NL2034521A - Solar cell and photovoltaic module - Google Patents
Solar cell and photovoltaic module Download PDFInfo
- Publication number
- NL2034521A NL2034521A NL2034521A NL2034521A NL2034521A NL 2034521 A NL2034521 A NL 2034521A NL 2034521 A NL2034521 A NL 2034521A NL 2034521 A NL2034521 A NL 2034521A NL 2034521 A NL2034521 A NL 2034521A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- conductive layer
- doped conductive
- substrate
- solar cell
- doping
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 186
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 53
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 30
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 22
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 341
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 34
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 33
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 30
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene octene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Claims (20)
1. Zonnecel, omvattende: een substraat met een vooroppervlak en een achteroppervlak tegenover het vooroppervlak, waarbij het vooroppervlak een metaalpatroongebied en een niet- metaalpatroongebied omvat; een eerste tunnellaag en een eerste gedoteerde geleidende laag opgesteld op het metaalpatroongebied van het vooroppervlak van het substraat en opeenvolgend opgesteld in een richting weg van het vooroppervlak van het substraat; waarbij de eerste gedoteerde geleidende laag eenzelfde type doteerelementen heeft als het substraat; een tweede tunnellaag en een tweede gedoteerde geleidende laag opgesteld op het achteroppervlak van het substraat en opeenvolgend opgesteld in een richting weg van het achteroppervlak van het substraat; waarbij de tweede gedoteerde geleidende laag een ander type doteerelementen heeft dan de eerste gedoteerde geleidende laag, de eerste gedoteerde geleidende laag een grotere concentratie geactiveerde doteerelementen heeft dan de tweede gedoteerde geleidende laag en een dikte van de eerste gedoteerde geleidende laag niet groter is dan een dikte van de tweede gedoteerde geleidende laag.
2. Zonnecel volgens conclusie 1, waarbij de eerste gedoteerde geleidende laag een dikte heeft van 20 nm tot 300 nm en de tweede gedoteerde geleidende laag een dikte heeft van 50 nm tot 500 nm.
3. Zonnecel volgens conclusie 2, waarbij de eerste gedoteerde geleidende laag een eerste doteerelement omvat, het eerste doteerelement geactiveerd wordt door gloeien om een geactiveerd eerste doteerelement te verkrijgen, en een activeringssnelheid van het eerste doteerelement in de eerste gedoteerde geleidende laag in een bereik ligt van 40% tot 80%.
4. Zonnecel volgens conclusie 3, waarbij de concentratie van de geactiveerde eerste doteerelementen in een bereik ligt van 1x10?° atoom/cm’ tot 6x10?” atoom/cm’.
5. Zonnecel volgens conclusie 4, waarbij een verhouding van een breedte van de eerste gedoteerde geleidende laag tot een breedte van het substraat in een bereik ligt van 0,0001 tot 0,0012.
6. Zonnecel volgens conclusie 5, waarbij de breedte van de eerste gedoteerde geleidende laag in een bereik ligt van 20 um tot 200 um.
7. Zonnecel volgens conclusie 5, waarbij een oppervlakteverhouding van de eerste gedoteerde geleidende laag tot het vooroppervlak van het substraat in een bereik ligt van 0,01 tot 0,15.
8. Zonnecel volgens conclusie 2, waarbij de tweede gedoteerde geleidende laag een tweede doteerelement omvat, het tweede doteerelement geactiveerd wordt door gloeien om een geactiveerd tweede doteerelement te verkrijgen, en een activeringssnelheid van het tweede doteerelement in de tweede gedoteerde geleidende laag in een bereik ligt van 30% tot 80%.
9. Zonnecel volgens conclusie 8, waarbij de geactiveerd-doteerelementconcentratie van het tweede doteerelement in een bereik ligt van 4x1019 atoom/cm’ tot 910 atoom/cm’.
10. Zonnecel volgens conclusie 8, waarbij de tweede gedoteerde geleidende laag een eerste gebied en een tweede gebied omvat, waarbij het tweede gebied dicht bij het substraat is gedefinieerd; in een richting van het eerste gebied naar het tweede gebied, een helling van een doteercurve van het geactiveerde tweede doteerelement in het eerste gebied niet kleiner is dan 0, een helling van de doteercurve van het geactiveerde tweede doteerelement in het tweede gebied kleiner is dan 0, en de helling van de doteercurve toont dat de geactiveerd-doteerelementconcentratie van het tweede doteerelement verandert met een doteerdiepte.
11. Zonnecel volgens conclusie 10, waarbij de helling van de doteercurve van het geactiveerde tweede doteerelement in het eerste gebied in een bereik ligt van 1<E!° tot 1xE!°, en de helling van de doteercurve van het geactiveerde tweede doteerelement in het tweede gebied in een bereik ligt van -1xE!° tot -1xE2.
12. Zonnecel volgens conclusie 11, waarbij de geactiveerd-doteerelementconcentratie van het tweede doteerelement in het eerste gebied in een bereik ligt van 4x 10atoom/cm?
tot 9x10"atoom/cm®, en de geactiveerd-doteerelementconcentratie van het tweede doteerelement in het tweede gebied in een bereik ligt van 1x10'atoom/cm’® tot 9*10Patoom/em).
13. Zonnecel volgens conclusie 12, waarbij de tweede gedoteerde geleidende laag een dikte heeft van 50 nm tot 500 nm in het eerste gebied en de tweede gedoteerde geleidende laag een dikte heeft van 30 nm tot 300 nm in het tweede gebied.
14. Zonnecel volgens conclusie 1, 3 of 8, waarbij het substraat een N-type substraat is, de eerste gedoteerde geleidende laag een N-type gedoteerde geleidende laag is en de tweede gedoteerde geleidende laag een P-type gedoteerde geleidende laag is.
15. Zonnecel volgens conclusie 14, waarbij doteerelementen van de eerste gedoteerde geleidende laag fosforelementen zijn en doteerelementen van de tweede gedoteerde geleidende laag boorelementen zijn.
16. Zonnecel volgens conclusie 15, waarbij materialen van de eerste gedoteerde geleidende laag en de tweede gedoteerde geleidende laag ten minste één omvatten van amorf silicium, microkristallijn silicium of polykristallijn silicium.
17. Zonnecel volgens conclusie 1, verder omvattende een eerste passiveringslaag, waarbij een eerste deel van de eerste passiveringslaag is opgesteld op een oppervlak van de eerste gedoteerde geleidende laag weg van het substraat en een tweede deel van de eerste passiveringslaag 1s opgesteld op het niet-metaalpatroongebied van het vooroppervlak van het substraat.
18. Zonnecel volgens conclusie 1, verder omvattende een eerste elektrode die is opgesteld op het metaalpatroongebied en elektrisch is verbonden met de eerste gedoteerde geleidende laag.
19. Zonnecel volgens conclusie 1, verder omvattende een diffusiegebied, waarbij het diffusiegebied wordt gedefinieerd in het metaalpatroongebied van het vooroppervlak van het substraat, een bovenkant van het diffusiegebied in contact staat met de eerste tunnellaag, en het diffusiegebied een hogere doteerelementconcentratie heeft dan het substraat.
20. Fotovoltaische module, omvattende:
ten minste één celreeks, waarbij de ten minste ene celreeks is gevormd door het verbinden van een veelheid van zonnecellen, waarbij elk van de veelheid van zonnecellen een zonnecel volgens een van de conclusies 1 tot 19 is;
ten minste één verpakkingslaag die is geconfigureerd om een oppervlak van de ten minste ene celreeks te bedekken;
ten minste één afdekplaat die is geconfigureerd om een oppervlak van de ten minste ene verpakkingslaag te bedekken weg van de ten minste ene celreeks.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211098149.9A CN117673178A (zh) | 2022-09-08 | 2022-09-08 | 太阳能电池及光伏组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2034521A true NL2034521A (en) | 2024-03-14 |
Family
ID=86766475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2034521A NL2034521A (en) | 2022-09-08 | 2023-04-06 | Solar cell and photovoltaic module |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117673178A (nl) |
| DE (1) | DE202023101750U1 (nl) |
| NL (1) | NL2034521A (nl) |
-
2022
- 2022-09-08 CN CN202211098149.9A patent/CN117673178A/zh active Pending
-
2023
- 2023-04-05 DE DE202023101750.9U patent/DE202023101750U1/de active Active
- 2023-04-06 NL NL2034521A patent/NL2034521A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117673178A (zh) | 2024-03-08 |
| DE202023101750U1 (de) | 2023-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11482629B2 (en) | Solar cell | |
| US20230275167A1 (en) | Solar cell, method for preparing the same, and photovoltaic module | |
| CN102064216A (zh) | 一种新型晶体硅太阳电池及其制作方法 | |
| JP7168800B1 (ja) | 太陽電池及び光起電力モジュール | |
| NL2034302B1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| NL2034429B1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| US20240194800A1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| CN218585994U (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| US20230411543A1 (en) | Semiconductor substrate, solar cell, and photovoltaic module | |
| CN115000198A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| NL2034521A (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| JP7525718B2 (ja) | 太陽電池および光起電力モジュール | |
| NL2033699B1 (en) | Photovoltaic cell and photovoltaic module | |
| US11923468B1 (en) | Photovoltaic cell and photovoltaic module | |
| NL2034509A (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| KR101889774B1 (ko) | 태양 전지 | |
| CN118380480A (zh) | 一种太阳能电池片装置 | |
| CN118053922A (zh) | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 | |
| CN118053921A (zh) | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |