NL8501935A - Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. - Google Patents

Description

i N.0. 33.059 1 —-—

Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamp!amp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.

De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp.

Bij het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, zoals een geïntegreerde schakeling, die op grote schaal, supergrote schaal is ge-5 integreerd, of dergelijke, wordt een foto-fabricageproces uitgevoerd.

Om bijvoorbeeld delen van een siliciumoxidefilm te verwijderen, die ook een oppervlak van een substraat, bijvoorbeeld een siliciumplak is gevormd, wordt een foto-fabricageproces volgens een patroon, zoals een schakelingspatroon toegepast. Dit foto-fabricageproces omvat de stap-10 pen, dat een fotogevoelige film over de siliciumoxidefilm op het si!ιοί umsub straat wordt gevormd en de fotogevoelige film daarna wordt belicht met ultraviolette stralen via een fotomasker met een beeldpa-troon. Na belichting wordt de fotogevoelige laag ontwikkeld waarna de siliciumoxidefilm wordt onderworpen aan een etsbehandeling. Daarna 15 wordt een schakeling-vormbehandeling, zoals diffusie, ionenimplantatie of dergelijke van het siliciumsubstraat door de aldus geëtste siliciumoxidefilm uitgevoerd.

Een halfgeleiderplak is in het algemeen cirkel vormig, waarbij het oppervlak daarvan is verdeeld in zeer kleine vierkante delen die in 20 rijen en kolommen zijn gerangschikt. Deze zeer kleine delen zullen elk daarna worden gesneden om chips te vormen die de respectieve halfgeleider! nrichtingen zullen zijn. Een halfgeleiderplak heeft in het algemeen een afmeting van 7,6 cm, 12,7 cm of 15,2 cm. De afmetingen van dergelijke halfgeleiderplakken hebben de neiging groter te worden gekoppeld 25 aan voortgangen in de fabricagetechnologie daarvan.

Een kwikdamplamp met een hoog uitgangsvermogen is onvermijdelijk om het gehele oppervlak van een halfgeleiderplak tegelijkertijd te belichten, zodat alle zeer kleine delen direkt worden bedrukt, welke individueel worden gevormd tot chips. De toepassing van een dergelijke 30 kwikdamplamp met een hoog uitgangsvermogen gaat echter gepaard met de problemen dat het belichtingsstelsel waarin de lamp is opgenomen, groot wordt en een zeer grote mate van techniek nodig is voor de belichtings-uniformiteit op het oppervlak van de halfgeleiderplak. Daarom is het zeer moeilijk on in de praktijk tegemoet te komen aan de tendens van 35 het vergroten van halfgeleiderplakken.

Met het oog op het voorgaande is recentelijk voorgesteld om zeer kleine delen die in rijen en kolommen op een halfgeleiderplak zijn ge- ÖSöt.9 3 5 d 4 2 rangschikt, achtereenvolgens zodanig te belichten, dat patroondeel den achtereenvolgens worden gedrukt op de respectieve kleine delen. Bij een dergelijke belichtingswerkwijze in stappen wordt een oppervlak dat equivalent is aan slechts een van de veel kleine delen, in elke belich-5 tingsbewerking belicht. Hierdoor kan bij de stapsgewijze belichtingsme-thode een kwikdamplamp met een laag uitgangsvermogen worden gebruikt, waardoor de wezenlijke voordelen worden bereikt, dat een belichtings-stelsel qua afmeting zou kunnen worden verkleind en de belichting op eenvoudige wijze uniform kan worden gemaakt op het oppervlak van elke 10 halfgeleiderplak, omdat het belichtingsoppervlak klein is. Als gevolg daarvan kan een patroon met een grote mate van nauwkeurigheid worden gedrukt.

Een kwikdamplamp kan echter niet herhaaldelijk in een korte cyclus worden in- en uitgeschakeld, omdat in de uitgeschakelde toestand van de 15 lamp de ingesloten kwikdamp een condensatie ondergaat. Het is daarom voordelig om een kwikdamplamp herhaaldelijk te ontsteken beurtelings op een laag niveau van vermogensverbruik en bij een hoog niveau van vermo-gensgebruik, terwijl de kwikdamplamp in een continue ontstoken toestand wordt gehandhaafd, waarbij een zeer klein deel van een halfgeleiderplak 20 dat een belichtingspositie heeft ingenomen, wordt belicht met licht uit de kwikdamplamp wanneer deze op het hoge niveau van vermogensverbruik is ingeschakeld en waarbij wanneer de kwikdamplamp op het lage niveau van vermogensgebruik is ingeschakeld, de halfgeleiderplak stapsgewijze wordt verschoven, zodat een ander zeer klein deel van de halfgeleider-25 plak, dat aan de volgende belichting moet worden onderworpen, de be-1ichtingspositie kan innemen, terwijl het licht uit de kwikdamplamp door middel van een sluiter wordt geblokkeerd. Op de bovengenoemde wijze kan een vereist niveau van lichthoeveelheid op het hoge niveau van vermogensgebruik worden bereikt en tegelijkertijd wordt de kwikdamplamp 30 in zijn ontstoken toestand op het lage niveau van vermogensverbruik gehouden, terwijl een verspilling van elektrisch vermogen wordt vermeden.

Bij een dergelijke stapsgewijze belichtingswerkwijze wordt het licht uit de kwikdamplamp niet gebruikt terwijl de sluiter gesloten is, 35 hetgeen nadelen tot gevolg heeft, dat een grote hoeveelheid elektriciteit nog wordt verspild en de sluiter onderhevig is aan aanzienlijke beschadigingen als gevolg van het blootstellen daarvan aan het licht met hoge energie. De sluiter moet snel werken omdat indien het openen of sluiten daarvan langzaam verloopt, een niet-uniforme belichting van 40 een halfgeleiderplak als gevolg van het langzaam openen of sluiten van S3 51935 * 4 3 de sluiter een probleem wordt. Teneinde aan deze eis te voldoen, is het onvermijdelijk dat de sluiter een licht gewicht heeft. Echter zal een sluiter met een licht gewicht beslist resulteren in een slechte warmte-bestendigheid. Als gevolg daarvan heeft een sluiter met een licht ge-5 wicht de neiging te deformeren als gevolg van warmte die wordt opgewekt terwijl het licht wordt afgeschermd, waardoor een foutief funktioneren ontstaat, hetgeen het vloeiend openen en sluiten nadelig beïnvloedt.

In verband met het voorgaande kan gedurende elke gesloten periode van de sluiter, de kwikdamp!amp worden bedreven met een vermogensge-10 bruik dat kleiner is dan het vermogensverbruik daarvan gedurende de belichtingstijd, d.w.z. terwijl de sluiter open wordt gehouden.

Echter is gevonden dat de bovengenoemde belichtingswerkwijze gepaard gaat met een nieuw probleem. Het verdient namelijk steeds meer de voorkeur om met het oog op het vergroten van de hoeveelheid uit te 15 stralen licht, de hoeveelheid van-het kwik te vergroten, omdat de door een kwikdamplamp uitgestraalde hoeveelheid licht toeneemt overeenkomstig de hoeveelheid kwik die in het omhulsel daarvan is gevuld. Anderzijds is het noodzakelijk dat kwikdamp niet condenseert, zelfs wanneer de kwikdamplamp wordt ingeschakeld met een kleiner vermogensverbruik in 20 elke periode waarin niet wordt belicht en waarin de sluiter gesloten is. Indien de kwikvulling zodanig wordt ingesteld dat wanneer de kwikdamplamp is ingeschakeld bij een klein vermogensverbruik, de dampdruk van kwik in het omhulsel de verzadigingsdruk van de kwikdamp op dat moment benadert, de kwikdamplamp in een onvolledige oplichttoestand zal 25 komen op het moment dat het vermogensverbruik van de kwikdamplamp wordt veranderd naar een hoog niveau. De hoeveelheid uitgestraald licht zal dus niet onmiddellijk toenemen en de mate van belichting zal waarschijnlijk onvoldoende zijn.

Met het oog op het voorgaande heeft de uitvinding ten doel te 30 voorzien in een werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp, waarbij de belichting die in een kort tijdsinterval wordt herhaald, gedurende een lange tijdsperiode stabiel kan worden uitgevoerd met lage kosten, zonder dat de bovengenoemde problemen optreden.

35 Volgens een aspekt van de uitvinding is voorzien in een werkwijze voor het achtereenvolgens door een patroonmasker heen belichten van kleine delen van een halfgeleiderplak met licht dat door een kwikdamplamp in stappen van hoog niveau wordt uitgestraald, gedurende welke het vermogensverbruik van de kwikdamplamp op een hoog niveau ligt, waarbij 40 de kwikdamplamp continu is ingeschakeld en herhaaldelijk elke stap van »531935

1 j V

4 hoog niveau wordt afgewisseld door een stap van laag niveau, gedurende welke het vermogensverbruik van de kwikdamplamp op een laag niveau ligt, bij welke werkwijze als kwikdamplamp een lamp wordt gebruikt, waarin kwik in een zodanige grote hoeveelheid is gevuld, dat wanneer de 5 kwi kdamplamp in de stap van laag niveau wordt ingeschakeld, de kwik-dampdruk in het omhulsel van de kwikdamplamp ligt beneden 96% van de verzadigingsdruk van kwikdamp op dat moment.

Doordat de vulling van kwik in een zodanige grote hoeveelheid is uitgevoerd, dat 96% van de verzadig!ngsdruk van kwikdamp wordt bereikt, 10 wanneer de kwikdamplamp in de stappen van laag niveau is ingeschakeld, is het mogelijk om het optreden van een onvolledige oplichttoestand van de kwikdamplamp te vermijden, wanneer het vermogensverbruik wordt gewijzigd van de stap van laag niveau naar de stap van hoog niveau. Het is dus mogelijk om de hoeveelheid licht die in de stappen van hoog ni-15 veau wordt uitgestraald, op hetzelfde niveau te houden als de hoeveelheid licht aan het begin.

De uitvinding zal hierna nader worden toegelicht aan de hand van de tekeningen. In de tekeningen tonen: fig. 1 een vereenvoudigde schematische illustratie van een uitvoe-20 ringsvorm van een belichtingsstelsel; fig. 2 een grafische voorstelling die een voorbeeld van de golf-vorm van het vermogensverbruik van een kwikdamplamp toont, welke golf-vorm varieert als gevolg van de herhaling van een stap van hoog niveau en een stap van laag niveau; 25 fig. 3 een aanzicht van een deel van een halfgeleiderplak, waarbij enige te belichten delen zichtbaar zijn; fig. 4 een schematische illustratie van een voorbeeld van een kwikdamplamp; en fig. 5 op vergrote schaal een schematische illustratie van de in 30 fig. 5 getoonde kwikdamplamp.

Voor het drukken van een patroon door middel van ultraviolette stralen op een hierboven besproken wijze wordt een belichtingsstelsel gebruikt met een optisch licht-focusserend en projektiestelsel dat als voorbeeld in fig. 1 is getoond. In fig. 1 is met het verwijzingsnumrner 35 1 een kwi kdamplamp met een korte boog aangegeven, die de belichtings-lichtbron is. Deze kwikdamplamp 1 is in een zodanige positie geïnstalleerd, dat de boog daarvan zich bevindt in het brandpunt van een licht-focusserende spiegel 5. Het licht L dat door de kwikdamplamp 1 wordt afgegeven, wordt door de licht-focusserende spiegel 5 gefocus-40 seerd en daarna op een fotomasker 11 geprojekteerd, dat een schake- 5501935 »> 5 lingspatroon bevat, door middel van een eerste vlakke spiegel 6, een integrator 8, een tweede vlakke spiegel 7 en een condensor!ens 10. Het licht dat door het fotomasker 11 wordt doorgelaten wordt via een verklei ningsl ens 12 op een halfgel eiderplak 2 geprojekteerd, die op een 5 (niet getoond) opneemorgaan op zijn plaats wordt ondersteund en die is voorzien van een fotogevoelige film vervaardigd uit een hars dat gevoelig is voor ultraviolette stralen en op het bovenvlak van de hal fgel ei -derplak 2 is gevormd, waardoor op de halfgeleiderplak 2 een schake-lingspatroon wordt gedrukt, dat overeenkomt met het fotomasker 11 maar 10 in afmeting is verkleind met een verkleiningsfaktor van 1/10 - 1/5. Met het verwijzingsnummer 4 is een sluiter aangegeven, terwijl het nummer 9 een filter aangeeft.

Volgens de uitvinding wordt de halfgeleiderplak op de volgende wijze belicht. Bij het in fig. 1 getoonde stelsel wordt continu elek-15 trische energie toegevoerd aan een kwikdamp!amp 1 die is ingebouwd in een licht-focusserende spiegel 5, zodat de kwikdamplamp 1 continu is ingeschakeld. Terwijl de ingeschakelde toestand wordt gehandhaafd wordt de elektrische energie die aan de kwikdamplamp 1 wordt toegevoerd, daarna bestuurd·door een besturingsschakeling 3, zodat het elektrische 20 vermogen de basis-golfvorm aanneemt die bij wijze van voorbeeld in fig.

2 is geïllustreerd. Het niveau van vermogensgebruik van de kwikdamplamp wordt periodiek afgewisseld en herhaald tussen een hoog niveau, namelijk stap A gedurende welke het vermogensgebruik van de kwikdamplamp 1 een niveau heeft dat ongeveer 1,3 - 2,5 maal het nominale vermo-25 gensverbruik voor de kwikdamplamp 1 is en een laag niveau, namelijk de stap B gedurende welke het vermogensgebruik van de kwikdamplamp 1 een laag niveau heeft dat gelijk is aan of dicht nabij het nominale vermo-gensverbruik ligt. In de stap A van het hoge niveau van vermogensver-bruik wordt een sluiter 4 geopend en daarna gesloten, teneinde met het 30 door de kwikdamplamp 1 uitgestraalde licht een klein deel van een half-geleiderplak 2 door een fotomasker 11 heen te belichten gedurende een constante tijdsperiode, welk klein deel in een belichtingspositie is geplaatst.

De mate van belichting kan op een voorgeschreven gewenst niveau op 35 het belichte oppervlak van de halfgeleiderplak 2 worden bestuurd door het op geschikte wijze instellen van de openingstijd van de sluiter 4. Met andere woorden, wordt de mate van belichting bestuurd door het houden van de sluiter 4 in zijn geopende stand, terwijl de kwikdamplamp 1 in de stap A is ingeschakeld, waarbij het vermogensverbruik van de 40 kwikdamplamp 1 op een hoog niveau ligt. Daarna, na het sluiten van de 1 933 4 ν' 6 sluiter 4, is de kwikdamplamp 1 ingeschakeld in de stap B, waarbij het vermogensgebruik op een laag niveau ligt. Gedurende de stap B wordt de sluiter gesloten gehouden.

De herhaalde afwisseling van stap A van het hoge niveau en stap B 5 van het lage niveau wordt uitgevoerd synchroon met de wijze van de stapsgewijze verschuiving van de halfgeleiderplak 2. Zoals in fig. 3 is getoond is de halfgeleiderplak 2 verdeeld in een aantal zeer kleine delen P die in rijen en kolommen zijn gerangschikt. Deze delen P worden daarna achtereenvolgens en stapsgewijze verschoven naar de belichtings-10 positie in het belichtingsstelsel, waar deze achtereenvolgens en na elkaar worden belicht terwijl deze gedurende een korte tijd worden stilgezet. Een belichtingsbewerking is uitgevoerd na het openen en sluiten van de sluiter 4 gedurende inschakel tijd van de kwikdamplamp 1 in de stap A, waardoor een patroon op een van de kleine delen P van de half-15 geleiderplak 2 wordt gedrukt. De plak 2 wordt stapsgewijze verschoven, terwijl de sluiter gesloten is, zodat een ander klein deel P dat vervolgens moet worden belicht, de belichtingspositie bereikt. Daarna wordt de belichting op dezelfde wijze herhaald, teneinde de belichting van alle delen P van de halfgeleiderplak te voltooien.

20 Op de bovengenoemde wijze wordt de kwikdamplamp 1 ingeschakeld, terwijl continu en herhaaldelijk de stap A van het hoge niveau van ver-mogensverbruik en de stap B van het lage niveau van vermogensgebruik worden afgewisseld. Het openen en sluiten van de sluiter 4 en het stapsgewijze verschuiven van de halfgeleiderplak 2 worden in verband 25 met de stap A en de stap B bestuurd. De tijdsperiode Ta van elke stap A van het hoge niveau van vermogensverbruik kan bijvoorbeeld constant worden ingesteld in het gebied van 100 msec, tot 1000 msec., terwijl de tijdsperioden Tb van de stappen B van het lage niveau van vermogensverbruik’ hetzelfde of afwijkend kan zijn en bijvoorbeeld van 100 msec, tot 30 1000 msec, kan bedragen. De belichting van de halfgeleiderplak wordt uitgevoerd door toepassing van een kwikdamplamp 1 waarin kwik in een zodanige grote hoeveelheid is gevuld, dat wanneer de kwikdamplamp in de de kwikdamplamp in de stap B van het lage niveau van vermogensverbruik is ingeschakeld, de druk Hi van de kwikdamp in het omhulsel niet 96% 35 van de verzadigingsdruk Hs van kwikdamp op dat moment overschrijdt, dat wil zeggen dat de druk Hi van kwikdamp hetzij gelijk is aan of ligt nabij 96% van de verzadigingsdruk van kwikdamp. Indien de hoeveelheid kwik de bovengrens zou overschrijden, zou de kwikdamplamp in een onvolledig oplichtende toestand komen, wanneer de toestand van de kwik-40 damplamp wordt gewijzigd van de stap B van het lage niveau van vermo- ö ύ ü J 9 6 5 7 gensverbruik naar de stap A van het hoge niveau van vermogensverbruik. Indien een dergelijke gebrekkige toestand optreedt, zal de hoeveelheid uitgestraald licht niet onmiddellijk toenemen tot een niveau dat overeenkomt met de toegevoerde elektrische energie. Dit probleem schijnt op 5 te treden door het volgende mechanisme. Wanneer de werkmode van de kwikdamplamp van stap B van het lage niveau van vermogensverbruik wordt gewijzigd in de stap A van het hoge niveau van vermogensverbruik, stijgt de temperatuur van de damp in het omhulsel als gevolg van de toename van de toegevoerde elektrische energie. De dampdruk van kwik 10 wordt dan hoger. Echter vindt de temperatuurtoename van het glasomhulsel met enige vertraging plaats. Daardoor kan de temperatuur van het omhulsel lager worden dan het verzadigingspunt van kwikdamp en kan de kwikdamp dus beginnen te condenseren met als gevolg een onvolledige op-lichttoestand.

15 Fig. 4 is een schematische illustratie die een uitvoeringsvorm van een kwikdamplamp 1 met een korte boog toont, die als belichtingslicht-bron wordt opgenomen in een belichtingsstelsel volgens de uitvinding.

In fig. 4 is met het verwijzingsnunmer 101 een omhulsel uit siliciumdi-oxideglas aangegeven, dat aan beide einddelen is uitgevoerd met bases 20 102A respectievelijk 102B. Met de verwijzingsnummers 103 en 104 zijn respectievelijk een anode-ondersteuningsstang en een kathode-ondersteu-ningsstang aangegeven. Een anode 105 is op de punt van de anode-ondersteuningsstang 103 gemonteerd, terwijl een kathode 106 vast is bevestigd aan de punt van de kathode-ondersteuningsstang 104. Deze anode 105 25 en kathode 106 zijn tegenover elkaar en in het midden van de inwendige ruimte van het omhulsel 101 aangebracht. Zoals op vergrote schaal in fig. 5 is geïllustreerd wordt de anode 105 gevormd uit een basisdeel 51 dat een grote diameter en een kol omvorm heeft en uit een afgeknotkegelvormig topdeel 53 dat zich in voorwaartse en binnenwaartse rich-30 ting van het basisdeel 51 uitstrekt en eindigt in een vlak topoppervlak 52. De kathode 106 is gevormd uit een basisdeel 61 en een conusvormig topdeel 62.

Een illustratieve specificatie van een dergelijke kwikdamplamp 1 met een korte boog is als volgt:

35 nominaal vermogensverbruik 500 W

(50V, 10A) anode 105: buitendiameter Di van het basisdeel 51 4,0 mm diameter Ü2 van het topoppervlak 52 2,0 mm 40 openingshoek α van het topdeel 53 90 graden 850193s jr' -., 8 kathode 106: buitendiameter D3 van het basisdeel 61 2,0 mm interelektrode-afstand 3,0 mm druk in het omhulsel terwijl de lamp is 5 ingeschakeld ongeveer 13 atmosfeer.

Onder toepassing van een werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak, dat is uitgerust met een kwikdamplamp van de bovengenoemde constructie, waarbij de druk van de kwikdamp bij inschakeling met het nominale vermogensverbruik 95¾ van de verzadigingsdruk van 10 kwikdamp op dat moment was en waarbij de lamp als belichtingslichtbron is ingebouwd, werd een patroonheiichting op een siliciumhalfgeleider-plak uitgevoerd volgens de stapsgewijze belichtingswerkwijze, terwijl de kwikdamplamp werd ingeschakeld onder de volgende voorwaarden.

Stap A.

15 Tijdsinterval Ta: 400 msec.

Vermogensverbruik: dit werd op 750 W constant gehouden.

Stap B.

Tijdsinterval Tb: 400 msec.

Vermogensverbruik: dit werd op de nominale waarde van 500 W con-20 stant gehouden.

Onder de bovengenoemde voorwaarden was het mogelijk om belich-tingsresultaten te bereiken die overeenkwamen met de belichtingsresul-taten aan het begin, zelfs na een tijdsduur van 600 uren.

Verdere belichtingsonderzoeken werden ook uitgevoerd onder dezelf-25 de voorwaarden als bij het bovengenoemde onderzoek, behalve dat de hoeveelheden kwik die in de respectieve omhulsels van de kwikdamplampen aanwezig waren, werden gewijzigd in de in tabel A getoonde diverse waarden. Wanneer de kwikdamplamp met te veel kwik was gevuld, was het niet mogelijk om een goede belichting uit te voeren als gevolg van het 30 optreden van een onvolledige oplichttoestand.

3501935 ,-i * 9

Tabel A

Verhouding van de druk van Belichtingsresultaten kwikdamp in de stap van laag niveau tot de verzadigings-5 druk van kwikdamp op dat moment in procenten [%) 96 goed gedurende 600 uren 94 goed gedurende 600 uren 93 goed gedurende 600 uren 10 97 onvolledige oplichttoestand treedt op 98 onvolledige oplichttoestand treedt op 99 extreme onvolledige oplicht- 15 toestand treedt op

De werkwijze volgens de uitvinding brengt de volgende voordelige effekten met zich mee: (1) De kwikdamp!amp is ingeschakeld bij een laag niveau van vermogensverbruik, terwijl het door de kwikdamplamp uitgestraalde licht niet 20 voor belichting wordt gebruikt. Het is dus mogelijk om in aanzienlijke mate de door de kwikdamplamp verspilde elektriciteit te verminderen en tegelijkertijd mogelijke beschadigingen van de sluiter als gevolg van oververhitting te vermijden. Bij een bij voorkeur toe te passen uitvoeringsvorm kan de kwikdamplamp op het nominale niveau van vermogensver-25 bruik worden ingeschakeld in de stappen van laag niveau van vermogens-verbruik en wordt het vermogensverbruik vergroot in de stappen van het hoge niveau van vermogensgebruik. De belichtingssterkte kan dus naar behoefte of wens worden ingesteld. Daarom kan het belichten van halfgelei derplakken op geschikte wijze worden uitgevoerd met een kleine kwik-30 damp!amp. Als gevolg daarvan vereist het belichtingsstelsel niet een te grote ruimte voor de installatie daarvan, waardoor het mogelijk is om de kosten te verlagen, die vereist zijn voor het onderhoud van een schone ruimte of dergelijke, waarin het belichtingsstelsel is geïnstalleerd en daarom de fabricagekosten van halfgeleiderinrichtingen 35 aanzienlijk te verlagen.

(2) Aangezien bij de werkwijze volgens de uitvinding een kwikdamplamp wordt toegepast die kwik in een zodanige hoeveelheid bevat, dat wanneer de lamp in de stap van het lage niveau van vermogensverbruik wordt ingeschakeld, de druk van de kwikdamp in het omhulsel van de -> ·--» :·* ? * 1 c

* · mJ kJ

10 kwikdamp!amp ligt binnen een gebied dat niet 96% van de verzadigings-druk van kwikdamp op dat moment overschrijdt, is het mogelijk om uitgestraald licht in een voldoende grote hoeveelheid te verkrijgen en tegelijkertijd het optreden van een onvolledige oplichttoestand te vermij-5 den wanneer wordt overgeschakeld naar de stap van het hoge niveau van vermogensverbruik. Daarom kan de hoeveelheid licht die door de kwik-damplamp in de stappen van hoog niveau van vermogensverbruik wordt uitgestraald, op hetzelfde niveau worden gehandhaafd als de lichthoeveel-heid aan het begin. Als gevolg daarvan kan de belichting van halfgel ei-10 derplakken worden uitgevoerd met uitgestraald licht in een stabiele hoeveelheid en gedurende een lange tijdsperiode, terwijl herhaaldelijk de stap van hoog niveau van vermogensverbruik en de stap van laag niveau van vermogensgebruik worden afgewisseld.

Het is duidelijk dat binnen het kader van de uitvinding diverse 15 varianten mogelijk zijn.

3501935

Claims (4)

1. Werkwijze voor het achtereenvolgens door een patroonmasker heen belichten van kleine delen van een halfgeleiderplak met licht dat door een kwikdamp!amp in stappen van hoog niveau wordt uitgestraald, gedu- 5 rende welke het vermogensverbruik van de kwikdamp!amp op een hoog niveau ligt, waarbij de kwikdamp!amp continu wordt ingeschakeld en herhaaldelijk elke stap van hoog niveau wordt afgewisseld door een stap van laag niveau, gedurende welke het vermogensverbruik van de kwikdamp-lamp op een laag niveau ligt, met het kenmerk, dat de kwikdamp!amp met 10 een zodanige grote hoeveelheid kwik is gevuld, dat wanneer deze in de stap van het lage niveau is ingeschakeld, de druk van de kwikdamp in het omhulsel van de kwikdamplamp beneden 96¾ van de verzadigingsdruk van kwikdamp op dat moment ligt.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de sluiter 15 slechts eenmaal gedurende de periode van elke stap van hoog niveau wordt geopend en gesloten, teneinde een van de betreffende kleine delen van de halfgeleiderplak in een belichtingspositie te belichten en dat in de gesloten toestand van de sluiter de halfgeleiderplak stapsgewijze wordt verschoven om het volgende kleine deel in een belichtingspositie 20 te plaatsen.

3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het niveau van het vermogensverbruik in de stap van laag niveau in hoofdzaak gelijk is aan het nominale vermogensverbruik van de kwikdamplamp.

4. Inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze volgens een van 25 de voorafgaande conclusies. ******** .A *1 Λ -«7 5 λ i Μ λ Λ