NL1015155C2 - Elektronenstraallithografie. - Google Patents

Elektronenstraallithografie. Download PDF

Info

Publication number
NL1015155C2
NL1015155C2 NL1015155A NL1015155A NL1015155C2 NL 1015155 C2 NL1015155 C2 NL 1015155C2 NL 1015155 A NL1015155 A NL 1015155A NL 1015155 A NL1015155 A NL 1015155A NL 1015155 C2 NL1015155 C2 NL 1015155C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
row
controllable
bundles
beams
electrons
Prior art date
Application number
NL1015155A
Other languages
English (en)
Inventor
Pieter Willem Herman De Jager
Gerardus Johannes Verhaart
Quirinus Antonius Ge Vlimmeren
Original Assignee
Tno
Otb Group Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tno, Otb Group Bv filed Critical Tno
Priority to NL1015155A priority Critical patent/NL1015155C2/nl
Priority to KR1020027015137A priority patent/KR20030025226A/ko
Priority to US10/275,649 priority patent/US6835943B2/en
Priority to EP01926238A priority patent/EP1290685A1/en
Priority to AU2001252770A priority patent/AU2001252770A1/en
Priority to PCT/NL2001/000328 priority patent/WO2001086649A1/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1015155C2 publication Critical patent/NL1015155C2/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

Korte aanduiding: Elektronenstraallithografie
De uitvinding heeft betrekking op een elektronenstraal-1ithografische inrichting voor het vervaardigen van een masterschijf, 5 omvattend middelen voor het verplaatsen van de masterschijf, middelen voor het opwekken van een rij bundels elektronen en middelen voor het naar een spoor op de masterschijf richten van elektronen uit de rij bundels.
De uitvinding heeft eveneens betrekking op een werkwijze 10 voor het elektronenstraallithografisch vervaardigen van een masterschijf, waarbij een rij bundels elektronen wordt opgewekt en naar een spoor op de masterschijf wordt gericht.
Een dergelijke inrichting en werkwijze zijn bekend uit het Amerikaanse octrooi schrift 5.216.219.
15 In bovengenoemd Amerikaans octrooi schrift wordt met een of meer stuurbare elektronenbundels informatie geschreven op een zogeheten masterschijf.
Elektronenstraallithografie is tot ontwikkeling gekomen nadat met behulp van optische lithografie de limiet was bereikt voor 20 wat betreft de kleinste spot die redelijkerwijs optisch kan worden gemaakt.Dit compliceert het gaan naar volgende generaties hoge dichtheid formaten dat op een optische plaat wordt vastgelegd. Met elektronenstraallithografie kunnen aanzienlijk kleinere putten/groeven op een optische plaat'worden vastgelegd. Het vastleggen op een optische plaat 25 gebeurt zowel door een kopie te maken van een in hard materiaal uitgevoerde zogeheten masterschijf als door het beschrijven van optische schijven met gebruikersinformatie.
Elektronen zijn elektrisch geladen deeltjes die allemaal dezelfde lading hebben en elkaar dus elektrisch afstoten. Hoe meer 30 elektronen bij elkaar zitten in een bepaald volume des te groter is de onderling afstotende werking die ze van elkaar ondervinden. Dat heeft tot gevolg dat hoe kleiner men een spot wil maken van een elektronenbundel des te geringer de intensiteit in de bundel dient te worden om te voorkomen dat de elektronendichtheid zo groot wordt dat de elektro-35 nen elkaar merkbaar onderling gaan afstoten. Een gevolg daarvan is dat de opneemtijd om een masterschijf te maken zeer lang wordt. Weliswaar 1015155 2 is een oplossing gezocht in een hogere gevoeligheid van de lak, maar dat biedt slechts een beperkte oplossing daar bij een te laag aantal elektronen er ruis in het signaal gaat optreden.
Doel van de uitvinding is een systeem te verschaffen 5 waarmee in korte tijd en op flexibele wijze diverse combinaties van putten en groeven kunnen worden geschreven en waarbij de bovengenoemde nadelen grotendeels of geheel afwezig zijn.
Een elektronenstraallithografische inrichting volgens de uitvinding wordt daartoe gekenmerkt doordat de rij bundels in hoofd-10 zaak evenwijdig is aan het spoor, doordat een apertuurelement met tenminste één apertuuropening is aangebracht, doordat eerste lensmiddelen zijn aangebracht tussen de middelen voor het opwekken van de rij bundels en het apertuurelement voor het gericht afbuigen van elektronen in de rij bundels in de richting van de tenminste ene 15 apertuuropening en doordat tweede lensmiddelen zijn aangebracht tussen het apertuurelement en de masterschijf voor het gericht op de master-schijf afbuigen van elektronen die de tenminste ene apertuuropening zijn gepasseerd en doordat tussen de middelen voor het opwekken van de rij bundels en het apertuurelement aanstuurbare middelen zijn aange-20 bracht voor het, tot hoofdzakelijk naast de apertuuropening, afbuigen van elektronen in de rij bundels.
Een werkwijze volgens de uitvinding wordt gekenmerkt doordat de rij bundels elektronen in een richting hoofdzakelijk evenwijdig aan' het spoor op de masterschijf wordt aangelegd, doordat 25 de rij bundels door een eerste lenselement door een apertuuropening in een apertuurelement wordt afgebogen en door een tweede lenselement op de masterschijf wordt geprojecteerd en doordat de bundels gestuurd worden gericht hetzij op de apertuuropening hetzij niet op de apertuuropening.
30 Door de genoemde maatregelen is bereikt dat eenzelfde plaats op de masterschijf een aantal malen kan worden ’belicht’ door een bundel elektronen uit de rij bundels, die telkens van een volgende bundel uit de rij bundels afkomstig is. Door de aanstuurbare middelen kan een bundel uit de rij bundels hetzij door de apertuuropening 35 worden gestuurd, overeenkomend met het ’belichten’ van de lak op de 1015155 3 masterschijf, hetzij niet door de apertuuropening worden gestuurd overeenkomend met het niet-’belichten’ van de lak op de masterschijf.
Op deze manier wordt ervoor gezorgd dat de ’belichtingstijd’ van de lak door een bundel elektronen telkens slechts heel klein is maar door 5 een voldoende groot aantal bundels in de rij bundels te kiezen kan de totale ’belichtingstijd’ voldoende groot worden, in het bijzonder voldoende groot worden om de hoeveelheid ruis in het signaal te minimaliseren.
Uit het Amerikaanse octrooi schrift 5.561.008 is op zich 10 bekend een elektronisch lithografische inrichting waarbij een elektronenbundel door een masker valt, en waarbij de door het masker vallende en verstrooide respectievelijk niet verstrooide elektronen van de bundel via een eerste lens op een apertuurelement met tenminste een apertuuropening worden afgebeeld en vervolgens door een tweede 15 lens tussen het apertuurelement en de masterschijf vanuit de apertuuropening worden afgebeeld op het schijfmateriaal dat bedekt is met een laag elektronengevoel ig materiaal. Het betreft hier het telkens afbeelden van een volledig twee-dimensionaal patroon via elektronenoptiek en een apertuuropening op een elektronengevoelige lak op een 20 schijf halfgeleidermateriaal. De beschreven technologie is niet gericht op en refereert niet aan het schrijven van putten/groeven in een roterende masterschijf.
Een voorkeursuitvoeringsvorm van een elektronenstraal-lithografische' inrichting volgens de uitvinding wordt gekenmerkt 25 doordat aanstuurmiddelen aanwezig zijn voor het telkens vanaf een eerste bundel uit de rij bundels tot en met een laatste bundel uit de rij bundels na elkaar bedienen van de aanstuurbare middelen met een signaaltrein, welke voor elke bundel uit de rij bundels is gebaseerd op eenzelfde, doch telkens in de tijd verschoven, signaaltrein.
30 Een voorkeursuitvoeringsvorm van een werkwijze volgens de uitvinding wordt gekenmerkt doordat, gezien in de bewegingsrichting van het spoor ten opzichte van de rij bundels, gaande van een eerste bundel uit de rij bundels naar een laatste bundel uit de rij bundels alle gestuurde bundels opeenvolgend worden gestuurd door een signaal-35 trein, welke voor elke bundel uit de rij bundels is gebaseerd op eenzelfde, telkens in de tijd verschoven, signaaltrein.
1015155 4
Daardoor is bereikt dat met een op zich zeer lage intensiteit per elektronenbundel het uiteindelijke signaal dat op de master-schijf wordt geschreven een kwaliteit heeft die overeenkomt met het schrijven met een enkele straal van veel grotere intensiteit. Echter 5 de afmetingen van de putten/groeven komen overeen met de geringe intensiteit van de afzonderlijke elektronenbundels uit de rij bundels die door de eerste en tweede lensmiddelen via de apertuuropening op de masterschijf worden geprojecteerd.
Een voorkeursuitvoeringsvorm van de uitvinding wordt 10 gekenmerkt doordat aanstuurbare afbuigmiddelen zijn aangebracht voor het afbuigen van één of meer bundels uit de rij bundels in een richting hoofdzakelijk loodrecht op een verplaatsingsriching van het spoor.
Hierdoor is bereikt dat ook zogenaamde ’twee-spots’ 15 toepassingen mogelijk zijn. In dergelijke toepassingen worden twee sporen tegelijkertijd dicht naast elkaar geschreven. Ook is bereikt dat een zogeheten ’wobble’-spoor kan worden geschreven of zelfs twee ’wobble’-sporen naast elkaar.
Een nog verdere uitvoeringsvorm van een elektronenstraal-20 lithografische inrichting volgens de uitvinding wordt gekenmerkt doordat de aanstuurbare middelen een magnetische afbuiging veroorzaken.
Door een geschikt gekozen magnetische afbuiging, zoals bijvoorbeeld door één of meer spoeltjes die een magnetische veld 25 opwekken met een met de betreffende bundel uit de rij bundels niet-axiale component kan er voor worden gezorgd dat de betreffende bundel elektronen in sterke mate in vele richtingen wordt verstrooid. Dat heeft als voordeel dat de bundel niet geconcentreerd op één bepaalde plaats op het apertuurelement terechtkomt maar daarover 30 verdeeld wordt. Dat is gunstig voor de warmte-belasting van het apertuurelement.
De uitvinding zal nu nader worden toegelicht aan de hand van de bijgaande tekeningen, waarin: figuur 1 aangeeft hoe met een rasterpatroon een rij bundels 35 elektronen kan worden gemaakt; 1015155 5 figuur 2 een eerste uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding weergeeft; figuur 2a een eerste uitvoeringsvorm weergeeft van een inrichting voor het aansturen van de aanstuurmiddelen; 5 figuur 2b een tweede uitvoeringsvorm weergeeft van een inrichting voor het aansturen van de aanstuurmiddelen; figuur 3 een tweede uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding weergeeft; figuur 4 verschillende in de praktijk voorkomende formats 10 van de huidige optische media weergeeft; figuur 5 een voorbeeld toont van een enkel spoors en een dubbelspoors geschreven signaal; figuur 6 een derde uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding weergeeft; 15 figuur 7 een vierde uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding weergeeft; figuur 8 een vijfde uitvoeringsvorm van een inrichting volgens de uitvinding weergeeft; figuur 9 een zesde uitvoeringsvorm van een inrichting 20 volgens de uitvinding weergeeft.
In figuur 1 is met verwijzingscijfer 1 een elektronenbundel aangegeven die in de richting van de pijl A afkomstig is van een op zich bekende elektronen leverende inrichting, zoals een gloeidraad, In het bijzonder 'zijn twee delen 2 en 3 van de elektronenbundel aange-25 geven. De elektronenbundel 1 valt op een element 4 dat bestaat uit een elektronentransparante drager 5 waarop elektronen absorberende en/of verstrooiende elementen 6-1, 6-2, ...6-n zijn aangebracht. Voortgaande in de richting van de pijl A is een elektronenlens 7 aangebracht. Wederom voortgaande in de richting van de pijl A is na de elektronen-30 lens 7 een apertuurelement 8 met een apertuuropening 9 aangebracht. Nog weer verdergaande in de richting van de pijl A is nog een elektronenlens 10 aangebracht. Tenslotte is met verwijzingscijfer 11 een masterschijf aangeduid. De masterschijf 11 roteert rond een niet weergegeven as, welke zich evenwijdig aan het vlak van tekening, en 35 zich daarbuiten bevindend, uitstrekt. In het vlak van tekening beweegt 1015155 6 de masterschijf 11 zich van rechts naar links zoals aangegeven met de pijl B.
In figuur 1 is ter verduidelijking de elektronen optische afbeelding van de verstrooiingsplaatsen 6-1, 6-n aangegeven met 5 de verwijzingscijfers 12-1, 12-2, 12-3,...,12-n-l, 12-n.
Elektronenbundel 2, die onderdeel is van de elektronenbundel 1 treft de verstrooiingsplaats 6-n-l. Als gevolg daarvan wordt een gedeelte van de elektronen uit de elektronenbundel 2 geabsorbeerd en de overige elektronen wordt onder forse hoeken ten opzichte van de 10 richting van de pijl A verstrooid zoals aangegeven door de verstrooide stralen 13-1 tot 13-n. Elektronenlens 7 is zodanig gepositioneerd en heeft een zodanige sterkte dat elektronenbundels 13-1, 13-n min of meer evenwijdig uit elektronenlens 7 tevoor schijn komen als elektronenbundels 14-1 tot 14-n. Slechts zeer gering 15 aantal elektronen die oorspronkelijk afkomstig is uit de elektronenbundel 2 passeert het apertuurelement 8 door de apertuuropening 9 als elektronenbundel 15. Elektronenbundel 15 tenslotte wordt door elektronenlens 10 afgebogen tot elektronenbundel 16 die, met een uiterst geringe intensiteit, de elektronengevoelige lak op de master-20 schijf 11 treft ter plaatse van 12-n-l. Die intensiteit is zo laag dat geen merkbaar effect optreedt in de elektronengevoelige lak op de masterschijf 11.
De elektronenbundel 3 doorloopt de drager 5 nagenoeg ongehinderd eri gaat met nagenoeg dezelfde intensiteit verder als 25 elektronenbundel 17-1. In de drager 5 vindt slechts geringe verstrooiing plaats zowel qua aantallen als qua verstrooiingshoeken zoals wordt aangegeven door de bundels 17-2 en 17-3. Door de elektronenlens 7 worden de bundels 17-1, 17-2 en 17-3 afgebogen in de richting van de apertuuropening 9 in het apertuurelement 8 in de vorm van de bundels 30 18-1, 18-2 en 18-3. De elektronenbundels 18-2 en 18-3 hebben een uiterst geringe intensiteit. Niettemin worden ook zij opgevangen door het apertuurelement 8 en is slechts de bundel 18-1 in staat om door de apertuuropening 19 van het apertuurelement 8 te geraken als bundel 19. Bundel 19 wordt door elektronenlens 10 afgebogen in de richting van de 35 masterschijf 11 als bundel 20. Bundel 20 treft masterschijf 11 tussen de ’afbeeldingen’ 12-2 en 12-3 van de verstrooiingsplaatsen 6-2 1015155 7 s ff " V: ' respectievelijk 6-3. Elektronenbundel 20 heeft in principe dezelfde intensiteit als elektronenbundel 17-1, die slechts een minimaal geringere intensiteit heeft dan de elektronenbundel 3. Elektronenbundel 20 heeft een zodanige intensiteit dat er werkzaam effect optreedt 5 in de elektronengevoelige lak op de masterschijf 11.
De inrichting getoond in figuur 1 heeft, gezien in een richting loodrecht op het vlak van tekening, slechts zeer geringe afmetingen. De genoemde afmetingen zijn van de orde van grootte van de breedte van een spoor op de masterschijf 11, hetgeen is gelegen in de 10 orde van grootte van 50 nm tot 500 nm. De afmetingen van de afbeeldingen 12-1, 12-2, ... en van de ruimten daartussen zijn van de orde van grootte van 50 nm. Bij voorkeur, maar niet noodzakelijkerwijs vormen de elektronenlenzen 7 en 10 een verkleinde afbeelding van het lijnvormige rasterpatroon 6-1, 6-2, ..., 6-n op de drager 5 op de 15 masterschijf 11. Bij voorkeur is het masker 5 gevormd van materiaal bestaande uit elementen met een lager atoomnummer en zijn de verstrooiingsplaatsen 6-1, 6-2 enzovoorts gevormd uit materiaal met een hoger atoomnummer, in welke laatste aanzienlijke verstrooiing van de opvallende elektronen uit de aanvoerbundel 1 zal plaatsvinden.
20 In Figuur 2 zijn met de verwijzingscijfers 21-1, 21-2,..., 21- 6 6 opeenvolgende verstrooingsplaatsen op de drager 5 aangegeven.
Tussen de verstrooingsplaatsen bevinden zich doorlaatplaatsen 22-1, 22- 2, 22-3, 22-4 en 22-5. Nabij de doorlaatplaats 22-1 zijn elektroden 23- la en 23-lb* aangegeven. Op dezelfde wijze zijn aangegeven elektro-25 den 23-2a en 23-2b nabij doorlaatplaats 22-2, elektroden 23-3a en 23- 3b nabij doorlaatplaats 22-3 en elektroden 23-4a en 23-4b nabij doorlaatplaats 22-4. Hoewel slechts 4 elektrodenparen zijn aangegeven zal het voor de vakman duidelijk zijn dat, gezien in figuur 2 zowel naar links als naar rechts, aanzienlijk grotere aantallen verstrooi-30 ingsplaatsen en doorlaatplaatsen aanwezig kunnen zijn met bijbehorende elektrodenparen dan weergegeven in figuur 2.
In figuur 2 is een e.lektronenbundel 24 weergegeven welke de drager 5 treft op de doorlaatplaats 22-2. Bundel 24 verlaat de drager 5 als een hoofdbundel 25-1 met enigszins verstrooide en verzwakte 35 bundels 25-2 en 25-3, overeenkomend met de bundels 17-1, 17-2 respectievelijk 17-3 van figuur 1. De bundels 25-2 en 25-3 worden door de 1015155 8 elektronenlens 7 afgebogen tot de bundels 26-2 en 26-3 terwijl de ’hoofdbundel’ 25-1 door de elektronenlens 27 wordt afgebogen tot de hoofdbundel 26-1 die precies op de apertuuropening 9 van het apertuurelement 8 is gericht. Na de apertuuropening 9 te hebben doorlopen gaat 5 de hoofdbundel 26-1 verder als hoofdbundel 27-1 die door de elektronenlens 10 wordt afgebogen als elektronenbundel 28-1 en op positie 29 de masterschijf 11 treft.
Hoofdbundel 25-1 ligt in het verlengde van de bundel 24 die de doorlaatplaats 22-2 van de drager 5 treft omdat op de elektroden 10 23-2a en 23-2b geen spanning was aangelegd. Op alle elektroden 23 kan een spanning worden aangelegd. Daardoor ontstaat telkens tussen de elektroden nabij een doorlaatplaats een elektrisch veld. Het elektrische veld dat zo wordt opgewekt buigt de richting van de elektronen die bij de betreffende doorlaatplaats door de drager 5 heenkomen 15 zodanig af dat zij na afbuiging door de elektronenlens 7 niet in de apertuuropening 9 van het apertuurelement 8 terechtkomen. Met betrekking tot de elektronenbundel 30 die de drager 5 treft bij de doorlaatplaats 22-4 zouden, zonder een aangelegd elektrisch veld tussen de elektroden 23-4a en 23-4b, de elektronen uit de bundel 30 de streep-20 lijn 31 hebben gevolgd door de elektronenlens 7, de apertuuropening 8, en de elektronenlens 10 tot op de positie 32 op de masterschi jf 11. Echter door het aanbrengen van een spanning op de elektroden 23-4a en 23-4b volgen de elektronen van de bundel 30 de weg aangegeven met verwijzingscijfer 33 tot aan de elektronenlens 7 en na de elektronen-25 lens 7 de weg aangegeven met verwijzingscijfer 34. Zoals aangegeven in figuur 2 komen de elektronen die de weg 34 volgen terecht op het apertuurelement 8 en niet in de apertuuropening 9. De hier geschetste situatie van de elektronenbundels 24 en 30 die wel terecht komen in positie 29 en niet in positie 32 komt er mee overeen dat op positie 29 30 een put moet worden geschreven en dat op positie 32 geen put moet worden geschreven.
In het bovenstaande zijn bij wijze van voorbeeld de bundels 24, 25-1, 30 en 33 beschreven. Het zal voor de vakman duidelijk zijn dat bij elke doorlaatplaats een paar opvallende en doorgelaten bundels 35 hoort. De opvallende respectievelijk doorgelaten bundels vormen 1015155 9 tezamen een rij bundels met vaste tussenruimte omdat de doorlaat-plaatsen met vaste tussenruimten op een rij zijn gelegen.
In figuur 2 is tevens met streep-stiplijn en bolletjeslijn aangegeven een situatie zoals die enige tijd later optreedt. De 5 masterschijf 11 beweegt zich in de richting van de pijl B met snelheden die meer dan 10 m/s kunnen bedragen. De bundels 1, 24 en 30, de drager 5, de lenzen 7 en 10 en het apertuurelement 8 met apertuurope-ning 9 zijn niet van positie veranderd, noch in figuur 2 noch in de wereld, alleen de masterschijf 11 beweegt in de richting van de pijl 10 B. De afmetingen van de putten die moeten worden gemaakt met behulp van de elektronenbundels op de positie 29 op de masterschijf 11 zijn in de orde van grootte van 50 nm en kleiner. Het is derhalve duidelijk dat de tekeningen 1 tot en met 6 niet op schaal zijn. Omdat op positie 29 van masterschijf 11 wel moet worden geschreven en op 15 positie 32 niet en omdat masterschijf 11 zich beweegt in de richting van de pijl B is het enige tijd later zo dat in figuur 2 de te schrijven positie zich bevindt ter plaatse van 29’ en de niet te schrijven positie zich bevindt ter plaatse van 32’. Via de optiek gevormd door de elektronenlenzen 7 en 10 en de apertuuropening 9 komen de posities 20 29’ en 32’ overeen met de doorlaatplaatsen 22-1 respectievelijk 22-3.
Het is nu zo dat van de aanvoerbundel 1 een deel aangegeven als de elektronenbundel 24’ wel de masterschijf 11 moet gaan bereiken en een deel aangegeven als de elektronenbundel 30’ niet de masterschijf 11 moet gaan bereiken. Vermeld zij dat de bundels 24’ en 30’ daadwerke-25 lijk andere bundels zijn dan de bundels 24 en 30. Daartoe wordt op de elektroden 23-la en 23-lb geen spanning gezet waardoor de elektronenbundel 24’ verder gaat als elektronenbundel 25-1’, 26-Γ, 27-Γ en 28-Γ om tenslotte op de positie 29’ de masterschijf 11 te treffen. Evenals hierboven beschreven met betrekking tot 30 elektronenbundel 30 is op de elektroden 23-3a en 23-3b een spanning gezet om de elektronenbundel 33’, die de door doorlaatplaats 23-3 doorgelaten bundel 30’ is wordt afgebogen en wel zodanig dat na afbuiging door de elektronenlens 7 de bundel 34 niet de apertuuropening 9 bereikt maar een andere plaats van het apertuurelement 8. Op 35 deze manier wordt op de positie 32’ op de masterschijf 11 niet geschreven.
1015155 10
Figuur 2A toont in schematische vorm een relatie tussen posities op de masterschijf 11 waarop wel en waarop niet moet worden geschreven, en het wel of niet bekrachtigen van de elektroden 23. In figuur 2A is met 35 een spoor aangegeven op de masterschijf 11. In het 5 spoor 35 zijn op regelmatige afstanden van elkaar de posities 36-1, 36-2, ..., 36-11 aangegeven waarop wel of niet een put moet worden gemaakt in de groef 35 van de masterschijf 11. Bij wijze van voorbeeld dienen putten te worden gemaakt op de posities 36-1, 36-2, 36-3, 36-5, 36-7, 36-8, 36-10 en 36-11. Op de posities 36-4, 36-6 en 36-9 moet 10 geen put komen. Met 37 is aangegeven of de elektroden 23 wel of niet bekrachtigd dienen te zijn om het patroon van putten 36 te genereren. Hierbij is met "0" aangegeven ’geen bekrachtiging’ en met 'T' is aangegeven ’wel bekrachtiging’. Met de lijnen 38 is aangegeven op welke wijze op het weergegeven ogenblik in figuur 2A de bekrachtiging 15 van de elektroden 23 correspondeert met de putten 36 in de groef 35. Zoals hiervoor beschreven in het kader van figuur 2 beweegt ook in figuur 2A de groef 35 van de masterschijf 11 met de putten 36 zich naar links in de richting van de pijl B. Zoals blijkt uit de verbindingslijnen 38 betekent dit dat het patroon van nullen en enen 20 zoals aangegeven met 37 zich naar rechts dient te bewegen om ervoor te zorgen dat steeds het patroon van bekrachtigde en niet-bekrachtigde elektroden 23 op de juiste posities 36 op de in de richting van de pijl B bewegende masterschijf 11 worden afgebeeld. Het patroon 37 kan eenvoudig worden gegenereerd met behulp van een vertragingselement 39. 25 Vertragingselement 39 heeft een ingang 40 en uitgangen 41. Er zijn net zoveel uitgangen 41 als dat er elektrodenparen 23 zijn. Vertragingselement 39 kan zijn samengesteld uit een aantal op zich bekende vertragingspoorten, maar kan ook zijn een op zich bekend schuifregis-ter. Met de op zich bekende vertragingspoorten is een nauwkeurigheid 30 in de vertraging bereikbaar van 0,5 nsec. De werking van vertragingselement 39 is als volgt. Aan de ingang 40 van het vertragingselement 39 wordt een signaal trein aangeboden bestaande uit een serie nullen en enen welke vervolgens aan de uitgangen 41 (van links naar rechts in figuur 2A) weer te voorschijn komen. De uitgangen 41 van het vertra-35 gingselement 39 zijn verbonden met de elektroden 23. Een signaal 0 in de signaaltrein komt overeen met een put in de groef 35 terwijl een 1 1015155 11 in de signaaltrein aangeboden aan de ingang 40 van het vertragingsele-ment 39 overeenkomt met geen put in de groef 35. Het in de groef 35 te schrijven signaal in de vorm van putten en niet-putten is bekend. Door dat signaal in binaire vorm aan te bieden aan de ingang 40 van het 5 vertragingselement 39 in de vorm van nullen en enen, waarbij nullen overeenkomen met putten en enen overeenkomen met niet-putten kunnen de elektroden 23 zodanig worden bekrachtigd dat het patroon van bekrachtiging respectievelijk niet-bekrachtiging op de juiste wijze doorschuift in de richting van de pijl C om te blijven overeenkomen met 10 het patroon putten/niet-putten dat verschuift in de richting van de pijl B.
Uitgaande van op zich bekende elektronengevoelige lakken en putten met een diameter van de orde van 50 nm en een afstand tussen de sporen van 200 nm is een schrijfsnelheid van ongeveer 12 m/s nodig om 15 een 12 centimeter diameter masterschijf in ongeveer 1 uur te kunnen beschrijven. In dat geval zijn er, uitgaande van spots van 50 nm diameter ongeveer zestig doorlaatplaatsen 22 nodig om per put in zestig stappen een volledige ’belichting’ te kunnen uitvoeren van de elektronengevoelige lak. Dat betekent onder andere dat het 20 vertragingselement 39 in zo’n geval zestig uitgangen 41 heeft.
In de ter inzage gelegde Europese octrooiaanvrage EP-A-0 660 314 is aangegeven dat, in het geval niet alle putten even lang zijn in de richting van het spoor, kortere putten met een hoger vermogen worden geschreven dan langere putten. Bij elektronenbundels 25 is het vermogen in de bundel zowel afhankelijk van de kinetische energie van de elektronen als van het aantal elektronen. In de onderhavige uitvinding wordt er in eerste instantie vanuit gegaan dat alle elektronen dezelfde kinetische energie bezitten en dat verschillen in vermogen tot stand komen door verschillen in aantallen elektronen, dat 30 wil zeggen verschillen in intensiteit van de stroom in de verschillende elektronenbundels. Indien de stroomsterkte niet in alle bundels identiek is wordt gesproken van een schrijfstrategie. Met een inrichting zoals weergegeven in figuur 2B is het mogelijk om met een inrichting volgens de onderhavige uitvinding verschillende schrijfstrategie-35 ën te realiseren.
1015155 12
In figuur 2B is wederom een vertragingselement 39 weergegeven aan de ingang waarvan via een lijn 40 het te schrijven signaal binnenkomt. Op een bus 100, welke evenveel lijnen telt als er uitgangen zijn van het vertragingselement 39, komt het signaal, dat binnen-5 komt langs de lijn 40, telkens en met toenemende vertraging, beschikbaar. De bus 100 is aangesloten op een schrijfstrategiemaker-schake-ling 101. De . schrijfstrategiemaker-schakeling 101 ontvangt een schrijfstrategiesignaal via een leiding 104 welke afkomstig is van een schrijfstrategieschakeling 102. De schrijfstrategieschakeling 102 10 wordt bestuurd door een schrijfstrategiekeuzesignaal op een lijn 103. De uitgang van de schrijfstrategiemaker-schakeling 101 wordt gevormd door een bus 105. De bus 105 omvat tenminste evenveel lijnen als de bus 100. De bus 105 is aangesloten op de elektroden 23, respectievelijk de spoelen 42, respectievelijk de elektroden 70 en 71. Al deze 15 elementen zijn gezamenlijk weergegeven met het verwijzingscijfer 106.
De werking van de schakeling weergegeven in figuur 2B is als volgt. Op de lijn 103 komt een schrijfstrategiekeuzesignaal binnen. Het schrijfstrategiekeuzesignaal kan handmatig dan wel automatisch worden opgewekt. Het schrijfstrategiekeuzesignaal dat binnenkomt 20 op de lijn 103 zorgt ervoor dat vanuit de schrijfstrategieschakeling 102 een schrijfstrategie wordt gemaakt, respectievelijk gekozen. In het laatste geval is er vanuit gegaan dat verschillende schrijfstrategieën, al dan niet permanent, in een geheugen in schakeling 102 zijn opgeslage'n. De schakeling 102 kan echter ook zo zijn opgebouwd 25 dat via een stuk ingebouwde programmatuur op grond van gegevens, ingegeven via de lijn 103, een specifieke schrijfstrategie wordt berekend. Het uitgangssignaal van de schrijfstrategieschakeling 102, zijnde een specifieke schrijfstrategie die moet worden toegepast bij het schrijven van putten op de masterschijf 11, wordt via de lijn 104 30 toegevoerd aan de schrijfstrategiemaker-schakeling 101. De schrijf strategiemaker-schakel ing 101 combineert de signalen, die binnenkomen via de bus 100 met de besturingssignalen die binnenkomen via de lijn 104 en voert de gecombineerde signalen uit als uitgangssignaal op de bus 105 ter besturing van de elektroden 106.
35 De intensiteit van de verschillende elektronenbundels uit de rij bundels kan op verschillende manieren worden geregeld. Bij 1015155 13 wijze van voorbeeld is in figuur 2 aangegeven een stel elektroden 107a, 107b. Over het elektrodenpaar 107a, 107b kan een heel geringe spanning worden aangebracht waardoor de elektronenbundel 31 in geringe mate verschuift over het apertuurelement 8 en de apertuuropening 9.
5 Als gevolg van die geringe verschuiving kan het aantal elektronen dat wordt doorgelaten door de apertuuropening 9 worden geregeld. Daarmee is een regeling verkregen van de intensiteit van het vermogen van de elektronenbundel 31, welke ontstaat als het elektrodenpaar 23-4a, 23-4b niet zou worden bekrachtigd. Eenzelfde regeling met elektrische 10 velden is ook mogelijk bij een uitvoeringsvorm van de uitvinding volgens figuur 3. Omgekeerd kan zowel bij een uitvoeringsvorm volgens figuur 3 als bij een uitvoeringsvorm volgens figuur 2 een magnetisch veld zorgen voor de betreffende regeling van de intensiteit van het vermogen van de elektronenbundel die door de apertuuropening 9 15 passeert. Het is ook mogelijk om de twee functies uitgevoerd in figuur 2 door de elektroden 23 en 107 te doen uitvoeren, in figuur 2, door de elektroden 23 en, in figuur 3, door de spoelen 42. In alle gevallen zijn in figuur 2B de te besturen elektroden, spoelen, etcetera weergegeven met het verwijzingscijfer 106. Het is ook mogelijk om de 20 elektroden 23 respectievelijk de spoelen 42 aan te sturen met een voldoende klein signaal om de hierboven beschreven regeling te realiseren. In dat geval omvatten de aanstuurbare middelen die aan-stuurbare regel middel en.
In'figuur 3 is een alternatieve uitvoeringsvorm weergegeven 25 voor de elektroden 23. Terwille van de duidelijkheid zijn slechts bij twee doorlaatplaatsen de betreffende elementen aangegeven. Evenals in figuur 2 wordt in figuur 3 uitgegaan van twee elektronenbundels 24 en 30 waarvan de elektronenbundel 24 elektronen bevat die wel de master-schijf 11 dienen te bereiken op een positie 29 terwijl de elektronen-30 bundel 30 elektronen bevat die niet de positie 32 op de masterschijf | 11 mogen bereiken. Nabij elke doorlaatplaats is een spoeltje 42 aangebracht, in figuur 3 aangeduid met spoel 42-1 en spoel 42-2. Als een spoel 42 niet wordt bekrachtigd, zoals bijvoorbeeld met spoel 42-1 dan wordt de bij de doorlaatplaats 22-2 door de drager 5 heen komende 35 bundel elektronen 25-1 niet beïnvloedt. Echter bij bekrachtiging van spoel 42-2 wordt door een met de betreffende bundel uit de rij bundels 1015155 14 niet-axiale component van het daardoor opgewekte magnetische veld de bundel 33 sterk verstrooid tot bundels 33-1, 33-n, die zodanig zijn gericht dat na het doorlopen van de elektronenlens 7 vrijwel geen elektron uit de oorspronkelijke bundel 30 de apertuuropening 9 zal 5 kunnen bereiken.
De aansturing van de elektroden 23 respectievelijk de spoelen 42 kan met verbindingsmiddelen gebeuren die een verbinding vormen tussen de elektroden respectievelijk spoelen en de uitgangen 41 van het vertragingselement 39. Aangezien de drager 5 met de elementen 10 6 respectievelijk 21 slechts een lijnvormig patroon vertegenwoordigt is er in dwarsrichting, dit is een richting uit het vlak van tekening in de figuren 1, 2 en 3, voldoende ruimte om de verbindingen tussen de elektroden 23 respectievelijk de spoelen 42 en de uitgangen 41 van het vertragingselement 39 aan te brengen.
15 In figuur 4 zijn verschillende bekende patronen aangegeven van groeven en putten op optische schijven. Dezelfde groeven en putten dienen te worden aangebracht met de onderhavige inrichting in de masterschijf 11. Met de verwijzingscijfers 43 en 44 zijn twee naast elkaar gelegen gegolfde (meestal "wobble" genoemd) groeven aangegeven 20 zoals die bijvoorbeeld worden toegepast op beschrijfbare en herbe- schrijfbare compact discs. Met 46, 47 en 48 zijn putten aangegeven die op zich op niet gegolfde lijnen 49 en 50 zijn gecentreerd. Verder zijn met verwijzingscijfers 51 en 52 twee naast elkaar gelegen sporen aangegeven zoals die bijvoorbeeld voorkomen op een zogenoemde magneto-25 optische schijf. De in grijs weergegeven putten 53, 54, ..., 59, 60 zijn door de fabrikant van de schijf aangebracht terwijl de wit aangegeven putten 61 en 62 zich bevinden in de trajecten 63 en 64 waarin een gebruiker zijn eigen gegevens kan wegschrijven. Vervolgens zijn twee groeven 65 en 66 aangegeven welke zijn gescheiden door een 30 gedeelte niet-groef 67. Zowel in de groeven 65, 66 als tussen de groeven in het gebied 67 kunnen putten worden aangebracht.
In figuur 5 is schematisch aangegeven op lijn A een serie putten op een enkel spoor en op de lijn B een serie putten op een dubbel spoor, ook wel genoemd ’twee-spot’ systeem. De putten in de 35 twee sporen van lijn B zijn aan elkaar gerelateerd. Hoewel ze in figuur 5 zijn weergegeven als exact dezelfde putten is dat niet 1015155 15 noodzakelijkerwijs het geval, bijvoorbeeld kan in spoor BI gebruikers-informatie zijn geschreven terwijl in spoor B2, dat met spoor BI samenhangt, bijvoorbeeld sector- en spoornummer informatie worden geschreven.
5 Teneinde in één bewerking de golvende groeven 43 en 44, de ten opzichte van een centrale lijn zijwaarts verschoven putten 53 en 54, de putten in de groeven 65 en 66 respectievelijk tussen de groeven op het gebied 67 te kunnen aanbrengen dient de elektronenstraal 28-1 (zie figuur 2) ook in een richting loodrecht op het vlak van tekening 10 in figuur 2 te kunnen worden verplaatst. In de figuren 6, 7 en 8 zijn drie mogelijke oplossingen voor deze problematiek weergegeven.
In figuur 6 zijn tussen de elektronenlens 10 en de master-schijf 11 twee elektroden 68 en 69 aangebracht ter weerszijden van de bundel 28-1. Indien geen elektrische spanning wordt aangebracht op de 15 elektroden 68 en 69 beweegt de elektronenbundel 28-1 zich rechtdoor zoals aangegeven met de streeplijn 72 om de positie 29 op de master-schijf 11 te bereiken, een en ander zoals beschreven in het kader van figuur 2. Echter indien een elektrische spanning wordt aangebracht tussen de elektroden 68 en 69 wordt de elektronenbundel 28-1 afgebogen 20 in een zijwaartse richting zoals aangegeven met het verwijzingscijfer 28-Γ5 waardoor de betreffende bundel de positie 29” op de master-schijf 11 bereikt. Positie 29” is in zijwaartse richting verschoven ten opzichte van positie 29. Voor elke bundel elektronen die samen de bundel 1 (zie figuur 2) vormen is een paar elektroden 68, 69 aange-25 bracht, zoals bij wijze van voorbeeld met streeplijn is aangegeven met verwijzingscijfer 68 in figuur 2.
In figuur 7 is een andere uitvoeringsvorm weergegeven waarmee eveneens wordt bereikt dat positie 29” wordt ’belicht’ in plaats van positie 29 op masterschijf 11. Nabij iedere doorlaatplaats 30 22 in de drager 5 is een elektrodenpaar 70, 71 aangebracht. De elek troden 70 en 71 kunnen, maar zijn, om onderlinge beïnvloeding te voorkomen, bij voorkeur niet, op de zelfde hoogte ten opzichte van de drager 5 aangebracht als de elektroden 23. In het geval er geen spanning wordt aangebracht op de elektroden 70 en 71 zal, in figuur 7, 35 de elektronenbundel 24 rechtdoor bewegen langs de streeplijn 73 om tenslotte positie 29 op de masterschijf 11 te bereiken, een en ander 1015155 16 zoals beschreven in het kader van figuur 2. Indien echter een spanning wordt aangebracht tussen de elektroden 70 en 71 zal de door de drager 5 heen komende bundel 25-1 worden afgebogen tot bundel 25-1”. Elektronenlens 7 buigt bundel 25-1” af tot bundel 26-1”. Hierbij 5 dient te worden bedacht dat in het aanzicht volgens figuur 2 de bundels 25-1” en 26-1” dezelfde weg doorlopen als de bundels 25-1 en 26-1 zoals die in figuur 2 zijn weergegeven. In dit geval is het noodzakelijk dat de apertuuropening 9 in dwarsrichting is verbreed zoals aangegeven in de doorsnede van figuur 7. Bij wijze van voorbeeld 10 is in figuur 7 aangenomen dat in elektronen-optische zin de afstand van het elektrodenpaar 70, 71 tot aan de elektronenlens 7 gelijk is aan de afstand tussen de elektronenlens 7 en het apertuurelement 8 en gelijk aan de, elektronen-optische, brandpuntsafstand van de elektronenlens 7. De apertuuropening 9 dient in dit geval de vorm te 15 hebben van een langwerpige spleet zoals weergegeven in figuur 7. De bundel 25-1” wordt door de elektronenlens 7 afgebogen tot de bundel 26- 1” die door de langwerpige apertuuropening 9 in het apertuur- element 8 gaat en daaruit komt als elektronenbundel 27-1”. Elektronenbundel 27-1” wordt door de elektronenlens 10 afgebogen tot 20 bundel 28-Γ” welke vervolgens positie 29” op de masterschijf 11 bereikt.
In figuur 8 is nog een uitvoeringsvorm weergegeven. In dat geval zijn nabij de apertuuropening 9 twee elektroden 74 en 75 aangebracht.
25 In de situatie geschetst in figuur 8 zijn de bundels 24, 25-1 en 26-1 tot en met het doorlopen van de apertuuropening 9 dezelfde als de bundels 24, 25-1 en 26-1 zoals weergegeven in figuur 2. Indien tussen de elektroden 74 en 75 geen spanning wordt aangelegd zal de bundel 26-1 doorgaan als bundel 76 om tenslotte positie 29 op 30 masterschijf 11 te bereiken, een en ander zoals weergegeven en beschreven in verband met figuur 2. Indien tussen de elektroden 74 en 75 wel een spanning wordt aangelegd wordt de bundel 27-1 afgebogen tot bundel 27-Γ”. Na het doorlopen van de elektronenlens 10 is de bundel 27- 1”’ afgebogen tot bundel 28-1””. Bundel 28-1”” bereikt vervol-35 gens de masterschijf 11 op de positie 29”.
1015155 17
In figuur 9 is een verdere uitvoeringsvorm weergegeven voor het schrijven van twee sporen naast elkaar. In de onderhavige uitvoeringsvorm omvat de drager 5 twee rijen doorlaatplaatsen naast elkaar. Let wel dat ook figuur 9 een aanzicht is, dat dwars staat op 5 de aanzichten getoond in figuren 1 en 2, zie ook de weergave (achteraanzicht) van pijl B in figuur 9. In figuur 9 zijn in de drager 5 twee doorlaatplaatsen 82 en 83 weergegeven welke naast elkaar zijn gelegen. Elk van de doorlaatplaatsen 82 en 83 in figuur 9 correspondeert met een doorlaatplaats 22 uit figuur 2. Nabij elk van de doorlaatplaatsen 10 82 en 83 is wederom een set elektroden aangebracht welke schematisch is weergegeven met de verwijzingscijfers 84 en 85. Een bundel elektronen 1 valt in de richting van de pijl A op de drager 5. Bundels elektronen 80 en 81 uit de bundel 1 worden bij de doorlaatplaatsen 82 en 83 doorgelaten door de drager 5. Afhankelijk ervan of op de posi-15 ties 94 en 95 van de masterschijf 11 wel of niet moet worden geschreven worden de elektrodenparen 84 en 85 niet, respectievelijk wel, bestuurd door stuurelektronica 98, respectievelijk 99, om de door de doorlaatplaatsen 82 en 83 doorgelaten elektronenbundels 86 en 87 niet respectievelijk wel te verstrooien. De bundels 86 en 87 worden door de 20 elektronenoptiek 7 afgebogen tot bundels 88 en 89. Beide bundels 88 en 89 zijn gericht op de apertuuropening 9 in het apertuurelement 8. Na het passeren van de apertuuropening 9 gaan de genoemde elektronenbundels 88 en 89 door naar de elektronenoptiek 10 als bundels 90 en 91. De elektronenoptiek 10 buigt de bundels 90 en 91 wederom af tot 25 bundels 92 en 93. De bundel 92 raakt de masterschijf 11 op de positie 94 en de elektronenbundel 93 raakt de masterschijf 11 op de positie 95. De posities 94 en 95 bevinden zich op twee vlak naast elkaar gelegen sporen welke schematisch zijn aangegeven met de verwijzingscijfers 96 en 97.
30 In het voorgaande is de onderhavige uitvinding besproken aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld waarbij een drager 5 is voorzien van één of meer rijen doorlaatplaatsen en verstrooings-plaatsen. De onderhavige uitvinding is echter niet beperkt tot dit uitvoeringsvoorbeeld. De onderhavige uitvinding kan eveneens worden 35 uitgevoerd door op de posities die in de voorgaande beschrijvingen zijn aangeduid met 22, 82 en 83 koude kathode-emitter elementen aan te 1015155 18 brengen, zoals die welke zijn beschreven in Amerikaans octrooi schrift 5.216.219. Bij de uittrede-openingen van die koude kathode emitter elementen zijn dan weer, net als in de figuren 2, 3, 7 en 9 elementen 23, 42, 70, 71, 84 en 95 aangebracht voor het al dan niet verstrooien 5 van de uit de koude kathode emitter elementen tredende elektronenbundels.
In het bovenstaande is uitgegaan van een stand der techniek, Amerikaans octrooi schrift 5.216.219, waarin de masterschijf wordt geroteerd. De onderhavige uitvinding is echter niet beperkt tot 10 roterende masterschijven. Ook translerende masterschijven kunnen op de weergegeven wijze op elektronenstraallithografische wijze worden beschreven. In dat geval geeft de pijl B in figuur 2 de richting aan van de translatie van de masterschijf 11.
In het bovenstaande is uitgegaan van een elektronen- 15 transparante drager met daarop aangebracht elektronenabsorberende en/of verstrooiende elementen. Het is ook mogelijk de drager 5 uit te voeren als elektronenabsorberend en/of -verstrooiend element met daarin openingen waardoorheen de elektronen zich vrij kunnen verplaatsen.
20 In het bovenstaande is telkens sprake van elektrodenparen.
Vermeld zij dat de beschreven effecten van de elektrodenparen op de elektronen in de elektronenbundels, al naar gelang het gewenste effect, ook kunnen worden verkregen met behulp van een enkele elektrode of met meer dan twee elektroden.
25 In het bovenstaande zijn de aanstuurbare middelen, te weten elektroden 23 in figuur 2 en spoelen 42 in figuur 3, telkens aangebracht, gezien in de bewegingsrichting van de elektronen in de rij bundels, vóór de lens 7. Vermeld zij dat zij ook kunnen zijn aangebracht na de lens 7, maar vóór het apertuurelement 8.
1015155

Claims (21)

1. Elektronenstraallithografische inrichting voor het vervaar digen van een masterschijf, omvattend middelen voor het verplaatsen 5 van de masterschi jf, middelen voor het opwekken van een rij bundels elektronen en middelen voor het naar een spoor op de masterschi jf richten van elektronen uit de rij bundels, met het kenmerk, dat de rij bundels in hoofdzaak evenwijdig is aan het spoor, dat een apertuur-element met tenminste één apertuuropening is aangebracht, dat eerste 10 lensmiddelen zijn aangebracht tussen de middelen voor het opwekken van de rij bundels en het apertuurelement voor het gericht afbuigen van elektronen in de rij bundels in de richting van de tenminste ene apertuuropening en dat tweede lensmiddelen zijn aangebracht tussen het apertuurelement en de masterschijf voor het gericht op de masterschijf 15 afbuigen van elektronen die de tenminste ene apertuuropening zijn gepasseerd en dat tussen de middelen voor het opwekken van de rij bundels en het apertuurelement aanstuurbare middelen zijn aangebracht voor het, tot hoofdzakelijk naast de apertuuropening, afbuigen van elektronen in de rij bundels.
2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat aanstuurmiddelen aanwezig zijn voor het telkens vanaf een eerste bundel uit de rij bundels tot en met een laatste bundel uit de rij bundels na elkaar bedienen van de aanstuurbare middelen met een signaaltrein, Welke voor elke bundel uit de rij bundels is gebaseerd 25 op eenzelfde, doch telkens in de tijd verschoven, signaaltrein.
3. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat aanstuurbare regelmiddelen aanwezig zijn voor het, in het geval de aanstuurbare middelen de elektronen in een bepaalde bundel niet afbuigen, regelen van de hoeveelheid elektronen in de betreffende 30 bundel die de apertuuropening passeert.
4. Inrichting volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de aanstuurbare middelen de regelmiddelen omvatten.
5. Inrichting volgens conclusie 3 of 4, met het kenmerk, dat een regel schakeling is aangebracht voor het besturen van de aanstuur- 35 bare regelmiddelen. 1015155
6. Inrichting volgens één der conclusies 1 tot 5, met het kenmerk, dat de aanstuurbare middelen en/of de aanstuurbare regel-middelen tenminste een elektrische afbuiging veroorzaken.
7. Inrichting volgens één der conclusies 1 tot 6, met het 5 kenmerk, dat de aanstuurbare middelen en/of de aanstuurbare regel- middelen een magnetische afbuiging veroorzaken.
8. Inrichting volgens één der conclusie 1 tot 7, met het kenmerk, dat de aanstuurbare middelen zijn aangebracht tussen de middelen voor het opwekken van de rij bundels en de eerste lens- 10 middelen.
9. Inrichting volgens één der conclusie 1 tot 8, met het kenmerk, dat aanstuurbare afbuigmiddelen zijn aangebracht voor het afbuigen van één of meer bundels uit de rij bundels in een richting hoofdzakelijk loodrecht op een verplaatsingsrichting van het spoor.
10. Inrichting volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de aanstuurbare afbuigmiddelen zijn aangebracht tussen de middelen voor het opwekken van de rij bundels en de eerste lensmiddelen.
11. Inrichting volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de aanstuurbare afbuigmiddelen zijn aangebracht tussen de tweede lensmid- 20 delen en de masterschijf.
12. Inrichting volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de aanstuurbare afbuigmiddelen zijn aangebracht nabij de apertuuropening.
13. Inrichting volgens een der conclusies 9, 10, 11 of 12, met het kenmerk, dat de aanstuurbare afbuigmiddelen een elektrostatische 25 afbuiging veroorzaken.
14. Inrichting volgens een der conclusies 9, 10, 11 of 12, met het kenmerk, dat de aanstuurbare afbuigmiddelen een magnetische afbuiging veroorzaken.
15. Elektronenstraallithografische inrichting volgens één der 30 conclusies 1 tot 14, met het kenmerk, dat een in hoofdzaak in lijn geplaatst rasterpatroon met verstrooiings- en doorlaatplaatsen in hoofdzaak evenwijdig aan het spoor in de aanvoerbundel is aangebracht voor het op de verstrooiingsplaatsen sterker en op de doorlaatplaatsen minder sterk absorberen en/of verstrooien van elektronen in de aan-35 voerbundel. 1015155
16. Elektronenstraallithografische inrichting volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat de aanstuurbare middelen en/of de aanstuur-bare regelmiddel en zijn aangebracht nabij één of meer doorlaat-plaatsen.
17. Elektronenstraal!ithografische inrichting volgens één der conclusies 1 tot 14, met het kenmerk, dat tenminste één rij koude kathode emitter elementen in hoofdzaak evenwijdig aan het spoor is aangebracht voor het opwekken van de rij bundels elektronen.
18. Werkwijze voor het elektronenstraallithografisch vervaar- 10 digen van een masterschijf, waarbij een rij bundels van elektronen wordt opgewekt en naar een spoor op de masterschijf wordt gericht, met het kenmerk, dat de rij bundels elektronen in een richting hoofdzakelijk evenwijdig aan het spoor op de masterschijf wordt aangelegd, dat de rij bundels door een eerste lenselement door een apertuuropening in 15 een apertuurelement wordt afgebogen en door een tweede lenselement op de masterschijf wordt geprojecteerd, en dat de bundels gestuurd worden gericht hetzij op de apertuuropening hetzij niet op de apertuuropening.
19. Werkwijze volgens conclusie 18, met het kenmerk, dat, 20 gezien in de bewegingsrichting van het spoor ten opzichte van de rij bundels, gaande van een eerste bundel uit de rij bundels naar een laatste bundel uit de rij bundels alle gestuurde bundels opeenvolgend worden gestuurd door een signaaltrein, welke voor elke bundel uit de rij bundels i's gebaseerd op eenzelfde, doch telkens in de tijd 25 verschoven, signaaltrein.
20. Werkwijze volgens conclusie 19, met het kenmerk, dat de verschuiving in de tijd gelijk is aan de tijdsduur benodigd voor een punt van het spoor om van een eerste positie ten opzichte van een eerste bundel uit de rij bundels te geraken op een tweede positie, 30 welke tweede positie ten opzichte van de, op de eerste bundel volgende, bundel uit de rij bundels op dezelfde wijze is gelegen als de eerste positie is gelegen ten opzichte van de eerste bundel.
21. Werkwijze volgens conclusie 18, 19 of 20, met het kenmerk, dat tenminste één bundel van de rij bundels dwars op de richting van 35 het spoor wordt afgebogen. 1015155
NL1015155A 2000-05-11 2000-05-11 Elektronenstraallithografie. NL1015155C2 (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1015155A NL1015155C2 (nl) 2000-05-11 2000-05-11 Elektronenstraallithografie.
KR1020027015137A KR20030025226A (ko) 2000-05-11 2001-05-01 전자-빔 리소그래피
US10/275,649 US6835943B2 (en) 2000-05-11 2001-05-01 Electron-beam lithography
EP01926238A EP1290685A1 (en) 2000-05-11 2001-05-01 Electron-beam lithography
AU2001252770A AU2001252770A1 (en) 2000-05-11 2001-05-01 Electron-beam lithography
PCT/NL2001/000328 WO2001086649A1 (en) 2000-05-11 2001-05-01 Electron-beam lithography

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1015155A NL1015155C2 (nl) 2000-05-11 2000-05-11 Elektronenstraallithografie.
NL1015155 2000-05-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1015155C2 true NL1015155C2 (nl) 2001-11-13

Family

ID=19771350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1015155A NL1015155C2 (nl) 2000-05-11 2000-05-11 Elektronenstraallithografie.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6835943B2 (nl)
EP (1) EP1290685A1 (nl)
KR (1) KR20030025226A (nl)
AU (1) AU2001252770A1 (nl)
NL (1) NL1015155C2 (nl)
WO (1) WO2001086649A1 (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004005872A (ja) * 2002-04-09 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ディスク原盤作製方法および光ディスクとその製造方法
US6915374B2 (en) * 2003-02-19 2005-07-05 Dell Products L.P. Method and system for setting optical drive write strategies
JP5226943B2 (ja) * 2006-08-31 2013-07-03 株式会社リコー 描画方法及び描画装置、並びに情報記録媒体
US8361699B2 (en) * 2008-02-05 2013-01-29 Nil Technology Aps Method for performing electron beam lithography
KR101769493B1 (ko) * 2011-12-23 2017-08-30 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4199688A (en) * 1977-11-24 1980-04-22 Hitachi, Ltd. Apparatus for electron beam lithography
US5216219A (en) * 1991-05-10 1993-06-01 Pioneer Electronic Corporation Disk manufacturing apparatus
US5561008A (en) * 1995-01-27 1996-10-01 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication using projection lithography and an apparatus therefor
US5942760A (en) * 1997-11-03 1999-08-24 Motorola Inc. Method of forming a semiconductor device utilizing scalpel mask, and mask therefor
JPH11288532A (ja) * 1998-03-31 1999-10-19 Sony Corp 露光装置、露光方法及び記録媒体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6034754B2 (ja) * 1976-02-18 1985-08-10 松下電器産業株式会社 ホログラム記録装置
DE69426482T2 (de) * 1993-12-24 2001-07-12 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren zur Herstellung eines optischen Informationsträgers, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens, und nach diesem Verfahren hergestellter optischer Informationsträger
JP4196425B2 (ja) * 1998-03-31 2008-12-17 ソニー株式会社 ディスク原盤作成装置
US6051346A (en) * 1998-04-29 2000-04-18 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating a lithographic mask

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4199688A (en) * 1977-11-24 1980-04-22 Hitachi, Ltd. Apparatus for electron beam lithography
US5216219A (en) * 1991-05-10 1993-06-01 Pioneer Electronic Corporation Disk manufacturing apparatus
US5561008A (en) * 1995-01-27 1996-10-01 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication using projection lithography and an apparatus therefor
US5942760A (en) * 1997-11-03 1999-08-24 Motorola Inc. Method of forming a semiconductor device utilizing scalpel mask, and mask therefor
JPH11288532A (ja) * 1998-03-31 1999-10-19 Sony Corp 露光装置、露光方法及び記録媒体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2000, no. 01 31 January 2000 (2000-01-31) *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1290685A1 (en) 2003-03-12
WO2001086649A1 (en) 2001-11-15
US6835943B2 (en) 2004-12-28
KR20030025226A (ko) 2003-03-28
AU2001252770A1 (en) 2001-11-20
US20030155532A1 (en) 2003-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU698622B2 (en) Method for parallel addressing of an optical memory, a write/read device for implementing by the method, and uses thereof
KR101638766B1 (ko) 비임렛 블랭커 배열체
NL2004846C2 (nl) Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
JP4017935B2 (ja) マルチビーム型電子線描画方法及び装置
NL1015155C2 (nl) Elektronenstraallithografie.
US20040149935A1 (en) Charged beam exposure apparatus having blanking aperture and basic figure aperture
KR102320008B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
Pease Maskless lithography
NL8201193A (nl) Magneto-optisch registreer- en reproduceerstelsel.
WO2017019782A1 (en) Combination of an x-ray tube and a source grating with electron beam manipulation
TW487955B (en) Multi-beam exposure apparatus by using multi-axis electronic lens, multi-axis electronic lens, and manufacturing method of semiconductor devices
US5270990A (en) Tracking error signal detecting apparatus using an electron beam and apparatus for effecting recording/reproduction of information by the utilization of a plurality of electron beams
JP2008287851A (ja) 光ディスク装置及び光ピックアップ
JPWO2004114314A1 (ja) 情報記憶装置
JP5486762B2 (ja) 複数焦点x線システムのための方法及びシステム
JP4246157B2 (ja) 電子線露光方法及び電子線露光装置
Brand et al. Super-resolution in optical data storage
JP2595212B2 (ja) 情報記録再生装置
JPH11288532A (ja) 露光装置、露光方法及び記録媒体
US6295076B1 (en) Method of increasing imaging resolution
JP2680576B2 (ja) 光記録方法
SU733023A1 (ru) Электронно-лучевое запоминающее устройство
JPS61235813A (ja) マルチ光源装置
JPH09115804A (ja) 荷電粒子線を用いたブロック露光方法
JP2000047557A (ja) 光記録媒体及び光記録媒体用情報読取り装置

Legal Events

Date Code Title Description
PD2B A search report has been drawn up
SD Assignments of patents

Owner name: NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETEN

Owner name: ODME B.V.

TD Modifications of names of proprietors of patents

Owner name: NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETEN

Owner name: SINGULUS MASTERING B.V.

VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20051201