NL8501489A - Positie-gevoelige stralingsdetector. - Google Patents

Positie-gevoelige stralingsdetector. Download PDF

Info

Publication number
NL8501489A
NL8501489A NL8501489A NL8501489A NL8501489A NL 8501489 A NL8501489 A NL 8501489A NL 8501489 A NL8501489 A NL 8501489A NL 8501489 A NL8501489 A NL 8501489A NL 8501489 A NL8501489 A NL 8501489A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
zones
radiation
semiconductor zones
conductivity type
Prior art date
Application number
NL8501489A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8501489A priority Critical patent/NL8501489A/nl
Priority to AT86200435T priority patent/ATE64239T1/de
Priority to DE8686200435T priority patent/DE3679599D1/de
Priority to EP86200435A priority patent/EP0206363B1/en
Priority to AU55217/86A priority patent/AU586672B2/en
Priority to US06/846,669 priority patent/US4749849A/en
Priority to CN86102770.1A priority patent/CN1006099B/zh
Priority to KR1019860003417A priority patent/KR940009998B1/ko
Priority to CA000509660A priority patent/CA1257364A/en
Priority to JP61119001A priority patent/JPH07105521B2/ja
Publication of NL8501489A publication Critical patent/NL8501489A/nl
Priority to SG1134/92A priority patent/SG113492G/en
Priority to HK154/93A priority patent/HK15493A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1359—Single prisms
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
    • G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B7/094—Methods and circuits for servo offset compensation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/13—Optical detectors therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/13—Optical detectors therefor
    • G11B7/133—Shape of individual detector elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1381—Non-lens elements for altering the properties of the beam, e.g. knife edges, slits, filters or stops
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02024—Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
    • G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B7/0908—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only
    • G11B7/0916—Foucault or knife-edge methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

4 « PHN 11.388 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Positie-gevoelige stralingsdetector.
De uitvinding heeft betrekking op een halfgeleiderinrichting voor het bepalen en in het bijzonder regelen van de positie van een stralingsbundel die invalt op een hoofdoppervlak van een stralingsgevoelig half ge leiderlichaam dat is voorzien van tenminste twee halfge-5 leiderzones van een eerste geleidingstype die net een omringend deel van het halfgeleiderlichaam een pn-overgang vormen en voorzien zijn van elektrische aansluitingen cm door de invallende straling opgewekte elektrische stroom af te voeren.
Stralingsgevoelige half ge leiderinrichtingen van de bovenge-10 noemde soort worden bijvoorbeeld gebruikt in lichtgevoelige schakelingen voor beeldweergave en in inrichtingen ten behoeve van spoorvol-ging of positionering van lichtbundels (of bundels van andere soorten straling). Andere toepassingen van stralingsdetectie liggen op het gebied van spectroscopische analyse met name in het golf lengtegebied van 15 200-1100 nanometer en bijvoorbeeld zachte röntgenstraling. Daarnaast worden dergelijke inrichtingen gebruikt voor detectie van deeltjesstra-ling (bijvoorbeeld elektronen/ -deeltjes of hoog-energetische deeltjes) . Ook worden dergelijke halfgeleiderinrichtingen (met name in het golflengtegebied van zichtbaar licht) gebruikt in meetapparatuur voor 20 positiebepaling/ bijvoorbeeld ten behoeve van het meten van doorbuiging of bijvoorbeeld in automatische assemblagelijnen.
De uitvinding heeft verder betrekking op een focusfout-detectiestelsel uitgevoerd met een halfgeleiderinrichting volgens de uitvinding alsmede op een inrichting voor het uitlezen en/of inschrij-25 ven van informatie in een stralingsregistrerend vlak van een registra-tiedrager welke inrichting is voorzien van een dergelijk focusfout-detectiestelsel.
Een halfgeleiderinrichting van de in de aanhef genoemde soort is bekend uit de op 1 februari 1982 ter inzage gelegde Neder-: 30 landse Aanvrage No. 8003906 van Aanvraagster. Hierin wordt een focus-foutdetectiestelsel getoond voor het detecteren van een afwijking tussen een eerste stralingsreflecterend vlak en een tweede focusserings-vlak van een objectiefstelsel (bijvoorbeeld t.b.v. een Compact Disc of i 5S14 8 9 PHN 11.388 2 beeldplaatinrichting), waarbij gebruik wordt gemaakt van een zogeheten kwadrantendiode.
De daar beschreven kwadrantendiode is weliswaar uiterst snel en bezit een cvergangscurve met een grote steilheid, maar daar staat g tegenover dat bij de montage de diode zo gemonteerd moet worden dat, bij juiste focussering de stralingsbundel precies tussen de vier fcwadran-ten van de diode het half geleideroppervlak treft. Gezien de daarbij vereiste toleranties (de onderlinge afstand van de kwadranten bedraagt ca. 5 miereneter) is een dergelijke montage met bijbehorende instelling 10 moeilijk en tijdrovend.
Soortgelijke problemen ten aanzien van de montage doen zich voor bij een focusfoutdetectiestelsel waarin in de weg van de door het stralingsreflecterend vlak gereflecteerde bundel een bundelsplitsend element is geplaatst en daarachter een stralingsgevoelig detectiesteIse 1 15 bevattende een aantal door smalle stroken van elkaar gescheiden detectoren waarbij de door het bundelsplitsend element gevormde deelbundels op de scheidingsstroken vallen. In het laatste geval kan ervoor gezorgd worden dat de centra van de stralingsvlekken, gevormd door de deelbundels, in het detectorenvlak bij correcte focussering op de scheidings-20 stroken vallen door de scheidingsstroken een scherpe hoek met elkaar te laten maken. Met behulp van mechanisch verschuiven van het detectorenvlak kan dan een juiste begininstelling worden verkregen, zoals nader is omschreven in de Nederlandse Octrooiaanvrage No. 8202058 van Aanvraagster. Deze mechanische instelling kan echter met de tijd en/of 2g temperatuur verlopen waarna een nieuwe, dikwijls moeizame instelling van het detectorenvlak noodzakelijk is.
De uitvinding stelt zich ten doel een halfgeleiderinrichting van de in de aanhef geneemde soort te verschaffen die onder meer gebruikt kan worden in een dergelijk focusdetectiestelsel, waarbij de 3Q nulinstelling aanzienlijk eenvoudiger kan geschieden. Daarnaast is een dergelijke halfgeleiderinrichting bruikbaar voor andere dan de hierboven genoemde toepassingen.
Een inrichting volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat de onderlinge afstand van de halfgeleiderzones enkele malen de afstand 35 bedraagt waarover de stralingsbundel, gezien in de richting tussen de halfgeleiderzones, het hoofdoppervlak treft en zich tussen de halfgeleiderzones een hoogohmige oppervlaktezone van het eerste geleidings-type bevindt die met het omringende deel van het half ge leider lichaam 5 50 1 4 8 9 % 4 PHN 11.388 3 een pn-overgang vormt terwijl de inrichting verder voorzien is van tenminste een instelschakeling waarmee de bij de halfgeleiders ones behorende pn-overgangen ten opzichte van elkaar zodanig verschillend kunnen worden voorgespannen dat onafhankelijk van de plaats waar de stralings-5 bundel het hoofdoppervlak tussen de halfgeleiderzones treft de opgewekte elektrische stromen door de halfgeleiderzones praktisch identiek zijn.
De uitvinding berust op het inzicht dat een dergelijke half-geleiderinrichting door gebruik te maken van de verschilstrocm door de halfgeleiderzones een eenvoudige electrcmechanische of electrcnische 10 nul-instelling mogelijk is, die in het geval van het focus-detectiestel-sel de mechanische instelling (verschuiven en arrêteren) vervangt. Bovendien is de afstand tussen twee halfgeleiderzones aanzienlijk groter dan de bundelafmeting (bijv. 5-20 maal) zodat met een minder nauwkeurige montage kan worden volstaan, terwijl toch een goed hoogfrequent gedrag 15 behouden blijft. Door deze grote afstand is bovendien een groot regel-bereik van de in te stellen bundel mogelijk. De genoemde nul-instelling kan bijvoorbeeld plaats vinden met behulp van een regelbare weerstand of via een potenticmeterschakellng, waarbij in de electronische schakeling tevens rekening gehouden wordt met variaties in de opgewekte foto-2q stroom.
De door de halfgeleiderzones gedetecteerde fotostremen kunnen desgewenst rechtstreeks geregistreerd worden ten behoeve van verdere signaalverwerking. Bij voorkeur echter leveren de instelschakelingen ten behoeve van de nul-instelling uitgangssignalen die gerelateerd zijn 25 aan de stromen door de halfgeleiderzones.
De uitvinding zal thans nader worden verklaard aan de hand van enkele uitvoeringsvoorbeelden, waarin
Figuur 1 in dwarsdoorsnede een half ge leider lichaam toont aan de hand waarvan de basisgedachte van de uitvinding zal worden beschre-30 ven.
Figuur 2 schematisch een uitvoering toont van een inrichting volgens de uitvinding.
Figuur 3 in bovenaanzicht en Figuur 4 in dwarsdoorsnede langs de lijn IV-IV in Figuur 3 een ander halfgeleiderlichaam toont 35 voor toepassing in een inrichting volgens de uitvinding zoals schematisch is weergegeven in Figuur 5.
Figuur 6 schematisch een bovenaanzicht toont van een ander halfgeleiderlichaam voor toepassing in een inrichting volgens de uitvin- ,.. -¾ ’ · ’ O li . Λ ' · ï JJ» ï·* ·»" ,* ** * PHN 11.388 4 ding.
Figuur 7 een dwarsdoorsnede toont langs de lijn VII-VII in
Figuur 6.
Figuur 8 een dwarsdoorsnede toont langs de lijn VIII-VIII 5 in Figuur 6.
Figuur 9 een uitvoeringsvorm laat zien van een inrichting voorzien van een focusdetectiestelsel volgens de uitvinding.
Figuur 10 de bijbehorende electronische verwerkingsschake-ling toont, terwijl 10 Figuur 11 schematisch een voorkeursuitvoering toont van de halfgeleiderinrichting zoals deze wordt gebruikt in de inrichting van Figuur 9 en
Figuur 12 schematisch een variant hierop toont.
De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend, waar-15 bij ter wille van de duidelijkheid, in de dwarsdoorsneden in het bijzonder de afmetingen in de dikterichting sterk zijn overdreven. Half-geleiderzones van hetzelfde geleidingstype zijn in het algemeen in dezelfde richting gearceerd; in de verschillende uitvoeringsvormen zijn overeenkomstige delen in de regel met dezelfde verwijzingscijfers aan-20 geduid.
Figuur 1 toont schematisch in dwarsdoorsnede een halfgelei-derlichaam 1 van silicium. Dit halfgeleiderlichaam 1 bevat een laagohmig substraat 2 waarop een n-fcype epitaxiale laag 3 is aangebracht met een dikte van circa 10 micrometer en een soortelijke weerstand in de orde 25 van 20-200 ohmcentimeter. Het halfgeleiderlichaam 1 is aan een praktisch vlak oppervlak 4 voorzien van gelijkrichtende overgangen 5, 5'. Het halfgeleiderlichaam 1 is hiertoe aan zijn oppervlak 4 voorzien van halfgeleiderzones 6 van hetp-type die met de epitaxiale laag 3 gelijkrichtende overgangen 5 (pn-overgangen) vormen; de tussen de halfgelei-30 derzones 6 gelegen oppervlaktezone 11 vormt met het omringende deel van de epitaxiale laag 3 een gelijkrichtende overgang 51.
Het oppervlak 4 van het halfgeleiderlichaam 1 is verder bedekt met een passiverende antireflectielaag 7 van siliciumoxyde of si- liciumoxyde en bijv. siliciumnitride. In de laag 7 bevinden zich con-
A B
35 tactvensters 8 ten behoeve van geleidende contacten 9 (9 , 9 ). Aan de onderzijde, van het halfgeleiderlichaam is het substraat 2 gecontacteerd door middel van een contactmetallisatie 10.
Met behulp van een elektrische spanning op de contacten 9, 10 35 d14 3 9 PHN 11.388 5 kunnen de pn-overgangen 5, 5' in de tegenrichting worden voorgespannen. Hierdoor wordt bij elke pn-overgang 5, 5' in de epitaxiale laag 3 en de bijbehorende halfgeleiderzone 6, 11 een uitputtingsgebied gecreëerd, in Figuur 2 door middel van streeplijnen aangegeven. Voorzover deze 5 uitputtingsgebieden zich uitstrekken in de epitaxiale laag 3 zijn deze aangegeven met het verwijzingscijfer 12. De elektrische veldlijnen ten gevolge van in dergelijke gebieden 12 heersende elektrische velden zijn weergegeven door middel van pijlen 13.
Wanneer op het oppervlak 4 van het halfgeleiderlichaam 1 een IQ licht- of stralingsbundel van voldoende hoge energie invalt (tenminste gelijk aan de energiebreedte van de verboden band van het halfgeleider-materiaal) worden in het halfgeleiderlichaam extra ladingsdragers (gaten en elektronen) gegenereerd. In de uitputtingsgebieden worden deze extra ladingdragers ten gevolge van het heersend veld afgevoerd en dra-15 gen aldus bij tot een foto-elektrische stroom door de pn-overgangen 5.
Indien de stralingsbundel ongeveer centraal tussen de half-geleiderzones 6 invalt (bundel b in Figuur 1) worden in het uitputtingsgebied hoofdzakelijk ter plaatse van het gebied 14 extra ladingdragers gegenereerd die bijdragen tot een fotostroom I. De fotostrocm I loopt 20 in dit voorbeeld vanaf de contactmetallisatie 10 aan de onderzijde en verdeelt zich ter plaatse van het gebied 14 in twee vrijwel identieke
deelstromen I en IR die door de hoogohmige zone 11 naar de halfgelei-" " A B
derzones 6 en vervolgens de contacten 9 en 9 lopen. De hooggedoteerde zone 11 heeft hierbij een breedte die enkele malen (bijv. 5 maal) die 25 van de stralingsbundel b bedraagt.
In de praktijk is deze breedte doorgaans afhankelijk van de toleranties van het optische systeem; deze breedte wordt daarbij zodanig gekozen dat zij van dezelfde orde van grootte is als het bereik van de stralingsbundel. Anderzijds kiest men deze breedte liefst zo 3q klein mogelijk in verband., met hoogfrequenteigenschappen en steilheid van de overgangscurve van de stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting.
De eveneens in Figuur 1 getekende bundel b' valt niet centraal tussen de halfgeleiderzones 6 in op het oppervlak 4. De hoofdzakelijk in het gebied 14' gegenereerde ladingdragers geven weer aanleiding tot 3g een fotostroom I' die nu ter plaatse van het gebied 14* worden opgesplitst in deelstromen 1^' en 1^'. De ladingsdragers (in dit geval gaten) die een bijdrage leveren tot de stroom 1^' ondervinden daarbij, door de geringere afstand van het gebied 14' naar de halfgeleiderzone Λ 1 >> Λ r o ; ; “i 2 & PHN 11.388 6
A B
6 dan die van het gebied 14' naar de halfgeleiderzone 6 een geringere weerstand dan de ladingsdragers die een bijdrage leveren tot Ιβ'. De stroom I' wordt nu dus opgedeeld in twee ongelijke delen 1^' en IB', waarbij I,1> I '.
Ά ° A B
5 Volgens de uitvinding worden op de contacten 9,9 nu
B
zodanige spanningen aangesloten dat het gebied 6 een (in dit voorbeeld) meer negatieve electrische spanning krijgt aangeboden dan het gebied β\ Dit geeft in het onderhavige voorbeeld aanleiding tot een compensatiestrcom I in het hoogohmige gebied 11, welke stroom met 10 behulp van een nog te bespreken terugkoppelmechanisme zoals bijvoorbeeld een teruggekoppelde versterkerschakeling zodanig wordt ingesteld dat I, ' als het ware kleiner en I ' als het ware groter wordt. Zo-
Ά ö A B
dra I ' -1- = 1-,1 + I zijn de stromen door de contacten 9 en 9 A L o L
praktisch gelijk en is de bundel b' schijnbaar gecentreerd tussen de 15 zones 6 en 6 .
De afmetingen van de zones 6, 11 zijn, zoals genoemd,
A B
afhankelijk van de toepassing. Hierbij bezitten de contacten 9 , 9 echter een zodanige onderlinge afstand dat tijdens het gebruik de bundel b praktisch altijd tussen deze contacten invalt.
20 Indien een dergelijke halfgèleiderinrichting met bijbeho rend terugkoppelmechanisme wordt gemonteerd in een optisch systeem kan
men nu na assemblage van het geheel door een verschilspanning op de A B
contacten 9 , 9 de bundel b schijnbaar centraal doen invallen tussen de zones 6^ en b. Een met een dergelijke inrichting uitgerust fo- 25 cusseringssysteem, detectiesysteem of ander optisch systeem kan dan met behulp van een electronische of electrcmechanische nul-instelling worden ingesteld, hetgeen doorgaans aanzienlijk sneller en eenvoudiger is dan een zuiver mechanische instelling.
Bij het bovenstaande dient te worden opgemerkt dat bij het
30 veranderen van de (in dit voorbeeld negatieve) spanningen op de con-A B
tacten 9 , 9 de vorm van de uitputtingszone 12 enigszins kan veranderen. Dit heeft evenwel geen invloed op de eigenlijke werking van de inrichting zoals hierboven beschreven (compensatie van een verschil in fotostroomcomponenten door middel van een stroom door de hoogohmige 35 oppervlaktezone 11). De doorgaans hoogohmige zone 11 kan in bovenaanzicht gezien diverse vormen bezitten, zoals bijv. lijn-, cirkel- of ellipsvormig.
In Figuur 2 wordt schematisch aangegeven hoe de bovengenoemde 1 3? fM >] Q f; c %; v i O t EHN 11.388 7 nul-instelling, onafhankelijk van de plaats waar de bundel b het oppervlak 4 treft, kan worden bereikt. De van het half geleider lichaam 1 afkomstige s tranen I en L, worden toegevoerd aan twee ingangen van
" B
operationele versterkers 15 , 15 die zijn teruggekoppeld via terug-5 koppelweerstanden 16^, 16B. De beide andere ingangen van de operationele versterkers 15A, 15B zijn onderling doorverbonden en zijn bijvoorbeeld tevens verbonden met aarde.
Met behulp van een regelbars spanningsdeler 17 waarvan de variabele aansluiting 18 verbonden is met een spanning, die via een
10 hulpschakeling van de totale fotostroom I wordt afgeleid, kan tussen A B
de ingangen 19 en 19 van de operationele versterkers 15 een spanningsverschil worden aangebracht. Stroomveranderingen in de fotostro-
men I en I worden evenals deze fotostrcmen zelf na versterking A ö A B -A B
gemeten aan de uitgangen 20 en 20 van de versterkers lo en 15 .
15 De afregeling van een dergelijke inrichting in een opto- electronische inrichting bestaat hierin dat na assemblage van deze opto-electronische inrichting en correcte instelling van bijvoorbeeld het brandpunt van een objectiefstelsel de positie van een invallende bundel wordt gemeten door het verschil in de fotostranen I^en 1^ te 20 meten. Aan de hand van deze meting kan door middel van de spanningsdeler 17 het spanningsverschil tussen de halfgeleiderzones 6^ en 6B zodanig worden ingesteld dat I_ schijnbaar gelijk is aan I (ijkpunt).
De bundel b is daarmee schijnbaar gecentreerd. Bij instandhouden van het spanningsverschil tussen de halfgeleiderzones 6^ en 6B is een ver-
A B
25 schil in stromen, gemeten tussen de uitgangen 20 , 20 nu een maat voor een afwijking van het punt van invallen van de stralingsbundel ten opzichte van het genoemde ijkpunt. Het signaal (1^ - Ig) is voortaan te gebruiken als regelsignaal; een afwijking Δ I komt overeen net een zekere afwijking van de plaats van inval van de bundel b 30 t.o.v. het ijkpunt.
Op deze wijze is een regelsysteem verkregen dat met ruime toleranties kan worden gemonteerd en waarbij de ij king praktisch geheel electrisch of electronisch plaatsvindt. In plaats van de hier schematisch getoonde regelbare spanningsdeler 18 en teruggekoppelde 35 operationele versterkers zijn uiteraard andere schakelingen Hogelijk.
De totale fotostroom I kan zowel rechtstreeks gemeten worden als met behulp van een operationele versterkerschakeling net operationele versterker 15 en terugkoppelweerstand 16, zoals getekend in Figuur - * «* ƒ λ
i) - *~J W
9 * PHN 11.388 8 2.
De Figuren 3 en 4 tonen een halfgeleiderlichaam 1 voor toepassing in een halfgeleiderinrichting volgens de uitvinding waarbij de totale fotostroon I wordt opgedeeld in vier deelstromen 1^, Ιβ, 5 1^, IQ. Indien de bundel b centraal tussen de halfgeleiderzones 6 invalt, zoals getekend in Figuur 5 zijn de fotostrcmen door de aan-sluitingen 9 , 9,9,9 praktisch identiek. Een misaanpassing bij assemblage waardoor na afregeling van de optiek de bundel invalt ter plaatse b' (Figuur 3) kan weer op dezelfde wijze worden gecorrigeerd 10 als hierboven beschreven, mits de diameter van de bundel b, b' veel
kleiner is dan de afstand tussen de halfgeleiderzones 6A en 6B, res-C D
pectievelijk 6 en 6 .
Figuur 5 laat zien hoe hiertoe de deelfotostromen Ia, IR, Ip, A B C D a. ts o ID afkomstig van de aansluitingen 9,9,9,9 weer worden toegevoerd 15 aan een regelschakeling, bestaande uit twee deelschakelingen die vrijwel gelijk zijn aan de schakeling van Figuur 2. Met behulp van spannings-
A B C
delers 17 worden de halfgeleiderzones 6 en 6 respectievelijk 6 en 6U weer zodanig in spanning ten opzichte van elkaar verschoven dat, bij invallen van een geijkte bundel ter plaatse b' de stromen 1^, Ιβ, 2o Iq/ Iq weer praktisch gelijk zijn.
Is na deze ijking de positie van de invallende bundel enigszins verschoven ten opzichte, van dit punt b’, dan zullen verschillen optreden in dei uitgangsstrcmen 1^, Ιβ, Ιζ en 1^. Deze uitgangsstrcmen kunnen vervolgens weer worden toegevoerd aan een regelsysteem dat de 25 plaats van de invallende bundel regelt, op soortgelijke wijze als voor een kwadrantendicde beschreven in het artikel "Optical video disks with undulating tracks" door J.J.M. Braat en G. Bouwhuis in het tijdschrift Applied Opties, Vol.17, No.13, pag. 2022-2028 (1 July 1978).
De inrichting volgens Figuur 3, 4 bevat behalve de half ge-a BCD
30 leiderzones o , 6,6,6 een halfgeleiderzone 6E die deze zones geheel omringt. De bij deze zone behorende pn-overgang 5 is door middel van een spanningsbron zodanig gesperd dat het bijbehorende uitputtingsge-bied 12 tenminste raakt aan de uitputtingsgebieden 12, behorend bij abc de pn-overgang 5 tussen de epitaxiale laag 3 en de zones o , 6,6, 35 6° en 11. Deze maatregel heeft tot gevolg dat ladingdragers gegene-
A B C D
reerd door licht, dat niet op de zones 6 , 6 , 6 , 6 , 11 valt en parasitair gegenereerde ladingsdragers (bijvoorbeeld afkomstig van de rand van het kristal), praktisch alleen bijdragen tot een stroom 5301480 PHN 11.388 9
E
door de pn-overgang 5 , zodat zij niet ten gevolge van diffusie parasitaire bijdragen kunnen leveren aan een foto-elektrische stroon
-A BCD
door een van de pn-overgangen 5 van de halfgeleiderzones 0,6,6,6. De halfgeleiderinrichting volgens Figuur 3, 4 kan met in de 5 halfgeleidertechnologie algemeen bekende technieken worden vervaardigd, uitgegaan wordt van een n-type silicium-substraat 2, waarop de n-type epitaxiale laag wordt aangegroeid. De oppervlaktegebieden 6 worden bijvoorbeeld verkregen door middel van implantatie van p-type verontreinigingen gevolgd door een diffusie- of uitgloeistap. De oppervlaktege-10 bieden 6 kunnen ook rechtstreeks door diffusie worden aangebracht.
Hoewel met de inrichting van Figuur 3,4 goede resultaten kunnen worden bereikt bij het positioneren in 2 dimensies zijn de overdrachtskarakteristieken niet volkomen lineair. Een betere lineari-teit wordt verkregen met behulp van de inrichting volgens de Figuren 15 6, 7, 8 waarin een tweede stel halfgeleiderzones 58 van het n-type met een tussenliggende hoogohmige n-type zone 57 een zelfde functie vervullen als de p-type zones 6, 11 maar nu in een richting loodrecht op de verbinding tussen de halfgeleiderzones 6. Waar, zoals hierboven opgemerkt, in de gebieden 7, 11 gaten worden verzameld vormen de n-type 20 gebieden 57, 58 potentiaalminima voor in het half geleider lichaam gegenereerde elektronen.
De inrichting bevat een p- of rÉ-type substraat 2, waarop een n- of 0-type epitaxiale laag is aangegroeid. Voorafgaand aan de epitaxiale aangroeiing zijn de n-type begraven lagen 57, 58 gedefini- 25 eerd, waarbij de halfgeleiderzones 58 door selectieve implantatie hoger gedoteerd zijn. Deze halfgeleiderzones 58 zijn via hooggedoteerde n -
C D
zones 59 en metallisaties 9 , 9 gecontacteerd. Voorts bevat de inrichting aan het oppervlak 4 een soortgelijke structuur als beschreven
«A BCD
aan de hand van de Figuren 1 en 2. De contacten Sr, 9 , 9 , 9 zijn
A B C D
30 verbonden met de ingangen 19 , 19 , 19 , 19 van instelschakelingen zoals boven beschreven, die deel uitmaken van een schematisch weergegeven verwerkingseenheid 40. Hiermee is als het waren een 2-dimensionaal stelsel gecreëerd voor het ijken van een bundelpositie, waarbij de instelling van de ene coördinaat hoofdzakelijk door de gatenstrocm en 35 die van de andere coördinaat hoofdzakelijk door de elektronenstroon wordt bepaald. Hierbij kunnen, afhankelijk van de toepassing, de gebieden 57, 58 In bovenaanzicht gezien weer diverse vormen bezitten.
Het substraat 2 mag ook van het n- of «ύ-type zijn, mits de -:5!1 489 PHN 11.388 10 dotering van de gebieden 57, 18 voldoende hoog is cm potentiaalkuilen voor elektronen te creëren.
In de verwerkingseenheid 40 worden de deelstromen weer opgeteld cm de totale fotostroon te bepalen, terwijl deze eenheid 40 5 aan de uitgangen 60 signalen afgeeft voor bijvoorbeeld de besturing van de bundel b af ten behoeve van andere toepassingen.
Een halfgeleiderinrichting volgens de uitvinding kan bijvoorbeeld worden toegepast in een focusdetectiesysteem, zoals getoond in Figuur 9. In Figuur 9 is een klein gedeelte van een ronde schijf-10 vormige registratiedrager 21 in radiële doorsnede weergegeven. De stralingsreflecterende informatiestructuur bevindt zich aan de bovenzijde van de registratiedrager en bestaat uit een groot aantal, niet weergegeven, informatiegebiedjes die volgens informatiesporen 22 gerangschikt zijn. De informatiestructuur wordt af getast door een uit-15 leesbundel b geleverd door een stralingsbron 23, bijvoorbeeld een halfgeleiderdiodelaser. Een lens 24 vormt van de divergerende bundel een evenwijdige bundel met een zodanige doorsnede dat de pupil van een objectiefstelsel 25 goed gevuld wordt. Dit objectiefstelsel vormt dan een stralingsvlek V van minimale afmetingen op de informatiestruc-2o tuur.
De uitleesbundel wordt door de informatiestructuur gereflecteerd en bij bewegen van de. registratiedrager ten opzichte van de uitleesbundel wordt de gereflecteerde bundel in de tijd gemoduleerd overeenkomstig de in de registratiedrager aangebrachte informatie.
25 Cm de gemoduleerde bundel te scheiden van de door de stralingsbron uitgezonden bundel is tussen de stralingsbron en het objectiefstelsel een bundelscheidingsprisma 26 aangebracht. Dit prisma kan bestaan uit twee prismatische delen 27 en 28 waartussen een bundelscheidingslaag 29 is aangebracht. 30 en 31 zijn respectievelijk het intreevlak en 30 het uittreevlak van het prisma 26. De laag 29 kan een halfdoorlatende spiegel zijn. Cm het stralingsverlies in de uitleeseenheid zo klein mogelijk te houden kan een polarisatiegevoelige scheidingslaag toegepast worden. Tussen het objectiefstelsel en het prisma 26 moet dan een A/4-plaat 32, waarin Λ de golflengte van de uitleesbundel b is, 35 opgencmen worden. Dit prisma wordt door de uitleesbundel tweemaal doorlopen en draait het polarisatievlak van deze bundel over in totaal 90°. Der door de stralingsbron uitgezonden bundel wordt door het prisma dan vrijwel volledig doorgelaten, terwijl de gemoduleerde bundel vrij- 5' T Λ *1 ' «, Λ
S λ * : \ s U
Vy v PEN 11.388 11 wel volledig wordt gereflecteerd en wel naar een stralingsgevoelig detectiestelsel 33, dat een signaal levert dat gemoduleerd is overeenkomstig de in de registratiedrager opgeslagen informatie.
Om een focusfoutsignaal, dat een indicatie geeft over de 5 grootte en richting van een afwijking tussen het vlak van focussering van het objectiefstelsel en het vlak van de informatiestructuur, op te wekken is op het uittreevlak 31 van het bundelscheidingsprisma 26 een dakkantprisma 34 aangebracht en is het stralingsgevoelige detectiestelsel 33 opgebouwd uit bijvoorbeeld twee stralingsgevoelige in-10 richtingen zoals beschreven aan de hand van de Figuren 1 en 2. Deze twee inrichtingen zijn in Figuur 11 die het principe van de focusfout-detectie illustreert net 36 en 37 aangegeven. Deze Figuur toont onder meer een aanzicht van de halfgeleiderinrichtingen volgens de lijn XI-XI in figuur 9 alsnede een schematische weergave van de hulpelectranica 15 voor het instellen van de verschilspanningen t.b.v. de schijnbare nul-instelling.
De brekende ribbe 35 van het prisma 34 kan evenwijdig zijn met de optische as, 00' in Fig. 6, van de uitleeseenheid. Bij voorkeur wordt echter, zoals Figuur 6 toont, het dakkantprisma zodanig geplaatst 20 dat de brekende ribbe 35 dwars op de optische as 00' staat. Dan kan namelijk uit de detectorsignalen een spoorvolgfoutsignaal afgeleid worden.
Het dakkantprisma splitst de bundel b in twee deelbundels b^ en b^ die invallen op respectievelijk de inrichtingen 36 en 37.
25 In de Figuren 9 en 11 is de situatie weergegeven dat de uitleesbundel precies op het vlak van de informatiestructuur gefocus-seerd is. De uitleeseenheid kan zo ingericht zijn dat dan het focuspunt van de gereflecteerde bundel precies in het oppervlak 2 van de halfgeleiderinrichtingen 1 van de detectoren 36, 37 ligt, welke detec-3Q toren een soortgelijke structuur als die van Figuur 1, 2 bezitten. Bij een correcte focussering vallen de deelbundels b^ en b2 symmetrisch in op de bij de detectoren 36 en 37 behorende hoogohmige zones 11, tussen de halfgeleiderzcnes 6^, 6B (lijn a in Figuur 11).
Bij het optreden van een focusfout verandert de energie-35 verdeling binnen de deelbundel b^ respectievelijk b2 ten opzichte van de bijbehorende detectoren, hetgeen ook opgevat kan worden als een verplaatsing van de door de deelbundels gevormde stralingsvlekken *1 en V2 ten opzichte van de detectoren. Wanneer het focuspunt van de a Q ö '*· v ** - <w PHN 11.388 12 van de strallngsbroa afkomstige bundel boven het vlak van de informatiestructuur zou liggen, dan zouden de bundels b, en b? naar binnen ver- 7Ά u plaatst zijn en zouden de halfgeleiderzones 6 en 6 minder stralings-
B C
energie ontvangen dan de halfgeleiderzones 6 en 6 (lijn a% Zou het g focus van de door de stralingsbron uitgezonden leesbundel onder het vlak van de informatiestructuur liggen, dan zou het omgekeerde gelden
B C
en zouden de halfgeleiderzones 6 en 6 minder stralingsenergie ont-
A D
vangen dan de halfgeleiderzones 6 , .6. en 19. (lijn a" in Figuur 11a).
Er moet voor gezorgd worden dat bij een correcte focussering
10 de stralingsvlekken V, en V„ schijnbaar midden tussen de zones 6 en B ^ C D
6 respectievelijk de zones 6 en 6 liggen. Om na assemblage een eventueel verschil in fotostrocm te kunnen compenseren ten behoeve van een juiste nul-instelling van het optisch systeem bevat de inrichting van Figuur 11 weer een aantal elektronische regelschakelingen die 15 qua werking identiek zijn aan die van de vorige voorbeelden.
Nadat de genoemde nul-instelling heeft plaats gevonden kunnen de van de operationele versterkers 15 afkomstige signalen gebruikt worden voor signaalbewerking. Hiertoe worden de signalen 47 en 48 (zie Figuren 10, 11) die een maat zijn voor de fotostramen door de 20 zones 6A en 6A toegevoerd aan een eerste opteller 50, terwijl de signalen 46 en 49 worden toegevoerd aan een tweede opteller 51. Door de signalen van deze optel Iers toe te voeren aan een verschilverster-ker 52 wordt een focusfoutsignaal verkregen. Het informaties ighaa-1 Si kan worden verkregen met een derde opteller 53, waarvan de ingangen 25 zijn verbonden met de uitgangen van de optellers 50 en 51.
Door, zoals in Fig. 9 is weergegeven, de brekende ribbe 35 van het prisma 34 dwars op de optische as 00' te plaatsen zijn de stralingsvlekken V1 en V2 ten opzichte van elkaar verschoven in een richting die effectief dwars op de spoorrichting is. In dat geval 30 kan uit de van de operationele versterker 15 (Figuur 11) afkomstige signalen 46, 47, 48 en 49 een spoorvolgsignaal, een signaal dat een indicatie geeft over de positie van de uitleesvlek V ten opzichte van het midden van een uit te lezen spoor, afgeleid worden. Dit signaal, S , wordt zoals in Fig. 10 aangegeven is, verkregen door de 35 signalen 46 en 47 toe te voeren aan een sommator 54 en de signalen 48 en 49 aan een scmmator 55 en door de signalen van de scmmatoren toe te voeren aan een verschilversterker 56. Het signaal Sr. wordt dus gegeven door: 8301489 PHN 11.388 13
Sr = (S46 + V - (S48 + V*
Indien de inrichting van Figuur 9, 10 niet gebruikt wordt voor
het opwekken van een spoorvolgsignaal S kan in de halfgeleiderinrich-B C
ting de zone 6 samenvallen met de zone 6 zoals in Fig. 12 getoond 5 wordt. Het focusfoutsignaal Sf wordt gegeven door:
Sf = (S41 + S43} “ S42*
Het focusdetectiestelsel is beschreven aan de hand van zijn toepassing in een optische uit lees eenheid, maar kan ook toegepast worden in een inschrijf eenheid of In een gecombineerde inschrijf-uit-10 leeseenheid. De inschrijfeenheid is op analoge manier cpgehouwd als de beschreven uitleeseenheid. Voor het inschrijven van informatie, bijvoorbeeld door het smelten van putjes in een mataallaag, is meer energie nodig dan voor het uitlezen en bovendien moet de inschrijf-bundel in de tijd gemoduleerd worden overeenkomstig de in te schrijven 15 informatie. Als stralingsbron in de inschrijfeenheid kan een gaslaser, zoals een HeNe-laser gebruikt worden, waarbij in de weg van de schrijf-bundel een modulator, zoals een electro-optische of een acousto-optische modulator, aangebracht moet worden. Er kan ook een diodelaser gebruikt worden waarbij de modulatie van de schrij fbunde1 tot stand 20 gebracht kan worden door variatie van de electrische stroom door de diodelaser zodat geen aparte modulator nodig is.
De halfgeleiderinrichting van de Figuren 1 en 2 kan ook worden toegepast bij het meten van kleine verplaatsing, bijvoorbeeld ten behoeve van mechanische tests (doorbuiging, rekmeting etc.).
25 In de halfgeleiderlichamen kunnen de geleidingstypen van de halfgeleidergebieden (tegelijkertijd) worden omgekeerd aider gelijktijdige aanpassing van de electrische spanningen in het instel-systeem. In de inrichting van Figuur 11 kunnen de stralingsgevoelige inrichtingen 36, 37 in een halfgeleiderlichaam worden gerealiseerd, 30 waarna onderlinge electrische isolatie plaats vindt door bijvoorbeeld het etsen van een groef, die zonodig weer met isolerend materiaal kan worden opgevuld.
Ook kunnen andere halfgeleidermaterialen dan silicium worden gebruikt zoals bijvoorbeeld germanium of verbindingen van het III-V 35 type zoals gallium-arsenide. Ter plaatse van de halfgeleiderzones 6 kunnen de uitputtingsgebieden 12 ook worden opgewekt met behulp van Schottky-contacten op het halfgeleidermateriaal, die dan wel stralings-doorlatend moeten zijn. Hiertoe worden zij bijvoorbeeld vervaardigd van 85 0 1 4 8 § PHN 11.388 14 met antimoon gedoteerd tinoxyde of al dan niet met tin gedoteerd indiumoxyde (p-type of n-type).
In plaats van de halfgeleiderzones 6 aan te brengen in de epitaxiale laag 3 kunnen deze ook rechtstreeks in het substraat worden 5 aangebracht, waarbij het substraatmateriaal een weerstand van bijvoorbeeld 10 ohmcentimeter heeft. Ook heeft de hoogobmige zone niet noodzakelijk aan het oppervlak 4 te raken, maar kan hiervan gescheiden zijn door een deel van het substraat. Een dergelijke configuratie kan verkregen worden door de zones 11 'met ionenimplantatie bij hoge energie 10 aan te brengen en is bijzonder geschikt voor detectie van hoogenergetische deeltjes. Bovendien kunnen de instelschakelingen met voordeel in hetzelfde halfgeleiderlichaam worden gerealiseerd als dat waar zich de stralingsgevoelige inrichting (en eventuele hulpelectronica) bevindt.
15 Het beschreven focusfout-detectiestelsel maakt geen gebruik van speciale eigenschappen van de optische inforamtiestructuur of van het vlak waarop gefocusseerd moet worden. Nodig en voldoende is slechts dat dit vlak stralingsreflecterend is.. Het focusfoutdetectiestelsel kan daarom in diverse inrichtingen toegepaërworden waarin zeer nauwkeurig 20 gefocusseerd moet worden, bijvoorbeeld in microscopen.
25 30 35 3301489

Claims (10)

1. Halfgeleiderinrichting voor het bepalen en in het bijzonder regelen van de positie van een stralingsbundel die invalt pp een hocfd-oppervlak van een stralingsgevoelig half geleider lichaam dat is voorzien van tenminste twee half ge leiderzones van een eerste ge leidings type 5 die net een omringend deel van het halfgeleiderlichaam een pn-overgang vormen en voorzien zijn van electrische aansluitingen cm door de invallende straling opgewekte electrische stroom af te voeren met het kenmerk dat de onderlinge afstand van de halfgeleiderzones enkele malen de afstand bedraagt waarover de stralingsbundel, gezien in de richting 10 tussen de halfgeleiderzones, het hoofdoppervlak treft en zich tussen de halfgeleiderzones een hoogohmige zone van het eerste geleidingstype bevindt die met het omringende deel van het halfgeleiderlichaam een pn-overgang vormt, terwijl de inrichting verder voorzien is van tenminste een instelschakeling waarmee de bij de halfgeleiderzones 15 behorende pn-overgangen ten opzichte van elkaar zodanig verschillend kunnen worden voorgespannen dat onafhankelijk van de plaats waar de stralingsbundel het hoofdoppervlak tussen de halfgeleiderzones treft de opgewekte stromen door de halfgeleiderzones praktisch identiek zijn.
2. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk 2o dat het halfgeleiderlichaam voorts is voorzien van tenminste twee halfgeleiderzones van een tweede, aan het eerste tegengesteld geleidingstype die voorzien zijn van electrische aansluitingen om door de invallende straling opgewekte electrische stroom af te voeren terwijl zich tussen de halfgeleiderzones van het tweede geleidingstype 25 een hoogohmige zone van het tweede geleidingstype bevindt en de inrichting verder voorzien is van tenminste een instelschakeling waarmee de halfgeleiderzones van het tweede geleidingstype ten opzichte van elkaar zodanig verschillend kunnen worden ingesteld dat onafhankelijk van de plaats waar de stralingsbundel het hoofdoppervlak treft 3q de opgewekte stremen door de halfgeleiderzones van het tweede geleidingstype praktisch identiek zijn.
3. Halfgeleiderinrichting volgens een der conclusies 1 of 2, met het kenmerk dat de instelschakelingsiuitgangssignalen leveren die gerelateerd zijn aan de electrische stromen door de halfgeleider-zones·
4. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 2 of 3, met het kenmerk dat ter plaatse van de invallende straling de verbindingslijn tussen de halfgeleiderzones van het eerste geleidingstype een praktisch -* -\ A 2 Λ *\ & 3 V i o j PHN 11.388 16 loodrechte hoek maakt met de verbindingslijn tussen de halfgeleiderzones van het tweede geleidingstype.
5. Halfgeleiderinrichting volgens een der conclusies 2 tot en met 4, met het kenmerk dat de halfgeleiderzones van het tweede gelei- 5 dingstype en de hoogohmige zone van het tweede geleidingstype met althans een deel van het omringend halfgeleiderlichaam een pn-overgang vormen.
6. Opto-electronisch focusfout-detectiestelse1 voor het detecteren, in een optisch systeem, van een afwijking tussen een stralings- 10 reflecterend element en een vlak van focussering van een objectiefstel-sel, in het bijzonder voor een inrichting voor het uitlezen van een registratiedrager met een optische stralingsreflecterende informatiestructuur of een inrichting voor het langs optische weg inschrijven van informatie in een registratiedrager, met het kenmerk dat het 15 focusfoutdetectiestelsel een halfgeleiderinrichting volgens een der vorige conclusies bevat.
7. Opto-electronisch focusfout-detectiestelsel volgens conclusie 6, met het kenmerk dat twee deelbundels, gevormd door een bundelsplit-send element in de weg van een door het stralingsreflecterend element, 20 twee tussen halfgeleiderzones van het eerste geleidingstype gelegen hoogohmige zones van het eerste geleidingstype treffen en uitgangen van de instelschakeling verbonden zijn met ingangen van een electronische schakeling waarin een focusfout wordt afgeleid uit van deze uitgangen afkomstige signalen.
8. Opto-electronisch focusfout-detectiestelsel volgens conclusie 7, met het kenmerk dat tenminste een halfgeleiderzone van het eerste geleidingstype gemeenschappelijk is voor twee aangrenzende hoogohmige zones van het eerste geleidingstype.
9. Inrichting voor het uitlezen en/of inschrijven van informatie 3Q in een stralingsreflecterend vlak van een registratiedrager, met het kenmerk dat de inrichting een focusfoutdetectiestelsel volgens een der conclusies 6 tot en met 8 bevat.
10. Inrichting volgens een der vorige conclusies met het kenmerk dat de stralingsgevoelige halfgeleiderzones en de instelscha- 35 keling in hetzelfde halfgeleiderlichaam gerealiseerd zijn. 85 0 1 4 8 S
NL8501489A 1985-05-24 1985-05-24 Positie-gevoelige stralingsdetector. NL8501489A (nl)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8501489A NL8501489A (nl) 1985-05-24 1985-05-24 Positie-gevoelige stralingsdetector.
AT86200435T ATE64239T1 (de) 1985-05-24 1986-03-19 Lageempfindlicher strahlungsdetektor.
DE8686200435T DE3679599D1 (de) 1985-05-24 1986-03-19 Lageempfindlicher strahlungsdetektor.
EP86200435A EP0206363B1 (en) 1985-05-24 1986-03-19 Position-sensitive radiation detector
AU55217/86A AU586672B2 (en) 1985-05-24 1986-03-25 Position-sensitive radiation detector
US06/846,669 US4749849A (en) 1985-05-24 1986-03-31 Device for determining the position of a radiation beam
CN86102770.1A CN1006099B (zh) 1985-05-24 1986-04-21 有位敏探测器的信息读/写***
KR1019860003417A KR940009998B1 (ko) 1985-05-24 1986-05-01 반도체 장치
CA000509660A CA1257364A (en) 1985-05-24 1986-05-21 Position-sensitive radiation detector
JP61119001A JPH07105521B2 (ja) 1985-05-24 1986-05-23 放射線感応半導体装置
SG1134/92A SG113492G (en) 1985-05-24 1992-11-02 Position-sensitive radiation detector
HK154/93A HK15493A (en) 1985-05-24 1993-02-25 Position-sensitive radiation detector

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8501489 1985-05-24
NL8501489A NL8501489A (nl) 1985-05-24 1985-05-24 Positie-gevoelige stralingsdetector.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8501489A true NL8501489A (nl) 1986-12-16

Family

ID=19846033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8501489A NL8501489A (nl) 1985-05-24 1985-05-24 Positie-gevoelige stralingsdetector.

Country Status (12)

Country Link
US (1) US4749849A (nl)
EP (1) EP0206363B1 (nl)
JP (1) JPH07105521B2 (nl)
KR (1) KR940009998B1 (nl)
CN (1) CN1006099B (nl)
AT (1) ATE64239T1 (nl)
AU (1) AU586672B2 (nl)
CA (1) CA1257364A (nl)
DE (1) DE3679599D1 (nl)
HK (1) HK15493A (nl)
NL (1) NL8501489A (nl)
SG (1) SG113492G (nl)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8601719A (nl) * 1986-07-02 1988-02-01 Philips Nv Electronisch instelbare positiegevoelige stralingsdetector, focusfoutdetectiestelsel voorzien van een dergelijke stralingsdetector, en optische lees- en/of schrijfinrichting voorzien van een dergelijk focusfoutdetectiestelsel.
DE3728691A1 (de) * 1986-08-28 1988-03-10 Nissan Motor Lichtempfindlicher positionssensor
JPH0640023B2 (ja) * 1986-09-25 1994-05-25 株式会社神戸製鋼所 光入力の位置・分散検出方法および装置
US4916306A (en) * 1988-07-14 1990-04-10 Tektronix Device for detecting spatial variation in the intensity of electromagnetic radiation
US4982078A (en) * 1989-12-19 1991-01-01 Spectra-Physics, Inc. Beam position sensor with time shared normalizing circuit
JPH0834709B2 (ja) * 1990-01-31 1996-03-29 株式会社日立製作所 半導体集積回路及びそれを使つた電動機制御装置
US4987293A (en) * 1990-03-14 1991-01-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Digital position monitor
US5324929A (en) * 1991-02-26 1994-06-28 Nippondenso Co., Ltd. Device for detecting position and intensity of light and position detecting element to be employed therein
US5578837A (en) * 1995-01-03 1996-11-26 Xerox Corporation Integrating hyperacuity sensors and arrays thereof
FR2772140B1 (fr) 1997-12-05 2000-02-04 Schneider Electric Sa Cellule photoelectrique configurable
JP4220058B2 (ja) * 1998-06-30 2009-02-04 浜松ホトニクス株式会社 半導***置検出器
US6577448B2 (en) 2001-09-25 2003-06-10 Siemens Dematic Electronic Assembly Systems, Inc. Laser system by modulation of power and energy
US6781133B2 (en) 2001-11-01 2004-08-24 Radiation Monitoring Devices, Inc. Position sensitive solid state detector with internal gain
US7729515B2 (en) * 2006-03-08 2010-06-01 Electronic Scripting Products, Inc. Optical navigation apparatus using fixed beacons and a centroid sensing device
US7961909B2 (en) 2006-03-08 2011-06-14 Electronic Scripting Products, Inc. Computer interface employing a manipulated object with absolute pose detection component and a display
US7826641B2 (en) * 2004-01-30 2010-11-02 Electronic Scripting Products, Inc. Apparatus and method for determining an absolute pose of a manipulated object in a real three-dimensional environment with invariant features
US9229540B2 (en) 2004-01-30 2016-01-05 Electronic Scripting Products, Inc. Deriving input from six degrees of freedom interfaces
EP1846948A4 (en) * 2005-02-08 2009-09-09 Canesta Inc METHODS AND DEVICES FOR ENHANCED LOAD MANAGEMENT IN THREE-DIMENSIONAL AND COLOR DETECTION
US7495201B2 (en) 2006-01-11 2009-02-24 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Charge multiplexed array of solid-state photosensitive detectors
DE102006013460B3 (de) 2006-03-23 2007-11-08 Prüftechnik Dieter Busch AG Photodetektoranordnung, Messanordnung mit einer Photodetektoranordnung und Verfahren zum Betrieb einer Messanordnung
DE102006013461B3 (de) 2006-03-23 2007-11-15 Prüftechnik Dieter Busch AG Photodetektoranordnung, Messanordnung mit einer Photodetektoranordnung und Verfahren zum Betrieb einer Messanordnung
DE102008044884A1 (de) * 2008-08-29 2010-03-04 Albert-Ludwigs-Universität Freiburg Verfahren zur Bestimmung der Rekombinationseigenschaften an einem Messteilbereich einer Messseite einer Halbleiterstruktur
JP2013038174A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Canon Inc 軟ｘ線検出装置、及び軟ｘ線検出システム
US11577159B2 (en) 2016-05-26 2023-02-14 Electronic Scripting Products Inc. Realistic virtual/augmented/mixed reality viewing and interactions
US11984447B2 (en) * 2021-03-01 2024-05-14 Georgia Tech Research Corporation Semiconductor work function reference circuit for radiation detection
CN116817752A (zh) * 2023-07-12 2023-09-29 钧雷光电有限公司 位置传感器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5213918B2 (nl) * 1972-02-02 1977-04-18
NL7414776A (nl) * 1974-11-13 1976-05-17 Philips Nv Inrichting voor het uitlezen van een registra- tiedrager met een optische informatiestruktuur.
US4025943A (en) * 1976-03-22 1977-05-24 Canadian Patents And Development Limited Photogeneration channel in front illuminated solid state silicon imaging devices
NL8003906A (nl) * 1980-07-07 1982-02-01 Philips Nv Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting.
JPS57159073A (en) * 1981-03-26 1982-10-01 Minolta Camera Co Ltd Semiconductor position detector
NL187374C (nl) * 1981-07-10 1991-09-02 Philips Nv Inrichting voor het detecteren van straling.
NL8104588A (nl) * 1981-10-08 1983-05-02 Philips Nv Bundelscheidingsprisma, werkwijze voor het vervaardigen van dit prisma en van dit prisma voorziene optische lees- en/of schrijfeenheid.
NL8202058A (nl) * 1982-05-19 1983-12-16 Philips Nv Opto-elektronisch fokusfout-detektiestelsel.
US4656348A (en) * 1983-04-12 1987-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical head

Also Published As

Publication number Publication date
CN1006099B (zh) 1989-12-13
AU5521786A (en) 1986-11-27
CN86102770A (zh) 1986-11-19
CA1257364A (en) 1989-07-11
JPH07105521B2 (ja) 1995-11-13
KR860009498A (ko) 1986-12-23
HK15493A (en) 1993-03-05
DE3679599D1 (de) 1991-07-11
KR940009998B1 (ko) 1994-10-19
ATE64239T1 (de) 1991-06-15
US4749849A (en) 1988-06-07
JPS61283172A (ja) 1986-12-13
EP0206363A1 (en) 1986-12-30
SG113492G (en) 1993-01-29
AU586672B2 (en) 1989-07-20
EP0206363B1 (en) 1991-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8501489A (nl) Positie-gevoelige stralingsdetector.
US4791468A (en) Radiation-sensitive semiconductor device
GB2102201A (en) Radiation detection apparatus
US5777352A (en) Photodetector structure
US4810871A (en) Electronically adjustable position-sensitive radiation detector and optical systems using same
EP0504604B1 (en) Magneto-optical disk head system
US6949809B2 (en) Light receiving element, light detector with built-in circuitry and optical pickup
US3742223A (en) Wide angle lateral photo-detector means
US5532999A (en) Optical detector having stray carrier absorption regions between light receiving elements, and an optical head using the same
US3649837A (en) Diffractive image-forming means integrated into semiconducting devices
JP3060233B2 (ja) 放射感応性半導体装置
NL8901400A (nl) Halfgeleiderinrichting met een stralingsgevoelig element.
KR100225186B1 (ko) 광감지반도체장치
US4987461A (en) High position resolution sensor with rectifying contacts
JPH11312823A (ja) 受光素子
JPH0955532A (ja) 半導体受光素子
KR910002030Y1 (ko) 포토 디텍터
JP3112407B2 (ja) 受光素子
JPH05198833A (ja) 光半導体装置
Blum et al. Development of an Optical Alignment System for the ATLAS Muon Spectrometer
JPH08193882A (ja) 光信号検出装置
JPH1125503A (ja) 光ピックアップ装置およびその製造方法
JPH01115172A (ja) 入射位置検出用半導体装置
JPH04153927A (ja) 光検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
A1Y An additional search report has been drawn up
BT A notification was added to the application dossier and made available to the public
BV The patent application has lapsed