NL1033468C2 - Device for recording an image comprising a surface coated with a getter, method of use. - Google Patents
Device for recording an image comprising a surface coated with a getter, method of use. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1033468C2 NL1033468C2 NL1033468A NL1033468A NL1033468C2 NL 1033468 C2 NL1033468 C2 NL 1033468C2 NL 1033468 A NL1033468 A NL 1033468A NL 1033468 A NL1033468 A NL 1033468A NL 1033468 C2 NL1033468 C2 NL 1033468C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- matrix
- housing
- photocathode
- getter
- zone
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 20
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 16
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 7
- 230000008447 perception Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 6
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 6
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/94—Selection of substances for gas fillings; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube, e.g. by gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
Inrichting voor het opnemen van een beeld bevattende een oppervlak bekleed met een getter, gebruikswerkwijzeDevice for recording an image comprising a surface coated with a getter, method of use
ALGEMEEN TECHNISCH GEBIEDGENERAL TECHNICAL FIELD
De uitvinding heeft betrekking op een behuizing bevattende een fotokathode verbonden met een elektrische 5 klem.The invention relates to a housing comprising a photocathode connected to an electrical clamp.
De uitvinding heeft tevens betrekking op een werkwijze voor het gebruik van de behuizing.The invention also relates to a method for using the housing.
STAND VAN DE TECHNIEKSTATE OF THE ART
1010
Inrichtingen voor het opnemen van een beeld met zwak belichtingsniveau zijn bekend.Devices for recording an image with low exposure level are known.
Een voorbeeld van een dergelijke inrichting wordt schematisch in Figuur 1 weergegeven.An example of such a device is shown schematically in Figure 1.
15 De inrichting bevat een objectief 2 dat fotonen 10, die afkomstig zijn van een scène, op een fotokathode 11 focusseert, die geplaatst is in een hermetische behuizing 25. De fotokathode 11 converteert de fotonen in elektronen 13. Deze laatste worden versneld in een kamer 20 12 van de behuizing 25 waar vacuüm heerst, en waar een potentiaalverschil met een absolute waarde V van meerdere honderden tot enkele duizenden volt aangelegd is. De versnelde elektronen 13 "bombarderen" in parallelle flux 1033468 ,1 2 de achterzijde van een matrix 14. Het elektrische veld dat aanwezig is in de kamer 12 is uniform in zijn nuttig deel en geeft aan elk van de uitgezonden en getransporteerde elektronen 12 een energie die evenredig is aan het ge-5 bruikte potentiaalverschil V tussen de fotokathode 11 en de achterzijde van de matrix 14.The device comprises an objective 2 which focuses photons 10 from a scene on a photocathode 11 which is placed in a hermetic housing 25. The photocathode 11 converts the photons into electrons 13. The latter are accelerated in a chamber 12 of the housing 25 where vacuum prevails, and where a potential difference with an absolute value V of several hundreds to several thousand volts is applied. The accelerated electrons 13 "bomb" in parallel flux 1033468, 12 the back of a matrix 14. The electric field present in the chamber 12 is uniform in its useful part and gives an energy to each of the emitted and transported electrons 12 which is proportional to the potential difference V used between the photocathode 11 and the back side of the matrix 14.
De matrix 14 bevat een dun gemaakte laag van silicium bevattende een zone 141 voor het vermenigvuldigen van elektronen. De energie opgeslagen in elk elektron 13 10 staat toe dat deze laatste, na binnengetreden te zijn in de achterzijde van de matrix 14, de vermenigvuldiging daarvan effectueert, geleidelijk door opeenvolgende schokken, te midden van het silicium van de zone 141. De laag van de matrix 14 bevat tevens een geleidingszone 148 15 geplaatst onder de zone 141 en geleidende de vermenigvuldigde elektronen naar een (volgens de Engelse vakterminologie) CMOS-diffusiezone 142. De matrix 14 vormt aldus een EBCMOS ("Electron Bombarded CMOS").The matrix 14 contains a thinned layer of silicon containing a zone 141 for multiplying electrons. The energy stored in each electron 13 allows the latter, after entering the rear of the matrix 14, to effect the multiplication thereof, gradually by successive shocks, amid the silicon of the zone 141. The layer of the matrix 14 also includes a conduction zone 148 disposed below zone 141 and conducting the multiplied electrons to a (according to English technical terminology) CMOS diffusion zone 142. The matrix 14 thus forms an EBCMOS ("Electron Bombarded CMOS").
Elk vermenigvuldigd elektron 13 wordt na door de 20 CMOS-zone 142 van de matrix 14 ingevangen te zijn, geconverteerd in een videosignaal 15.Each multiplied electron 13 is, after being captured by the CMOS zone 142 of the matrix 14, converted into a video signal 15.
De drie zones 141, 148 en 142 van de laag van de matrix zijn gedoteerd, waarbij de doteringsverdeling in elke zone verschillend is om verschillende eigenschappen 25 toe te staan (elektronenvermenigvuldiging, geleiding en diffusie).The three zones 141, 148 and 142 of the layer of the matrix are doped, the doping distribution being different in each zone to allow different properties (electron multiplication, conduction and diffusion).
De matrix 14 is in het algemeen bevestigd aan de behuizing 25 door middel van een ondersteuning 4. De over-drachtsrichting van de matrix 14 op de ondersteuning 4 is 30 gelijk aan de richting van het bombardement van de elektronen 13 op de matrix 14.The matrix 14 is generally attached to the housing 25 by means of a support 4. The transfer direction of the matrix 14 on the support 4 is equal to the direction of the bombardment of the electrons 13 on the matrix 14.
De inrichting volgens de stand van de techniek heeft nadelen.The device according to the prior art has disadvantages.
De fotokathode 11 wordt gerealiseerd door een 35 opeenvolging van lagen waarvan het samenstellen absorptie-eigenschappen voor deeltjes aanwezig in de kamer 12 vertoont. Bovendien verslechtert de fotokathode 11 door de 3 inslag van de deeltjes. Deze deeltjes kunnen bijvoorbeeld aanwezig zijn in de vorm van ionen uitgezonden door de matrix 14 als gevolg van het elektronenbombardement of deeltjes die vrijkomen uit elementen van de behuizing 25.The photocathode 11 is realized by a sequence of layers whose composition exhibits absorption properties for particles present in the chamber 12. Moreover, the photocathode 11 deteriorates due to the 3 impact of the particles. These particles can be present, for example, in the form of ions emitted by the matrix 14 as a result of the electron bombardment or particles released from elements of the housing 25.
5 Dit fenomeen wordt versterkt door de aanwezigheid van het elektrische veld in de werkende inrichting hetgeen het vrijkomen van ionen, die aanwezig zijn tussen de foto-kathode 11 en de matrix 14, met zich meebrengt wat verantwoordelijk is voor het merendeel van de verslechtering van 10 de fotokathode 11.This phenomenon is enhanced by the presence of the electric field in the operating device, which involves the release of ions present between the photocathode 11 and the matrix 14, which is responsible for the majority of the deterioration of 10 the photocathode 11.
PRESENTATIE VAN DE UITVINDINGPRESENTATION OF THE INVENTION
De uitvinding heeft als doel ten minste één van 15 deze nadelen op te heffen.The invention has for its object to eliminate at least one of these disadvantages.
Hiertoe wordt volgens de uitvinding een behuizing voorgesteld bevattende een fotokathode verbonden met een elektrische klem, met het kenmerk, dat deze ten minste één oppervlak bevat dat bekleed is met een getter verbonden met 20 een andere unieke elektrische klem.For this purpose, according to the invention, a housing is proposed comprising a photocathode connected to an electrical clamp, characterized in that it comprises at least one surface which is coated with a getter connected to another unique electrical clamp.
De uitvinding wordt op voordelige wijze gecompleteerd door de volgende maatregelen, die afzonderlijk of in welke technisch mogelijke combinatie dan ook aanwezig kunnen zijn: 25 - de behuizing bevat bovendien een matrix omvat tende een CMOS-diffusiezone tegenover de fotokathode, een ondersteuning voor de matrix, waarbij een oppervlak bekleed met een getter een oppervlak van de ondersteuning is; - het oppervlak is gebogen om gericht te zijn 30 naar een ruimte tussen de matrix en de fotokathode; - de behuizing omvat bovendien een deksel sluitende een opening van de behuizing, waarbij een oppervlak bekleed met een getter een oppervlak van het deksel is; - de behuizing omvat middelen geschikt voor het 35 polariseren van het oppervlak bekleed met een getter, voor het vormen van elektrische veldlijnen in de behuizing; - de behuizing omvat middelen geschikt voor het 4 polariseren van de fotokathode, voor het vormen van elektrische veldlijnen in de behuizing; - de matrix bevat een substraat voor het ondersteunen van de CMOS-diffusiezone, waarbij het ondersteu- 5 ningssubstraat een steunzijde bevat waarop de CMOS-diffu-siezone en ten minste één soldeercontact zijn aangebracht; - de ondersteuning bevat enerzijds een steunzijde omvattende ten minste één soldeerzone en anderzijds een uitmondopening, waarbij de soldeerzone aangebracht is 10 op de omtrek van de opening op de steunzijde, waarbij ten minste één soldeercontact op een soldeerzone gesoldeerd is.The invention is advantageously completed by the following measures, which may be present separately or in any technically possible combination: the housing furthermore comprises a matrix comprising a CMOS diffusion zone opposite the photocathode, a support for the matrix, wherein a surface coated with a getter is a surface of the support; the surface is bent to face a space between the matrix and the photocathode; the housing furthermore comprises a lid closing an opening of the housing, a surface coated with a getter being a surface of the lid; the housing comprises means suitable for polarizing the surface coated with a getter, for forming electric field lines in the housing; the housing comprises means suitable for polarizing the photocathode, for forming electric field lines in the housing; the matrix contains a substrate for supporting the CMOS diffusion zone, the support substrate comprising a support side on which the CMOS diffusion zone and at least one solder contact are arranged; the support comprises, on the one hand, a support side comprising at least one soldering zone and, on the other hand, a nozzle opening, wherein the soldering zone is arranged on the circumference of the opening on the supporting side, at least one soldering contact being soldered to a soldering zone.
De uitvinding heeft tevens betrekking op een werkwijze voor het gebruik van een dergelijke behuizing.The invention also relates to a method for using such a housing.
15 De uitvinding biedt talrijke voordelen.The invention offers numerous advantages.
Ze staat met name het reduceren toe van het aantal deeltjes dat met de fotokathode botst, wat de levensduur van de laatstgenoemde verlengt.In particular, it allows for the reduction of the number of particles that collide with the photocathode, which extends the life of the latter.
20 PRESENTATIE VAN DE TEKENINGEN20 PRESENTATION OF THE DRAWINGS
Andere kenmerken, doelen en voordelen van de uitvinding zullen blijken uit de volgende beschrijving, die louter illustratief en niet limitatief is, en die gelezen 25 dient te worden onder verwijzing naar de bijgaande tekeningen waarin: - Figuur 1, reeds genoemd, schematisch een bekende opneeminrichting representeert; - Figuren 2A en 2B schematisch een uitvoerings- 30 voorbeeld van een inrichting volgens de uitvinding representeren; - Figuren 3a tot 3j schematisch een eerste voorbeeld representeren van een werkwijze voor het vervaardigen van een matrix volgens de uitvinding; 3 5 - Figuren 4a tot 4j schematisch een tweede voor beeld van een werkwijze voor het vervaardigen van een matrix volgens de uitvinding representeren.Other features, objects and advantages of the invention will be apparent from the following description, which is merely illustrative and not limitative, and which is to be read with reference to the accompanying drawings in which: - Figure 1, already mentioned, schematically a known pick-up device represents; - Figures 2A and 2B schematically represent an exemplary embodiment of a device according to the invention; Figures 3a to 3j schematically represent a first example of a method for manufacturing a matrix according to the invention; Figures 4a to 4j schematically represent a second example of a method for manufacturing a matrix according to the invention.
55
In de figuren dragen gelijke elementen identieke verwij zingscij fers.In the figures, the same elements carry identical reference numerals.
GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING 5DETAILED DESCRIPTION 5
Figuren 2A en 2B representeren schematisch een hermetische behuizing 25 van een inrichting voor het opnemen van een beeld van een zwak belichtingsniveau, omvattende op klassieke wijze in principe een fotokathode 11, 10 die door een scène afgegeven fotonen converteert in elektronen. Deze laatste worden versneld in een kamer 12 van de behuizing 25 waar vacuüm heerst, en waar een potentiaalverschil met een absolute waarde V van meerdere honderden tot enkele duizenden volt aanwezig is. De versnelde elektronen 15 bombarderen in parallelle stroom de achterzijde van een massieve matrix 14 van een ondersteuning 4 om te worden getransformeerd in een videostroom.Figures 2A and 2B schematically represent a hermetic housing 25 of a device for recording an image of a weak exposure level, comprising in classical manner in principle a photocathode 11, 10 that converts photons emitted by a scene into electrons. The latter are accelerated in a chamber 12 of the housing 25 where vacuum prevails, and where a potential difference with an absolute value V of several hundreds to several thousand volts is present. The accelerated electrons 15 bomb the reverse side of a solid matrix 14 of a support 4 in parallel to be transformed into a video stream.
De matrix 14 bevat een zone 141 voor het vermenigvuldigen van elektronen, bij voorkeur omvattende sili-20 cium. Deze omvat tevens een CMOS-diffusiezone 142. Bovendien bevat deze een substraat 143 voor de ondersteuning van de CMOS-diffusiezone 142. De matrix 14 wordt ook EBCMOS ("Electron Bombarded CMOS") genoemd.The matrix 14 contains a zone 141 for multiplying electrons, preferably comprising silicon. It also includes a CMOS diffusion zone 142. In addition, it contains a substrate 143 for supporting the CMOS diffusion zone 142. The matrix 14 is also referred to as EBCMOS ("Electron Bombarded CMOS").
Het ondersteuningssubstraat 143 bevat een steun-25 zijde 1431 waarop de CMOS-diffusiezone 142 en ten minste één soldeercontact 3 zijn aangebracht.The support substrate 143 comprises a support side 1431 on which the CMOS diffusion zone 142 and at least one solder contact 3 are arranged.
Ten minste één afmeting van de steunzijde 1431 is groter dan de grootste afmeting van de CMOS-diffusiezone 142. Bij voorkeur is het oppervlak van de steunzijde 1431 30 groter dan het oppervlak van de zone 142, waarbij ten minste twee afmetingen van de steunzijde 1431 groter zijn dan de afmetingen van de zone 142. De CMOS-diffusiezone 142 is bij voorkeur in hoofdzaak in een centrale positie van de steunzijde 1431 gepositioneerd, waarbij ten minste één 35 contact 3 gedeeltelijk in omtreksrichting van de zijde 1431 tegenover de CMOS-diffusiezone 142 is aangebracht.At least one dimension of the support side 1431 is larger than the largest dimension of the CMOS diffusion zone 142. Preferably, the surface of the support side 1431 is larger than the surface of the zone 142, at least two dimensions of the support side 1431 being larger are then the dimensions of the zone 142. The CMOS diffusion zone 142 is preferably positioned substantially in a central position of the support side 1431, wherein at least one contact 3 is partially opposite the CMOS diffusion zone 142 in the circumferential direction of the side 1431. applied.
De ondersteuning 4 bevat enerzijds een steunzijde 6 46 omvattende ten minste één soldeerzone 47 en anderzijds een uitmondopening 45.The support 4 comprises on the one hand a support side 6 46 comprising at least one soldering zone 47 and on the other hand a nozzle opening 45.
De soldeerzone 47 is op de steunzijde 46 aangebracht op de omtrek van de opening 45.The soldering zone 47 is arranged on the support side 46 on the circumference of the opening 45.
5 De soldeercontacten 3 worden gesoldeerd op de corresponderende soldeerzones 47. De overdrachtsrichting van de matrix 14 op de ondersteuning 4 is tegengesteld aan de bombarderingsrichting van de elektronen op de matrix 14.The solder contacts 3 are soldered to the corresponding solder zones 47. The transfer direction of the matrix 14 on the support 4 is opposite to the direction of bombardment of the electrons on the matrix 14.
De posities van de ondersteuning 4 in de behui-10 zing 25, de opening 45 tegenover de steunzijde 46 en de soldeerplekken tussen de contacten 3 en de soldeerzones 47 zijn zodanig dat de matrix 14 loodrecht op de fotokathode 11 is geplaatst. Ten minste één afmeting van de rechte doorsnede van de opening 45 is groter dan de grootste 15 afmeting van de CMOS-diffusiezone 142 en de zone 141, het elektronische beeld afgegeven door de fotokathode 11 bombardeert aldus de vermenigvuldigingszone 141 via de opening 45.The positions of the support 4 in the housing 25, the opening 45 opposite the support side 46 and the soldering spots between the contacts 3 and the soldering zones 47 are such that the matrix 14 is placed perpendicular to the photocathode 11. At least one dimension of the straight cross-section of the aperture 45 is larger than the largest dimension of the CMOS diffusion zone 142 and the zone 141, thus the electronic image output from the photocathode 11 bombards the multiplication zone 141 through the aperture 45.
De overdracht smodus van de matrix 14 op de onder-20 steuning 4 staat toe dat automatisch een nauwkeurige positionering wordt verkregen, tijdens het omsmelten van de soldeercontacten 3, door de speling van de moleculaire cohesiekrachten van het soldeer in vloeibare toestand.The transfer mode of the matrix 14 to the support 4 allows accurate positioning to be automatically obtained, during the melting of the solder contacts 3, by the play of the molecular cohesive forces of the solder in the liquid state.
De ondersteuning 4 is op voordelige wijze van 25 keramisch materiaal. Het keramische materiaal wordt gebruikt vanwege zijn elektrisch isolerende eigenschappen, luchtdichtheid, compatibiliteit met een verbindbaarheid van de zone 142 met elektrische interfaceklemmen, goede dimen-sionele stabiliteit met het silicium van de matrix 14, 30 goede thermische geleidbaarheid voor het koelen van de matrix 14.The support 4 is advantageously made of ceramic material. The ceramic material is used because of its electrically insulating properties, airtightness, compatibility with the connectivity of the zone 142 with electrical interface terminals, good dimensional stability with the silicon of the matrix 14, good thermal conductivity for cooling the matrix 14.
De behuizing 25 bevat bovendien een lichaam 250 waarin de ondersteuning 4 bevestigd is. Het lichaam 250 is op voordelige wijze van keramisch materiaal, vanwege de-35 zelfde redenen als voor de ondersteuning 4. In een variant van de beschreven uitvoering vormen de ondersteuning en het lichaam 250 slechts een enkel stuk.The housing 25 furthermore comprises a body 250 in which the support 4 is mounted. The body 250 is advantageously made of ceramic material, for the same reasons as for the support 4. In a variant of the described embodiment, the support and the body 250 form only a single piece.
77
Het lichaam 250 en/of de ondersteuning 4 omvatten elektrische verbindingsklemmen 44 en 42 voor de fotokathode 11 en de matrix 14 met verbindingspennen van de behuizing 25. Aldus is ten minste één contact 3 geschikt om een 5 elektrische verbinding tot stand te brengen tussen de CMOS-diffusiezone 142 en een klem 42 van de ondersteuning 4, via een soldeerzone 47.The body 250 and / or the support 4 comprise electrical connection terminals 44 and 42 for the photocathode 11 and the matrix 14 with connection pins of the housing 25. Thus, at least one contact 3 is suitable for establishing an electrical connection between the CMOS diffusion zone 142 and a clamp 42 of the support 4, via a soldering zone 47.
Vanwege de afwezigheid van draadverbindingen vormt het solderen van de contacten 3 op de soldeerzones 47 10 een mechanisch samenstel en een elektrische verbinding waar de ontgassing van de deeltjes minimaal is. Bovendien bevat de behuizing 25 geen enkel organisch product dat gevoelig is voor het losmaken van deeltjes in het onder vacuüm staande volume.Due to the absence of wire connections, the soldering of the contacts 3 on the soldering zones 47 forms a mechanical assembly and an electrical connection where the degassing of the particles is minimal. Moreover, the housing 25 does not contain any organic product that is sensitive to the release of particles in the vacuum volume.
15 De behuizing 25 bevat bovendien een venster 20 en een deksel 6.The housing 25 furthermore comprises a window 20 and a cover 6.
Het venster 2 0 en het deksel 6 worden op het lichaam 250 gesoldeerd om een hermetische afsluiting te garanderen die geen ontgassing produceert.The window 20 and the cover 6 are soldered to the body 250 to ensure a hermetic seal that produces no degassing.
20 Bij voorkeur bevat de behuizing 25 ten minste één oppervlak 48, 49 of 60 bekleed met een getter. Elk opper vlak 48, 49 of 60 dat een getter bevat is zodanig geplaatst dat deze statisch de voortplanting van deeltjes of ionen afgegeven door het elektronenbombardement van de matrix 14 25 naar het volume 12 naar de fotokathode 11 verhindert.Preferably, the housing 25 comprises at least one surface 48, 49 or 60 coated with a getter. Each surface 48, 49 or 60 containing a getter is positioned so as to statically prevent the propagation of particles or ions emitted by the electron bombardment from the matrix 14 to the volume 12 to the photocathode 11.
Het oppervlak 48 correspondeert met het oppervlak van de ondersteuning 4 tegenover de steunzijde 46.The surface 48 corresponds to the surface of the support 4 opposite the support side 46.
Het venster 20 ondersteunt de fotokathode 11. Een opneemgebied voor het venster 20 wordt aangebracht in de 30 behuizing 25. Dit bevat een metallisatie individueel verbonden met de elektrische interfaceklem 44 van de behuizing 25, waarbij de klem 44 aldus met de fotokathode 11 is verbonden. Ze is bedekt met soldeer van zeer lage temperatuur om de hermetische dichtsluiting van het venster 20 op 3 5 de behuizing 20 toe te staan zonder verslechtering van de fotokathode 11.The window 20 supports the photocathode 11. A recording area for the window 20 is provided in the housing 25. This comprises a metallization individually connected to the electrical interface terminal 44 of the housing 25, the terminal 44 thus being connected to the photocathode 11. It is covered with very low temperature solder to allow the hermetic seal of the window 20 on the housing 20 without deterioration of the photocathode 11.
Het oppervlak 4 9 bekleed met een getter is ge- 8 plaatst op het oppervlak van het venster 20, met uitzondering van het deel loodrecht op de zones 141 en 142.The surface 49 coated with a getter 8 is placed on the surface of the window 20, with the exception of the part perpendicular to the zones 141 and 142.
Het deksel 6 is bij voorkeur van keramiek en sluit een opening van de behuizing 25. Het deksel 6 is 5 geplaatst bij een uiteinde tegenover het venster 20 op de behuizing. Het bevat bovendien het oppervlak 60 opgebouwd uit een getterafzetting 60 op de binnenzijde van de behuizing 60. De getter is elektrisch verbonden met een gemetalliseerd gebied van de behuizing wat de continuïteit tot aan 10 de elektrische klem 41 van de interface garandeert. De klem 41 is uniek en verschillend van de klem 44 om het oppervlak 60 te kunnen polariseren zonder stroomcirculatie of verwarming van de getter 60.The cover 6 is preferably made of ceramic and closes an opening of the housing 25. The cover 6 is placed at an end opposite the window 20 on the housing. It furthermore comprises the surface 60 constructed from a getter deposit 60 on the inside of the housing 60. The getter is electrically connected to a metallized area of the housing which ensures continuity up to the electrical terminal 41 of the interface. The terminal 41 is unique and different from the terminal 44 in order to be able to polarize the surface 60 without current circulation or heating of the getter 60.
Het feit dat het oppervlak 60 een groot oppervlak 15 op het deksel 6 bedekt staat het verbeteren van het vacuüm toe, wat niet mogelijk is met de overdracht van de matrix in de bekende behuizing.The fact that the surface 60 covers a large surface 15 on the lid 6 permits the improvement of the vacuum, which is not possible with the transfer of the matrix in the known housing.
Op voordelige wijze is een oppervlak 48, 49 of 60 bekleed met getter respectievelijk individueel verbonden 20 met een elektrische klem 43, 44 of 41.Advantageously, a surface 48, 49 or 60 is coated with getter or individually connected to an electrical terminal 43, 44 or 41, respectively.
Er is geen stroomcirculatie noch verwarming in de oppervlakken 48, 49 of 60.There is no current circulation or heating in the surfaces 48, 49 or 60.
Hier wordt de rol van de verbinding van de oppervlakken 48, 49 of 60 aan de respectieve klemmen 43, 44 of 25 41 uitgelegd.Here the role of the connection of the surfaces 48, 49 or 60 to the respective terminals 43, 44 or 41 is explained.
In de behuizing 25 zijn de fotokathode 11 en het oppervlak 49 verbonden met een elektrische klem 44.In the housing 25, the photocathode 11 and the surface 49 are connected to an electrical terminal 44.
Het met een getter beklede oppervlak 48 is op zijn beurt verbonden met een andere unieke elektrische klem 3 0 43 en het met een getter beklede oppervlak 60 is met een andere unieke klem 41 verbonden.The getter coated surface 48 is in turn connected to another unique electrical terminal 43 and the getter coated surface 60 is connected to another unique terminal 41.
Het met een getter beklede oppervlak 48 is een oppervlak van de ondersteuning 4. Zoals in Figuur 2 is getoond, is het oppervlak 48 bij voorkeur gebogen om ge-35 richt te zijn naar de kamer 12 tussen de fotokathode en de matrix 14.The getter-coated surface 48 is a surface of the support 4. As shown in Figure 2, the surface 48 is preferably bent to face the chamber 12 between the photocathode and the matrix 14.
Het met een getter beklede oppervlak 60 is een 9 oppervlak van het deksel 6 dat de opening van de behuizing 25 sluit.The getter-coated surface 60 is a 9 surface of the cover 6 that closes the opening of the housing 25.
Gedurende een waarnemingsfase van een scène door de inrichting wordt de fotokathode 11 negatief ten opzichte 5 van de matrix 14 gepolariseerd, door middel van polarisa-tiemiddelen 440. De polarisatie is, zoals gezegd, in de orde van meerdere honderden tot enkele kilovolt en staat het bombardement van elektronen op de matrix 14 toe.During an observation phase of a scene through the device, the photocathode 11 is polarized negatively with respect to the matrix 14, by means of polarization means 440. The polarization is, as stated, of the order of several hundred to a few kilovolts and it is bombardment of electrons on the matrix 14.
Zoals getoond in Figuur 2B bevat de behuizing 25 10 middelen 410 en 430 die geschikt zijn voor het polariseren van de met getter beklede oppervlakken 48 en/of 60 voor het vormen van elektrische veldlijnen in de behuizing 25.As shown in Figure 2B, the housing 25 comprises means 410 and 430 suitable for polarizing the getter-coated surfaces 48 and / or 60 for forming electric field lines in the housing 25.
Aldus wordt tijdens een fase van niet waarneming van de scène het met een getter beklede oppervlak 48 en/of 15 60 negatief gepolariseerd ten opzichte van de matrix 14 en de fotokathode 11, door middel van polarisatiemiddelen 430 en 410. De matrix 14 en de fotokathode 11 hebben bijvoorbeeld een potentiaal 0.Thus, during a phase of non-perception of the scene, the surface 48 and / or 60 coated with a getter is negatively polarized with respect to the matrix 14 and the photocathode 11, by means of polarizing means 430 and 410. The matrix 14 and the photocathode 11 have, for example, a potential 0.
De op de oppervlakken 48 en 60 aangelegde polari-20 satie staat een neerslag van ionen die aanwezig zijn in de behuizing 25 op de genoemde oppervlakken toe, aldus op statische wijze verhinderende dat de ionen de fotokathode 11 bereiken, de verslechtering daarvan veroorzakend.The polarization applied to the surfaces 48 and 60 permits a precipitation of ions present in the housing 25 on the said surfaces, thus statically preventing the ions from reaching the photocathode 11, causing their deterioration.
De plaatsing van de oppervlakken 48 en 60 wordt 25 zodanig uitgevoerd dat de laatste statisch de voortplanting van ionen naar de kamer 12 verhinderenThe placement of the surfaces 48 and 60 is carried out in such a way that the latter statically prevent the propagation of ions to the chamber 12
Om deze reden bedekt het oppervlak 60 het gehele deksel 6. De zone tegenover het oppervlak 60 is bestemd om het pompen van het hoofdvolume bepaald door de bodem van de 30 behuizing te garanderen. Opgemerkt dient te worden dat een groot intern hoofdvolume het handhaven van een laag vacuüm in de behuizing bevordert, trouwens in de limiet van afme-tingbeperkingen en dichtheid van de inrichting.For this reason, the surface 60 covers the entire lid 6. The zone opposite the surface 60 is intended to ensure pumping of the main volume determined by the bottom of the housing. It should be noted that a large internal main volume promotes the maintenance of a low vacuum in the housing, moreover, in the limit of size limitations and device density.
Bovendien zijn het oppervlak 48 en de ondersteu-35 ning zelf gebogen. De veldlijnen komende uit het oppervlak 4 8 richten zich enerzijds naar het oppervlak 4 9 en anderzijds naar de matrix 14. De zone tegenover het oppervlak 48 10 is bestemd om een aanvullend pompen te garanderen dat zich statistisch gedraagt als een invangblokkering voor rest-ionen die kunnen komen uit de zone van het hoofdvolume, alsmede als een poolaantrekking voor al het superieure 5 volume gevangen tussen de ondersteuning 4 en het venster 20 dat de fotokathode 11 ondersteunt.In addition, the surface 48 and the support itself are curved. The field lines coming from the surface 48 are directed on the one hand to the surface 49 and on the other hand to the matrix 14. The zone opposite the surface 48 is intended to guarantee an additional pumping that behaves statistically as a capture block for residual ions that may come from the main volume zone, as well as a pole attraction for all the superior volume trapped between the support 4 and the window 20 that supports the photocathode 11.
Het is niet nodig dat de polarisatie van de oppervlakken 48 en/of 60 gedurende een fase van het niet waarnemen van een scène nauwkeurig wordt gegenereerd. 10 Bovendien is ruis gesuperponeerd op de polarisatie niet hinderlijk. Tot slot is het functionele debiet quasi nul, daar deze te wijten is aan enkele invangingen van ionen wanneer deze dissociëren aan wanden, en beïnvloedt niet de autonomie van de draagbare inrichting die functioneert op 15 het opgenomen opslagelement, zoals een batterij.It is not necessary for the polarization of the surfaces 48 and / or 60 to be accurately generated during a scene non-perception phase. Moreover, noise superimposed on the polarization is not a nuisance. Finally, the functional flow rate is virtually zero, as it is due to some entrapments of ions when dissociating on walls, and does not affect the autonomy of the portable device that functions on the included storage element, such as a battery.
Op voordelige wijze wordt gedurende een waarneem-fase het oppervlak 48 en/of het oppervlak 60 bekleed met een getter, negatief ten opzichte van de matrix 14 en/of de fotokathode 11 gepolariseerd, door middel van polarisatie-20 middelen 430 of 410. De oppervlakken 48 en 60 blijven aldus hun effect als beschermer gedurende de waarneemfase uitoefenen.Advantageously, during a sensing phase, the surface 48 and / or the surface 60 is coated with a getter, polarized negatively with respect to the matrix 14 and / or the photocathode 11, by polarization means 430 or 410. The surfaces 48 and 60 thus continue to exert their effect as protector during the observation phase.
Men kan aldus het oppervlak 60 polariseren met bijvoorbeeld een waarde van -100 V ten opzichte van de 25 matrix 14.It is thus possible to polarize the surface 60 with, for example, a value of -100 V relative to the matrix 14.
Bij voorkeur is de absolute waarde van de potentiaal van de polarisatie van het oppervlak 48 groter dan of gelijk aan de absolute waarde van de potentiaal van de polarisatie van de fotokathode 11. Aldus voor een verschil 30 van de potentialen in de orde van -2 kV tussen de kathode 11 en de matrix 14 kan het oppervlak 48 een potentiaal van bijvoorbeeld -2,1 kV hebben.Preferably, the absolute value of the potential of the polarization of the surface 48 is greater than or equal to the absolute value of the potential of the polarization of the photocathode 11. Thus for a difference 30 of the potentials in the order of -2 kV between the cathode 11 and the matrix 14, the surface 48 can have a potential of, for example, -2.1 kV.
Eveneens de voorkeur hebbend zijn de middelen 440 geschikt voor het gedurende een fase van niet waarnemen van 35 een scène door de inrichting positief ten opzichte van de matrix 14 polariseren van de fotokathode 11. De positieve polarisatie provoceert een lichte afstoting van ionen die 11 afkomstig kunnen zijn van het oppervlak van de matrix 14 tegenover de fotokathode 11. De waarde van de aanvullende polarisatie die nodig is kan klein zijn in vergelijking met die welke aangelegd is op de oppervlakken 48 en 60 en niet 5 hun functioneringswijze veranderen.Also preferred are the means 440 capable of positively polarizing the photocathode 11 with respect to a matrix 14 during a non-perception phase of the device. The positive polarization provokes a slight rejection of ions that may be 11 are from the surface of the matrix 14 opposite the photocathode 11. The value of the additional polarization required may be small in comparison to that applied to the surfaces 48 and 60 and not change their mode of operation.
De opening van de behuizing 2 5 dient voor het inbrengen van de matrix 14 voor zijn overdracht op de ondersteuning 4, door een soldeerbewerking, die dezelfde kan zijn als die voor het afdichten van het deksel 6.The opening of the housing 2 serves to insert the matrix 14 for its transfer to the support 4, by a soldering operation, which can be the same as that for sealing the cover 6.
10 De volumes 7 die worden gecreëerd door het samen stel tussen enerzijds de behuizing 25 en het deksel 6 en anderzijds de behuizing 25 en het venster 20 worden gevuld door een hoogspanningsisolerende samenstelling voor het beschermen van de geleidende delen die onderworpen worden 15 aan hoogspanning. De isolerende samenstelling verstart aldus de leklijnen tot een minimum als functie van de tijd, parasitaire afzettingen en vochtigheid.The volumes 7 created by the assembly between on the one hand the housing 25 and the cover 6 and on the other hand the housing 25 and the window 20 are filled by a high-voltage insulating composition for protecting the conductive parts that are subjected to high voltage. The insulating composition thus clogs the leakage lines to a minimum as a function of time, parasitic deposits and humidity.
Het aantal en het oppervlak van de soldeercontac-ten 3 tussen de matrix 14 en de behuizing 25 worden niet 20 alleen gedefinieerd door het elektrisch functionele criterium maar ook op belangrijke manier door de functie van het koelen van het circuit. In dat opzicht voorziet men een inrichting van contacten rond de omtrek van de matrix 14 om een voldoend zwakke thermische weerstand te garanderen voor 25 de stroming van thermische flux en het houden van de matrix 14 in het gebied van normale functioneringstemperaturen. Met andere woorden, er zijn zoveel contacten aanwezig als elektrisch of mechanisch noodzakelijk.The number and surface area of the soldering contacts 3 between the matrix 14 and the housing 25 are not only defined by the electrically functional criterion but also in an important way by the function of cooling the circuit. In that regard, a device is provided with contacts around the circumference of the matrix 14 to ensure a sufficiently weak thermal resistance for the flow of thermal flux and keeping the matrix 14 in the range of normal operating temperatures. In other words, there are as many contacts present as electrical or mechanical necessary.
Op thermisch gebied is het voordelig om de im-30 plantatie van elektronische circuits op het silicium van de matrix 14 te definiëren, en wel op zodanige manier dat de circuits die de meeste energie verbruiken - en die het meest worden verwarmd - het dichtst bij de contacten 3 1iggen.In the thermal field, it is advantageous to define the implantation of electronic circuits on the silicon of the matrix 14 in such a way that the circuits that use the most energy - and are heated most - are closest to the contacts 3 are located.
35 De hierna volgende uiteenzetting heeft betrekking op de beschrijving van een werkwijze voor het vervaardigen van een matrix 14 omvattende een CMOS-diffusiezone 142 van 12 complementaire metaaloxide.The following explanation relates to the description of a method for manufacturing a matrix 14 comprising a CMOS diffusion zone 142 of 12 complementary metal oxide.
Twee voorbeelden van werkwijzen kunnen worden gebruikt voor het verkrijgen van de EBCMOS-matrix 14 in de vorm die compatibel is met de eerder beschreven behuizing 5 25.Two examples of methods can be used to obtain the EBCMOS matrix 14 in the form that is compatible with the previously described housing 5.
Het gaat in de eerste plaats over een werkwijze die gebruik maakt van volumesilicium op isolatiemateriaal of BSOI ("Bulk Silicon On Insulator" in de Engelse taal), met, zoals men zal zien een moleculair samenstellen, een 10 implantatie van de achterzijde, een gravure van diepe verbindingsgaten en groeien van contacten (zie Figuren 3a -3f) .It is primarily about a method that uses volume silicon on insulation material or BSOI ("Bulk Silicon On Insulator" in the English language), with, as will be seen, a molecular assembly, an implantation of the back, an engraving of deep connection holes and growing of contacts (see Figures 3a -3f).
In de tweede plaats gaat het over een werkwijze die gebruik maakt van BSOI met, zoals men zal zien, een 15 voorafgaande epitaxie, een moleculair samenstellen, een gravure van diepe verbindingsgaten en groeien van contacten (zie Figuren 4a - 4j) .Secondly, it is about a method that uses BSOI with, as will be seen, a preceding epitaxy, a molecular assembly, an engraving of deep connection holes and growing of contacts (see Figures 4a - 4j).
EERSTE WERKWIJZEVOORBEELDFIRST METHOD EXAMPLE
2020
Figuur 3a toont een stap volgens welke twee substraten W1 en W2 van silicium recht op elkaar worden geplaatst.Figure 3a shows a step according to which two silicon substrates W1 and W2 are placed straight on top of each other.
Figuur 3b toont dat de twee substraten W1 en W2 25 een moleculair samenstellen en een stabilisatie ondergaan.Figure 3b shows that the two substrates W1 and W2 form a molecular assembly and undergo a stabilization.
Tijdens de stap van Figuur 3c ondergaat één van de substraten (Wl) een verdunning.During the step of Figure 3c, one of the substrates (W1) undergoes a dilution.
Tijdens de stap van Figuur 3d ondergaat het verdunde substraat Wl een klassieke BSOI inkisting ('cais-30 sonnage') als gevolg van oxides.During the step of Figure 3d, the diluted substrate W1 undergoes a classical BSOI formwork ('cais-30 sonnage') due to oxides.
Tijdens de stap van Figuur 3e vormt men in het ingekiste substraat Wl verbindingen, transistors en gebieden 30 voor het opnemen van contacten.During the step of Figure 3d, connections, transistors and areas 30 for receiving contacts are formed in the encased substrate W1.
De Figuren 3 a tot 3e representeren aldus op 35 schematische wijze wat de vakman een CMOS BSOI werkwijze noemt, waarin de laatste stap van Figuur 3e een aanvullende finale vlakmaking bevat tot op het laatste metaalniveau.Figures 3a to 3e thus schematically represent what the person skilled in the art calls a CMOS BSOI method, in which the final step of Figure 3d contains an additional final flattening up to the last metal level.
1313
Men vormt aldus in W1 de CMOS-diffusezone 142 van complementair metaaloxide.Thus, in W1, the CMOS diffuse zone 142 of complementary metal oxide is formed.
De stap van Figuur 3f bestaat uit het maken van een moleculair samenstel met een relaissubstraat dat het 5 substraat 143 van de ondersteuning vormt, met name de CMOS-dif fusiezone 142.The step of Figure 3f consists of making a molecular assembly with a relay substrate that forms the substrate 143 of the support, in particular the CMOS-diffusion zone 142.
De stap van Figuur 3g bestaat uit het effectueren van een verdunning van het substraat W2 om slechts de BSOI-zone 142 over te laten en de oxidelaag op te heffen die de 10 natuurlijke bodem van de BSOI-inkisting vormt.The step of Figure 3g consists of effecting a dilution of the substrate W2 so as to leave only the BSOI zone 142 and eliminate the oxide layer that forms the natural bottom of the BSOI formwork.
De stap van Figuur 3h bestaat uit het effectueren van een implantatie van de ingangslaag van de EBCMOS-matrix voor het vormen van de zone 141, en uit het effectueren van een lasergloeiing voor het activeren van de implantatie en 15 voor het daaraan geven van een goed invoegrendement voor de gebombardeerde elektronen. De lasergloeiing veroorzaakt geen merkbare verslechtering van de CMOS-zone 142 van de matrix daar de hoge temperatuur die noodzakelijk is voor de activering zeer oppervlakkig blijft.The step of Figure 3h consists of effecting an implantation of the input layer of the EBCMOS matrix to form the zone 141, and of effecting a laser annealing to activate the implantation and to give a good to it insertion efficiency for the bombarded electrons. The laser annealing causes no noticeable deterioration of the CMOS zone 142 of the matrix since the high temperature required for activation remains very superficial.
2 0 De stap van Figuur 3i bestaat uit het laten verschijnen van het eerste metaalniveau van de geïmplanteerde opneemgebieden 30 in de EBCMOS-matrix door middel van een diepe gravure.The step of Figure 3i consists in making the first metal level of the implanted recording regions 30 appear in the EBCMOS matrix by means of a deep engraving.
De stap van Figuur 3j bestaat uit het effectueren 25 van het groeien van de soldeercontacten 3 die dienen voor de overdrachtsbewerking van de matrix 14 op de ondersteuning 4 .The step of Figure 3j consists of effecting the growth of the solder contacts 3 which serve for the transfer operation of the matrix 14 on the support 4.
30 TWEEDE WERKWIJZEVOORBEELD30 SECOND METHOD EXAMPLE
Figuur 4a toont een stap volgens welke een onder-steuningssubstraat W1 voor een CMOS BSOI werkwijze voorafgaand aan een epitaxie wordt onderworpen met hetzelfde 35 doteermiddel dat dient voor de elektroneningangslaag.Figure 4a shows a step according to which a support substrate W1 for a CMOS BSOI method is subjected to an epitaxy prior to epitaxy with the same dopant that serves the electron input layer.
Figuur 4b toont een stap volgens welke een tweede siliciumsubstraat W2 recht boven het substraat W1 wordt 14 geplaatst.Figure 4b shows a step according to which a second silicon substrate W2 is placed directly above the substrate W1.
Tijdens de stap van Figuur 4c ondergaan de twee substraten W1 en W2 een moleculaire samenstelling en een stabilisatie.During the step of Figure 4c, the two substrates W1 and W2 undergo a molecular composition and a stabilization.
5 Tijdens de stap van Figuur 4d ondergaat het substraat W1 een verdunning.During the step of Figure 4d, the substrate W1 undergoes a dilution.
Tijdens de stap van Figuur 4 e ondergaat het verdunde substraat W1 een klassieke BSOI-inkisting als gevolg van oxides.During the step of Figure 4e, the diluted substrate W1 undergoes a classical BSOI formwork due to oxides.
10 De stap van Figuur 4f bestaat uit het in het ingekiste substraat W1 vormen van verbindingen, transistors en gebieden 30 voor het opnemen van contacten. Aldus wordt de zone 142 van de EBCMOS-matrix gevormd.The step of Figure 4f consists of forming connections, transistors and areas 30 for receiving contacts in the encased substrate W1. Thus, the zone 142 of the EBCMOS matrix is formed.
De Figuren 4a tot 4f representeren aldus op 15 schematische wijze wat de vakman een CMOS BSOI werkwijze noemt. De stap van Figuur 4f bevat een aanvullende finale vlakmaking tot aan het niveau van het laatste metaal. Deze stap verschaft de zone 142 een betere geleiding van vermenigvuldigde elektronen naar de verzamelzone met het oog op 20 de productie van een videosignaal.Figures 4a to 4f thus represent schematically what the person skilled in the art calls a CMOS BSOI method. The step of Figure 4f contains an additional final flattening up to the level of the last metal. This step provides the zone 142 with a better conductivity of multiplied electrons to the collection zone with a view to producing a video signal.
De stap van Figuur 4g bestaat uit een moleculair samenstellen met een nieuw substraat 143 dat dient als ondersteuningssubstraat, met name voor de CMOS-diffusiezone 142 .The step of Figure 4g consists of a molecular assembly with a new substrate 143 that serves as a support substrate, in particular for the CMOS diffusion zone 142.
25 De stap van Figuur 4h bestaat uit het effectueren van een verdunning van W2 om alleen de actieve zone 142 van de matrix over te laten (met zijn aanvullende epitaxie). De verdunning maakt het tevens mogelijk de oxidelaag op te heffen die de natuurlijke bodem van de BSOI-inkisting vormt 30 en het implanteren van de ingangslaag van de EBCMOS-matrix voor het vormen van de vermenigvuldigingszone 141. Men effectueert bovendien een lasergloeiing voor het activeren van de implantatie om daaraan een goed invoegrendement voor gebombardeerde elektronen te geven. De lasergloeiing ver-35 oorzaakt geen merkbare verslechtering van de CMOS-zone 142 van de matrix, daar de hoge temperatuur die voor de activering nodig is zeer oppervlakkig blijft.The step of Figure 4h consists of effecting a dilution of W2 to leave only the active zone 142 of the matrix (with its additional epitaxy). The dilution also makes it possible to eliminate the oxide layer that forms the natural bottom of the BSOI form and to implant the entry layer of the EBCMOS matrix to form the multiplication zone 141. In addition, a laser annealing is activated to activate implantation to provide a good insertion efficiency for bombarded electrons. The laser annealing does not cause any noticeable deterioration of the CMOS zone 142 of the matrix, since the high temperature required for activation remains very superficial.
1515
De stap van Figuur 4i bestaat uit het laten verschijnen van het eerste metaalniveau van de gebieden 30 voor het opnemen van geïmplanteerde interfaces in de EBCMOS-matrix door middel van een diepe gravure.The step of Figure 4i consists of the appearance of the first metal level of the regions 30 for incorporating implanted interfaces into the EBCMOS matrix by means of a deep engraving.
5 De stap van Figuur 4j bestaat uit het effectueren van het groeien van soldeercontacten 3 die dienen voor de overdrachtsbewerking van de matrix 14 op zijn ondersteuning 4 .The step of Figure 4j consists of effecting the growth of solder contacts 3 that serve to transfer the matrix 14 onto its support 4.
Natuurlijk zijn eveneens andere werkwijzen moge-10 lijk. Bij wijze van indicatie worden hier twee andere werkwijzen gegeven die ook gebruikt kunnen worden.Of course, other methods are also possible. By way of indication, two other methods are given here which can also be used.
In een eerste variant gaat het om het gebruik van de CMOS SOI technologie. Deze verschilt van de BSOI technologie door het feit dat de dikte van het gedoteerde silici-15 umsubstraat W1 dat dient als basis voor het CMOS procédé wordt verkregen door regelmatige epitaxie op een substraat met geoxideerd oppervlak, en niet door een verdunning van een substraat W2 dat moleculair wordt samengesteld met een eerste substraat Wl. Als gevolg is de zone die beschikbaar 20 is voor de vermenigvuldigingszone 141 voor het EBCMOS-effect, fijner en is de onderlinge interactiecontrole van de twee zones 141 en 142 delicater.The first variant involves the use of the CMOS SOI technology. This differs from the BSOI technology in that the thickness of the doped silicon substrate W1 that serves as the basis for the CMOS process is obtained by regular epitaxy on an oxidized surface substrate, and not by a dilution of a substrate W2 that is molecularly assembled with a first substrate W1. As a result, the zone available for the multiplication zone 141 for the EBCMOS effect is finer and the mutual interaction control of the two zones 141 and 142 is more delicate.
Wanneer men de fase van het door epitaxie groeien veel langer maakt voor het verkrijgen van een diepte die 25 vergelijkbaar is met die welke normaal wordt bereikt in de BSOI werkwijze, worden de kosten hoog en is dit niet meer interessant ten opzichte van de BSOI werkwijze.If the phase of epitaxy growth is made much longer to obtain a depth comparable to that normally achieved in the BSOI method, the costs become high and this is no longer of interest compared to the BSOI method.
In een tweede variant effectueert men, zoals in het geval van BSOI, een aanvullende dotering gedurende het 30 begin van het groeien van de laag van het siliciumsubstraat van de CMOS werkwijze. De aanvullende dotering, uit te voeren met de smeltinrichting, vereist een toegepaste industriële werkwijze, en is moeilijk uit te voeren.In a second variant, as in the case of BSOI, an additional doping is effected during the start of the growth of the silicon substrate layer of the CMOS process. The additional doping, to be carried out with the melting device, requires an applied industrial process and is difficult to carry out.
1 0 33 4 681 0 33 4 68
Claims (11)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0601862A FR2898217B1 (en) | 2006-03-02 | 2006-03-02 | IMAGE CAPTURING DEVICE HAVING A GETTER COATED SURFACE, A METHOD OF USE |
| FR0601862 | 2006-03-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1033468A1 NL1033468A1 (en) | 2007-09-04 |
| NL1033468C2 true NL1033468C2 (en) | 2008-01-29 |
Family
ID=37067522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1033468A NL1033468C2 (en) | 2006-03-02 | 2007-02-28 | Device for recording an image comprising a surface coated with a getter, method of use. |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2898217B1 (en) |
| NL (1) | NL1033468C2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2968457B1 (en) * | 2010-12-07 | 2013-03-22 | Sagem Defense Securite | METHOD FOR MANUFACTURING AT LEAST ONE DETECTOR PIXEL CELL, SENSOR COMPRISING AT LEAST ONE SUCH CELL. |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048217A1 (en) * | 1999-02-12 | 2000-08-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cathode ray tube with getter assembly |
| EP1154457A1 (en) * | 1999-01-21 | 2001-11-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube |
| EP1333465A2 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-06 | Samsung SDI Co. Ltd. | Field emission display and manufacturing method thereof |
| US6670753B1 (en) * | 2000-07-19 | 2003-12-30 | Sony Corporation | Flat panel display with gettering material having potential of base, gate or focus plate |
-
2006
- 2006-03-02 FR FR0601862A patent/FR2898217B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-28 NL NL1033468A patent/NL1033468C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1154457A1 (en) * | 1999-01-21 | 2001-11-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube |
| WO2000048217A1 (en) * | 1999-02-12 | 2000-08-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cathode ray tube with getter assembly |
| US6670753B1 (en) * | 2000-07-19 | 2003-12-30 | Sony Corporation | Flat panel display with gettering material having potential of base, gate or focus plate |
| EP1333465A2 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-06 | Samsung SDI Co. Ltd. | Field emission display and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2898217B1 (en) | 2008-05-02 |
| FR2898217A1 (en) | 2007-09-07 |
| NL1033468A1 (en) | 2007-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ono et al. | Micro-discharge and electric breakdown in a micro-gap | |
| EP2797105B1 (en) | Detection of ions in an ion trap | |
| TW200302499A (en) | Emitter and method of making | |
| TW201029241A (en) | Select devices including an open volume, memory devices and systems including same, and methods for forming same | |
| JP2000048743A (en) | Plane image pick-up device, and its manufacture | |
| EP0673068A1 (en) | Overvoltage protection device in integrated circuits | |
| KR101793976B1 (en) | A manufacturing method of a transient semiconductor based on single-wall nanotubes | |
| NL1033468C2 (en) | Device for recording an image comprising a surface coated with a getter, method of use. | |
| KR20030064644A (en) | Electronic device having a getter used as a circuit element | |
| JP5724141B2 (en) | Electrostatic drive micromechanical switching device | |
| US7868403B1 (en) | Integrated MEMS resonator device | |
| US20090085432A1 (en) | Self-poling piezoelectric mems device | |
| NL1033467C2 (en) | Matrix, support and housing of an image recording device, corresponding manufacturing methods. | |
| TW548842B (en) | Emitter, integrated circuit, electronic device, and method for creating an emitter on an electron supply | |
| JP4419551B2 (en) | Electret condenser and manufacturing method thereof | |
| JP4411974B2 (en) | Manufacturing method of electronic device | |
| JP2005197151A5 (en) | ||
| EP2795670B1 (en) | Support comprising an electrostatic substrate holder | |
| KR20170008457A (en) | Rapidly disposable memory with water-soluble substrate and manufacturing method thereof | |
| Ng et al. | Charging/discharging of silicon nanocrystals embedded in an SiO2 matrix inducing reduction/recovery in the total capacitance and tunneling current | |
| WO2009011843A1 (en) | Etching/bonding chamber for encapsulated devices and method of use | |
| JP2004134144A (en) | Electron source, its manufacturing method, and flat image pickup element | |
| RU2821014C1 (en) | Method of forming a current-conducting element of an electric circuit on a dielectric substrate by single-step laser-induced direct transfer of a silver film | |
| King et al. | Field emission and atom probe field ion microscope studies of palladium‐silicide‐coated silicon emitters | |
| RU2769536C1 (en) | Method for electroforming in the manufacture of a memory element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AD1A | A request for search or an international type search has been filed | ||
| RD2N | Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report) |
Effective date: 20070924 |
|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20150901 |