MD3029C2 - Procedeu de obţinere a senzorilor (variante) - Google Patents

Procedeu de obţinere a senzorilor (variante)

Info

Publication number
MD3029C2
MD3029C2 MDA20040208A MD20040208A MD3029C2 MD 3029 C2 MD3029 C2 MD 3029C2 MD A20040208 A MDA20040208 A MD A20040208A MD 20040208 A MD20040208 A MD 20040208A MD 3029 C2 MD3029 C2 MD 3029C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
obtained materials
metal
chemical components
ultra
variant
Prior art date
Application number
MDA20040208A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Other versions
MD3029B1 (ro
Inventor
Сержиу ШИШЯНУ
Теодор ШИШЯНУ
Олег ЛУПАН
Original Assignee
ШИШЯНУ Серджиу
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ШИШЯНУ Серджиу filed Critical ШИШЯНУ Серджиу
Priority to MDA20040208A priority Critical patent/MD3029C2/ro
Publication of MD3029B1 publication Critical patent/MD3029B1/ro
Publication of MD3029C2 publication Critical patent/MD3029C2/ro

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Invenţia se referă la electronică, în particular la tehnologiile de obţinere a senzorilor, şi poate fi utilizată pentru obţinerea senzorilor pe baza straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal.Procedeul de obţinere a senzorilor, după prima variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Apoi se efectuează prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute în vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen.Procedeul de obţinere a senzorilor, după a doua variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Suplimentar are loc doparea materialelor obţinute cu cel puţin o impuritate, donor sau acceptor, odată cu depunerea chimică. Apoi, are loc prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute, care are loc in vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen.Procedeul de obţinere a senzorilor, după a treia variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Apoi, suplimentar are loc doparea materialelor obţinute cu cel puţin o impuritate donor sau acceptor, apoi se efectuează prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute, care are loc in vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen.Procedeul de obţinere a senzorilor, după a patra variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Apoi, suplimentar are loc prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute, care are loc in vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen, şi în acelaşi timp se efectuează doparea prin difuzie a lor cu cel puţin o impuritate, donor sau acceptor.Procedeul de obţinere a senzorilor, după a cincia variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Apoi, suplimentar se efectueazădoparea prin difuzie cu cel puţin o impuritate, donor sau acceptor, concentraţia impurităţilor fiind maxim posibilă pentru materialul obţinut, mai apoi se efectuează prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute, care are loc in vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen, cu condiţia micşorării temperaturii de la temperatura dopării, până la temperatura mediului înconjurător.
MDA20040208A 2004-09-06 2004-09-06 Procedeu de obţinere a senzorilor (variante) MD3029C2 (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040208A MD3029C2 (ro) 2004-09-06 2004-09-06 Procedeu de obţinere a senzorilor (variante)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040208A MD3029C2 (ro) 2004-09-06 2004-09-06 Procedeu de obţinere a senzorilor (variante)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3029B1 MD3029B1 (ro) 2006-04-30
MD3029C2 true MD3029C2 (ro) 2006-11-30

Family

ID=36202584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20040208A MD3029C2 (ro) 2004-09-06 2004-09-06 Procedeu de obţinere a senzorilor (variante)

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3029C2 (ro)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD20080058A (ro) * 2008-02-25 2009-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare
MD175Z (ro) * 2008-02-25 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare
MD353Z (ro) * 2010-02-24 2011-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Ventil supraconductor de spin

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120225320A1 (en) * 2009-10-15 2012-09-06 Arkema Inc. DEPOSITION OF DOPED ZnO FILMS ON POLYMER SUBSTRATES BY UV-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4574264A (en) * 1982-11-17 1986-03-04 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Thin film oxygen sensor with microheater
US5271821A (en) * 1988-03-03 1993-12-21 Ngk Insulators, Ltd. Oxygen sensor and method of producing the same
US6294374B1 (en) * 1999-10-08 2001-09-25 The Scripps Research Institute Use of catalytic antibodies for synthesizing epothilone

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4574264A (en) * 1982-11-17 1986-03-04 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Thin film oxygen sensor with microheater
US5271821A (en) * 1988-03-03 1993-12-21 Ngk Insulators, Ltd. Oxygen sensor and method of producing the same
US6294374B1 (en) * 1999-10-08 2001-09-25 The Scripps Research Institute Use of catalytic antibodies for synthesizing epothilone

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Arijit Chowdhury et al. Fast response characteristics with ultra-thin CuO islands on sputtered SnO2, Sensors and Actuators, B93, 2003, p. 572-579 *
S. Leopold, I.U. Schuchrt et al. Electrochemical depozition of cilindrical Cu/Cu2O microstructures, Electrochemica Arta, 47, 2002, p. 4393 – 4397 *
Won Jae Moon et al. The CO and H2 gas selectivity of CuO-doped SnO2-ZnO compoyite gas sensor, Sensors and Actuators, B 87, 2002, p. 464-470 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD20080058A (ro) * 2008-02-25 2009-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare
MD175Z (ro) * 2008-02-25 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare
MD353Z (ro) * 2010-02-24 2011-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Ventil supraconductor de spin

Also Published As

Publication number Publication date
MD3029B1 (ro) 2006-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8512471B2 (en) Halosilane assisted PVT growth of SiC
WO2006091588A3 (en) Etching chamber with subchamber
IL180213A0 (en) Quartz glass jig for processing semiconductor wafers and method for producing the jig
EP2009681A3 (en) Methods for high temperature etching a high-k material gate structure
JP5886627B2 (ja) 汚染材料が高純度シリコンに寄与する不純物の量を決定する方法及び高純度シリコンを処理する炉
TW200713453A (en) Methods of fabricating oxide layers on silicon carbide layers utilizing atomic oxygen
TW200746354A (en) Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill
Nakayama et al. Super H2O-barrier film using Cat-CVD (HWCVD)-grown SiCN for film-based electronics
MD3029B1 (ro) Procedeu de obtinere a senzorilor (variante)
CN201689872U (zh) 一种具有气体检测装置的加热炉
KR102497995B1 (ko) 가스 배리어성 평가 장치 및 가스 배리어성 평가 방법
TW200636829A (en) Apparatus and method for thermal processing
TW200605101A (en) Thermistor thin-film and its forming method
MD3894G2 (ro) Sesizor de gaze în baza semiconductorilor halcogenici sticloşi
TW200639928A (en) Thin-film forming apparatus
Zouadi et al. CO2 detection with CNx thin films deposited on porous silicon
US8597732B2 (en) Thin film depositing method
MD2859C2 (ro) Nanotehnologie de obţinere a materialelor nanostructurate şi nanocompozite (variante)
WO2005019797A3 (en) Colorimetric gas detector and windowed process chamber
RU118438U1 (ru) МУЛЬТИСЕНСОРНАЯ СИСТЕМА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlGaN/GaN
WO2008149833A1 (ja) 薄膜トランジスタ製造方法、液晶表示装置製造方法、電極形成方法
Jakieła et al. Diffusion of Mn in gallium arsenide
Kondoh et al. Measurements of trace gaseous ambient impurities on an atmospheric pressure rapid thermal processor
JP2004281674A (ja) 熱処理装置及び基板の製造方法
Samà et al. Locally grown SnO2 NWs as low power ammonia sensor

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees