NL8602196A - Geladen deeltjes bestralingsapparaat met optisch vervormbaar bundel begrenzend diafragma. - Google Patents

Geladen deeltjes bestralingsapparaat met optisch vervormbaar bundel begrenzend diafragma. Download PDF

Info

Publication number
NL8602196A
NL8602196A NL8602196A NL8602196A NL8602196A NL 8602196 A NL8602196 A NL 8602196A NL 8602196 A NL8602196 A NL 8602196A NL 8602196 A NL8602196 A NL 8602196A NL 8602196 A NL8602196 A NL 8602196A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
charged particle
irradiation device
particle irradiation
astigmatic
optical system
Prior art date
Application number
NL8602196A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8602196A priority Critical patent/NL8602196A/nl
Priority to DE8787201527T priority patent/DE3768737D1/de
Priority to EP87201527A priority patent/EP0257694B1/en
Priority to US07/089,092 priority patent/US4823013A/en
Priority to KR870009370A priority patent/KR880003390A/ko
Priority to JP62213161A priority patent/JPS6362321A/ja
Publication of NL8602196A publication Critical patent/NL8602196A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • H01J37/3007Electron or ion-optical systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/049Focusing means
    • H01J2237/0492Lens systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31776Shaped beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)

Description

PHN 11.847 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Geladen deeltjes bestralingsapparaat met optisch vervormbaar bundel begrenzend diafragma.
De uitvinding heeft betrekking op een geladen deeltjes apparaat met een deeltjesbron, een lenssysteem en twee op elkaar afbeeldbare bundel begrenzende diafragma's met daartussen een bundelafbuigsysteem.
5 Een dergelijk apparaat is bekend uit het artikel "Double- aperture method of producing variably shaped writing spots for electron lithography", gepubliceerd in Journal Vac. Sci. Techn. 15(3), mei-juni 1978, pp 891-895 door M.G.R. Thomson e.a.; verder het Thomson artikel te noemen. In dit artikel wordt een electronenbundel 10 bestralingsapparaat beschreven waarin met behulp van twee op elkaar afbeeldbare samengestelde bundel begrenzende diafragma's met bijvoorbeeld een viervoudige spot kan worden geschreven. In de beschreven uitvoering liggen de vier vierkante spots op een lijn en kunnen door een aangepaste vorm van het tweede diafragma en een juiste 15 superpositie onafhankelijk van elkaar worden geactiveerd.
Ten opzichte van het originele beamshaping apparaat zoals beschreven in US 3.638.231 kunnen patronen met een daarvoor geschikte structuur sneller worden geschreven. Dit geldt evenwel niet voor alle patronen en zeker niet voor patronen waarin is afgeweken van een 20 orthogonale en lineaire structuur. In het algemeen, en vooral voor niet orthogonale dan wel niet lineaire patronen is een dergelijk beamshaping systeem te weinig flexibel en werkt het daardoor veelal te langzaam.
Voor een apparaat voor bijvoorbeeld productie van gelintegreerde schakelelementen werkend met een bundel geladen 25 deeltjes is het, ongeacht of de productie rechtstreeks of via een masker plaats vindt, gewenst, dat de vergroting, het focus en de positie van de bronafbeelding op het object bij variatie van de bundeldoorsnede niet variëren omdat daardoor de openingshoek van een laatste lens in het systeem zou worden beperkt. Een dergelijk apparaat 30 moet, vooral bij directe productie snel werken waartoe een optimaal aan het patroon aangepaste schrijfspot doorsnede en korte schrijfpuls omschakeltijden zijn gewenst. Verder is het van belang, dat aberraties 8602196 * PHN 11.847 2 in het systeem zoals sferische aberraties, Boersch effecten, trajectory displacement effecten en strooistraling zo veel mogelijk worden gereduceerd.
