot een dikte van ongeveer 3 nm.
21. Werkwijze volgens ten minste één der conclusies 12-20, met het kenmerk, dat de elektrische lading wordt geïntroduceerd nadat over de ladingslaag de tweede diëlectrische laag is aangebracht.
22. Werkwijze volgens conclusie 21, met het kenmerk, dat aan het vrije oppervlak van de de tweede diëlectrische laag hydrofobe eigenschappen worden gegeven door behandeling met een daartoe geschikte stof en dat die behandeling wordt uitgevoerd voordat de elektrische lading is geïntroduceerd in de ladingslaag.
23. Werkwijze volgens conclusie 21, met het kenmerk, dat aan het vrije oppervlak van de de tweede diëlectrische laag hydrofobe eigenschappen worden gegeven door behandeling met een daartoe geschikte stof en dat die behandeling wordt uitgevoerd nadat de elektrische lading is geïntroduceerd in de ladingslaag.
24. Elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type, gekenmerkt door ten minste één elektreetstructuur volgens ten minste één der conclusies 1-10.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9101381A NL9101381A (nl) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | Elektreetstructuur, werkwijze voor het vervaardigen daarvan, en een elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type. |
| PCT/EP1992/001062 WO1993004495A1 (de) | 1991-08-13 | 1992-05-14 | Elektretstruktur, herstellverfahren dafür und deren verwendung in einem elektroakustischen wandler |
| EP92909830A EP0598729B1 (de) | 1991-08-13 | 1992-05-14 | Elektretstruktur, herstellungsverfahren dafür und deren verwendung in einem elektroakustischen wandler |
| DE59204011T DE59204011D1 (de) | 1991-08-13 | 1992-05-14 | Elektretstruktur, herstellungsverfahren dafür und deren verwendung in einem elektroakustischen wandler. |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9101381 | 1991-08-13 | ||
| NL9101381A NL9101381A (nl) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | Elektreetstructuur, werkwijze voor het vervaardigen daarvan, en een elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL9101381A true NL9101381A (nl) | 1993-03-01 |
Family
ID=19859607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL9101381A NL9101381A (nl) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | Elektreetstructuur, werkwijze voor het vervaardigen daarvan, en een elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0598729B1 (nl) |
| DE (1) | DE59204011D1 (nl) |
| NL (1) | NL9101381A (nl) |
| WO (1) | WO1993004495A1 (nl) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6859542B2 (en) * | 2001-05-31 | 2005-02-22 | Sonion Lyngby A/S | Method of providing a hydrophobic layer and a condenser microphone having such a layer |
| KR200332944Y1 (ko) * | 2003-07-29 | 2003-11-14 | 주식회사 비에스이 | Ｓｍｄ가능한 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU449361B2 (en) * | 1971-04-01 | 1974-05-21 | Interfacial electrets | |
| JPS4861126A (nl) * | 1971-12-02 | 1973-08-27 | ||
| US3786495A (en) * | 1972-05-17 | 1974-01-15 | Ncr | Stored charge transducer |
| FR2307357A1 (fr) * | 1975-04-11 | 1976-11-05 | Thomson Csf | Structure monolithique de stockage de charges electriques, procede de mise en charge de cette structure et composants electroniques d'application |
| NL8702589A (nl) * | 1987-10-30 | 1989-05-16 | Microtel Bv | Elektro-akoestische transducent van de als elektreet aangeduide soort, en een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke transducent. |
-
1991
- 1991-08-13 NL NL9101381A patent/NL9101381A/nl not_active Application Discontinuation
-
1992
- 1992-05-14 WO PCT/EP1992/001062 patent/WO1993004495A1/de active IP Right Grant
- 1992-05-14 EP EP92909830A patent/EP0598729B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-14 DE DE59204011T patent/DE59204011D1/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0598729A1 (de) | 1994-06-01 |
| EP0598729B1 (de) | 1995-10-11 |
| DE59204011D1 (de) | 1995-11-16 |
| WO1993004495A1 (de) | 1993-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2938531B2 (ja) | 容量性湿度センサの製造方法 | |
| Calleja et al. | Fabrication of gold nanowires on insulating substrates by field-induced mass transport | |
| US6441392B1 (en) | Device based on quantic islands and method for making same | |
| Kacprzyk et al. | Piezoelectric properties of nonuniform electrets | |
| DE19901183C2 (de) | Platintemperatursensor und Herstellungsverfahren für denselben | |
| JP2003516539A (ja) | 容量型センサー | |
| US4118112A (en) | Method for reducing power dissipation in tapered resistor devices | |
| US4978915A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices involving the detection of impurities | |
| Amjadi et al. | Silicon-based inorganic electrets for application in micromachined devices | |
| Glynne-Jones et al. | An investigation into the effect of modified firing profiles on the piezoelectric properties of thick-film PZT layers on silicon | |
| JPH0230186A (ja) | 薄膜電界効果トランジスタとその製造方法 | |
| NL9101381A (nl) | Elektreetstructuur, werkwijze voor het vervaardigen daarvan, en een elektro-akoestische transducent van het zgn. elektreet-type. | |
| FR2872914A1 (fr) | Capteur pour la detection et/ou la mesure d'une concentration de charges electriques contenues dans une ambiance, utilisations et procede de fabrication correspondants | |
| FR2565687A1 (fr) | Detecteur de pression capacitif et procede pour sa fabrication | |
| US6903915B2 (en) | Variable capacitor voltage-controllable by use of coulomb blocking phenomenon | |
| JP3852963B2 (ja) | マイクロ電子デバイス | |
| Yang et al. | Structural and electrical properties of an Au film system deposited on silicone oil surfaces | |
| Jiang et al. | Polysilicon structures for shear stress sensors | |
| WO1997013274A1 (en) | A support for electronic components | |
| Gerblinger et al. | Electric and Kinetic Properties of Screen‐Printed Strontium Titanate Films at High Temperatures | |
| Banerjee et al. | Electrical resistivity of silver–silica nanocomposites | |
| DE19917717C2 (de) | Kapazitiver Feuchtesensor | |
| US3925179A (en) | Method of electrically depositing glass particles on objective body | |
| McGeown et al. | Thermopower in discontinuous metal films | |
| Watanabe et al. | Electrostatic charge distribution in the dielectric layer of alumina electrostatic chuck |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |