NL8301187A - SEMICONDUCTOR DEVICE FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION. - Google Patents
SEMICONDUCTOR DEVICE FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8301187A NL8301187A NL8301187A NL8301187A NL8301187A NL 8301187 A NL8301187 A NL 8301187A NL 8301187 A NL8301187 A NL 8301187A NL 8301187 A NL8301187 A NL 8301187A NL 8301187 A NL8301187 A NL 8301187A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- semiconductor material
- layers
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 48
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 17
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- -1 1.57 eV Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K gallium;phosphate Chemical compound [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
* I , i « PEN 10.639 1 N.v. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.* I, PEN 10,639 1 N.v. Philips' Light bulb factories in Eindhoven.
Halfgeleider inrichting voor het opwekken van elektromagnetisch straling.Semiconductor device for generating electromagnetic radiation.
De uitvinding betreft een halfgeleiderinrichting voor het opwekken van elektromagnetische straling in een actief half geleider gebied van een eerste materiaal, matrixmateriaal dat op een gestructureerde wijze is voorzien van een tweede materiaal.The invention relates to a semiconductor device for generating electromagnetic radiation in an active semiconductor region of a first material, matrix material which is provided in a structured manner with a second material.
5 Een halfgeleiderinrichting zoals hierboven beschreven is bekend uit de op 11 november 1982 gepubliceerde internationale (PCT) octrooiaanvrage 1082-03946.A semiconductor device as described above is known from international patent application 1082-03946, published on November 11, 1982.
Half geleider inrichtingen voor het opwekken van elktromagnetische straling warden op verschillende gebeden van de techniek toegepast. Zij 10 kunnen onderscheiden worden in inrichtingen waarvan de straling niet coherent is en zulke, waarvan de uitgezonden straling coherent is. In het eerste geval spreekt men meestal van LED's (van "light emitting diode"), in het laatste geval van lasers. De golflengte van de uitgezonden straling kan daarbij in het zichtbare gebied van het spectrum liggen, 15 doch ook bijvoorbeeld in het infrarode of ultraviolette gebied.Semiconductor devices for generating electromagnetic radiation have been used in various prayers of the art. They can be distinguished in devices whose radiation is not coherent and those whose emitted radiation is coherent. In the former case, one usually speaks of LEDs ("light emitting diode"), in the latter case of lasers. The wavelength of the emitted radiation can then lie in the visible region of the spectrum, but also in the infrared or ultraviolet region, for example.
De door bekende half geleider lasers opgewekte straling heeft (in lucht) doorgaans een golflengte van 800 a 900 nanometer. Qn diverse redenen is het gewenst lasers te vervaardigen die straling met een kartere golflengte uitzenden. Zo is bijvoorbeeld bij het opslaan van 20 informatie in beeld- en geluidsdragers (VLP, DOR, compact disc) de benodigde hoeveelheid oppervlakte voor één bitinformatie omgekeerd evenredig met het kwadraat van de golflengte van de laser straling. Een halvering van deze golflengte biedt hier dus de mogelijkheid van een verviervoudiging van de informatiedichtheid. Ben bijkomend voordeel is dat bij 25 kartere golflgentes met eenvoudiger optiek kan warden volstaan.The radiation generated by known semiconductor lasers usually has (in air) a wavelength of 800 to 900 nanometers. For various reasons, it is desirable to manufacture lasers that emit radiant wave wavelength radiation. For example, when storing information in image and sound carriers (VLP, DOR, compact disc), the amount of surface area required for one bit of information is inversely proportional to the square of the wavelength of the laser radiation. A halving of this wavelength therefore offers the possibility of quadrupling the information density. An additional advantage is that 25 carter golf springs with simpler optics will suffice.
Een praktische uitvoering van een LED die groen licht uitstraalt is bekend uit het tijdschriftartikel "An Experimental Study of High Efficiency GaP:N Green-Light-Emitting Diodes", verschenen in RCA. Review, Vol.33, Sept. 1972, pagina's 517-526. Hierin warden zowel 30 LED's beschreven waarbij de diode gevormd wordt door monokristallijn half gele idermateriaal bijvoorbeeld galliumfosfide als LED's waarbij he-tero-overgangen gevormd worden tussen galliumfosfide en allurninium-gallium-fosfide, waarbij het galliumfosfide zowel p-type als n-type kan zijn.A practical version of an LED that emits green light is known from the magazine article "An Experimental Study of High Efficiency GaP: N Green-Light-Emitting Diodes", published in RCA. Review, Vol. 33, Sept. 1972, pages 517-526. It described both 30 LEDs in which the diode is formed by monocrystalline semi-yellow ider material, for example gallium phosphide, and LEDs in which hetero transitions are formed between gallium phosphide and allurninium-gallium phosphide, in which the gallium phosphide can be both p-type and n-type .
8301187 1« * <8301187 1 «* <
HfN 10.639 2HfN 10,639 2
Cm de quantumefficiency van dergelijke LED's te verhogen wordt het galliumfosf jde net stikstof gedoteerd. Het blijkt dat de quantunefficiency tot op zekere hoogte toeneemt met de hoeveelheid stikstofverontreinigingen. Een te grote hoeveelheid stikstof geeft echter 5 aanleiding tot roostervervorming in het galliumfosf 1de-door cornplex-vorming en daarmee een verlaging van de quantumefficiency. Daarnaast zal stikstof / dat zich verder van de pn-overgang bevindt/ de straling sterk absorberen, zodat de hoeveelheid werkelijk uitgezonden straling nog verder afneemt. Het zonder meer in galliumfosfide oplossen van 10 stikstof tot aan de oplosbaarheidsgrens is dan ook niet zinvol.In order to increase the quantum efficiency of such LEDs, the gallium phosphide is doped with nitrogen. It turns out that quantun efficiency increases to some extent with the amount of nitrogen pollutants. However, too large an amount of nitrogen gives rise to lattice distortion in the gallium phosphate by cornplex formation and thus a decrease in the quantum efficiency. In addition, nitrogen / which is further from the pn junction / will strongly absorb the radiation, so that the amount of radiation actually emitted decreases even further. It therefore makes no sense to dissolve nitrogen in gallium phosphide up to the solubility limit.
In de eerder genoerrde PCT-aanvrage WO82-03946 wordt een laserstruktuur beschreven waarin het actieve gebied bestaat uit een relatief groot aantal actieve lagen van een halfgeleidermateriaal met directe bandgap zoals galliumarsenide/ die gelegen zijn tussen, en onderling ge-15 scheiden- zijn door barrièrelagen van een halfgeleidermateriaal met indirecte bandgap, zoals aluminiumarsenide. Deze aktieve lagen en barriêre-lagen vormen tezamen een zogenoemd superrooster dat een effectieve band-afstand tussen die van GaAs (1,35 eV) en AlAs (2,30 eV) namelijk 1,57 eV vertoont, zodat de opgewekte straling een aanmerkelijk kortere golflengte 20 heeft dan bij het gebruik van een alleen uit galliumarsenide bestaande actieve laag het geval zou zijn.PCT application WO82-03946, previously cited, describes a laser structure in which the active region consists of a relatively large number of active layers of a direct bandgap semiconductor material such as gallium arsenide / which are sandwiched between and separated by barrier layers. of a semiconductor material with an indirect band gap, such as aluminum arsenide. These active layers and barrier layers together form a so-called super lattice, which has an effective band distance between that of GaAs (1.35 eV) and AlAs (2.30 eV), namely 1.57 eV, so that the radiation generated is considerably shorter. wavelength 20 would then be the case when using a gallium arsenide only active layer.
Dit effect wordt bereikt door het optreden van het zogenoemde "quantum well" effect en van het superroostereffect. Het "quantum well" effect treedt op in het aktieve gebied wanneer een zeer dunne laag van 25 een tweede halfgeleidermateriaal is opgesloten tussen twee lagen van een eerste halfgeleidermateriaal met grotere bandafstand dan het tweede materiaal. Het heeft ten gevolge dat de effectieve bandafstand in de dunne laag van het tweede materiaal groter, en derhalve de golflengte van de opgewekte straling kleiner wordt. Het superroostereffect treedt 30 op als gevolg van de superrooster-structuur en resulteert in de conversie van "indirect" halfgeleidermateriaal tot met betrekking tot de bando-vergangen van ladingsdragers effectief "direct" halfgeleidermateriaal.This effect is achieved by the occurrence of the so-called "quantum well" effect and of the super lattice effect. The "quantum well" effect occurs in the active region when a very thin layer of a second semiconductor material is sandwiched between two layers of a first semiconductor material with greater bandgap than the second material. As a result, the effective band gap in the thin layer of the second material increases, and therefore the wavelength of the generated radiation decreases. The super lattice effect occurs due to the super lattice structure and results in the conversion of "indirect" semiconductor material to "direct" semiconductor material effective with respect to the band carriers of charge carriers.
Dit verhoogt de stralingsovergangswaarschijnlijkheü van de ladingsdragers, zodat een hoge stralingsdichtheid kan worden bereikt. Voor een be-35 schrijving van het "quantum well" effect wordt verwezen naar onder meer "Quantum Well Heterostructure Lasers" van N. Holonyak et al., I.E.E.E. Journal of Quantum Electronics, Vol. GE-16, No. 2, febr. 1980, pagina's 170-186.This increases the radiation transition probability of the charge carriers, so that a high radiation density can be achieved. For a description of the "quantum well" effect, see, inter alia, "Quantum Well Heterostructure Lasers" from N. Holonyak et al., I.E.E.E. Journal of Quantum Electronics, Vol. GE-16, No. 2, Feb. 1980, pages 170-186.
83 0 1 1 8 7 * * '......).83 0 1 1 8 7 * * '......).
EHN 10.639 3EHN 10,639 3
Bij het vervaardigen van dergelijke superrooster-structuren waarbij de dikte van de actieve lagen varieert tussen 2 nanometer en 50 nanometer en de dikte van de barriêrelagen tussen 1 en 20 nanometer varieert worden strenge eisen gesteld aan net name de periodiciteit 5 van de structuur.In the manufacture of such superlattice structures in which the thickness of the active layers varies between 2 nanometers and 50 nanometers and the thickness of the barrier layers varies between 1 and 20 nanometers, strict requirements are imposed on the periodicity of the structure in particular.
De uitvinding beoogt onder neer een halfgeleiderinrichting voor IED's of lasers aan te geven waarbij,met name bij kamertemperatuur een zo hoog mogelijke stralingsdichtheid optreedt bij een gegeven strcansterkte.The object of the invention is to indicate below a semiconductor device for IEDs or lasers, in which, in particular at room temperature, the highest possible radiation density occurs at a given radiation strength.
10 Daarnaast stelt zij zich ten doel een laser van de bovengenoende structuur te verschaffen die straling met een zo klein mogelijke golflengte uitzendt.In addition, it aims to provide a laser of the above structure that emits radiation with the smallest possible wavelength.
Volgens de uitvinding heeft een halfgeleiderinrichting van de in de aanhef beschreven soort daartoe het kenmerk dat het tweede materiaal 15 in een draadvcrm of laagvormig is aangetracht waarbij de afmetingen van de draad respectievelijk de laag, gezien in een richting loodrecht op de draad respectievelik de laag ten hoogste gelijk is aan de dikte van twee monomoleculaire lagen van het tweede halfgeleidermateriaal en de afmeting in een langsrichting van de draad respectievelijk de laag ten-2o minste honderd maal de dikte van de draad respectievelijk de laag bedraagt.According to the invention, a semiconductor device of the type described in the preamble has the feature for this purpose that the second material 15 is provided in a wire film or layer-shaped, the dimensions of the wire and the layer, respectively, viewed in a direction perpendicular to the wire and the layer respectively. highest is equal to the thickness of two monomolecular layers of the second semiconductor material and the dimension in a longitudinal direction of the wire or the layer is at least 100 times the thickness of the wire and the layer, respectively.
De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat de genoemde draden c.q. lagen voldoende dun zijn dat deze voor het omringende halfgeleidermateriaal als normale verontreinigingen kunnen worden be-25 schouwd, terwijl zij toch met moderne technieken als moleculaire bundel-epitaxie (M3E) of metallo-organische dampfaze-epitaxie ,op gestructureerde wijze kunnen warden aangebracht.The invention is based, inter alia, on the insight that the said wires or layers are sufficiently thin that they can be regarded as normal impurities for the surrounding semiconductor material, while still using modern techniques such as molecular beam epitaxy (M3E) or metallo- organic vapor phase epitaxy, can be applied in a structured manner.
Daarnaast berust zij order meer op het inzicht dat in het geval de draden c.q. lagen bestaan uit halfgeleidermateriaal met een 3Q kleinere bandafstand dan het matrixmateriaaL er toch een quantum-put-achtig verstoringseffect optreedt. Bovendien kunnen hierbij zodanige materialen gekozen warden dat een goede roosteraanpsssing optreedt. De afmetingen in de langsrichting van de laag of draad zijn voldoende cm de aanwezigheid van gebonden toestanden te verzekeren.In addition, it is more based on the insight that in the case where the wires or layers consist of semiconductor material with a 3Q smaller band gap than the matrix material, a quantum-well-like disturbance effect nevertheless occurs. Moreover, such materials can be chosen here that a good grating adjustment occurs. The longitudinal dimensions of the layer or wire are sufficient to ensure the presence of bonded states.
35 Daarnaast berust de uitvinding op het inzicht dat in de ge noemde GaP :N-structuur van het bovengenoemde tijdschriftartikel goedgestructureerde lagen (draden) van stikstofatomen in het matrixmateriaal aan te brengen zijn zonder dat ccnplexvorming van het stikstof in het 8301187 PHN 10.639 4 eigenlijke matrixmateriaal optreedt. Dit wordt bereikt doordat de lagen (draden) bij betrekkelijk lage temperaturen wonden aangebracht en ook later geen warmtebehandeling plaatsvindt. In het matrixmateriaal treedt derhalve geen absorptie van de opgewekte elektromagnetische straling op.In addition, the invention is based on the insight that in the aforementioned GaP: N structure of the aforementioned magazine article, well-structured layers (threads) of nitrogen atoms can be introduced into the matrix material without complex formation of the nitrogen in the 8301187 PHN 10.639 4 actual matrix material. occurs. This is achieved because the layers (threads) are wounded at relatively low temperatures and heat treatment is not carried out later. Therefore, no absorption of the generated electromagnetic radiation occurs in the matrix material.
5 Een halfgeleiderinrichthg volgens de uitvinding heeft verder het voordeel dat alleen aan de gestructureerde lagen of draden strenge eisen worden gesteld t.a.v. de afmetingen (ten hoogste 2 monomoleculaire lagen dik) terwijl de structuur niet nocdzakelijk periodiek hoeft te zijn.A semiconductor device according to the invention has the further advantage that strict requirements are imposed only on the structured layers or wires (with a maximum of 2 monomolecular layers thick), while the structure does not necessarily have to be periodic.
Volgens een eerste voorkeursuitvoering bestaan het eerste en 10 tweede materiaal uit respectievelijk aluminiumarsenide en galliumarsenide. Een laser met een dergelijk actief halfgeleidergebied straalt rood (ca. 630 nm) licht uit (in lucht).According to a first preferred embodiment, the first and second materials consist of aluminum arsenide and gallium arsenide, respectively. A laser with such an active semiconductor region emits red (approx. 630 nm) light (in air).
Volgens een tweede voorkeursuitvoering bestaan het eerste en tweede materiaal uit respectievelijk aluminiumfosfide en galliumfosfide.According to a second preferred embodiment, the first and second material consist of aluminum phosphide and gallium phosphide, respectively.
15 Een laser met een dergelijk actief halfgeleidergebied straalt groen (ca. 540 nm) licht uit (in lucht).A laser with such an active semiconductor region emits green (approx. 540 nm) light (in air).
In de beide genoemde gevallen treedt bovendien een goede roosteraanpassing van de beide.· materialen op. In de genoemde voorbeelden kcrnt de eis ten aanzien van de dikte respectievelijk de doorsnede van de 20 laag respectievelijk de draad erop neer dat deze ten hoogste 0,6 nanometer bedraagt.In both cases, good grating adjustment of the two materials also occurs. In the examples mentioned, the requirement with regard to the thickness or the cross-section of the layer or the wire, respectively, amounts to a maximum of 0.6 nanometers.
Andere voorbeelden van een tweede materiaal in een matrix-materiaal met grotere bandafstand zijn bijvoorbeeld: indiumfosfide in galliumfosfide en indiumarsenide of galliumantimcon in galliumarsenide.Other examples of a second material in a larger bandgap matrix material are, for example: indium phosphide in gallium phosphide and indium arsenide or gallium antimcon in gallium arsenide.
25 Naast lasers kunnen uit deze materialen ook LED's vervaardigd worden, die een hoge lichtopbrengst bij lage stroomsterkte hebben. Bovendien resulteert hier de vervorming van bet rooster, door een minder goede roosteraanpssing in een verhoogde bindingsenergie van de excitonen (gat-elektron-paren) zodat de overgangswaarschijnlijkheid van de elektro-30 magnetische straling wordt verhoogd.In addition to lasers, LEDs can also be manufactured from these materials, which have a high light output at a low current intensity. In addition, the deformation of the lattice, due to a less good lattice adjustment, results in an increased binding energy of the excitons (hole-electron pairs), so that the transition probability of the electromagnetic radiation is increased.
Dit laatste (verhoging van de overgangswaarschijnlijkheid door verhoogde bindingsenergie van de excitonen) treedt ook op wanneer het tweede materiaal galliumnitride en het eerste galliumfosfide is, hoewel in dit geval het tweede materiaal een grotere bandaf stand heeft.The latter (increase in the probability of transition due to increased binding energy of the excitons) also occurs when the second material is gallium nitride and the first gallium phosphide, although in this case the second material has a larger band gap.
35 De uitvinding zal thans nader worden toegelicht aan de hand van enige uitvoeringsvoorbeelden, waarin:The invention will now be further elucidated on the basis of some exemplary embodiments, in which:
Figuur 1 een schematisch aanzicht toont van een lichtemittererde diode (LED) volgens de uitvinding.Figure 1 shows a schematic view of a light-emitted diode (LED) according to the invention.
8301187 EHN 10.639 58301187 EHN 10,639 5
Figuur 2 schematisch een vergrote dwarsdoorsnede toont van een deel van de inrichting volgens Figuur 1.Figure 2 schematically shows an enlarged cross-section of a part of the device according to Figure 1.
Figuur 3 een variant toont van Figuur 2 gezien langs de lijn III-III in Figuur 4 waar het bovenaanzicht van een actieve laag 5 in een IED volgens de uitvinding wordt getoond.Figure 3 shows a variant of Figure 2 seen along the line III-III in Figure 4 where the top view of an active layer 5 in an IED according to the invention is shown.
Figuur 5 schematisch de energieniveaus toont in het actieve materiaal terwijlFigure 5 schematically shows the energy levels in the active material while
Figuur 6 een laser toont volgens de uitvinding en Figuur 7 een variant toont op de inrichting van Figuur 6.Figure 6 shows a laser according to the invention and Figure 7 shows a variant of the device of Figure 6.
10 De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend, waar bij, ter wille van de duidelijkheid, in de dwarsdoorsneden in het bijzonder de afmetingen in de dikterichting sterk zijn overdreven.The figures are schematic and not drawn to scale, wherein, for the sake of clarity, in the cross-sections in particular the dimensions in the thickness direction have been greatly exaggerated.
Half gele ider zones van hetzelfde geleidingstype zijn in het algemeen in dezelfde richtng gearceerd; in de figuren zijn overeenkomstige delen 15 in de regel met dezelfde verwijzingscijfers aangeduid.Semiconductor zones of the same conductivity type are generally shaded in the same direction; in the figures, corresponding parts 15 are generally designated with the same reference numerals.
De licht emitterende diode (LED) 1 van Figuur 1 bevat een + 2 n -substraat van galliumarsenide dat gedoteerd is met bijvoorbeeld 18 3 zwavel met een concentratie van circa 10 atcmen/cm . Op dit substraat is, bijvoorbeeld door moleculaire bundelepitaxie (MBE) of iretallo-orga-20 nische dampfase-epitaxie (MOVPE) de actieve laag 3, van het n-type aangebracht. Verder is de inrichting van Figuur 1 voorzien van een ring- j· vormige p -zone 4, welke bijvoorbeeld met behulp van een tweede epitaxie-stap na etsen in de gewenste vorm wordt verkregen. De zone 4 is ten behoeve van contactering voorzien van een metaallaag 5. Bet andere dicde-25 contact wordt verkregen door middel van een metaallaag 6 die het substraat contacteert.The light-emitting diode (LED) 1 of Figure 1 contains a + 2 n substrate of gallium arsenide doped with, for example, 18 3 sulfur at a concentration of about 10 atmospheres / cm. The n-type active layer 3 is deposited on this substrate, for example by molecular beam epitaxy (MBE) or iretalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). Furthermore, the device of Figure 1 is provided with an annular p-zone 4, which is obtained in the desired shape, for example, by means of a second epitaxy step after etching. The zone 4 is provided with a metal layer 5 for contacting. The other dicde-25 contact is obtained by means of a metal layer 6 which contacts the substrate.
De actieve laag 3 bestaat uit een matrixmateriaal 7, in dit voorbeeld aluminiumarsenide van het n-type, waarbij de n-type geleiding veroorzakende verontreinigingen tijdens de epitaxiale aangroeiing aan 30 het matrixmateriaal zijn toegeveegd.The active layer 3 consists of a matrix material 7, in this example n-type aluminum arsenide, wherein the n-type conductivity causing impurities are added to the matrix material during epitaxial growth.
Volgens de uitvinding (zie Figuur 2) is het materiaal 7 op gestructureerde wijze voorzien van een tweede materiaal. In dit voorbeeld zijn lagen 8 van galliumarsenide aangegroeid net een dikte van één moncttoleculaire laag galliumarsenide (ca. 0,3 nanometer). De laag is 35 bovendien tenminste 100 maal (ca. 30 nanometer) zo lang of breed. In het onderhavige voorbeeld bevat het matrixmateriaal 7 diverse lagen 8 die op een afstand van circa 10 ircaicmoleculaire laagdikten (ca. 30 nm) ven het aluminiumarsenide van elkaar liggen. Deze afstand is voldoende 8301187 PHN 10.639 6 groot dat de potentiaalverstoringen (gebonden toestanden) van twee verschillende lagen 8 elkaar niet beïnvloeden.According to the invention (see Figure 2), the material 7 is structurally provided with a second material. In this example, layers 8 of gallium arsenide have grown with a thickness of one molecular layer of gallium arsenide (about 0.3 nanometers). Moreover, the layer is at least 100 times (about 30 nanometers) as long or wide. In the present example, the matrix material 7 contains various layers 8 which are spaced apart from each other by approximately 10 circular molecular layer thicknesses (about 30 nm) from the aluminum arsenide. This distance is sufficient 8301187 PHN 10.639 6 so that the potential disturbances (bound states) of two different layers 8 do not influence each other.
De lagen 8 hoeven niet het gehele oppervlak van het gebied 3 te beslaan maar.mogen als deellagen op verschillende hoogte worden aange-5 bracht, zoals getoond in Figuur 3 waar de lagen 8a, δ*5, 8C, 8^ in verschillende vlakken liggen en elkaar gedeeltelijk overlappen, (zie Figuur 4).The layers 8 do not have to cover the entire surface of the area 3, but may be applied as partial layers at different heights, as shown in Figure 3 where the layers 8a, δ * 5, 8C, 8 ^ are in different planes and partially overlapping each other, (see Figure 4).
Figuur 5 toont een schematisch energiediagram van de laag 3 gezien langs de lijn V-V in Figuur 3. Ten gevolge van de aanwezigheid 10 van de laag 8 treedt een verstoring op in de bandstructuur van het matrixmateriaal 7 die een andere gedaante heeft dan in het geval van een quantum-put, zoals aangegeven door de punt-streeplijn 9. In dit laatste geval bevinden zich binnen de quantumrput een aantal discrete energie-niveaus voor gaten en elektronen waarbij stralingsreccmbinatie in hoofd-15 zaak vóórkant tussen het laagste niveau in de geleidingsband en het hoogste niveau van de valentieband van het materiaal, dat de quantum-put veroorzaakt (zie bijvoorbeeld "Quantum-Well Heterostructure Lasers door N. Holonyak Jr. et al., verschenen in IEEE Journal, of Quantum Electronics, Vol. GE-16, No. 2, februari 1980, pagina’s 170 e.v.), in 20 het bijzonder pagina’s 170-171). De recombinatie vindt daarbij plaats met een frequentie gelegen tussen die behorende bij de bandafstanden van de samenstellende materialen.Figure 5 shows a schematic energy diagram of the layer 3 as seen along the line VV in Figure 3. Due to the presence 10 of the layer 8, a disturbance occurs in the band structure of the matrix material 7 which has a different shape than in the case of a quantum well, as indicated by the dashed line 9. In the latter case, there are a number of discrete energy levels for holes and electrons within the quantum well, with radiation recombination mainly in the front between the lowest level in the conduction band and the highest level of the valence band of the material causing the quantum well (see, for example, "Quantum-Well Heterostructure Lasers by N. Holonyak Jr. et al., published in IEEE Journal, of Quantum Electronics, Vol. GE-16, No 2, February 1980, pages 170 et seq., In particular pages 170-171) The recombination takes place at a frequency between those associated with the band distances of the constituent materials.
In de uitvoering volgens de uitvinding (een verstoring met een laagdikte van ten hoogste twee moncmoleculaire lagen) geldt de laag 8 25 praktisch als een verontreiniging. Gezien in de richting langs de lijn V-V kan de hierdoor geïntroduceerde verstoring quantummechanisch worden beschouwd als een synnetrische ondiepe potentiaalkuil, waarvoor men kan aantonen dat hierin slechts één energieniveau nabij de bovenkant van de kuil beschikbaar is. (zie bijvoorbeeld Landau en Lifshitz 30 "Quantum lyfechanics", 2nd Edition, Bergamon Press, 1965, pagina's 65-67, 109-110, 156). Door een laag 8 gebonden gaten of elektronen bezetten derhalve energieniveaus direct boven respectievelijk onder de valentieband respectievelijk de geleidingsband van het matrixmateriaal en vormen met respectievelijk elektronen en gaten gebonden excitonen. De bijhe-35 horende energie-afstand die een maat is voer de frequentie van de uitgestraalde elektro-magnetische straling is in Figuur 5 weergegeven met het verwijzingscijfer 10.In the embodiment according to the invention (a disturbance with a layer thickness of at most two molecular layers), the layer 8 practically counts as an impurity. Seen in the direction along the line V-V, the disturbance introduced by this can be considered quantum-mechanically as a synnetric shallow potential well, for which it can be demonstrated that only one energy level is available near the top of the well. (see, for example, Landau and Lifshitz 30 "Quantum lyfechanics", 2nd Edition, Bergamon Press, 1965, pages 65-67, 109-110, 156). Holes or electrons bonded by a layer 8 therefore occupy energy levels directly above or below the valence band or the conduction band of the matrix material, respectively, and form electrons and holes bonded with excitons, respectively. The associated energy distance, which is a measure of the frequency of the radiated electromagnetic radiation, is indicated in Figure 5 with the reference numeral 10.
De laag 8 gedraagt zich als een zogenaamd "iso-elektronisch 8301187 EEN 10.639 7 vlak" d.w.z. als een laag van verontreinigingen die zich als iso-elektro-nische stralingscentra manifesteren. Dergelijke centra worden ge voord door verontreinigingen die de karakteristieke eigenschap vertonen een elektron en een gat (een zogenaand exciton) te birden met een eindige S energie, zonder zelf een netto lading dan wel uitsluitend een elektron of een gat te kunnen birden.The layer 8 behaves as a so-called "isoelectronic 8301187 A 10.639 7 plane", i.e. as a layer of impurities manifesting as isoelectronic radiation centers. Such centers are served by contaminating impurities exhibiting the characteristic of an electron and a hole (a so-called exciton) with a finite S energy, without being able to bore a net charge or only an electron or a hole.
Door de hoge birdingsenergie, in dit geval afkomstig uit de energieniveaus van de symmetrische potentiaalkuil is nu recombinatie mogelijk in de laag van galliumarsenide net een frequentie fcehorerd bij 10 een energie die vrijwel gelijk is aan de energie-afstand in het aluminium-arsenide. Op deze wijze wordt straling met een kleinere golflengte verkregen dan in het eigenlijke materiaal van de laag 8mogelijk is.Owing to the high birding energy, in this case coming from the energy levels of the symmetrical potential pit, recombination in the layer of gallium arsenide with a frequency equal to an energy almost equal to the energy distance in the aluminum arsenide is now possible. In this way, radiation with a smaller wavelength is obtained than is possible in the actual material of the layer 8.
Door de genoemde hoge birdingsenergie vertonen de excitonen ook een grote stabiliteit, welke samen met de hoge dichtheid in één iso-15 elektronische laag de kans op stralingsrecombinatie met de frequentie behorend bij de genoemde birdingsenergie met name bij kamertemperatuur aanzienlijk verhoogt, De excitonen blijven als het ware aan de laag gebonden. Dit geeft een hoge stralingsdichtheid langs de laag die niet verstoord wordt door verliezen elders in het materiaal omdat de straling 20 hoofdzakelijk langs de laag wordt opgewekt, terwijl bovendien het aluminiumarsenide praktisch geen recombinatiecentra bevat. Ook treden in het onderhavige voorbeeld geen stralings ver liezen op aan rooster-defecten doordat aluminiumarsenide en galliumarsenide praktisch dezelfde roosterconstante bezitten. Ditzelfde voorbeeld geldt ook voor lagen of 25 draden van galliumfosfide in aluminiumfosfide. LED's met een dergelijke actieve laag-s truc tuur hebben derhalve de voordelen van een kleinere golflengte, hogere efficiency terwijl bovendien de levensduur groter is.Due to the said high birding energy, the excitons also show a great stability, which together with the high density in one iso-15 electronic layer considerably increases the chance of radiation recombination with the frequency associated with the said birding energy, especially at room temperature. The excitons remain as the were bound to the layer. This gives a high radiation density along the layer which is not disturbed by losses elsewhere in the material because the radiation 20 is generated mainly along the layer, while in addition the aluminum arsenide contains practically no recombination centers. Also, in the present example, no radiation losses occur to lattice defects in that aluminum arsenide and gallium arsenide have substantially the same lattice constant. The same example also applies to layers or threads of gallium phosphide in aluminum phosphide. Therefore, LEDs with such an active layer structure have the advantages of a smaller wavelength, higher efficiency, while in addition the service life is longer.
Bij lagen van galliumfosfide in iidiumfosfide of van galliumarsenide in indiumarsenide of in gallium-antimoon treden verschillen 30 in roosterconstanten op. Hierdoor zouden recombinatiecentra geïntroduceerd kunnen worden; hef is echter bekend dat in zeer dunne lagen (ca. 10 moncmoleculaire lagen) de roostervervorming elastisch wordt opgevangen zonder aanleiding te geven tot recombinatiecentra. (zie; Continuous 300 K-Laser operation of strained Superlattices, door M.J. Ludowise et al, 35 Appl. Phys.Lett. 42 (6), 15 maart 1983, pagina 487). Wel word: tegelijkertijd de birdingsenergie van de excitonen aanzienlijk verhoogd, zodat deze een grotere stabiliteit vertonen.Differences in lattice constants occur with layers of gallium phosphide in iidium phosphide or of gallium arsenide in indium arsenide or in gallium antimony. This could introduce recombination centers; However, it is known that in very thin layers (approx. 10 molecular layers) the lattice deformation is elastically absorbed without giving rise to recombination centers. (see; Continuous 300 K-Laser operation of strained Superlattices, by M.J. Ludowise et al., 35 Appl. Phys. Lett. 42 (6), March 15, 1983, page 487). It should be noted that at the same time the birding energy of the excitons is considerably increased, so that they show greater stability.
Een soortgelijk voordeel geldt bij het aanbrengen van lagen of 830 1 1 8 7 PHN 10.639 8 draden van galliumnitride in galliumfosfide, waarbij weliswaar het matrixmateriaal een kleinere bandafstand heeft dan het tweede materiaal maar door het gestructureerde aanbrengen een hogere netto-excitonen-dichtheid in galliumfosfide kan worden verkregen, nl. op iso-elektronische 5 vlakken c.q. draden, dan volgens de bekende methoden.Doordat bovendien in het matrixmateriaal zelf nu geen ongewenste recombinatiecentra aanwezig zijn is hiermee een LED verkregen met een hogere opbrengst.A similar advantage applies when applying layers or 830 1 1 8 7 PHN 10.639 8 threads of gallium nitride in gallium phosphide, although the matrix material has a smaller band gap than the second material, but due to the structured application a higher net exciton density in gallium phosphide can be obtained, namely on iso-electronic surfaces or wires, then according to the known methods. Moreover, because no unwanted recombination centers are present in the matrix material itself, an LED with a higher yield has been obtained.
De inrichting van Figuur 6 toont een halfgeleiderlaser 11 opgebouw uit een substraat 12 van hooggedoteerd n-type galliumarsenide 10 (GaAs) waarop verschillende lagen zijn aangegroeid met behulp van moleculaire bundelepitaxie of metallo-organische dampfase-epi taxie.The device of Figure 6 shows a semiconductor laser 11 constructed from a substrate 12 of highly doped n-type gallium arsenide 10 (GaAs) on which different layers have been grown by molecular beam epitaxy or metallo-organic vapor phase epiphyte.
Het substraat 12 heeft bijvoorbeeld een dikte van 200 micrometer en 18 3 is gedoteerd met ca. 5.10 seleenatomen/cm . Hierop zijn respectievelijk een laag 13 van hooggedoteerd n-type galliumarsenide (GaAs) net een dikte 18 3 15 van ca. 0,5 micrometer en een dotering van 3.10 seleenatomen/cm , een 18 laag 14 van hooggedoteerd n-type Gan « Al As (ca. 1,5 10 seleen-For example, the substrate 12 has a thickness of 200 micrometers and 183 is doped with about 5.10 selenium atoms / cm. On this, respectively, a layer 13 of highly doped n-type gallium arsenide (GaAs) with a thickness of 18 3 15 of approx. 0.5 micrometers and a doping of 3.10 selenium atoms / cm, an 18 layer 14 of highly doped n-type Gan «Al As (approx. 1.5 10 selenium
2 U f ö 0 f A2 U f ö 0 f A
atomen/cm-3) met een dikte van ca. 0,5 micrometer en een n-type laag 15 van aluminiumarsenide met een dikte van 1,5 micrometer en een dotering 16 3 van 8.10 seleenatomen/cm aangegroeid.atoms / cm-3) with a thickness of about 0.5 micrometers and an n-type layer 15 of aluminum arsenide with a thickness of 1.5 micrometers and a doping 16 3 of 8.10 selenium atoms / cm.
20 Hierop is de actieve laag 16 aangebracht met een dikte van circa 50 nanometer. Deze laag bestaat uit een matrixmateriaal van aluminiumarsenide, waarin op gestructureerde wijze een of meer lagen van galliumarsenide zijn aangebracht analoog aan de opbouw van de actieve laag 3 van de LED zoals beschreven aan de hand van de figuren 1 t/m 4.The active layer 16 is applied to this with a thickness of approximately 50 nanometers. This layer consists of a matrix material of aluminum arsenide, in which one or more layers of gallium arsenide are structured, analogous to the construction of the active layer 3 of the LED as described with reference to Figures 1 to 4.
25 De laser 11 bevat verder een met zink gedoteerde 1,5 microneter dikke p-type laag 17 van aluminiumarsenide met een dotering van circa 17 3 3.10 atomen/cm en een hooggedoteerde p-type contactlaag 18 met een 19 3 dotering van circa 1.10 atomen/cm en een dikte van 0,1 micrometer.The laser 11 further comprises a zinc-doped 1.5 microneter thick p-type layer 17 of aluminum arsenide with a doping of approximately 17 3 3.10 atoms / cm and a highly doped p-type contact layer 18 with a 19 3 doping of approximately 1.10 atoms. / cm and a thickness of 0.1 µm.
Verder is de laser 11 voorzien van metaalcontacten 19 en 20 ten 30 behoeve van stroominjectie. Bij het overschrijden van een zekere drempel-stroom zal de laser 11 elektromagnetische straling uitzenden in een richting loodrecht op het vlak van de tekening.The laser 11 is further provided with metal contacts 19 and 20 for the purpose of current injection. When a certain threshold current is exceeded, the laser 11 will emit electromagnetic radiation in a direction perpendicular to the plane of the drawing.
In de inrichting van Figuur 6 wordt de breedte van het aktieve gebied beperkt tot bijvoorbeeld 6 micrometer door met de elektrode 20 als 35 masker een protonenbombardement uit te voeren dat zich uitstrekt tot het gebied begrensd door de streeplijn 21. Hierdoor wordt het gebied 16 voor een groot deel inactief gemaakt en vindt de laserwerking alleen in een smalle strook plaats.In the device of Figure 6, the width of the active region is limited to, for example, 6 micrometers by carrying out a proton bombardment with the electrode 20 as a mask, which extends to the region bounded by the dashed line 21. As a result, the region 16 becomes for a made largely inactive and the laser operation takes place only in a narrow strip.
8301187 Λ - r EHN 10.639 98301187 Λ - r EHN 10.639 9
Hetzelfde kan bereikt worden door met de elektrode 20 als masker een gedeelte van de lagenstruktuur weg te etsen. In dat geval wordt een inrichting verkregen zoals schematisch is weergegeven in Figuur 7, waarbij de verwijzingscijfers dezelfde betekenis hebben 5 als in Figuur 6. De geëtste holte wordt gewoonlijk later weer opgevuld met een geschikt beschemingsmateriaal.The same can be achieved by etching away part of the layer structure with the electrode 20 as a mask. In that case, an apparatus as schematically shown in Figure 7 is obtained, the reference numbers having the same meaning as in Figure 6. The etched cavity is usually filled again later with a suitable protective material.
Het spreekt vanzelf dat de uitvinding niet beperkt is tot de hierboven getoonde voorbeelden maar dat voor de vakman binnen het kader van de uitvinding diverse variaties mogelijk zijn. Zo kan men 10 voor de actieve laag diverse andere combinaties van materialen kiezen die dan bijvoorbeeld straling met een grotere golflengte uistralen.It goes without saying that the invention is not limited to the examples shown above, but that various variations are possible for the skilled person within the scope of the invention. Thus, for the active layer, one can choose various other combinations of materials which then, for example, emit radiation with a larger wavelength.
Voor het matrixmateriaal kan bijvoorbeeld indiumfosfide worden gekozen en voor de lagen indiumantimonide of indiumarsenide. Ook kunnen geschikt gekozen terraire of quaternaire verbindingen worden gebruikt. Daarnaast 15 kunnen zoals reeds genoemd in plaats van laagstructuren draadvormige structuren worden aangebracht.Indium phosphide can for instance be chosen for the matrix material and for the layers indium antimonide or indium arsenide. Suitably selected terra or quaternary compounds can also be used. In addition, as already mentioned, thread-like structures can be provided instead of layer structures.
Daarnaast kan in plaats van stroaninjectie elektroneninjectie worden toegepast, bijvoorbeeld wanneer een laag van een van de bovengenoemde samenstellingen wordt gebruikt in een inrichting zoals 20 beschreven in de Nederlandse Octrooiaanvrage No. 8300631 van Aanvraagster.In addition, instead of straw injection, electron injection can be used, for example when a layer of one of the above compositions is used in an apparatus as described in Netherlands Patent Application No. 8300631 of Applicant.
25 30 1 830118725 30 1 8301187
Claims (10)
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8301187A NL8301187A (en) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | SEMICONDUCTOR DEVICE FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION. |
| DE19843411191 DE3411191A1 (en) | 1983-04-05 | 1984-03-27 | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION |
| GB08408481A GB2137812A (en) | 1983-04-05 | 1984-04-02 | Semiconductor Device for Producing Electromagnetic Radiation |
| FR8405233A FR2544133A1 (en) | 1983-04-05 | 1984-04-03 | SEMICONDUCTOR DEVICE FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION |
| JP59065286A JPS59186386A (en) | 1983-04-05 | 1984-04-03 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8301187 | 1983-04-05 | ||
| NL8301187A NL8301187A (en) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | SEMICONDUCTOR DEVICE FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8301187A true NL8301187A (en) | 1984-11-01 |
Family
ID=19841652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8301187A NL8301187A (en) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | SEMICONDUCTOR DEVICE FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59186386A (en) |
| DE (1) | DE3411191A1 (en) |
| FR (1) | FR2544133A1 (en) |
| GB (1) | GB2137812A (en) |
| NL (1) | NL8301187A (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137383A (en) * | 1984-12-07 | 1986-06-25 | Sharp Corp | Photosemiconductor device |
| JPS61244086A (en) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Sharp Corp | Semiconductor laser element |
| GB2192095B (en) * | 1986-05-15 | 1989-12-06 | Canon Kk | Semiconductor laser array |
| DE3727546A1 (en) * | 1987-08-18 | 1989-03-02 | Siemens Ag | LIGHT AMPLIFIER WITH RING-SHAPED RADIATION, IN PARTICULAR RING LASER DIODE |
| DE3802404A1 (en) * | 1988-01-28 | 1989-08-03 | Licentia Gmbh | Semiconductor laser |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4213805A (en) * | 1973-05-28 | 1980-07-22 | Hitachi, Ltd. | Liquid phase epitaxy method of forming a filimentary laser device |
| US4188244A (en) * | 1975-04-10 | 1980-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making a semiconductor light-emitting device utilizing low-temperature vapor-phase deposition |
| US4205329A (en) * | 1976-03-29 | 1980-05-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Periodic monolayer semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy |
| US4103312A (en) * | 1977-06-09 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Semiconductor memory devices |
| US4261771A (en) * | 1979-10-31 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy |
-
1983
- 1983-04-05 NL NL8301187A patent/NL8301187A/en not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-03-27 DE DE19843411191 patent/DE3411191A1/en not_active Withdrawn
- 1984-04-02 GB GB08408481A patent/GB2137812A/en not_active Withdrawn
- 1984-04-03 FR FR8405233A patent/FR2544133A1/en not_active Withdrawn
- 1984-04-03 JP JP59065286A patent/JPS59186386A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59186386A (en) | 1984-10-23 |
| GB8408481D0 (en) | 1984-05-10 |
| FR2544133A1 (en) | 1984-10-12 |
| GB2137812A (en) | 1984-10-10 |
| DE3411191A1 (en) | 1984-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0359329B1 (en) | Wide band gap semiconductor light-emitting devices | |
| US4644378A (en) | Semiconductor device for generating electromagnetic radiation | |
| Lester et al. | Optical characteristics of 1.24-μm InAs quantum-dot laser diodes | |
| US4644553A (en) | Semiconductor laser with lateral injection | |
| US4570172A (en) | Light emitting diode with surface emission | |
| JP3643665B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH06112528A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH0695588B2 (en) | Semiconductor device | |
| US5987047A (en) | Radiation-emitting semiconductor diode and method of manufacturing | |
| US4365260A (en) | Semiconductor light emitting device with quantum well active region of indirect bandgap semiconductor material | |
| US4243996A (en) | Electroluminescent semiconductor device | |
| US5812574A (en) | Quantum optical semiconductor device producing output optical emission with sharply defined spectrum | |
| NL8301187A (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION. | |
| US4296425A (en) | Luminescent diode having multiple hetero junctions | |
| US5250814A (en) | Semiconductor light-emitting devices | |
| JP3146710B2 (en) | Light emitting element | |
| DE19963550A1 (en) | Bipolar light source with temporally and spatially uniform current supply, based on e.g. aluminum gallium arsenide-gallium arsenide structure, includes luminescent and non-luminescent columns | |
| JP3014340B2 (en) | Diode with quantum wave interference layer | |
| US20060023763A1 (en) | Semiconductor lasers with hybrid materials systems | |
| US5084748A (en) | Semiconductor optical memory having a low switching voltage | |
| JPH0479273A (en) | Optical transmission electric signal amplifier device | |
| JPH0632343B2 (en) | Semiconductor laser | |
| JPH03265124A (en) | Atomic layer doped semiconductor structure | |
| JPH10209572A (en) | Semiconductor light emitting element and manufacture thereof | |
| JPS61137383A (en) | Photosemiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BV | The patent application has lapsed |