UN DISPOSITIVO DE EAS/RFID INTEGRADO Y DISPOSITIVOS DESHABILITADORES PARA EL MISMO
Referencia Cruzada Con Solicitudes Relacionadas Esta solicitud reivindica el beneficio de la prioridad bajo 35
U.S.C. § 1 19 de la Solicitud Provisional de Patente No. de Serie 60/630,351 presentada el 24 de noviembre de 2004, titulada "Dispositivos de Deshabilitación Para un Dispositivo de EAS/RFID Integrado", cuyo contenido entero se incorpora en la presente por referencia. Antecedentes de la Invención Campo Técnico Esta invención se refiere a un dispositivo de reconocimiento electrónico de artículo (EAS) e identificación de radiofrecuencia (RFI D) integrados que es capaz de realizar funciones dobles de EAS/RFI D y, particularmente, a un dispositivo que es capaz de ser reactivado para reasumir el desempeño de funciones tanto de EAS como de RFID. Antecedentes de la Técnica Relativa En general, es sabido que muchos dispositivos que están diseñados para realizar solamente una función de EAS (es decir, marcar un artículo como "activado" o "desactivado") son capaces de ser reactivados. Por ejemplo, los procesos magnéticos para desactivar un marcador de EAS proporcionan un proceso simple para la desactivación mediante magnetización o desmagnetización de una tira magnética de polarización negativa. La reactivación es posible en este tipo de dispositivo ya que el proceso de magnetización es reversible. Sin embargo, en el caso de marcadores de EAS los cuales son desactivados por medio de una onda de radiofrecuencia típicamente en un rango de aproximadamente 8.2 MHz (±10%), tal como un marcador resonante de RF LC (capacitor inductor de radiofrecuencia), un alto voltaje inducido puede romper la capa dieléctrica en un punto débil, creando un cortocircuito. Este es un proceso destructivo y, típicamente, no es posible la reactivación. Con el advenimiento de la tecnología de RFID, muchos minoristas están considerando etiquetar la mercancía (por ejemplo, por artículo, por caja, por tarima) con etiquetas de RFID. Al mismo tiempo, la tecnología y dispositivos de reconocimiento electrónico de artículo (EAS) han probado ser críticos para la reducción de robo y la llamada "merma". Se concibe que los dispositivos de RFID pueden proporcionar también muchas de las mismas ventajas conocidas para la tecnología de EAS acoplada con ventajas o capacidades adicionales tales como control de inventarios, lectura de estantes, sin línea de lectura visual, etc. Sin embargo, hay varios asuntos que pertenecen a dispositivos de EAS y RFID o marbetes o etiquetas en combinación conocidos previamente. Tales asuntos incluyen los siguientes: Costo - Los marbetes o etiquetas de EAS/RFID son generalmente más costosos para un minorista/fabricante ya que se requieren típicamente dos dispositivos y dos lectores o desactivadores separados.
Tamaño -El tamaño de una configuración combinada es generalmente más grande. Interferencia - Puede ocurrir interferencia si los dispositivos se traslapan resultando en desempeño en degradación de funciones ya sea de EAS y RFI D o ambas, a menos que se proporcionen aspectos específicos de diseño para reducir la interferencia causada por el traslape. Tales asuntos relativos a costo, tamaño y degradación e interferencia de desempeño causados por el traslape se tratan y se superan en la Solicitud Provisional de Patente de E. U. No. 60/628,303 presentada el 1 5 de noviembre de 2004, titulada "Etiqueta o Marbete de EAS/RFI D Combo", de propiedad común, ahora la Solicitud de PCT No. de Serie [Expediente de Apoderado No. F-TP-00023US/WO], presentada el 1 5 de noviembre de 2005, titulada "Etiqueta o Marbete de EAS y RFI D en Combinación", cuyos contenidos completos de ambas se incorporan en la presente por referencia. Sin embargo, con respecto a marcadores de EAS/RFI D integrados, no hay solución conocida para el problema de la reactivación de la función de EAS del marcador de EAS/RFI D después de la desactivación. Por lo tanto, sería deseable diseñar un marcador de EAS/RFI D integrados que sea económico y resuelva muchos de los asuntos discutidos anteriormente. Breve Descripción de la Invención Es un objetivo de la presente invención proporcionar un dispositivo de EAS/RFI D integrado que retenga su estado aún en la ausencia de energía. Más particularmente, la presente descripción pertenece a un semiconductor para uso con un marcador de reconocimiento electrónico de artículo (EAS) e identificación de radiofrecuencia (RFI D). El semiconductor incluye una porción receptora de corriente que se acopla a una antena y está configurada para comunicarse con por lo menos otra porción del semiconductor de manera que se puede realizar una multiplicidad de funciones mediante la por lo menos otra porción del semiconductor al recibir y retransmitir energía y señales desde la antena. El semiconductor incluye también por lo menos uno de un prímer interruptor acoplado a la porción receptora de corriente de manera que se deshabilita la multiplicidad de funciones al cierre del primer interruptor y un segundo interruptor acoplado operativamente a la porción receptora de corriente de manera que por lo menos una de la multiplicidad de funciones se deshabilita por lo menos parcialmente al cierre del segundo interruptor. Por lo menos uno del primer interruptor y el segundo interruptor incluye una memoria preestablecida, y la memoria preestablecida establece un estado de conducción de por lo menos uno del primer interruptor y el segundo interruptor. El estado de conducción puede ser establecido durante la operación activa del semiconductor y se puede mantener cuando el dispositivo está en un estado bajo de energía mediante un controlador de energía que tiene almacenamiento de memoria para almacenar el estado de conducción. El controlador de energía puede modular por lo menos uno del primer interruptor y el segundo interruptor. La porción receptora de corriente puede ser una porción de extremo frontal rectificadora de corriente que incluye un electrodo de fuente; una impedancia de modulación y un primer diodo ambos de los cuales estando acoplados operativamente con el electrodo de fuente y al electrodo de drenado para formar un circuito capacitivo inductivo resonante paralelo (LC); y un segundo diodo acoplado operativamente al electrodo de drenado de manera que el circuito de LC forma un circuito rectificador de corriente. El semiconductor puede incluir una antena acoplada electromagnéticamente al semiconductor y diseñada para recibir y retransmitir la energía y señal de y hacia la porción receptora de corriente. La presente descripción se refiere también a un marcador de reconocimiento electrónico de artículo (EAS) e identificación de radiofrecuencia (RFID) integrado que incluye una antena; un semiconductor adaptado para acoplarse a la antena, y que está configurado para recibir y transmitir energía y señales a la antena, el semiconductor que incluye: una porción de extremo receptora de corriente dispuesta en el semiconductor y configurada para comunicarse con por lo menos otra porción del semiconductor, de manera que se puede realizar una multiplicidad de funciones mediante la por lo menos otra porción al recibir y retransmitir la energía y señales desde y hacia la antena. El semiconductor incluye por lo menos uno de un primer interruptor acoplado operativamente a la porción receptora de corriente de manera que se deshabilita la multiplicidad de funciones al cierre del primer interruptor; y un segundo interruptor acoplado operativamente a la porción receptora de corriente de manera que por lo menos una de la multiplicidad de funciones se deshabilita por lo menos parcialmente al cierre del segundo interruptor. Breve Descripción de los Dibujos La materia asunto contemplada como las modalidades se señala particularmente y se reivindica distintivamente en la porción concluyente de la especificación. Las modalidades, sin embargo, tanto en su organización y método de operación, junto con los objetivos, aspectos, como a las ventajas de las mismas, pueden entenderse mejor haciendo referencia a la siguiente descripción detallada cuando se lee con los dibujos adjuntos, en los cuales: La Figura 1 es un diagrama esquemático de un dispositivo de EAS/RFID integrado de acuerdo con la presente descripción. La Figura 2A es un diagrama esquemático de circuito de una modalidad del dispositivo de EAS/RFID integrado de la Figura 1 para operación de alta frecuencia. La Figura 2B es un diagrama esquemático de circuito de una modalidad del dispositivo de EAS/RFID integrado de la Figura 1 para operación de radiofrecuencia; y La Figura 3 es un diagrama esquemático de un dispositivo de puerta flotante/soterrada (floating/buried gate) para controlar la resistencia de canal. Descripción Detallada de la Invención Un dispositivo de EAS/RFID integrado típicamente no proporciona una funcionalidad completa sin un método apropiado de desactivación, especialmente con respecto a la función de EAS del dispositivo. (Un marcador o etiqueta de EAS se alude comúnmente como un transponder de bit sencillo porque contiene solamente una pieza de información: ya sea que la etiqueta esté activada o desactivada). El dispositivo de EAS/RFID integrado de la presente descripción es capaz de realizar funciones duales de EAS/RFID, es decir, la función de RFID proporciona información extensiva sobre el artículo etiquetado mientras que la función de EAS adjunta proporciona ¡nformación limitada con respecto al artículo (activada/desactivada). En general, el rango de detección de la función de EAS es mayor que el rango de detección de la función de RFID. Un aspecto atractivo de tal dispositivo integrado es que es posible proporcionar una función de desactivación de EAS con base en un código complicado preestablecido en el dispositivo de RFID. Una vez confirmada, la porción de RFID del dispositivo integrado crea un pulso eléctrico para cambiar la condición del dispositivo integrado, inactivando la función del dispositivo de EAS y/o RFID. La presente descripción describe un dispositivo que es capaz de cambiar o retenerse su estado de impedancia aún en la ausencia de energía. Además, el enfoque novedoso de desactivación de la porción de EAS o porción de EAS/RFID en la presente permite la retención de cualquier información almacenada en la porción de RFI D del dispositivo de EAS/RFID integrado. Con este enfoque, se logran ahorros significativos usando una etiqueta para realizar funciones duales. Las funciones de RFI D se usan para las operaciones logísticas, tales como el control del proceso de fabricación, transporte de mercancías, inventario, verificación de artículo para revisión, retorno, etc. La función de EAS se realiza para propósitos antirobo en el punto de salida. Básicamente, se introduce por lo menos un interruptor con una memoria preestablecida que habilita el desempeño de una función de EAS de bit sencillo en una porción del circuito de RFID. El estado de conducción de los interruptores (por ejemplo, encendido/apagado, baja/alta resistencia) puede fijarse durante la duración activa (energizado) del dispositivo, y mantenido cuando el dispositivo está en el estado bajo de energía. Se pueden exponer en la presente numerosos detalles específicos para proporcionar un entendimiento completo de las modalidades de la invención. Se entenderá por aquellos expertos en la técnica, sin embargo, que se pueden practicar las varias modalidades de la invención sin esos detalles específicos. En otros casos, no han sido descritos en detalle métodos, procedimientos, componentes y circuitos bien conocidos para no oscurecer las varias modalidades de la invención. Se puede apreciar que los detalles estructurales y funcionales específicos descritos en la presente son representativos y no limitan necesariamente el alcance de la invención.
Vale la pena hacer notar que cualquier referencia en la especificación a "una modalidad" o "una modalidad" de acuerdo con la presente descripción significa que un aspecto, estructura o característica particular descrito en relación con la modalidad está incluido en por lo menos una modalidad. Las apariciones de la frase "en una modalidad" en varios lugares en la especificación no se refieren todas necesariamente a la misma modalidad. Algunas modalidades pueden ser descritas usando la expresión "acoplado" y "conectado" junto con sus derivados. Por ejemplo, algunas modalidades pueden ser descritas usando el término "conectado" para indicar que dos o más elementos están en contacto físico o eléctrico directo entre ellos. En otro ejemplo, algunas modalidades pueden ser descritas usando el término "acoplado" para indicar que dos o más elementos están en contacto físico o eléctrico directo. El término "acoplado", sin embargo, puede significar también que dos o más elementos no están en contacto directo entre ellos, pero que cooperan o interactúan todavía entre ellos. Las modalidades no están limitadas en este contexto. Haciendo referencia ahora en detalle a los dibujos, en donde partes similares pueden estar designadas mediante números de referencia de principio afín, como se ilustra en la Figura 1 , los componentes de una etiqueta o marcador 100 de EAS/RFID integrado de la presente descripción incluyen una antena 1 10, la cual es un dispositivo de acoplamiento de energía diseñado para recibir y retransmitir la energía y la señal 120 desde un dispositivo 130 de semiconductor inteligente. La antena 1 10 puede estar dedicada a recibir y transmitir energía y señales relacionadas con la etiqueta o marcador 100. La antena 110 puede ser una antena dipolar para aplicaciones de frecuencia ultra alta (UHF) y puede ser una antena de bobina para aplicaciones de radio frecuencia (RF). Las modalidades no están limitadas en este contexto. El semiconductor 130 está diseñado para realizar funciones analíticas y de computación, como se explica con más detalle más adelante con respecto a la Figura 2. La antena 1 10 está acoplada operativamente al dispositivo 130 semiconductor vía la señal 120 y sirve como un dispositivo transceptor para ambas funciones de EAS y RFID. Aunque la antena 1 10 se muestra como estando separada del dispositivo 130 semiconductor, en una modalidad, la antena 1 10 puede estar formada también en el dispositivo 130 semiconductor como una unidad integrada. Las modalidades no están limitadas en este contexto. El dispositivo semiconductor 130 incluye circuitos interconstruídos, de función dual, para controlar las funciones de EAS y RFID, respectivamente. Es posible que los circuitos que controlan las funciones de EAS/RFID puedan compartir los mismos circuitos (o porciones de los mismos) o acoplarse a un componente común, por ejemplo, la antena 1 10. Como se discute más tarde, en una modalidad particular, un diodo usado comúnmente para rectificación (usualmente no lineal) puede estar diseñado para implementar ciertas funciones de EAS, tales como generación mixta y armónica. Se puede diseñar también un lector para cooperar con cualquiera (o ambos) de los dispositivos/funciones de EAS o RFI D. Tal lector se describe en la Solicitud de Patente Provisional de E. U. No. 60/629, 571 , de propiedad común, presentada el 1 8 de noviembre de 2004, titulada "DISPOSITIVO DE EAS/RFI D DE 1 3.56 M Hz I NTEGRADO", Solicitud de Patente de PCT No. [Expediente de Apoderado No. F-TP-00018USUS/WO], presentada ahora concurrentemente, titulada "LECTOR DE EAS QUE DETECTA FUNCIÓN DE EAS DEL DISPOSITIVO DE RFI D", ambas de las cuales se incorporan en la presente por referencia, en su totalidad. El dispositivo 1 30 semiconductor debe estar energizado completamente con el fin de ejecutar las operaciones lógicas requeridas para varias aplicaciones de RFI D, tales como control de acceso, rastreo de documentos, rastreo de ganado, autenticación de producto, tareas de menudeo, y tareas de cadena de suministro. La función principal de un dispositivo de EAS es crear una firma única en respuesta a una pregunta del sistema (de preferencia realizada sin activar completamente las funciones lógicas de RFI D de una etiqueta o marcador de RFI D en la proximidad). Como resultado, el rango de lectura de EAS efectivo es mayor que el rango de lectura de RFID efectivo y los dispositivos/funciones de EAS tienden a ser más elásticos a los efectos de protección y desintonización. Como se puede apreciar, es importante desactivar o deshabilitar los dispositivos de EAS/RFI D una vez que se compra el artículo o el dispositivo sale de las instalaciones por razones relacionadas con privacía y/o interferencia con otras instalaciones operadas de EAS/RFID ubicadas en las tiendas. Además, hay ocasiones cuando los clientes quienes han comprado un artículo que tiene una etiqueta de RFID prefieren que su información personal permanezca confidencial. Para este propósito, el dispositivo de RFID es muy adecuado para establecer diferentes niveles de seguridad, fijando un protocolo estándar, es decir, la desactivación de la función de EAS puede lograrse a través de la inteligencia del dispositivo de RFID. La Figura 2A ilustra un ejemplo específico del dispositivo 130 de semiconductor de EAS/RFID integrado, de acuerdo con la presente descripción, que tiene capacidad de desactivación de función de EAS en un rango de banda de UHF adecuado para aplicaciones de RFI D. El dispositivo 130 de semiconductor está montado en un substrato 210. El dispositivo 130 de semiconductor incluye una porción 220 de extremo frontal receptora de corriente, la cual puede servir también como una porción de extremo frontal rectificadora de corriente del dispositivo 130 de semiconductor de EAS/RFID. La porción 220 de extremo frontal está acoplada comúnmente en empalmes 1 y 2 a otra o una porción 260 de extremo trasero del dispositivo 130 de semiconductor de EAS/RFID que realiza una multiplicidad de funciones de RFID. La porción 220 de extremo frontal está acoplada a la antena 1 10 en las terminales T1 y T2. La terminal T1 acopla la antena 1 10 al electrodo 230 de fuente, mientras que la terminal T2 acopla la antena 110 al electrodo 240 de drenado. Una ?Z de impedancia variable o de modulación está acoplada en paralelo a los electrodos 230 y 240 en los empalmes 3 y 4, respectivamente. Un diodo D 1 está acoplado en paralelo a los electrodos 230 y 240 en los empalmes 5 y 6, respectivamente. De manera similar, un capacitor C1 está acoplado en paralelo a los electrodos 230 y 240 en los empalmes 7 y 8, respectivamente. Voltaje de fuente Vss en el empalme 7 y voltaje de drenado Vdd en el empalme 8 proporcionan energía para almacenamiento mediante el capacitor C1 . En una modalidad, la porción 220 de EAS del dispositivo mezcla una señal de UHF (ultra alta frecuencia) con un campo eléctrico de radiofrecuencia (RF) con base en la no linealidad del extremo 220 frontal del dispositivo 130 de EAS/RFI D integrado. Más particularmente, tal modalidad se describe en detalle en la Solicitud de Patente de E. U. No. de Serie 1 1 /144,883, co-pendíente, presentada el 3 de junio de 2005, titulada "TÉCN ICAS PARA DETECTAR ETIQUETAS DE RFID EN SISTEMAS DE RECONOCIM IENTO ELECTRÓN ICO DE ARTÍCULO USANDO MEZCLADO DE FRECUENCIAS", cuyo contenido se incorpora por referencia en la presente en su totalidad. Para la desactivación de la función de EAS, por lo menos uno de los interruptores S1 y S2 se inserta en la porción 220 de extremo frontal. Específicamente, el interruptor S1 está dispuesto en el electrodo 230 de fuente entre la terminal T1 y el empalme 3, y está acoplado a la terminal T1 y al empalme 3. Por lo tanto, el interruptor S1 controla el flujo de corriente al dispositivo 130 semiconductor entero ya que el interruptor S 1 está dispuesto en el electrodo 230 de fuente corriente arriba de la ?Z de impedancia, el diodo D1 y el capacitor C. En una modalidad , el interruptor S2 está dispuesto entre el empalme 5 en el electrodo 230 de fuente y el diodo D1 y está acoplado al electrodo 230 de fuente y el diodo D1 . Por lo tanto, el interruptor S2 controla el flujo de corriente a través del diodo D1 . Los interruptores S1 y S2 están diseñados para tener ciertas características fundamentales, por ejemplo, una memoria preestablecida y elementos programables. El estado de conducción (por ejemplo, encendido/apagado, baja/alta resistencia) de cada interruptor SI y S2 puede fijarse durante la duración activa (energizada) del dispositivo, y mantenida cuando el dispositivo 1 30 semiconductor está en el estado bajo de energía. Las funciones de programación se proporcionan mediante la porción 260 de extremo trasero de RFI D vía un controlador 250 de energía que incluye por lo menos una máquina 250a de estado, que es un dispositivo de conmutación que ejecuta operaciones lógicas, la memoria 250b, el modulador 250c y el demodulador 250d. El modulador 250c está acoplado a la ?Z de impedancia de modulación, el interruptor S 1 y el interruptor S2. El electrodo 240 de drenado está acoplado en el empalme 2 al desmodulador 250d. La máquina 250a de estado determina la condición de operación de y controla los interruptores S1 y S2 y la ?Z de impedancia de modulación. Las condiciones de operación se almacenan en la memoria 250b. La máquina 250a de estado controla también los interruptores S 1 y S2 y la ?Z de impedancia de modulación mediante el modulador 250c. La energía se proporciona al controlador 250 de energía típicamente vía el capacitor C1 . Una vez que se "enciende" el interruptor S2, en conjunto con el interruptor S 1 , la resistencia es . disminuida suficientemente para maximizar la sensibilidad del marcador 1 00 de EAS/RFI D. Una vez que se "apaga" el interruptor S1 o S2, la resistencia es elevada significativamente para desensibilizar la función de EAS. Además, el semiconductor 130 está diseñado de manera que el dispositivo de RFI D funcione de manera diferente dependiendo de cual interruptor está "apagado". Por ejemplo, cuando se "apaga" el interruptor S1 , las funciones 260 de RFI D del dispositivo 130 de semiconductor se deshabilitan ya que el interruptor S1 controla el flujo de corriente al electrodo 230 de fuente a partir de la terminal T1 . En contraste, puesto que el interruptor S2 controla el flujo de corriente solamente a través del diodo D1 , solamente ocurre una reducción en desempeño o función de RFI D de las funciones 260 de RFI D si se "enciende" el interruptor S2. La memoria 250b puede comprender, por ejemplo, memoria de programa, memoria de datos, o cualquier combinación de las mismas. La memoria 250b puede comprender también, por ejemplo, memoria de acceso aleatorio (RAM), memoria de lectura solamente (ROM), memoria programable de lectura solamente (PROM ), memoria prqgramable de lectura solamente que se puede borrar (EPROM ), memoria programable de lectura solamente que se puede borrar eléctricamente (EEPROM), o combinaciones de las mismas, y los similares. La Figura 2B ilustra un ejemplo específico de un dispositivo semiconductor de EAS/RFID integrado de acuerdo con la presente descripción, que tiene capacidad de desactivación de función de EAS en un rango de banda de RF adecuado para aplicaciones de RFID. Más particularmente, el dispositivo 130' de semiconductor es idéntico al dispositivo 130 de semiconductor, excepto que el dispositivo 130' de semiconductor está montado en un sustrato 210' el cual incluye también una porción 220' de extremo frontal receptora de corriente. La diferencia entre la porción 220' de extremo frontal y la porción 220 de extremo frontal del dispositivo 130 semiconductor es que el interruptor S2 ya no está acoplado en serie con el diodo D1 entre los empalmes 5 y 6. Más bien, el interruptor S2 está acoplado ahora a través de las terminales T1 y T2. Además, un capacitor C2 está acoplado también en serie con el interruptor S2 a través de las terminales T1 y T2. La porción 220' de extremo frontal puede servir también como una porción de extremo frontal rectificadora de corriente del dispositivo 130' semiconductor de EAS/RFID. El capacitor C2 permite la igualación de sintonía o frecuencia de la frecuencia de resonancia de la porción 220' de extremo frontal controlada mediante la ?Z de impedancia de modulación para la frecuencia de la señal 120 de interrogación (ver Figura 1 ). Típicamente ocurre normalmente una pérdida de fuente de energía para el marcador 100 integrado cuando la mercancía es llevada desde la estación de desactivación al punto de salida donde se ubica el sistema de EAS. La efectividad de la desactivación de la función de EAS es directamente proporcional a la magnitud de la proporción RR de resistencia de encendido/apagado de los interruptores S1 y S2, como se define mediante la resistencia del interruptor en la posición de APAGADO, Roff, dividida entre la resistencia del interruptor en la posición de ENCEN DI DO, Ron , o RR =
Un dispositivo concebido que proporciona la capacidad de función de conmutación para servir como interruptores S1 y S2 es similar a un dispositivo de memoria flash no volátil (o dispositivo de puerta flotante), como se muestra en la Figura 3. Más particularmente, la Figura 3 ilustra un diagrama esquemático de un dispositivo 300 de puerta flotante/soterrada para controlar la resistencia de canal. El dispositivo 300 puede estar diseñado como un dispositivo de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) que incluye un sustrato (o capa dieléctrica) 310 que está dispuesto en una orientación coplanar con el electrodo 320 de fuente y el electrodo 330 de drenado. Una puerta 340 flotante está dispuesta entre una puerta 350 de control y el electrodo 320 de fuente y el electrodo 330 de drenado en el sustrato 31 0. El dispositivo 300 es un dispositivo MOSFET con una puerta 340 flotante. Es sabido que las características de conducción de un canal de transistor de efecto de campo dependen de la cantidad de carga en la estructura de puerta o la isla. La inyección de una carga en tal isla puede implementarse mediante el túnel 360a de Fowler-Nordheim o inyección de electrón caliente de canal (CHE) 360b. Una vez que la carga 360a o 360b se inyecta, la carga puede permanecer en estado apropiado durante años sin una preocupación de cambio de estado. Para un dispositivo de MOSFET, la resistencia de canal depende de la estructura y la composición del dispositivo, como se muestra a continuación en la Ecuación (1 ):
donde: R = la resistencia de canal, en ohmios (O) ; Z = ancho de canal en micrómetros (µm); L = longitud de canal, en micrómetros (µm); C¡ = capacitancia de capa dieléctrica por unidad de área, en faradios/cm2; µ = la movilidad del portador de carga, en cm2/volt-seg; y VG y Vt son el voltaje de puerta efectivo en voltios y el voltaje de umbral en voltios, respectivamente, en donde Vt depende de la composición del dispositivo y el estado de S1 y S2. El proceso de desactivación o deshabilitación es reversible simplemente mediante la inyección de la carga 360a o 360b en el dispositivo 340 de puerta flotante o drenando la carga 360a o 360b del dispositivo 340 de puerta flotante vía la línea 370 de tierra, suponiendo que la porción 260 de RFID todavía funciona. Como resultado, el dispositivo 300 de MOSFET anterior puede servir para las funciones de apertura y cerrado de cualquier interruptor S 1 o S2. El controlador 250 de energía puede controlar cualquier dispositivo de puerta flotante tal como el dispositivo 300 de puerta flotante. Un dispositivo de aniquilación, tal como un dispositivo análogo de aniquilación puede acoplarse a través de las terminales T1 y T2 y puede controlar la impedancia y la pérdida y el rango de lectura y alguna funcionalidad de RFID. Se introducen datos al desmodulador 250d vía el empalme 2 y se producen datos directamente al interruptor S1 , ?Z de impedancia de modulación y el interruptor S2 del modulador 250c. Qué tan bien los cortos del interruptor S1 o S2 determina la magnitud de la proporción de resistencia RR que es posible. Se concibe que las modalidades de la presente descripción pueden ser como hardware dedicado, tal como un circuito, un circuito integrado de aplicación específica (ASIC), el dispositivo lógico programable (PLD) o el procesador de señal digital (DSP). En todavía otra modalidad, el marcador 100, el semiconductor 130 o el hardware lector pueden diseñarse usando cualquier combinación, de componentes de computadora de propósito general programados y componentes de hardware acostumbrados. Las modalidades no están limitadas en este contexto. Aunque se han ilustrado ciertos aspectos de las modalidades de la invención como se describe en la presente, muchas modificaciones, sustituciones, cambios y equivalentes se les ocurrirán a aquellos expertos en la técnica. Por lo tanto, se entiende que las reivindicaciones adjuntas pretenden cubrir todas esas tales modificaciones y cambios que caen dentro del verdadero espíritu de las modalidades de la invención.