MD4554C1 - Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS - Google Patents
Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdSInfo
- Publication number
- MD4554C1 MD4554C1 MDA20170092A MD20170092A MD4554C1 MD 4554 C1 MD4554 C1 MD 4554C1 MD A20170092 A MDA20170092 A MD A20170092A MD 20170092 A MD20170092 A MD 20170092A MD 4554 C1 MD4554 C1 MD 4554C1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- inp
- cds
- deposition
- board
- increasing
- Prior art date
Links
Abstract
Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată, în special, în convertoarele fotovoltaice.Procedeul de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS include creşterea stratului p-InP pe un substrat, executat în formă de plachetă din p+InP cu orientarea cristalografică (100), dezorientarea de 3…5° în direcţia (110) şi concentraţia purtătorilor de sarcină de 1018 cm-3, depunerea, pe partea frontală a plachetei, prin metoda volumului cuaziînchis a stratului n+CdS, depunerea pe partea posterioară a unui contact ohmic din Ag+Zn, tratarea termică a lui la temperatura de 450°C, depunerea unui contact ohmic din In pe stratul din n+CdS, tratarea termică a lui la temperatura de 250°C şi depunerea prin metoda pulverizării, la temperatuta de 300°C, a unui strat antireflector de ZnO.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20170092A MD4554C1 (ro) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20170092A MD4554C1 (ro) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD4554B1 MD4554B1 (ro) | 2018-02-28 |
| MD4554C1 true MD4554C1 (ro) | 2018-09-30 |
Family
ID=61282887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20170092A MD4554C1 (ro) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4554C1 (ro) |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE618264A (ro) * | 1959-06-18 | |||
| BR9806136A (pt) * | 1997-08-27 | 1999-10-26 | Matsushita Eletric Industrtial | Substrato de carbureto de silìco e método para a produção do substrato, e dispositivo semicondutor utilizand o substrato. |
| JP3920103B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2007-05-30 | 大阪府 | 絶縁層埋め込み型半導体炭化シリコン基板の製造方法及びその製造装置 |
| WO2007024186A2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Smoltek Ab | Interconnects and heat dissipators based on nanostructures |
| MD3372C2 (ro) * | 2006-03-31 | 2008-02-29 | ШИШЯНУ Серджиу | Procedeu de obtinere a celuler fotovoltaice (variante) |
| JP5448304B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2014-03-19 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
| US11417788B2 (en) * | 2010-11-19 | 2022-08-16 | The Boeing Company | Type-II high bandgap tunnel junctions of InP lattice constant for multijunction solar cells |
| MD4261B1 (ro) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
| MD4280C1 (ro) * | 2013-09-04 | 2014-10-31 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii pInP-nCdS |
| MD972Z (ro) * | 2015-02-19 | 2016-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice |
| MD4510C1 (ro) * | 2016-06-23 | 2018-03-31 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii n+-p-p+ InP pentru celule solare |
-
2017
- 2017-10-18 MD MDA20170092A patent/MD4554C1/ro not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD4554B1 (ro) | 2018-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Todorov et al. | Progress towards marketable earth-abundant chalcogenide solar cells | |
| MY167874A (en) | Solar cells | |
| Lee et al. | Behavior of Photocarriers in the Light-Induced Metastable State in the p-n Heterojunction of a Cu (In, Ga) Se2 Solar Cell with CBD-ZnS Buffer Layer | |
| Ishizuka et al. | Similarities and critical differences in heavy alkali-metal rubidium and cesium effects on chalcopyrite Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells | |
| WO2011090728A3 (en) | Low cost solar cells formed using a chalcogenization rate modifier | |
| Hwang et al. | Wet pretreatment-induced modification of Cu (In, Ga) Se2/Cd-free ZnTiO buffer interface | |
| MY172480A (en) | Solar cell, manufacturing method thereof, solar-cell module, and manufacturing method thereof | |
| EP2833413A3 (en) | Compound photovoltaic cell | |
| US20140026958A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| Bagheri et al. | Efficient heterojunction thin film CdSe solar cells deposited using thermal evaporation | |
| KR101428146B1 (ko) | 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 | |
| WO2003065463A3 (en) | Thin film photovoltaic devices and methods of making the same | |
| MD4554B1 (ro) | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS | |
| WO2019066648A8 (en) | Title: solar cells with transparent contacts based on poly-silicon-oxide | |
| MD972Y (ro) | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice | |
| Wu et al. | Efficiency of GaN/InGaN double-heterojunction photovoltaic cells under concentrated illumination | |
| MD4686C1 (ro) | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice | |
| RU2015107377A (ru) | Фотоэлектрический преобразователь | |
| MD4510B1 (ro) | Procedeu de creştere a structurii n+-p-p+ InP pentru celule solare | |
| Routray et al. | Effect of metal-fingers/doped-ZnO transparent electrode on performance of GaN/InGaN solar cell | |
| KR101173429B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| CN204516782U (zh) | 一种czts薄膜电池 | |
| KR20130070467A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| Ramakrishna Reddy et al. | Thin films of tin sulphide for application in photovoltaic solar cells | |
| MD20110044A2 (ro) | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu jonctiune p-n în relief |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |