NL2021155B1

NL2021155B1 - Optical Membrane

Info

Publication number: NL2021155B1
Application number: NL2021155A
Authority: NL
Inventors: Mohammadi Vahid; Janssen Paul; Van Zwol Pieter-Jan; Nihtianov Stoyan; Adrianus Van De Kerkhof Marcus; Nikolov Zdravkov Alexandar
Original assignee: Asml Netherlands Bv
Priority date: 2017-07-21
Filing date: 2018-06-20
Publication date: 2019-05-20
Also published as: CN110945432B; NL2023116A; WO2019015905A1; KR20200026902A; TW201908120A; CN110945432A; NL2021155A; NL2023116B1

Claims

1. Optisch, voor EUV-straling transparant membraan voor gebruik in of met een lithografische inrichting, waarbij het membraan omvat: een eerste laag die een eerste materiaal omvat, en een tweede laag die een tweede materiaal omvat, waarbij de eerste laag is aangebracht op de tweede laag, waarbij de eerste en tweede materialen zodanig geselecteerd zijn dat een ruimteladingsgebied of depletiegebied in het membraan gevormd wordt, waarbij het ruimteladingsgebied of depletiegebied een elektrisch veld opwekt in het membraan.

2. Membraan volgens conclusie 1, waarbij de eerste en tweede materialen zodanig geselecteerd zijn dat het ruimteladingsgebied of depletiegebied zich uitstrekt in een deel of geheel van het membraan.

3. Membraan volgens conclusie 1 of 2, waarbij de eerste en tweede materialen geselecteerd zijn op basis van een of meer eigenschappen van het eerste materiaal en/of het tweede materiaal.

4. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij het elektrisch veld zich uitstrekt in een richting loodrecht op de eerste laag en/of de tweede laag.

5. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de eerste en tweede materialen zodanig geselecteerd zijn dat het door het ruimteladingsgebied of depletiegebied opgewekte elektrische veld een scheiding veroorzaakt van ladingdragers die gegenereerd worden tijdens bestraling van het membraan.

6. Membraan volgens conclusie 5, waarbij de eerste en tweede materialen zodanig geselecteerd zijn dat het door het ruimteladingsgebied of depletiegebied opgewekte elektrische veld een opeenhoping veroorzaakt van de ladingdragers op of bij tegenoverliggende zijden van het ruimteladingsgebied of depletiegebied.

7. Membraan volgens conclusie 5 of 6, waarbij de scheiding en/of opeenhoping van de gegenereerde ladingdragers een ander elektrisch veld opwekt.

8. Membraan volgens conclusie 7, waarbij het andere elektrisch veld zich uitstrekt in een richting parallel aan de eerste laag en/of de tweede laag.

9. Membraan volgens conclusie 7 of 8, waarbij een ander elektrisch veld verplaatsing veroorzaakt van de gegenereerde ladingdragers naar buiten toe en/of weg van een deel of gebied van het membraan dat bestraald wordt.

10. Membraan volgens een van de conclusies 7 tot en met 9, waarbij het andere elektrische veld verplaatsing veroorzaakt van de gegenereerde ladingdragers richting een omtrek of omtrekgebied van het membraan.

11. Membraan volgens een van de conclusies 9 of 10, waarbij het andere elektrische veld zodanig is dat de gegenereerde ladingdragers met een snelheid bewegen die hoger is dan een snelheid van een stralingsbundel die door het membraan beweegt.

12. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, W'aarbij ten minste een van de eerste en tweede materialen een halfgeleider materiaal omvat.

13. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij ten minste een ander van de eerste en tweede materialen een halfgeleider materiaal en/of een metaal omvat.

14. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, w'aarbij ten minste een van de eerste en tweede materialen Boor omvat.

15. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij ten minste een ander van de eerste en tweede materialen ten minste een van kristallijn Silicium, polykristallijn Silicium, Siliciumcarbide, Siliciumnitride en grafeen omvat.

16. Membraan volgens een van de conclusies, waarbij het eerste materiaal een eerste halfgeleidermateriaal omvat en het tweede materiaal een tweede halfgeleidermateriaal omvat, waarbij de eerste en tweede halfgeleidermaterialen hetzelfde of verschillend zijn.

17. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij ten minste een van de eerste en tweede materiaal negatief gedoteerd is en/of ten minste een ander van de eerste en tweede materialen positief gedoteerd is.

18. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij het membraan een elektrode omvat die geconfigureerd is om toepassing van een elektrische spanning op het membraan mogelijk te maken.

19. Membraan volgens conclusie 18, waarbij de elektrode zodanig ingericht is op het membraan dat de elektrische spanning nog een ander elektrisch veld opwekt dat zich uitstrekt in een richting loodrecht op de eerste laag en/of de tweede laag.

20. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij het membraan een derde laag omvat die een derde materiaal omvat.

21. Membraan volgens conclusie 20, waarbij het derde materiaal een metaal zoals Zirkonium, Molybdeen en/of Ruthenium omvat.

22. Membraan volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij ten minste een van de eerste en tweede materialen een fluorescerend doteermateriaal omvat.

23. Optisch, voor EUV-straling transparant membraan voor gebruik in of met een lithografische inrichting, waarbij het membraan een halfgeleidermateriaal omvat, waarbij het halfgeleidermateriaal een doteermateriaal omvat, waarbij een concentratie van het doteermateriaal zodanig geselecteerd is dat een elektrisch veld opgewekt wordt in het membraan.

24. Membraan volgens conclusie 23, waarbij de concentratie van het doteermateriaal niet-uniform is in het halfgeleidermateriaal en/of een doteergradiënt in het halfgeleidermateriaal definieert.

25. Membraan volgens conclusie 23 of 24, waarbij een eerste deel of zijde van het membraan een eerste concentratie van het doteermateriaal omvat en een tweede deel of zijde van het membraan een tweede concentratie van het doteermateriaal omvat, waarbij de eerste concentratie van het doteermateriaal hoger is dan de tweede concentratie van het doteermateriaal.

26. Membraan volgens een van de conclusies 23 tot en met 25, waarbij de concentratie van het doteermateriaal geselecteerd is om in het halfgeleidermateriaal te variëren tussen 1022cm3 en 10l4cm3.

27. Membraan volgens een van de conclusies 23 tot en met 26, waarbij de concentratie van het doteermateriaal zodanig geselecteerd is dat het opgewekte elektrische veld ongeveer of groter dan 107 V/m is.

28. Membraan volgens een van de conclusies 23 tot en met 27, waarbij de concentratie van het doteermateriaal zodanig geselecteerd is dat het opgewekte elektrische veld een scheiding veroorzaakt van ladingdragers die gegenereerd worden tijdens bestraling van het membraan met straling.

29. Membraan volgens een van de conclusies 23 tot en met 28, waarbij de concentratie van het doteermateriaal zodanig geselecteerd is dat het opgewekte elektrische veld een opeenhoping van de gegenereerde ladingdragers veroorzaakt op of bij tegenoverliggende membraanzijden.

30. Membraan volgens conclusie 28 of 29, waarbij de scheiding en/of opeenhoping van de gegenereerde ladingdragers een ander elektrisch veld opwekt.

31. Membraan volgens een van de conclusies 23 tot 30, waarbij het halfgeleidermateriaal ten minste een van ten minste een van kristallijn Silicium, polykristallijn Silicium, Siliciumcarbide, Siliciumnitride, grafeen en een I1I-V halfgeleidersamenstelling omvat.

32. Membraan volgens een van de conclusies 23 tot 31, waarbij het doteermateriaal ten minsteeen van Boor, Arsenicum, Antimonium en Fosfor omvat.

33. Membraan volgens een van de conclusies 1 tot en met 32, waarbij het membraan een dikte heeft van ongeveer 20 tot 80 nm.

34. Membraan volgens een van de conclusies 1 tot en met 33, waarbij het membraan transparant is voor straling met een golflengte in het bereik van 4-20 nm.

35. Werkwijze voor vervaardiging van een optisch, voor EUV-straling transparant membraan voor gebruik in of met een lithografische inrichting, waarbij de werkwijze omvat: het vormen van een eerste laag die een eerste materiaal omvat, en het vormen of verschaffen van een tw'eede laag die een tweede materiaal omvat, waarbij de eerste laag gevormd is op de tweede laag; waarbij de eerste en tweede materialen zodanig geselecteerd zijn dat een ruimteladingsgebied of depletiegebied gevormd wordt in het membraan, waarbij het ruimteladingsgebied of depletiegebied een elektrisch veld opwekt in het membraan.

36. Werkwijze voor het vervaardigen van een optisch, voor EUV-straling transparant membraan voor gebruik in of met een lithografische inrichting, waarbij de werkwijze omvat: het vormen of verschaffen van een halfgeleidermateriaal; en het doteren van het halfgeleidermateriaal met een doteermateriaal; waarbij een concentratie van het doteermateriaal zodanig wordt geselecteerd dat een elektrisch veld wordt opgewekt in het membraan.

37. Werkwijze volgens conclusie 35 of 36, waarbij het vervaardigde membraan een dikte heeft van ongeveer 20 to 80 nm.

38. Werkwijze volgens een van de conclusies 35 tot en met 37, waarbij het vervaardigde membraan transparant is voor straling met een golflengte in het bereik van 4-20 nm.

39. Systeem voor het reduceren van verwarming van een optisch membraan, waarbij het systeem omvat: een optisch membraan volgens een van de conclusies 1 tot en met 34; waarbij het systeem is geconfigureerd voor het verwijderen van ladingdragers uit het membraan, waarbij de ladingdragers gegenereerd worden tijdens bestraling van het membraan.

40. Systeem volgens conclusie 39, waarbij het systeem geconfigureerd is voor het verv-'ijderen van de gegenereerde ladingdragers uit een of meer omtrekdelen of een omtrek van het membraan.

41. Systeem volgens conclusie 39 of 40, waarbij het systeem geconfigureerd is om een koellichaam te verschaffen voor de gegenereerde ladingdragers.

42. Systeem volgens een van de conclusies 39 tot en met 41, waarbij het systeem geconfigureerd is om het optisch membraan kort te sluiten.

43. Systeem volgens een van de conclusies 39 tot en met 42, waarbij een eerste deel of zijde van het membraan is verbonden met een tweede deel of zijde van het membraan.

44. Systeem volgens conclusie 43, waarbij de eerste zijde en/of tweede omtrekzijden of delen elektrisch geaard zijn.

45. Systeem volgens conclusie 42 of 43, waarbij het eerste deel of zijde van het membraan verbonden is met het tweede deel of zijde van het membraan aan of nabij een omtrek van het membraan.

46. Systeem volgens een van de conclusies 39 tot en met 45, waarbij het systeem een belasting omvat, waarbij de belasting verbonden is met het membraan.

47. Systeem volgens conclusie 46, waarbij een weerstand van de belasting is geselecteerd op basis van ten minste een verdere eigenschap van het membraan, waarbij de ten minste ene verdere eigenschappen een velweerstand van het membraan omvat.

48. Systeem volgens conclusie 47, waarbij de weerstand van de belasting wordt geselecteerd om overeen te komen met de velweerstand van het membraan.

49. Een modelleerinrichting-samenstel voor gebruik met een lithografische inrichting, het samenstel omvattende: een modelleerinrichting; en een vlies omvattende een optisch membraan volgens een van de conclusies 1 tot en met 34 of een systeem voor het reduceren van verwarming van een optisch membraan volgens een van de conclusies 39 tot en met 48.

50. Lithografische inrichting, omvattende: een verlichtingssysteem dat is geconfigureerd om een stralingsbundel te conditioneren; een steunstructuur die is vervaardigd om een modelleerinrichting te ondersteunen, waarbij de modelleerinrichting in staat is om de stralingsbundel te voorzien van een patroon in de dwarsdoorsnede daarvan teneinde een gemodelleerde stralingsbundel te vormen; een substraattafel die vervaardigd is om een substraat vast te houden; een projectiesysteem dat is geconfigureerd om de gemodelleerde stralingsbundel te projecteren op het substraat; en een optisch membraan volgens een van de conclusies 1 tot en met 34, waarbij het membraan grenzend aan de substraattafel is ingericht; of een systeem voor het verminderen van verwarming van een optisch membraan volgens een van de conclusies 39 tot en met 48.

51. De inrichting volgens conclusie 50, omvattende een puin-matigende inrichting, ingericht om een gasstroom naar het substraat te richten, waarbij het membraan deel is van of omvat in de puin-matigende inrichting.

52, Werkwijze omvattende het projecteren van een gemodelleerde EUV stralenbundel op een substraat, waarbij de stralenbundel dooi' een optisch membraan volgens een van de conclusies 1 tot en met 34 gaat.

53. Gebruik van een optisch membraan volgens een van de conclusies I tot en met 34 in of met een lithografische inrichting.