De uitvinding beoogt de genoemde bezwaren te ondervangen 5 en in hoge mate aan de gestelde eisen tegemoet te komen en daartoe heeft een geladen deeltjes bestralingsapparaat van de in de aanhef genoemde soort volgens de uitvinding tot kenmerk, dat, gezien vanaf de bron na een bundel begrenzend diafragma een optisch systeem is opgenomen voor een zich in een richting langwerpig uitstrekkende astigmatische 10 bronafbeelding in een vlak waarin door een multipool element met een krachtveld opwekbaar is dat ter plaatse enkel actief is in een richting dwars op de langgerekte bronafbeelding.
Doordat in een apparaat volgens de uitvinding voor bundel vervorming een astigmatisch optisch systeem wordt gebruikt zal een 15 bundel deflectie in een richting uitgevoerd kunnen worden zonder dat daarbij de bronpositie wordt beïnvloed en kan een voorafgaand bundel begrenzend diafragma in een richting in hoge mate willekeurig worden vervormd zonder dat daarbij onscherpte in de diafragma afbeelding optreedt.
20 In een voorkeursuitvoering is het optisch systeem uitgerust voor het vormen van zowel een astigmatische bronafbeelding als van een dwars daarop gerichte langwerpige astigmatische afbeelding van een bundel begrenzend diafragma tussen twee bundel begrenzende diafragma's en is ter plaatse van elk van deze afbeeldingen een in 25 slechts een richting actief multipool element opgenomen. De locatie van mechanische onderdelen van het multipool element is daarbij niet relevant zolang een daardoor op te wekken krachtveld maar in het symmetrie vlak actief is. In het bijzonder is het optisch systeem tussen twee onderling loodrechte afbeeldingsrichtingen in ompoolbaar.
30 Door te werken met een optisch systeem met een relatief grote scherpte diepte kan de astigmatische bronafbeelding afbeeldingen worden vervormd zonder dat randonscherpte optreedt.
In het bijzonder is het optisch systeem zodanig ingericht, dat een astigmatische bronafbeelding en een dwars daarop 35 gerichte astigmatische diafragma afbeelding in een vlak samenvallen en kan daartoe uit quadrupolen, sferische lenzen en of cylindrische lenzen zijn opgebouwd.
8602196 ΡΗΝ 11.847 3 ψ
In een voorkeursuitvoering is het optisch systeem opgebouwd uit ten minste zes quadrupolen en is een multipool element geplaatst in een symmetrie vlak daarvan waarin naast een afbeelding in een eerste richting (de x-richting) van een bron tegelijk een afbeelding 5 van een diafragma in een richting dwars daarop (de y-richting) kan worden gerealiseerd. Met de aldaar opgestelde multipool, enkel actief in de x-richting, wordt de bronafbeelding niet vervormd maar kunnen twee tegenover elkaar gelegen begrenzingen van een, bijvoorbeeld rechthoekig bundel begrenzend diafragma meer of minder willekeurig 10 worden vervormd. Door een opvolgende afbeelding van dit vervormde diafragma op een tweeede bundel begrenzend diafragma kunnen aldus schrijfspots worden gevormd waarvan twee zijden willekeurig zijn vervormd. Door een tweede quadrupool systeem op te nemen na een volgend bundel begrenzend diafragma kunnen ook daarvan twee tegenoverliggende 15 ribben worden vervormd en kan bij superpositie een schrijfspot met vier willekeurig te vormen begrenzingen worden gevormd. Met behulp van een sextupool als multipool element kunnen ook niet lineaire vervormingen worden gerealiseerd zoals bijvoorbeeld cirkelbogen.
In een verdere voorkeursuitvoering is voor een eerste 20 quadrupool systeem een astigmatisch werkend bundelcorrectie systeem opgenomen waarmede niet gewenste astigmatische bronvervormingen door de multipool kunnen worden voorgecompenseerd. Een eenvoudig geheel wordt verkregen door ook daarvoor quadrupolen te gebruiken. Bij een multibeam systeem is een dergelijke voorcompensatie systeem uiterst gewenst omdat 25 anders de juiste onderlinge locatie van de deelbundels verloren zou gaan. In het algemeen kan worden opgemerkt, dat het gunstig is voor snel stuurbare optische elementen exclusief electrostatisch werkende elementen te gebruiken, dit vooral om korte insteltijden te kunnen realiseren.
