NL8420336A - METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS - Google Patents
METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS Download PDFInfo
- Publication number
- NL8420336A NL8420336A NL8420336A NL8420336A NL8420336A NL 8420336 A NL8420336 A NL 8420336A NL 8420336 A NL8420336 A NL 8420336A NL 8420336 A NL8420336 A NL 8420336A NL 8420336 A NL8420336 A NL 8420336A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- coating
- aluminum
- silicon
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 60
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 47
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 42
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 38
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 3
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 7
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010068 TiCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000008366 buffered solution Substances 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005111 flow chemistry technique Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- ZWYDDDAMNQQZHD-UHFFFAOYSA-L titanium(ii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ti+2] ZWYDDDAMNQQZHD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
Φ * 8420336 VO 731484 * 8420336 VO 7314
Werkwijze voor het vervaardigen van zonnecellen.Method for manufacturing solar cells.
De uitvinding heeft betrekking op de vervaardiging van foto-voltagecellen en meer in het bijzonder op een verbeterde goedkope methode voor het vervaardigen van uit polykristallijn silicium bestaande zonnecellen, waarbij de tijdens de waterstofpassivering ge-5 vormde beschadigde oppervlaktelaag als een plateermasker voor het metalliseren van de voorvlakelektroden wordt gebruikt.The invention relates to the production of photo-voltage cells and more particularly to an improved inexpensive method for the production of polycrystalline silicon solar cells, in which the damaged surface layer formed during the hydrogen passivation forms as a plating mask for metallizing the front surface electrodes are used.
Tot nu toe heeft een gebruikelijke methode voor het vervaardigen van uit silicium bestaande zonnecellen de volgende stappen omvat: het vormen van een PN-junctie door een geschikt doteermiddel in 10 de voorzijde van siliciumplaat of -strook te diffunderen, een rooster-elektrodepatroon te etsen in een beschermende diëlektrische maskeer-laag, welke aan dat voorvlak is gevormd, het neerslaan van een nikkel-platering op alle silicium, dat door het etsen is vrijgegeven, een overplatering van het nikkel met koper en tin, het verwijderen van 15 de rest van de diëlektrische maskeerlaag van het voorvlak, en het aanbrengen van een anti-reflectiebekleding op de nieuw vrijgegeven gedeelten van het voorvlak.Heretofore, a common method for manufacturing silicon solar cells has included the following steps: forming a PN junction by diffusing a suitable dopant into the face of silicon sheet or strip, etching a grid electrode pattern into a protective dielectric masking layer formed on that front face, depositing a nickel plating on all of the silicon released by etching, overplating the nickel with copper and tin, removing the rest of the dielectric masking layer of the front face, and applying an anti-reflective coating to the newly released portions of the front face.
Ofschoon een dergelijke procedure kan worden toegepast bij zowel monokristallijn als polykristallijn silicium, maken kostenover-20 wegingen het gewenst zonnecellen uit het laatstgenoemde materiaal te vervaardigen. Zoals evenwel bekend is, zijn in verband met de minder-heidsdragerverliezen bij korrelbegrenzingen, dislocaties en dergelijke, de bij uit polykristallijn silicium bestaande zonnecellen verkregen rendementen in het algemeen lager dan die van monokristallijne cellen.Although such a procedure can be used with both monocrystalline and polycrystalline silicon, cost considerations make it desirable to manufacture solar cells from the latter material. However, as is known, because of the minor carrier losses at grain boundaries, dislocations and the like, the yields obtained from polycrystalline silicon solar cells are generally lower than those of monocrystalline cells.
25 Deze omstandigheid is verbeterd door een monovalent element, zoals waterstof, in het stelsel te introduceren voor een combinatie met de vrije bindingen, behorende bij de structurele defecten, waardoor de minderheidsdragerhercombinatieverliezen tot een minimum worden teruggebracht .This circumstance has been improved by introducing a monovalent element, such as hydrogen, into the system for a combination with the free bonds associated with the structural defects, thereby minimizing the minority carrier recombining losses.
30 Zoals bekend is een belangrijke overweging bij het ontwerpen van een celverwerkingsreeks die, dat de combinatie van tijd en temperatuur bij elke stap na de waterstofpassiveringsstap niet dient te veroorzaken, dat de in het silicium geïntroduceerde waterstof uit de 8420336 * _ -2- gepassiveerde substraat terugdiffundeert. Zo is het bijvoorbeeld gebleken, dat een met waterstof gepassiveerde cel, welke werd onderworpen aan een temperatuur van 600°C gedurende een half uur in vacuo, in hoofdzaak alle gebonden waterstof verliest en naar het voor-5 passiveringsniveau daarvan terugkeert, zoals blijkt uit de waargenomen door een elektrodenbundel geïnduceerde stroomactiviteit daarvan. In dit verband wordt opgemerkt, dat de junctiediffusiestap bij de zonne-celfabricage meer in het bijzonder temperaturen van de orde van 900°C met zich medebrengt.As is well known, an important consideration in designing a cell processing series that the combination of time and temperature at each step after the hydrogen passivation step should not cause the hydrogen introduced into the silicon from the 8420336 * -2-passivated substrate. diffuses back. For example, it has been found that a hydrogen passivated cell, which was subjected to a temperature of 600 ° C for half an hour in vacuo, loses substantially all of the bound hydrogen and returns to its pre-passivation level, as can be seen from the observed electrode activity induced current activity thereof. In this connection, it is noted that the junction diffusion step in solar cell manufacturing more particularly involves temperatures of the order of 900 ° C.
10 Het is voorts gebleken, dat door de waterstofpassivering de cel normaliter tot een zo hoge temperatuur wordt verhit, dat basismetalen, zoals koper, via de junctie migreren, waardoor een "zachte" diode of een kortsluiting optreedt. Zoals bijvoorbeeld door C.H. Seager, D.J. Sharp, J.K.G. Panitz, en R.V. D'Aiello in Journal of Vacuum 15 Science and Technology, Vol. 20, No. 3, pag. 430-435 (maart 1982) is aangegeven, kan de passivering van polykristallijn silicium plaatsvinden met een ionenbron van het Kaufman-type, welke wordt gebruikt voor het leveren van een waterstofionenbundel in het kilo-elektronen-voltenergiegebied. Betrekkelijk korte belichtingstijden (b.v. tussen 20 0,5 en 4 minuten) in een gebied met grote ionenenergie en flux (b.v.It has further been found that the hydrogen passivation normally heats the cell to such a high temperature that base metals, such as copper, migrate through the junction, causing a "soft" diode or short circuit. As, for example, by C.H. Seager, D.J. Sharp, J.K.G. Panitz, and R.V. D'Aiello in Journal of Vacuum 15 Science and Technology, Vol. 20, no. 3, p. 430-435 (March 1982), the passivation of polycrystalline silicon can be accomplished with a Kaufman-type ion source, which is used to provide a hydrogen ion beam in the kilo electron volume energy range. Relatively short exposure times (e.g., between 0.5 and 4 minutes) in an area of high ionic energy and flux (e.g.
2 1-3 milliampère per cm ) blijken optimaal te zijn. Dergelijke belichtingen leiden in het algemeen ertoe, dat de substraattemperatuur tot tenminste bij benadering 275°C stijgt indien de substraat zorgvuldig in aanraking wordt gehouden met een geschikt warmte-afvoerorgaan.2 1-3 milliamps per cm) appear to be optimal. Such exposures generally result in the substrate temperature rising to at least approximately 275 ° C if the substrate is carefully kept in contact with a suitable heat sink.
25 In alle andere gevallen treden gemakkelijk temperaturen van meer dan 400°C op. Het is evenwel van belang, dat de temperaturen tot minder dan ongeveer 300°C worden beperkt teneinde een snelle migratie van basismetalen in de siliciummatrix te vermijden. Een manipulatie van de substraat en het warmte-afvoerorgaan voor het verkrijgen van een 30 thermische regeling tijdens de passivering wordt evenwel gemakkelijk de, de snelheid begrenzende factor bij een verwerking met groot debiet bij dergelijke ionenbronnen. Derhalve is het gewenst de warmte-afvoer te vermijden teneinde een goedkoop proces met groot debiet te verkrijgen. Bovendien maken bij een siliciumband van het EFG-type, welke 35 op een economische wijze kan worden vervaardigd, oppervlakte-onregel-matigheden een warmte-afvoer lastig.In all other cases temperatures of more than 400 ° C easily occur. It is important, however, that the temperatures be limited to less than about 300 ° C in order to avoid rapid migration of base metals into the silicon matrix. However, manipulation of the substrate and heat sink to achieve thermal control during passivation easily becomes the rate limiting factor in high flow processing at such ion sources. Therefore, it is desirable to avoid heat dissipation in order to obtain an inexpensive, high flow rate process. In addition, with an EFG type silicon band, which can be economically manufactured, surface irregularities make heat dissipation difficult.
8420336 * „ -3-8420336 * "-3-
Voorts is de waterstofpassivering het meest doeltreffend wanneer het basissiliciumoppervlak wordt vrijgegeven. Derhalve dient een "positief" plateermasker, gebruikt voor het bepalen van het voorvlak-roosterelektrodepatroon door het interelektrodegebied van het voorvlak 5 te bedekken, tijdens de passivering niet op zijn plaats te zijn.Furthermore, the hydrogen passivation is most effective when the base silicon surface is released. Therefore, a "positive" plating mask used to determine the front face grating electrode pattern by covering the interelectrode area of the front face 5 should not be in place during passivation.
Zoals is beschreven in de Amerikaanse octrooiaanvrage Serial No. 563061, kan de gewijzigde oppervlaktelaag, die bij de waterstof-ionenbundelpassivering wordt gevormd, als een plateermasker voor een daaropvolgende metallisering worden gebruikt, waarbij een dompelpla-10 tering van een gekozen metaal plaatsvindt. Een voorkeursuitvoeringsvorm van het proces, dat in detail is beschreven in de Amerikaanse octrooiaanvrage Serial No. 563061, als toegepast op de vervaardiging van uit silicium bestaande zonnecellen, omvat onder meer de volgende stappen: (1) het vormen van een plateermasker van een diëlektrisch 15 materiaal op het voorvlak van een siliciumstrook met ondiepe junctie teneinde die gebieden van het silicium vrij te laten, welke later door de voorvlakelektrode moeten worden bedekt, (2) het aanbrengen van een dunne laag nikkel (of een soortgelijk materiaal) op het vrij liggende silicium, (3) het verwijderen van het plateermasker, (4) het met 20 waterstof passiveren van de junctiezijde van de cel, (5) het sinteren van het nikkel teneinde gedeeltelijk een nikkelsilicide te vormen, (6) het dompelplateren van verder nikkel op de met metaal bedekte gedeelten van de cel, (7) het elektroplateren van een laag koper op het nikkel, en (8) het aanbrengen van een anti-reflectiebekleding op het 25 vrij liggende oppervlak van het silicium. Daarna kan het silicium verder worden verwerkt bijvoorbeeld om dit gereed te maken voor verbinding met elektrische ketens. Bij een alternatief proces levert de verhitting van het monster tijdens de passivering ten minste een deel van de energie voor de nikkelsinterstap.As described in U.S. Patent Application Serial No. No. 563061, the modified surface layer formed in the hydrogen ion beam passivation can be used as a plating mask for subsequent metallization, with dip-plating of a selected metal. A preferred embodiment of the process, which is described in detail in U.S. Patent Application Serial No. 563061, as applied to the manufacture of silicon solar cells, includes the following steps: (1) forming a plating mask of a dielectric material on the front face of a silicon strip with shallow junction to release those regions of the silicon which must later be covered by the front surface electrode, (2) applying a thin layer of nickel (or similar material) to the exposed silicon, (3) removing the plating mask, (4) passivating it with hydrogen from the junction side of the cell, (5) sintering the nickel to partially form a nickel silicide, (6) dipping plating of further nickel on the metal-coated portions of the cell, (7) electroplating a layer of copper onto the nickel, and (8) applying an anti-reflective coating to the exposed surface of the silicon. The silicon can then be further processed, for example to prepare it for connection to electrical chains. In an alternative process, heating the sample during passivation provides at least part of the energy for the nickel sintering step.
30 Ofschoon het duidelijk is, dat een dergelijke procedure (1) het verwijderen van het initiële plateermasker voor de passivering mogelijk maakt (waardoor een betere passivering mogelijk is) en (2) een passivering mogelijk maakt vóór het aanbrengen van basismetalen zonder dat een extra maskeerstap voor de metallisatie nodig is (waar-35 bij zowel het gevaar van beschadigde cellen, veroorzaakt door een migratie van het basismetaal tijdens de passivering, wordt geëlimineerd 8420336 4 * -4- als het produktieproces wordt vereenvoudigd door het elimineren van de noodzaak tot een nauwkeurige thermische regeling van de substraat tijdens de passivering of een fotolithografische stap na de passivering), kan het proces nog steeds worden verbeterd. Derhalve bestaat, ofschoon 5 de thermische regeling, welke nodig is om een basismetaalmigratie (temperaturen bij voorkeur minder dan ongeveer 300°C) te vermijden, wordt geëlimineerd, nog steeds het gevaar van beschadigde cellen aanwezig tengevolge van migratie, ofschoon bij een geringere diffusie-snelheid, van nikkel of nikkelsilicide in de matrix van de substraat.Although it is clear that such a procedure (1) allows removal of the initial passivation plating mask (allowing for better passivation) and (2) allows for passivation prior to base metal application without requiring an additional masking step requires metallization (eliminating both the danger of damaged cells caused by base metal migration during passivation 8420336 4 * -4- and simplifying the production process by eliminating the need for an accurate thermal control of the substrate during passivation or a photolithographic step after passivation), the process can still be improved. Therefore, although the thermal control necessary to avoid a base metal migration (temperatures preferably less than about 300 ° C) is eliminated, there is still the risk of damaged cells present due to migration, although with less diffusion. rate, of nickel or nickel silicide in the matrix of the substrate.
10 Voorts vereist de zojuist beschreven methode de vorming van een plateermasker, als een verdere laag op de substraat, voor de initiële metallisering, en vereist in verband hiermede een verdere verwerking en verdere materialen.Furthermore, the method just described requires the formation of a plating mask, as a further layer on the substrate, for the initial metallization, and in this connection requires further processing and further materials.
Derhalve beoogt de uitvinding te voorzien in een werkwijze 15 voor de vervaardiging van zonnecellen, welke een waterstofpassiverings-stap na de behandelingsstappen met hoge temperatuur doch vóór een eventuele voorvlakmetallisatie omvat.It is therefore an object of the invention to provide a method for the production of solar cells, which comprises a hydrogen passivation step after the high-temperature treatment steps but before an optional front surface metallization.
Een ander doel van de uitvinding is het verschaffen van een dergelijke werkwijze, waarbij niet de vorming van een plateermasker 20 nodig is om metallisering van het vrij liggende gepassiveerde oppervlak na de waterstofpassivering te beletten.Another object of the invention is to provide such a method which does not require the formation of a plating mask 20 to prevent metallization of the exposed passivated surface after the hydrogen passivation.
Deze en andere oogmerken worden verwezenlijkt door een werkwijze, waarbij, bij een voorkeursuitvoeringsvorm als toegepast op de vervaardiging van uit silicium bestaande zonnecellen, onder meer de 25 volgende stappen aanwezig zijn: (1) het diffunderen van fosfor in een siliciumstrook van het P-type teneinde een ondiepe junctie te vormen, waarbij door het diffusieproces tegelijkertijd een laag van fosfo-silicaatglas aan het oppervlak van de strook bij de junctie wordt gevormd, (2) een roosterelektrodepatroon van de fosfosilicaatglaslaag 30 wordt gevormd door fotolithografie (onder gebruik van een geschikte fotolaksamenstelling en etsing) in de vorm van een "negatief" plateermasker (d.w.z., dat het fosfosilicaatglas slechts achterblijft in die gebieden van de substraat, waarin het gewenst is later de voorvlak-elektroden te bevestigen), (3) het bekleden van de andere zijde van 35 de siliciumstrook met een aluminiumpasta, (4) het verhitten van het silicium teneinde het aluminium te legeren, (5) het met waterstof pas- 8420336 4 -5- siveren van de junctiezijde van de cel, terwijl tegelijkertijd een gewijzigde laag in de niet-bedekte siliciumsubstraat tussen het fosfo-silicaatglaselektrodepatroon wordt gevormd, (6) het resterende fosfo-silicaatglas wordt weggeëtst, en (7) zowel het niet-gewijzigde vrij-.5 liggende silicium als het aluminium met een gekozen metaal, zoals nikkel, door dompelplatering wordt gemetalliseerd. Daarna kan het silicium verder worden verwerkt, bijvoorbeeld om het gereed te maken voor verbinding met elektrische ketens, en worden voorzien van een anti-reflectiebekleding.These and other objects are achieved by a method, which, in a preferred embodiment as applied to the manufacture of silicon solar cells, includes the following steps: (1) diffusing phosphorus into a P-type silicon strip so as to form a shallow junction, whereby the diffusion process simultaneously forms a layer of phosphosilicate glass on the surface of the strip at the junction, (2) a grid electrode pattern of the phosphosilicate glass layer 30 is formed by photolithography (using a suitable photoresist composition and etching) in the form of a "negative" plating mask (ie, that the phosphosilicate glass remains only in those areas of the substrate in which it is desired to attach the front surface electrodes later), (3) coating the other side of 35 the silicon strip with an aluminum paste, (4) heating the silicon to alloy the aluminum, (5) hydrogenating the junction side of the cell with hydrogen while simultaneously forming an altered layer in the uncoated silicon substrate between the phosphosilicate glass electrode pattern, (6) etching away the remaining phosphosilicate glass , and (7) both the unaltered free-lying silicon and the aluminum are metal-plated with a selected metal, such as nickel, by dip-plating. The silicon can then be further processed, for example to prepare it for connection to electrical circuits, and provided with an anti-reflection coating.
10 De hier gebruikte uitdrukking "dompelplatering" heeft betrek king op een proces, waarbij een voorwerp met een metaal wordt geplateerd zonder gebruik te maken van een uitwendig aangelegd elektrisch veld door het voorwerp onder te dompelen in een plateerbad, dat geen reducerend middel bevat, waarbij het plateren een verplaatsingsreactie 15 omvat. Dompelplatering onderscheidt zich van elektrodeloze platering daarin, dat bij laatstgenoemde methode een plateerbad wordt gebruikt, dat een reducerend middel bevat.The term "dip plating" as used herein refers to a process of plating an object with a metal without using an externally applied electric field by immersing the object in a plating bath containing no reducing agent, wherein the plating includes a displacement reaction 15. Immersion plating differs from electrodeless plating in that the latter method uses a plating bath containing a reducing agent.
Deze vervaardigingsreeks heeft een aantal grote voordelen.This manufacturing series has a number of major advantages.
Door het aanbrengen van de voorvlakelektroden uit te stellen tot na 20 de passivering, wordt elk gevaar op een vernieling van de cel door een migratie van het elektrodemateriaal naar de junctie tijdens volgende behandelingsstappen in een sterke mate gereduceerd. Aangezien de thermische regeling tijdens de passivering minder kritisch is, kan een warmte-afvoer worden vermeden. Derhalve maakt de uitvinding een 25 ionenbundelpassivering met groot debiet mogelijk. Bovendien elimineert de voorkeursmethode door gebruik te maken van de glaslaag, welke wordt gevormd als een gevolg van de werkwijze van het vormen van de junctie, als het lichaam van een negatief plateermasker, zowel een etsstap (voor het initieel verwijderen van het glas) als een bekledingsstap 30 (voor het verschaffen van materiaal voor een plateermasker), waarbij het glas in plaats daarvan in twee stadia wordt verwijderd.By delaying the application of the front surface electrodes until after passivation, any risk of destruction of the cell by migration of the electrode material to the junction during subsequent treatment steps is greatly reduced. Since the thermal control during passivation is less critical, heat dissipation can be avoided. Therefore, the invention allows for high-flow ion beam passivation. In addition, by using the glass layer, which is formed as a result of the junction forming method, as the body of a negative plating mask, the preferred method eliminates both an etching step (for initially removing the glass) and a coating step 30 (to provide plating mask material), wherein the glass is removed in two stages instead.
De uitvinding zal onderstaand nader worden toegelicht onder verwijzing naar de tekening, welke een aantal van de stappen toont, welke worden uitgevoerd bij de vervaardiging van een zonnecel overeen-35 komstig een voorkeursuitvoeringsvorm volgens de uitvinding.The invention will be explained in more detail below with reference to the drawing, which shows some of the steps performed in the manufacture of a solar cell according to a preferred embodiment of the invention.
8420336 « -6-8420336 «-6-
In de tekening zijn equivalente onderdelen van dezelfde verwijzingen voorzien.In the drawing, equivalent parts are given the same references.
Verder zijn ter illustratie de dikten en diepten van de verschillende bekledingen en gebieden in de tekening niet nauwkeurig 5 overeenkomstig de relatieve proporties daarvan aangegeven.Furthermore, by way of illustration, the thicknesses and depths of the various coatings and areas in the drawing are not accurately indicated according to their relative proportions.
In de tekening heeft de voorkeursuitvoeringsvorm volgens de uitvinding betrekking op de vervaardiging van zonnecellen uit een EFG-gegroeide siliciumstrook van het P-type. Als een eerste proceseis wordt één zijde (hierna de "voorzijde" genoemd) van een vooraf gerei-10 nigde uit silicium bestaande EFG-strook 2 met een geleiding van het P-type onderworpen aan een fosfordiffusieproces, dat zodanig is berekend, dat een betrekkelijk ondiepe junctie 4 (d.w.z. een junctie metIn the drawing, the preferred embodiment according to the invention relates to the production of solar cells from an EFG-grown silicon strip of the P-type. As a first process requirement, one side (hereinafter referred to as the "front side") of a pre-cleaned silicon EFG strip 2 with a P-type guide is subjected to a phosphor diffusion process calculated to provide a relatively shallow junction 4 (ie a junction with
OO
een diepte gelegen tussen ongeveer 3000 en ongeveer 7000 A), een gebied 6 met een geleiding van het N-type en een redelijk dikke (bijvoor-a depth between about 3000 and about 7000 A), an area 6 with an N-type guide and a fairly thick (e.g.
OO
15 beeld van de orde van ten minste 1500 A) laag van fosfosilicaatglas 8 wordt gevormd. Als een voorbeeld wordt een siliciumstrook met een geleiding van het P-type, vervaardigd door het rand-gedefinieerde film-gevoede groei-(EFG)-proces met een specifieke weerstand van ongeveer 5 ohm-cm gereinigd door deze te etsen in een oplossing van HNO^ (70%): 20 HF (49%) in een verhouding met een waarde tussen ongeveer 4:1 en 9:1 gedurende ongeveer 1-3 minuten bij ongeveer 25°C. Daarna wordt de strook in een zuurstofrijke atmosfeer aan een fosfordiffusie onderworpen. Bij dit voorbeeld reageren het silicium en de zuurstof tezamen voor het vormen van siliciumdioxyde, reageren fosfor en zuurstof te-25 zamen voor het vormen van fosforpentoxyde, reageren fosforpentoxyde en siliciumoxyde tezamen voor het vormen van een fosfosilicaatglas, en reageren het fosforpentoxyde en het silicium tezamen voor het vormen van fosfor en siliciumdioxyde. Men kan ook een fosfosilicaatglas, vervaardigd als gedetailleerd omschreven in het Amerikaanse octrooi-30 schrift 4.152.824, als de bron voor de fosfor gebruiken.15 the order of at least 1500 A) layer of phosphosilicate glass 8 is formed. As an example, a silicon strip with a P-type conductance made by the edge-defined film-fed growth (EFG) process with a specific resistance of about 5 ohm-cm is cleaned by etching it in a solution of HNO 2 (70%): 20 HF (49%) in a ratio of between about 4: 1 and 9: 1 for about 1-3 minutes at about 25 ° C. The strip is then subjected to a phosphorus diffusion in an oxygen-rich atmosphere. In this example, the silicon and oxygen react together to form silicon dioxide, phosphorus and oxygen react together to form phosphorus pentoxide, phosphorus pentoxide and silica react together to form a phosphosilicate glass, and the phosphorus pentoxide and silicon react together. to form phosphorus and silicon dioxide. A phosphosilicate glass, manufactured as described in detail in U.S. Patent 4,152,824, may also be used as the source of the phosphorus.
De volgende stap omvat het bekleden van de voorzijde van de strook met een negatieve fotolak 10, hetgeen op zichzelf bekend is.The next step involves coating the front of the strip with a negative photoresist 10, which is known per se.
De lak kan op een geschikte wijze worden aangebracht bijvoorbeeld door spuiten, en daarna worden verhit om de organische oplosmiddelen te 35 verdrijven en te veroorzaken, dat de lak zich stevig aan het fosfosilicaatglas hecht. Meer in het bijzonder wordt deze verhitting ver- 8420336 -7- « kregen door de fotolak te verhitten tot een waarde gelegen tussen ongeveer 80°C en 110°C en wel gedurende een periode gelegen tussen ongeveer 35 en ongeveer 60 minuten.The lacquer can be suitably applied, for example, by spraying, and then heated to expel the organic solvents and cause the lacquer to adhere tightly to the phosphosilicate glass. More specifically, this heating is achieved by heating the photoresist to a value between about 80 ° C and 110 ° C for a period of time between about 35 and about 60 minutes.
De fotolaklaag wordt dan met een negatief masker met het 5 patroon van een van een aantal vingers voorziene roosterelektrode bekleed, bijvoorbeeld een masker met transparante gebieden, welke overeenkomen met de vingers van de gewenste elektrode, welk masker elders ondoorlaatbaar is. Als een voorbeeld van een geschikt elektrodepatroon kan worden verwezen naar het Amerikaanse octrooischrift 3.686.036.The photoresist layer is then coated with a negative mask with the pattern of a multi-fingered grating electrode, for example, a mask with transparent areas corresponding to the fingers of the desired electrode, which mask is impermeable elsewhere. As an example of a suitable electrode cartridge, reference may be made to U.S. Pat. No. 3,686,036.
10 Het roostermasker wordt dan met ultraviolet licht met een voldoende intensiteit en gedurende een voldoende tijd bestraald teneinde te veroorzaken, dat het belichte gedeelte van de fotolak polymeriseert. Vervolgens wordt de fotolak ontwikkeld door een behandeling met één of meer geschikte ontwikkelmiddelen, bijvoorbeeld door contact met 15 tolueen en propanol of andere geschikte oplosmiddelen. Door dit ont-wikkelproces worden die gedeelten van de lak verwijderd, welke niet zijn bestraald en derhalve niet zijn gepolymeriseerd. Derhalve blijft een gedeelte 10A van de fotolak volgens het patroon van de gewenste roosterelektrodeconfiguratie over. Een daaropvolgende ontwikkelver-20 hitting bij ongeveer 140°C blijkt de etsbestendigheid van de resterende fotolak bij de volgende behandelingsstap te verbeteren.The grating mask is then irradiated with ultraviolet light of sufficient intensity and for a sufficient time to cause the exposed portion of the photoresist to polymerize. The photoresist is then developed by treatment with one or more suitable developing agents, for example, by contact with toluene and propanol or other suitable solvents. This development process removes those parts of the lacquer that have not been irradiated and therefore have not been polymerized. Therefore, a portion 10A of the photoresist remains according to the pattern of the desired grid electrode configuration. Subsequent development heating at about 140 ° C appears to improve the etch resistance of the residual photoresist in the next treatment step.
Na het belichten en ontwikkelen van de fotolak (en het daarna verhitten bij ontwikkelen) wordt het stelsel onderworpen aan een gebufferde oxyde-etsbehandeling waarbij het etsmiddel bijvoorbeeld be-25 staat uit een oplossing van HF en NH^F, waardoor de vrij liggende laag van fosfosilicaatglas 8 wordt verwijderd. Derhalve kan (p2°5^x^S:’'02^y' een fosfosilicaatglas, van de substraat worden verwijderd door deze laatste in ÏONH^F(40%):1HF bij een temperatuur van ongeveer 25°C gedurende een periode gelegen tussen ongeveer 15 sec en 2 min, onder te 30 dompelen. Hierdoor wordt een laag 12 van fosfosilicaatglas met het patroon van de roosterelektrodeconfiguratie onder het gepolymeriseerde, niet-verwijderde gedeelte 10A van de fotolak in tact gelaten.After exposing and developing the photoresist (and then heating upon developing), the system is subjected to a buffered oxide etching treatment where the etchant is, for example, a solution of HF and NH 2 F, leaving the exposed layer of phosphosilicate glass 8 is removed. Therefore, (p2 ° 5 ^ x ^ S: '' 02 ^ y 'a phosphosilicate glass), can be removed from the substrate by placing the latter in ionH ^ F (40%): 1HF at a temperature of about 25 ° C for a period of time between about 15 seconds and 2 minutes, thereby leaving a layer 12 of phosphosilicate glass with the pattern of the grid electrode configuration under the polymerized, unremoved portion 10A of the photoresist.
Vervolgens wordt de achterzijde van de substraat met een laag 14 van een aluminiumpasta bekleed. De aluminiumpasta, welke wordt ge-35 bruikt voor het vormen van een laag 14, omvat bij voorkeur aluminium-poeder in een vluchtige organische drager, zoals terpineol, welke door verdampen kan worden verwijderd.Then the back of the substrate is coated with a layer 14 of an aluminum paste. The aluminum paste, which is used to form a layer 14, preferably comprises aluminum powder in a volatile organic carrier, such as terpineol, which can be removed by evaporation.
8420336 -8-8420336 -8-
Deze stap wordt dan gevolgd door een legeringsstap, waarbij de substraat gedurende ongeveer 0,25 - 2,0 minuten tot een temperatuur van meer 575° wordt verhit voor het verwijderen van eventuele vluchtige of pyrolyseerbare organische componenten van de pasta en het legeren 5 van het aluminium in de pasta met de uit silicium bestaande substraat.This step is then followed by an alloying step, where the substrate is heated to a temperature of more than 575 ° C for about 0.25 - 2.0 minutes to remove any volatile or pyrolysable organic components from the paste and to alloy it. aluminum in the paste with the silicon substrate.
Bij de legeringsstap gaat de aluminiumbekleding 14 een legering aan met de achterzijde van de substraat en voorziet in een gebied 16 van het P+-type met een diepte, welke varieert van ongeveer 1 tot ongeveer 5 micron. De legeringsstap dient ook voor het verwijderen van 10 het resterende lakgedeelte 10A door pyrolyse.In the alloying step, the aluminum cladding 14 alloys with the back of the substrate and provides a P + type region 16 with a depth ranging from about 1 to about 5 microns. The alloying step also serves to remove the remaining paint portion 10A by pyrolysis.
Vervolgens wordt de cel met waterstof gepassiveerd. Een voorkeur smethode bestaat daarin, dat het voorvlak van de substraat 2 wordt blootgesteld aan de waterstofionenbundel van een ionenbron van het Kaufman-type (brede bundel), welke bron zich op een afstand van onge-15 veer 15 cm van de substraat bevindt. Deze ionenbron wordt bij voorkeur bedreven bij een druk, gelegen tussen ongeveer 20 en 50 millitorr (waterstof), een waterstofstroomsnelheid van de orde van ongeveer 25 tot 40 s.c.c per minuut, een potentiaal van ongeveer 1700 volt gelijkspanning tussen de bron en de substraat, en een bundelstroom, welke is 2 20 gelegen tussen ongeveer 1 en 3 milliampère/cm bij de substraat. Het is gebleken, dat een belichtingstijd, gelegen tussen ongeveer 1 en ongeveer 4 minuten adequaat is om zowel de minderheidsdragerhercombi-natieverliezen, welke zich meer in het bijzonder voordoen bij silicium-cellen van het EFG-type (waarbij wordt voorzien in een passiverings-25 gebied met een diepte van ongeveer 20 tot 80 micron, of ongeveer 100 maal zo diep als de junctie 4) tot een minimum terug te brengen, terwijl tegelijkertijd wordt voorzien in een gewijzigde oppervlakte-The cell is then passivated with hydrogen. A preferred method consists in exposing the front face of the substrate 2 to the hydrogen ion beam of a Kaufman type (wide beam) ion source, which source is spaced about 15 cm from the substrate. This ion source is preferably operated at a pressure comprised between about 20 and 50 millitorr (hydrogen), a hydrogen flow rate of the order of about 25 to 40 scc per minute, a potential of about 1700 volts DC between the source and the substrate, and a beam current comprised between about 1 and 3 milliamps / cm at the substrate. It has been found that an exposure time of between about 1 and about 4 minutes is adequate to cover both the minority carrier recombination losses, which are more particularly common in EFG type silicon cells (providing a passivation 25). reduce the area with a depth of about 20 to 80 microns, or about 100 times as deep as the junction 4), while providing an altered surface
OO
laag 18 met een diepte van bij benadering 200 A aan de vrij liggende gedeelten van de substraat 2.layer 18 with a depth of approximately 200 Å on the exposed parts of the substrate 2.
30 De exacte aard van de gewijzigde oppervlaktelaag 18 is niet bekend. Gemeend wordt evenwel, dat deze bestaat uit een beschadigde zone, waarin de kristalstructuur enigszins is verbroken, en waarbij het silicium gedeeltelijk SiH of Si^ met waterstof uit de ionenbundel vormt doch waarbij het materiaal eventueel amorf is. Het blijkt, dat 35 een kleine hoeveelheid koolstof of één of meer koolwaterstoffen nodig is voor de vorming van de gewenste gewijzigde oppervlaktelaag.The exact nature of the modified surface layer 18 is not known. It is believed, however, to consist of a damaged zone in which the crystal structure is slightly broken, and in which the silicon partially forms SiH or Si 2 with hydrogen from the ion beam, but the material is optionally amorphous. It has been found that a small amount of carbon or one or more hydrocarbons is required for the formation of the desired modified surface layer.
8420336 t .8420336 t.
-9--9-
Zoals initieel geïnstalleerd, werd de ionenbron van het Kaufman-type, welke werd gebruikt, voorzien van een grafietondersteuning met een diameter van ongeveer 13 cm, waarop de substraten, meer in het bijzonder van 5 bij 10 cm, centraal waren opgesteld. In sommige gevallen 5 werkte wanneer de grafietondersteuning werd vervangen door een sili-ciumondersteuning de gewijzigde laag niet zo goed als een plateer-masker als in het geval, dat de grafietondersteuning werd gebruikt.As initially installed, the Kaufman type ion source used was provided with a graphite support of about 13 cm in diameter, on which the substrates, more particularly 5 by 10 cm, were centrally located. In some cases when the graphite support was replaced with a silicon support, the modified layer did not work as well as a plating mask as in the case where the graphite support was used.
Op basis hiervan is verondersteld, dat koolstof of koolwaterstofdamp, gevormd door het invallen van de waterstofionenbundel op de grafiet-10 ondersteuning, de vorming van een diëlektrische laag aan het oppervlak van de substraat kan bevorderen. Wat ook de aard van de laag is, het is gebleken, dat een gewijzigde oppervlaktelaag 8, die overeenkomstig deze procedure wordt gevormd met versnellingsspanningen tussen ongeveer 1400 en ongeveer 1700 volt en belichtingstijden van ongeveer 15 1 minuut voldoende is om een daaropvolgende metallisatie van de vrij- liggende gewijzigde oppervlaktelaag 18 te beletten wanneer de metallisatie een dompelplatering van een materiaal zoals nikkel omvat.On this basis, it is believed that carbon or hydrocarbon vapor generated by the incidence of the hydrogen ion beam on the graphite support can promote the formation of a dielectric layer on the surface of the substrate. Whatever the nature of the layer, it has been found that a modified surface layer 8 formed in accordance with this procedure with acceleration voltages between about 1400 and about 1700 volts and exposure times of about 15 minutes is sufficient to allow subsequent metallization of the free prevent horizontal altered surface layer 18 when the metallization comprises dip plating of a material such as nickel.
Na de passivering wordt de resterende fosfosilicaatglaslaag 12 verwijderd door de substraat onder te dompelen in een gebufferde op-20 lossing van ÏONH^F(40%):1HF bij een temperatuur, gelegen tussen ongeveer 25°C en ongeveer 40°C. Dientengevolge wordt het voorvlak van de substraat 2 nu volledig vrijgegeven. Op dit vrij liggende oppervlak bepaalt de gewijzigde oppervlaktelaag 18 een patroon van, in dit geval, ongewijzigd silicium met een geleiding van N -type met de configuratie 25 van de gewenste voorelektrodestructuur.After passivation, the residual phosphosilicate glass layer 12 is removed by immersing the substrate in a buffered solution of ionic H (40%): 1HF at a temperature between about 25 ° C and about 40 ° C. As a result, the front face of the substrate 2 is now fully released. On this exposed surface, the modified surface layer 18 defines a pattern of, in this case, unaltered silicon of N-type conductivity with the configuration of the desired pre-electrode structure.
Vervolgens vindt een metallisering van de cel plaats. De substraat wordt door onderdompelen geplateerd met nikkel, waarbij een hechtende neerslag van nikkel een nikkellaag 22 aan de achterzijde over het gehele oppervlak van de aluminiumbekleding 14 vormt, terwijl 30 de zich hechtende neerslag van nikkel aan de voorzijde een laag 20 direct aan het oppervlak van de substraat 2 slechts over die gebieden vormt, vanwaaruit de fosfosilicaatglaslaag 12 na de passivering is verwijderd. Bij deze plateerstap vormt de gewijzigde oppervlaktelaag 18 van het silicium een plateermasker waaraan het nikkel zich niet 35 hecht. Het plateren van de nikkellagen kan overeenkomstig verschillende dompelplateermethoden geschieden. Bij voorkeur vindt het plaats 8420336 -10- overeenkomstigeen dompelplateerproces, dat gelijk is aan of overeenkomend met het proces, beschreven in het Amerikaanse octrooischrift 4.321.283. Als een voorafgaande stap wordt het gereinigde silicium-substraatoppervlak vooraf met een geschikt middel geactiveerd. Deze 5 vooractiveringsprocedure is gewenst aangezien het siliciumoppervlak dikwijls zelf niet het elektrodeloze plateerproces ondersteunt en eventueel op een niet-behandeld oppervlak geplateerd nikkel zich daaraan in het algemeen slechts slecht hecht. Bij voorkeur wordt als acti-veringsmiddel goudchloride gebruikt ofschoon platinachloride, tin-10 chloride-palladiumchloride, of andere bekende activatoren kunnen worden gebruikt, zoals deze bijvoorbeeld zijn beschreven in het Amerikaanse octrooischrift 3.489.603. Daarna worden de beide zijden van de sili-ciumstrook bekleed met een laag nikkel, bij voorkeur door de strook onder te dompelen in een waterig bad, als beschreven in het Amerikaanse 15 octrooischrift 4321283, of een waterig bad van nikkelsulfamaat en ammo-niumfluoride bij een pH van ongeveer 2,9 en bij bij benadering kamertemperatuur gedurende een periode van ongeveer 2-6 minuten.The cell is then metallized. The substrate is plated with nickel plating, where an adhesive nickel deposit forms a nickel layer 22 on the back over the entire surface of the aluminum cladding 14, while the adhesive nickel deposit on the front forms a layer 20 directly on the surface of the the substrate 2 forms only over those areas from which the phosphosilicate glass layer 12 has been removed after passivation. In this plating step, the modified surface layer 18 of the silicon forms a plating mask to which the nickel does not adhere. The plating of the nickel layers can be done according to different dip plating methods. Preferably, the process is carried out in accordance with an immersion plating process, which is equal to or similar to the process described in U.S. Patent No. 4,321,283. As a preliminary step, the cleaned silicon substrate surface is pre-activated with a suitable agent. This pre-activation procedure is desirable since the silicon surface often does not itself support the electrodeless plating process and nickel plated on an untreated surface generally adheres poorly thereto. Preferably, gold chloride is used as the activating agent, although platinum chloride, tin-chloride-palladium chloride, or other known activators may be used, such as those described, for example, in U.S. Pat. No. 3,489,603. Then, the both sides of the silicon strip are coated with a layer of nickel, preferably by immersing the strip in an aqueous bath, as described in US Patent 4321283, or an aqueous bath of nickel sulfamate and ammonium fluoride at a pH of about 2.9 and approximately room temperature over a period of about 2-6 minutes.
Nadat het nikkel is aangebracht wordt de substraat in een inerte of een stikstofatmosfeer verhit tot een temperatuur en geduren-20 de een tijd, welke voldoende zijn om de nikkellagen te sinteren en te veroorzaken, dat de nikkellaag 20 aan de voorzijde van de substraat met het naastgelegen silicium reageert voor het vormen van een uit nikkelsilicide bestaand ohm's contact. Voor dit doel wordt de substraat bij voorkeur tot een temperatuur van ongeveer 300°C gedurende een 25 periode tussen ongeveer 15 en 40 minuten verhit. Hierdoor verkrijgtAfter the nickel is applied, the substrate is heated in an inert or nitrogen atmosphere to a temperature and for a time sufficient to sinter the nickel layers and cause the nickel layer 20 to face the substrate with the adjacent silicon reacts to form a nickel silicide ohmic contact. For this purpose, the substrate is preferably heated to a temperature of about 300 ° C for a period of time between about 15 and 40 minutes. This obtains
OO
men een nikkelsilicidelaag met een diepte van ongeveer 300 A aan het scheidingsvlak tussen de nikkellaag 20 en de substraat 2. De nikkellaag 18 aan de achterzijde vormt een legering met de aluminiumlaag 12.a nickel silicide layer with a depth of about 300 Å at the interface between the nickel layer 20 and the substrate 2. The nickel layer 18 on the back forms an alloy with the aluminum layer 12.
De temperatuur van deze sinterstap dient 300°C niet sterk te over-30 schrijden aangezien hogere temperaturen tot een excessieve binnendrin-ging van de nikkellaag 20 in het silicium leiden. Bij voorkeur wordt het aanbrengen en sinteren van het nikkel zodanig geregeld, dat de nikkellaag 20 aan de voorzijde van de substraat een dikte van onge-The temperature of this sintering step should not greatly exceed 300 ° C since higher temperatures lead to excessive penetration of the nickel layer 20 into the silicon. Preferably, the application and sintering of the nickel is controlled such that the nickel layer 20 at the front of the substrate has a thickness of approximately
OO
veer 1000 A heeft.spring has 1000 A.
35 Vervolgens wordt het nikkel van de lagen 18 en 20 bij voor keur onderworpen aan een etsbehandeling, bijvoorbeeld met salpeterzuur, 8420336 -lien een verdere metallisering, zoals met een tweede laag nikkel door dompelplateren en één of meer lagen koper door dompelplateren en/of elektroplateren, alles op zichzelf bekend. Er is geen maskering van de gewijzigde laag voor de koperplatering nodig aangezien het koper zich 5 niet aan de beschadigde laag zal hechten.The nickel of the layers 18 and 20 is then preferably subjected to an etching treatment, for example with nitric acid, 8420336 -lien, and further metallization, such as with a second layer of nickel by dip plating and one or more layers of copper by dip plating and / or electroplating , everything known in itself. No masking of the modified layer for the copper plating is necessary since the copper will not adhere to the damaged layer.
Na de metallisering worden de celranden (niet afgebeeld) bijgewerkt en wordt op het voorvlak van de cel een anti-reflectiebekle-ding 24 aangebracht. Dit kan op één van een aantal bekende wijzen geschieden, zoals door chemische dampneerslag of verdamping van bij-10 voorbeeld TiC^· De anti-reflect;i-ekekleciing 24 kan ook worden gevormd door de plasmaneerslag van siliciumnitride bij een temperatuur van ongeveer 150°C, zoals op zichzelf bekend is. Bij wijze van voorbeeld omvat de voorkeursmethode volgens de uitvinding het uitvoeren van de bovenbeschreven individuele stappen bij de gedetailleerd voor elke 15 stap en in de aangegeven volgorde beschreven voorkeursmodus.After the metallization, the cell edges (not shown) are trimmed and an anti-reflective coating 24 is applied to the front face of the cell. This can be done in any of a number of known ways, such as by chemical vapor deposition or evaporation of, for example, TiCl2. The anti-reflective coating 24 may also be formed by the plasma precipitation of silicon nitride at a temperature of about 150 ° C. C, as is known per se. By way of example, the preferred method of the invention includes performing the individual steps described above in the preferred mode detailed for each step and in the order specified.
Het is vastgesteld, dat zonnecellen, die overeenkomstig hét bovenstaande proces uit EFG-gegroeide stroken worden vervaardigd, een toename van 10 - 20% in het gemiddelde rendement vertonen. Bovendien blijkt voor dit materiaal de waterstofpassiveringsstap de verdeling 20 van de celrendementen op een geprononceerde wijze te versmallen.It has been found that solar cells produced from EGG-grown strips in accordance with the above process exhibit an increase of 10-20% in average efficiency. Moreover, for this material, the hydrogen passivation step appears to narrow the distribution of the cell yields in a pronounced manner.
De werkwijze volgens de uitvinding heeft een aantal voordelen.The method according to the invention has a number of advantages.
In de eerste plaats elimineert deze de mogelijkheid, dat de junctie 4 wordt vernield door migratie van nikkel of nikkelsilicide tijdens de passivering, zoals zich kan voordoen bij cellen met ondiepe junctie 25 indien een initiële nikkelbekleding vóór de passivering op het voorvlak wordt aangebracht. Afgezien van het reduceren van de kans van beschadigde cellen worden hierdoor de eisen voor een nauwkeurige thermische regeling (b.v. door warmteafvoer) tijdens de passivering verzacht. Derhalve wordt bij het vervaardigingsproces een ionenbundelpassiverings-30 stap met groot debiet mogelijk gemaakt.First, it eliminates the possibility of the junction 4 being destroyed by migration of nickel or nickel silicide during passivation, such as may occur in cells with shallow junction if an initial nickel coating is applied to the front face before passivation. In addition to reducing the risk of damaged cells, this mitigates the requirements for precise thermal control (e.g., by heat dissipation) during passivation. Therefore, a high-flow ion beam passivation step is enabled in the manufacturing process.
Binnen het kader van de uitvinding zijn wijzigingen mogelijk. Terwijl bij de voorkeursuitvoeringsvorm het voorelektroderoosterpatroon in het plateermasker door fotolithografie wordt gevormd, is het duidelijk, dat dit even goed kan worden gevormd door andere processen, die 35 gewoonlijk worden toegepast bij chemisch "milling" (b.v. zeefdruk).Changes are possible within the scope of the invention. While in the preferred embodiment the pre-electrode grid pattern in the plating mask is formed by photolithography, it is apparent that it may equally well be formed by other processes commonly employed in chemical milling (eg, screen printing).
8420336 -12-8420336 -12-
Ofschoon bij de voorkeursmethode gebruik wordt gemaakt van het fosfosilicaatglas, dat tijdens de N+-diffusie wordt gevormd, om het ionenbundelmasker te vormen voor het bepalen van het beschadigings-laagpatroon, kunnen voor de voorvlaklaag ook andere materialen of pro-5 cessen worden toegepast. Zo kan bijvoorbeeld als uitgangsmateriaal een substraat van het N-type worden gebruikt, waarbij de junctie bijvoorbeeld wordt gevormd door diffusie met boor, waardoor wordt voorzien in een boorsilicaatglaslaag. Indien het uitgangsmateriaal zou worden geleverd met een junctie en zonder een glaslaag, zou weer een 10 geschikte laag moeten worden aangebracht. Het is duidelijk, dat de aangebrachte laag óf in staat moet zijn om te worden geëtst voor het vormen van een geschikt plateermasker óf zelf met de geschikte configuratie kan worden aangebracht.Although the preferred method uses the phosphosilicate glass formed during the N + diffusion to form the ion beam mask for determining the damage layer pattern, other materials or processes may also be used for the face layer. For example, as the starting material, an N-type substrate can be used, the junction being formed, for example, by diffusion with boron, thereby providing a borosilicate glass layer. If the starting material were to be supplied with a junction and without a glass layer, a suitable layer would have to be applied again. It is clear that the applied layer must either be capable of being etched to form a suitable plating mask or can be applied itself with the appropriate configuration.
Ofschoon de voorkeursuitvoeringsvorm van de werkwijze volgens 15 de uitvinding gebruik maakt van de gewijzigde laag, gevormd door de waterstofpassivering, om een daaropvolgende platering te maskeren behoudens op eerder geplateerd nikkel, kan de werkwijze ook met andere metalen dan nikkel worden toegepast. Het is duidelijk, dat de initiële laag van de voorvlakelektroden bij een siliciuminrichting met ondiepe 20 junctie kan worden aangebracht door één van een aantal materialen met geringe reactiviteit aan te brengen, welke in staat om (bij voorkeur bij een lage temperatuur) een ohm's contact te vormen en als een barrière te dienen voor de diffusie van koper of een ander basismateriaal, dat in een later stadium wordt aangebracht. Geschikte metalen 25 ten gebruike bij koper omvatten palladium, platina, kobalt en rodium, evenals nikkel. Ofschoon al deze materialen siliciden vormen, is een silicidelaag niet essentieel. Het is evenwel van belang, dat de initiële metaallaag zich op de juiste wijze hecht, als een ohm's contact dient en als een barrière werkt voor de migratie van een eventueel 30 later aangebracht metaal, terwijl bovendien het materiaal niet op een significante wijze naar de junctie zelf migreert. Deze materialen kunnen door dompelplateermethoden op dezelfde wijze als nikkel worden aangebracht.Although the preferred embodiment of the method of the invention uses the modified layer formed by the hydrogen passivation to mask subsequent plating except on previously plated nickel, the method can also be used with metals other than nickel. Obviously, the initial layer of the front surface electrodes can be applied to a shallow junction silicon device by applying one of a number of low reactivity materials capable of (preferably at a low temperature) ohmic contact. and serve as a barrier to the diffusion of copper or other base material to be applied at a later stage. Suitable metals for use with copper include palladium, platinum, cobalt, and rhodium, as well as nickel. Although all of these materials form silicides, a silicide layer is not essential. However, it is important that the initial metal layer adheres properly, serves as an ohmic contact, and acts as a barrier to the migration of any metal later applied, while, moreover, the material is not significantly reduced to the junction itself migrates. These materials can be applied by dip plating methods in the same manner as nickel.
Binnen het kader van de uitvinding kunnen nog andere wijzi-35 gingen worden uitgevoerd bijvoorbeeld (a) het vormen van het P+-achter-gebied van de cel onder gebruik van met een vlam gespoten aluminium 8420336 -13- in plaats van een aluminiumpasta, of (b) het gebruik van andere methoden voor het aanbrengen van de tweede en volgende bekledingen van nikkel of een ander materiaal met geringe reactiviteit, zoals palladium, platina, kobalt en rodium, of (c) het vormen van de junctie door ionen-5 implantatie. Indien geen extra maskeerlaag op de gepassiveerde gebieden wordt aangebracht, moet de laag van nikkel (of een ander metaal met geringe reactiviteit van het beschreven type) door dompelplateren worden aangebracht en moeten de verdere lagen koper door elektroplate-ren of dompelplateren worden aangebracht.Within the scope of the invention, still other modifications may be made, for example (a) forming the P + back region of the cell using flame sprayed aluminum 8420336-13 instead of an aluminum paste, or (b) using other methods of applying the second and subsequent nickel or other low reactivity coatings such as palladium, platinum, cobalt and rhodium, or (c) forming the junction by ion-5 implantation . If no additional masking layer is applied to the passivated areas, the nickel (or other low reactivity metal of the type described) layer must be applied by dip plating, and the additional layers of copper by electroplating or dip plating.
10 De werkwijze volgens de uitvinding is natuurlijk niet beperkt tot de vervaardiging van zonnecellen uit EFG-substraten. Zo kunnen bijvoorbeeld gegoten polykristallijne substraten, epitaxiale silicium op silicium met een metallurgische kwaliteit of polysiliciumlagen met goede kwaliteit, gevormd door chemische of fysische dampneerslag, wor-15 den gebruikt voor het vormen van zonnecellen met een relatief hoog rendement volgens de uitvinding. Voorts kan de werkwijze worden toegepast op monokristallijn silicium en daarbij zowel op silicium van het N-type als van het P-type.The method according to the invention is of course not limited to the production of solar cells from EFG substrates. For example, cast polycrystalline substrates, epitaxial silicon on metallurgical grade silicon or good quality polysilicon layers formed by chemical or physical vapor deposition can be used to form relatively high efficiency solar cells according to the invention. Furthermore, the method can be applied to monocrystalline silicon and thereby to both N-type and P-type silicon.
Voorts kan de werkwijze worden toegepast bij de vervaardiging 20 van Schottky barrière-inrichtingen, waarbij de gewijzigde oppervlakte-laag als een masker voor de metallisatie dient. Voor dergelijke toepassingen is, zoals duidelijk is, het metaal-substraatscheidingsvlak de junctie en zal de substraat daarna niet van een junctie worden voorzien door diffusie van fosfor of dergelijke.Furthermore, the method can be used in the manufacture of Schottky barrier devices, wherein the modified surface layer serves as a mask for the metallization. For such applications, as is clear, the metal-substrate interface is the junction and the substrate will not be subsequently juncted by diffusion of phosphorus or the like.
25 842033625 8420336
Claims (16)
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56329283A | 1983-12-19 | 1983-12-19 | |
| US56329283 | 1983-12-19 | ||
| US66697284A | 1984-10-31 | 1984-10-31 | |
| US66697284 | 1984-10-31 | ||
| US06/681,001 US4612698A (en) | 1984-10-31 | 1984-12-13 | Method of fabricating solar cells |
| US68100184 | 1984-12-13 | ||
| US8402064 | 1984-12-14 | ||
| PCT/US1984/002064 WO1985002942A1 (en) | 1983-12-19 | 1984-12-14 | Method of fabricating solar cells |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8420336A true NL8420336A (en) | 1985-11-01 |
Family
ID=27415916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8420336A NL8420336A (en) | 1983-12-19 | 1984-12-14 | METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0168431A4 (en) |
| AU (1) | AU574431B2 (en) |
| CH (1) | CH670335A5 (en) |
| DE (1) | DE3490600T1 (en) |
| GB (1) | GB2160360B (en) |
| NL (1) | NL8420336A (en) |
| SE (1) | SE456625B (en) |
| WO (1) | WO1985002942A1 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU574761B2 (en) * | 1983-12-19 | 1988-07-14 | Mobil Solar Energy Corp. | Method of fabricating solar cells |
| US4650695A (en) * | 1985-05-13 | 1987-03-17 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
| GB2183090B (en) * | 1985-10-07 | 1989-09-13 | Canon Kk | Method for selective formation of deposited film |
| EP1895545B1 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE791930A (en) * | 1971-12-02 | 1973-03-16 | Western Electric Co | ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING |
| US4086102A (en) * | 1976-12-13 | 1978-04-25 | King William J | Inexpensive solar cell and method therefor |
| US4152824A (en) * | 1977-12-30 | 1979-05-08 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Manufacture of solar cells |
| NL7800583A (en) * | 1978-01-18 | 1979-07-20 | Philips Nv | PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF A DEVICE AND DEVICE MANUFACTURED USING THE PROCESS. |
| US4224084A (en) * | 1979-04-16 | 1980-09-23 | Rca Corporation | Method and structure for passivating a semiconductor device |
| US4322253A (en) * | 1980-04-30 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Method of making selective crystalline silicon regions containing entrapped hydrogen by laser treatment |
| AU546534B2 (en) * | 1981-10-27 | 1985-09-05 | Mobil Solar Energy Corp. | Coating silicon with nickel by electroless-plating |
| DE3202484A1 (en) * | 1982-01-27 | 1983-08-04 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | METALIZED SEMICONDUCTORS AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION |
| AU574761B2 (en) * | 1983-12-19 | 1988-07-14 | Mobil Solar Energy Corp. | Method of fabricating solar cells |
-
1984
- 1984-12-14 NL NL8420336A patent/NL8420336A/en unknown
- 1984-12-14 AU AU38899/85A patent/AU574431B2/en not_active Ceased
- 1984-12-14 DE DE19843490600 patent/DE3490600T1/en not_active Withdrawn
- 1984-12-14 WO PCT/US1984/002064 patent/WO1985002942A1/en not_active Application Discontinuation
- 1984-12-14 EP EP19850900534 patent/EP0168431A4/en not_active Withdrawn
- 1984-12-14 GB GB08515900A patent/GB2160360B/en not_active Expired
-
1985
- 1985-08-16 SE SE8503834A patent/SE456625B/en not_active IP Right Cessation
- 1985-12-14 CH CH3599/85A patent/CH670335A5/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0168431A4 (en) | 1989-01-19 |
| GB2160360B (en) | 1987-09-16 |
| SE456625B (en) | 1988-10-17 |
| SE8503834L (en) | 1985-08-16 |
| EP0168431A1 (en) | 1986-01-22 |
| GB8515900D0 (en) | 1985-07-24 |
| WO1985002942A1 (en) | 1985-07-04 |
| SE8503834D0 (en) | 1985-08-16 |
| DE3490600T1 (en) | 1985-11-28 |
| AU574431B2 (en) | 1988-07-07 |
| AU3889985A (en) | 1985-07-12 |
| GB2160360A (en) | 1985-12-18 |
| CH670335A5 (en) | 1989-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4557037A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| US4612698A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| AU554909B2 (en) | Method of fabricating solar cells | |
| US4609565A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| JPH0520914B2 (en) | ||
| CN1030498A (en) | Method with fabricating solar cells with silicon nitride coating | |
| US4691077A (en) | Antireflection coatings for silicon solar cells | |
| EP0325606B1 (en) | Method of fabricating solar cells with anti-reflection coating | |
| NL8420336A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS | |
| US4650695A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| AU574761B2 (en) | Method of fabricating solar cells | |
| AU573696B2 (en) | Ion milling | |
| JPS61500755A (en) | How to manufacture solar cells |