30 In het navolgende zullen aan de hand van de tekening enkele voorkeursuitvoeringen volgens de uitvinding nader worden beschreven. In de tekening toont. :
Fig. 1 een conventioneel bundelshaping systeem,
Fig. 2 een schetsmatige weergave van een apparaat volgens 35 de uitvinding,
Fig. 3 een voorbeeld van de stralengang in een uit zes quadrupolen opgebouwd quadrupool lenssysteem daarvoor, 8602196 * PHN 11.847 4
Fig. 4 en Fig. 5 enkele voorbeelden van met een apparaat volgens de uitvinding te vormen schrijfspot doorsneden.
In Fig. 1 is ter verduidelijking een bekend bundel shape apparaat schetsmatig weergegeven. Een dergelijk apparaat bevat een 5 geladen deeltjes bron 1 voor het opwekken van een electronen- of ionenbundel 2. Hoewel de besturing van electronen en ionen door het grote verschil in massa-ladingsverhouding sterk verschilt, zijn lenssystemen voor beide typen deeltjes fundamenteel toch in hoge mate gelijk. Met de bundel 2 meegaande zijn verder een condensorlens 4, 10 een eerste bundelbegrenzend diafragma 6 en een tweede bundel begrenzend diafragma 8 met daartussen een bundelafbuigsysteem 10 met een eerste afbeeldende lens 12, een tweede afbuigende lens 14 en een bundelafbuiger 15. Na het tweede diafragma 14 volgt gebruikelijk een eindlens 16 en een aftestsysteem 18 waarmede op een te bewerken oppervlak 20 van een 15 object 22 een afbeelding van de bundel in de vorm van een schrijfspot 24 kan worden gevormd waarmede dit oppervlak kan worden afgetast en bewerkt. Het object 20 kan bijvoorbeeld een plak silicium zijn voor directe vorming van een geïntegreerd schakel element of chip of ook een maskerplaat waarop een masker voor latere chip productie kan worden 20 geschreven. De uitvinding is voor beide productie methoden toepasbaar maar is dit door de sterke reductie in het aantal noodzakelijke schrijfpulsen vooral bij directe productie van meer gecompliceerde chips. Door nu een afbeelding van het eerste diafragma over het reële tweede diafragma te verplaatsen kan een bundeldoorsnede worden gevormd 25 met een dwarsdoorsnede gegeven door de superpositie van beide diafragma's die gebruikelijk rechthoekig zijn en waarvan ribben samenvallen met een x- en een y-richting dwars op een optische z-as 25 van het apparaat. Met twee van dergelijke diafragma's kunnen aldus door verplaatsing langs de x-as of de y-as stroken in die richtingen worden 30 gevormd en door verplaatsing in beide richtingen kleinere rechthoeken.
De in het artikel van Thomson genoemde viervoudige spot wordt gevormd door superpositie van een rechthoekig diafragma met een omvang van juist die vier spots op een rij en een samengesteld diafragma met in vier onderling verschoven posities vier verschillende doorlaatopeningen.
35 Evenals in het oorspronkelijke bundel shape apparaat wordt de geometrie van de schrijfspot dus volledig door de mechanische vorm van de twee bundelbegrenzende diafragma's bepaald.
8602196 f PHN 11.847 5
Een bundel shape apparaat volgens de uitvinding bevat, in een uitvoering zoals in Fig. 2 geschetst weer een bron 1 voor het opwekken van een langs de z-as 25 verlopende geladen deeltjes bundel, een condensorlens 4, een eerste bundel begrenzend diafragma 6, een 5 tweede bundel begrenzend diafragma 6 en een eindlens 16 met een aftastsysteem 20 voor het bewerken van een oppervlak 20 van een object 22 met een schrijfspot 24. Na het eerste diafragma 6 is hier een eerste quadrupool lens systeem 26 opgenomen dat hier zes quadrupolen 28 en 29 bevat. Optisch toont een dergelijk systeem tussen een derde en een 10 vierde quadrupool een symmetrievlak 30. Ter plaatse van het symmetrievlak 30 is een multipool element 32 opgenomen. Geheel overeenkomstig kan ook na het tweede diafragma een tweede quadrupool systeem 34 met quadrupolen 36 en 37, een symmetrievlak 35 en een multipool element 38 dat in apparatuur met twee systemen overigens 15 actief is in een richting dwars op de richting van activiteit van het multipool element 26. Afgezien van de verwerking van de x- en y-assen is de werking geheel overeenkomstig en zal aan de hand van Fig. 3 nader worden toegelicht. Tussen het eerste diafragma 6 en de bron kan een astigmatisch broncorrectie systeem 40 zijn opgenomen dat astigmatische 20 bronvervorming door een of beide genoemde multipool elementen voorcompenseert, waardoor bijvoorbeeld bij multibeam systemen een goede onderlinge bundelregistratie bewaard blijft. Het bundelcorrectie systeem 40 kan eveneens zijn opgebouwd uit bijvoorbeeld die quadrupolen 42.
25 In Fig. 3 is de stralengang door een symmetrisch quadrupool lenssysteem met zes quadrupolen 28-29 weergegeven. Met behulp van drie quadrupolen 28 wordt in het symmetrievlak 30 een langs een x-as gerichte astigmatische bronafbeelding gevormd. Daarbij wordt in een vlak 45 en later nog eens in een vlak 47 een langs de y-as 30 gerichte astigmatische bronafbeelding gevormd. Een en ander kan worden afgelezen uit de stralengang waarvan een door stralingsbron 50 begrensde bronbundel en een door stralingslijnen 52 begrensde diafragma bundel zijn weergegeven. De stralen 50 worden gesplitst in een met een stippellijn aangegeven stralengang 54 in een y-x vlak die de z-as van 35 het systeem in het symmetrievlak 30 snijdt en aldus een astigmatische bronafbeelding in de x-richting vormt en in met een gestreepte lijn aangegeven stralengang 56 in een x-z vlak waarbij snijpunten in de 8602196 t PHN 11.847 6 vlakken 45 en 47 corresponderen met astigmatische bron afbeeldingen in de y-richting. De diafragma bundel begrenzende stralen 52 worden overeenkomstig gesplitst in een weer met een stippellijn aangegeven stralengang 58 in het y-z vlak waarin binnen het systeem geen diafragma 5 afbeelding wordt gevormd en in een, met een streeplijn aangegeven stralengang 60 in het x-z vlak waardoor in het symmetrie vlak 30 een astigmatische diafragma afbeelding in de y-richting wordt gevormd. Na een laatste quadrupool verzamelen de stralengangen in beide richtingen zich weer in de stralengangen 50 voor de bron waardoor een stigmatische 10 bronafbeelding 62 wordt gevormd en in de stralengang 52 voor het diafragma waardoor zoals gewenst ter plaatse van het tweede diafragma 8 een stigmatische diafragma afbeelding 64 wordt gevormd.
Een multipool element 32 geplaatst in het symmetrievlak 30 en actief in enkel de x-richting vervormt de in de y-richting gelegen 15 diafragma afbeelding maar laat de zich aldaar in de x-richting uitstrekkende bronafbeelding ongemoeid. Er kunnen aldus superposities worden gevormd van een optisch vervormde afbeelding van een eerste diafragma 6 op een tweede diafragma 8. Geheel overeenkomstig kunnen met twee van dergelijke systemen na elkaar superposities worden gevormd van 20 optisch vervormde afbeeldingen van een eerste diafragma 6 en optische vervormde afbeeldingen van een tweede diafragma 8 waartoe in Fig. 2 de gestippelde diafragma beeld locatie 66 is aangegeven.
In Fig. 4 zijn enkele te realiseren superposities weergegeven. De geometrieën a en k zijn de gebruikelijke vormen te 25 realiseren met enkel mechanische diafragma superpositie. De geometrieën b en c zijn gevormd door een enkel quadrupool systeem met een multipool element dat eveneens met een quadrupool veld werkt waardoor een eerste, met de getrokken lijnen aangegeven diafragma lineair is vervormd. De geometrieën d en e zijn gevormd met een enkel 30 quadrupool systeem en een multipool van hogere orde waardoor niet lineaire vervormingen kunnen worden gerealiseerd. De superposities 1 en m zijn gevormd met twee opvolgende quadrupool systemen en voor elk een quadrupool als multipool element terwijl de superposities n en o zijn gevormd met twee opvolgende quadrupool systemen met elk een multipool 35 van hogere orde bijvoorbeeld een sextupool.
In Fig. 5 is de actie van het multipool element voor een enkel quadrupool systeem aangegeven. In Fig. 5a is de actie symmetrisch 8602198 a 4 'r PHN 11.847 7 ten opzichte van de z-as en lineair toenemend met de afstand daarvan waardoor een, voor scheve structuren zo gewenste superpositie 70 kan worden gevormd. In Fig. 5b is een in feite zelfde actie maar nu met symmetrisch ten opzichte van de z-as aangegeven. Dit is toelaatbaar 5 omdat een verschuiving van het veld van het multipool element in de richting van de bronafbeelding ter plaatse geen afbeeldingsfouten daarvoor oproept. Met bijvoorbeeld een sextupool kan een in Fig. 5c aangegeven niet lineair symmetrische actie worden gerealiseerd waardoor superpositie met gebogen begrenzingen kunnen worden gevormd. Door 10 symmetrische niet lineaire acties en niet symmetrische niet lineaire acties, weer toelaatbaar vanwege de toelaatbare verschuiving, toe te passen kunnen aan elkaar aan te passen cirkelsegmenten 72 worden gevormd zoals aangegeven in Fig. 5d.
8502186

Claims (14)

1. Geladen deeltjes bestralingsapparaat met een deeltjes bron, een lenssysteem en twee op elkaar afbeeldbare bundel begrenzende diafragma's met daartussen een bundelafbuigsysteem met het kenmerk, dat, gezien vanaf de bron na een bundel begrenzend diafragma een optisch 5 systeem is opgenomen voor een zich in een richting langwerpig uitstrekkende astigmatische bronafbeelding in een vlak waarin door een multipool element met een krachtveld opwekbaar is dat ter plaatse enkel actief is in een richting dwars op de langgerekte bronafbeelding.
2. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het optisch systeem is ingericht voor het vormen van zowel een astigmatische bronafbeelding als van een dwars daarop gerichte langwerpige astigmatische afbeelding van een bundel begrenzend diafragma tussen twee bundel begrenzende diafragma's en ter plaatse van 15 elk van deze afbeeldingen een in slechts een richting actief multipool element is opgenomen.
3. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het optisch systeem tussen twee onderling loodrecht astigmatische afbeeldingsrichtingen in ompoolbaar is.
4. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens conclusies 1, 2 of 3, met het kenmerk, dat het optisch systeem een zo grote scherpte diepte bezit, dat bij vervorming van een astigmatische afbeelding geen randonscherpte optreedt.
5. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens een der 25 voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat een astigmatische bronafbeelding en een dwars daarop gerichte astigmatische afbeelding in een vlak samenvallen.
6. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het optisch systeem is 30 opgebouwd uit qudrupolen sferische lenzen en cylinder lenzen.
7. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens een der conclusies 1 tot 5, met het kenmerk, dat het optisch systeem uit enkel qudrupool lenzen is opgebouwd.
8. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens conclusie 5 35 of 7, met kenmerk, dat het optisch systeem is opgebouwd uit ten minste zes quadrupolen in een symmetrie vlak waarvan beide astigmatische afbeeldingen samenvallen en een multipool element is opgesteld. @602196 PHN 11.847 9
9. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat ook na een verder bundel begrenzend diafragma een soortgelijk optisch systeem is opgenomen.
10. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens een der 5 voorgaande conclusies met het kenmerk, dat tussen de bron en een bundel begrenzend diafragma een astigmatisch correctie lenssysteem is opgenomen.
11. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat het correctie lenssysteem uit een aantal 10 quadrupolen is opgebouwd.
12. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens een der voorgaande conclusies met het kenmerk, dat het multipool systeem een quadrupool is.
13. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens een der 15 voorgaande conclusies met het kenmerk, dat het multipool systeem een sextupool is.
14. Geladen deeltjes bestralingsapparaat volgens een der conclusies 1 tot 11, met het kenmerk, dat het multipoool element een zodanig groot aantal polen bevat dat elke gewenste afbeeldingen door 20 keuze van te activeren polenparen realiseerbaar is. 8602196
NL8602196A 1986-08-29 1986-08-29 Geladen deeltjes bestralingsapparaat met optisch vervormbaar bundel begrenzend diafragma. NL8602196A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8602196A NL8602196A (nl) 1986-08-29 1986-08-29 Geladen deeltjes bestralingsapparaat met optisch vervormbaar bundel begrenzend diafragma.
DE8787201527T DE3768737D1 (de) 1986-08-29 1987-08-12 Belichtungsgeraet durch geladene teilchen mit einer optisch verformbarer strahlbegrenzungsblende.
EP87201527A EP0257694B1 (en) 1986-08-29 1987-08-12 Charged particles exposure apparatus having an optically deformable beam bounding diaphragm
US07/089,092 US4823013A (en) 1986-08-29 1987-08-25 Charged particles exposure apparatus having an optically deformable beam bounding diaphragm
KR870009370A KR880003390A (ko) 1986-08-29 1987-08-27 하전 입자 노출 장치
JP62213161A JPS6362321A (ja) 1986-08-29 1987-08-28 荷電粒子露光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8602196 1986-08-29
NL8602196A NL8602196A (nl) 1986-08-29 1986-08-29 Geladen deeltjes bestralingsapparaat met optisch vervormbaar bundel begrenzend diafragma.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8602196A true NL8602196A (nl) 1988-03-16

Family

ID=19848475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8602196A NL8602196A (nl) 1986-08-29 1986-08-29 Geladen deeltjes bestralingsapparaat met optisch vervormbaar bundel begrenzend diafragma.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4823013A (nl)
EP (1) EP0257694B1 (nl)
JP (1) JPS6362321A (nl)
KR (1) KR880003390A (nl)
DE (1) DE3768737D1 (nl)
NL (1) NL8602196A (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4963748A (en) * 1988-06-06 1990-10-16 Arizona Technology Development Corporation (Atdc) Composite multipurpose multipole electrostatic optical structure and a synthesis method for minimizing aberrations
US4962317A (en) * 1989-09-29 1990-10-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Confined energy distribution for charged particle beams
DE4002849A1 (de) * 1990-02-01 1991-08-08 Finnigan Mat Gmbh Verfahren und massenspektrometer zur massenspektroskopischen bzw. massenspektrometrischen untersuchung von teilchen
US5468965A (en) * 1994-09-09 1995-11-21 The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer Circular, confined distribution for charged particle beams
US6225637B1 (en) * 1996-10-25 2001-05-01 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
US5969429A (en) * 1997-08-15 1999-10-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Breathing apparatus having electrical power supply arrangement with turbine-generator assembly
WO1999027558A1 (en) * 1997-11-20 1999-06-03 Philips Electron Optics B.V. Electrostatic device for correcting chromatic aberration in a particle-optical apparatus
EP1046184B1 (en) * 1998-09-09 2003-12-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Quadrupole device for projection lithography by means of charged particles
DE60134922D1 (de) * 2000-08-14 2008-09-04 Elith Llc Lithographischer Apparat
DE10136190A1 (de) * 2001-07-25 2003-02-06 Ceos Gmbh Schlitzlinsenanordnung für Teilchenstrahlen
US6940080B2 (en) * 2002-03-28 2005-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam lithography system, lithography method using charged particle beam, method of controlling charged particle beam, and method of manufacturing semiconductor device
JP4889431B2 (ja) * 2006-10-05 2012-03-07 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法
JP2011086643A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Panasonic Corp 不純物注入方法及びイオン注入装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6807439A (nl) * 1968-05-27 1969-12-01
US4075488A (en) * 1974-09-06 1978-02-21 Agency Of Industrial Science & Technology Pattern forming apparatus using quadrupole lenses
DE2711536A1 (de) * 1977-03-14 1978-09-21 Siemens Ag Durchstrahlungs-raster-korpuskularstrahlmikroskop
GB1605087A (en) * 1977-05-31 1981-12-16 Rikagaku Kenkyusho Method for shaping a beam of electrically charged particles
US4560878A (en) * 1980-05-19 1985-12-24 Hughes Aircraft Company Electron and ion beam-shaping apparatus
DE3138896A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektronenoptisches system mit vario-formstrahl zur erzeugung und messung von mikrostrukturen

Also Published As

Publication number Publication date
EP0257694B1 (en) 1991-03-20
US4823013A (en) 1989-04-18
KR880003390A (ko) 1988-05-16
JPS6362321A (ja) 1988-03-18
DE3768737D1 (de) 1991-04-25
EP0257694A1 (en) 1988-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6337485B1 (en) Electron beam exposure apparatus and its control method
US7462848B2 (en) Optics for generation of high current density patterned charged particle beams
EP1253619B1 (en) Charged particle beam exposure apparatus and device manufacturing method using same
NL8602196A (nl) Geladen deeltjes bestralingsapparaat met optisch vervormbaar bundel begrenzend diafragma.
US20020179855A1 (en) Charged particle beam exposure apparatus and method
WO2001048787A1 (en) Multi-electron -beam lithography apparatus with mutually different beam limiting apertures
JPS5823155A (ja) 荷電粒子ビ−ムの整列制御装置
JP2002511197A (ja) 電子ビームコラム用成形陰影投影
EP1239510B1 (de) Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung
JP2021163753A (ja) 3d回折データを取得するための方法およびシステム
KR100577754B1 (ko) 전자빔 리소그라피 장치 및 방법
US4683366A (en) All electrostatic electron optical sub-system for variable electron beam spot shaping and method of operation
EP0213664A1 (en) Beam of charged particles divided up into thin component beams
JP2019212614A (ja) マルチ電子ビーム偏向器及びマルチビーム画像取得装置
US4475044A (en) Apparatus for focus-deflecting a charged particle beam
EP1046184B1 (en) Quadrupole device for projection lithography by means of charged particles
US6326629B1 (en) Projection lithography device utilizing charged particles
JPS59171445A (ja) 立体走査型電子顕微鏡
JPH06338445A (ja) 電子ビーム描画装置
JP2003178709A (ja) エネルギーフィルタ
EP2005460A1 (en) Optics for generation of high current density patterned charged particle beams
DE19633320C2 (de) Verfahren zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Van der Mast et al. A flexible beamshaper
JPS61142646A (ja) 荷電粒子ビ−ム用集束偏向装置
JPS5942947B2 (ja) 荷電粒子ビ−ムの集束偏向装置

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed