LU82779A1 - Procede de cristallisation de films et films ainsi obtenus - Google Patents

Description

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La présente invention est relative à un procédé de cristallisation de films choisis dans le groupe comprenant les films semi-conducteurs élémentaires amorphes et les films polymétal-liques composés de deux éléments' appartenant respectivement aux Groupes III et V ou aux Groupes II et VI du Tableau Périodique, ainsi qu'aux’ films polycristallins semi-conducteurs ainsi obtenus.

La miniaturisation des circuits électroniques est l'un des objectifs majeurs de l'industrie électronique et informatique.

i: ’ Les techniques actuelles font appel à des procédés de dopage sélec- I: ' ‘ tif de plaquettes de silicium monocristallin par des masquages variés dont la précision détermine les limites de développement de ces circuits. Ces procédés sont onéreux, très délicats à mettre en place et seuls quelques systèmes ont pu être développés qui soient fiables et de grande capacité. Ces systèmes sont réalisés à partir de silicium monocristallin, ce qui implique la cécessité de dis- j | poser de ce matériau en qualité et en quantité suffisantes pour produire les circuits. Tous les procédés se décomposa±en plusieurs étapes, chacune d'elles étant caractérisée par un nombre important de paramètres qui doivent être contrôlés avec précision : prépa- j ration du cristal, masquage, dopage. Ces paramètres rendent la ; " réalisation des circuits miniaturisés une entreprise très com- ! plexe qui ne saurait être généralisable à d'autres matériaux de !.· base que le silicium, par exemple, sans une modification générale | j de tous les paramètres. Le manque de flexibilité de ces techniques i· ; et leur complexité soulignent le besoin d'une technique nouvelle plus simple et facilement adaptable à d'autres supports que le Si - 3 - ! monocristallin.

La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients susmentionnés, et de prévoir des procédés de cristallisation de films semi-conducteurs élémentaires amorphes ou de films polymétalliques composés de deux éléments appartenant respectivement aux Groupes III et V ou aux Groupes II et VI du Tableau Périodique, qui présentent une fiabilité au moins identique aux méthodes utilisées jusqu'à présent, et qui permettent en outre une miniaturisation plus avancée et une multiplication simultanée à grande échelle des produits obtenus.

A cet effet, suivant l'invention, on irradie la surface du film à cristalliser par un faisceau laser guidé par un assemblage de fibres optiques disposées parallèlement les unes aux autres, chaque fibre ayant un diamètre n'excédant pas 50fJ-> , l'irradiation provoquant la cristallisation en cristallites régulièrement répartis et étroitement confinés.

Suivant une forme de réalisation particulièrement avantageuse de l'invention, les fibres optiques ont un diamètre égal à 50^ et de préférence un diamètre compris entre 4 et 25jij/ , l'assemblage de fibres optiques parallèles ayant un diamètre sensiblement égal à celui du faisceau laser, cet assemblage de fibres comprenant un nombre très important de fibres, de préférence compris entre 300 et 15000fibres, le nombre de fibres variant suivant le diamètre utile de ces fibres et le diamètre utile du faisceau du laser.

Suivant une autre forme de réalisation particulière du procédé de l'invention, le faisceau laser est homogénéisé avant d'être guidé par l'assemblage de fibres, par passage au travers - 4 - I ( i d'un barreau cylindrique de quartz de diamètre d'entrée sensible ment égal au diamètre du faisceau laser, coudé deux fois à angle droit en directions opposées, recouvert d'une couche métallique, les extrémités d'entrée et de sortie du barreau étant polies, parallèles entre elles et perpendiculaires à son axe.

Avantageusement, on obtient un réseau ou circuit ordon- II né de cristallites sur le film que l'on irradie, en déplaçant | celui-ci dans un plan perpendiculaire à l'axe des fibres, la fines se d'impression du réseau ou circuit de cristallites étant contrô- I * ; . lée en fonction de la vitesse de déplacement du film, il La présente invention a également pour but la réalisa- i i tion d'un procédé permettant de multiplier l'impression d'un réseau ou circuit ordonné de cristallites sur un seul film ou sur un assemblage de films semi-conducteurs élémentaires ou polymétalliques entran dans la catégorie des films susmentionnés.

Les buts dont il est question ci-dessus, sont atteints en utilisant le rayonnement produit par un laser de moyenne éner- 2 gie, c'est-à-dire d'une énergie comprise entre 50 et 100 mj/cm . L'énergie de ce faisceau est prélevée par un assemblage de fibres ; 1 optiques d'un diamètre inférieur ou égal à 50JM, de préférence : ^ compris entre 4 et 25JM , et dirigée vers une cible constituée d'un film semi-conducteur élémentaire amorphe ou d'un film polymétal-lique composé de deux éléments appartenant respectivement aux Groupes III et V ou aux Groupes II et VI du Tableau périodique .

^ Sous l'impact du faisceau, le film élémentaire amorphe cristallise ; de façon ordonnée et confinée à des volumes très réduits déterminés ; par le diamètre des fibres et la distance entre l'extrémité de | | sortie de la fibre et la cible. Sur des volumes identiques, le - 5 - film polymétallique cristallise sous la forme du composé semi-conducteur correspondant, le reste du film (non irradié) demeurant métallique. Par un déplacement programmé de cette cible dans un plan perpendiculaire à l'axe des fibres, un réseau ordonné de cris-tallites est alors "imprimé" optiquement sur le film dont les propriétés de transport électronique (mobilité et nombre des porteurs) se trouvent ainsi fortement modifiées de plusieurs ordres de grandeur en zones irradiées par rapport aux zones non irradiées. L'utilisation d'un très grand nombre N de fibres identiques transmettant chacune la même énergie permet alors de reproduire N fois le circuit programmé. Des cibles qui se sont révélées comme étant particulièrement appropriées à cet effet, sont les füns semi-conducteurs formés de Si ou de Ge, et les films polymétalliques composés d'une alternance de couches d'aluminium et d'antimoine, d'aluminium et d'arsenic, de galium et d'arsenic, d'indium et de phosphore (Groupes III et V), ou de cadmium et de soufre (Groupes II et VI).

D'autres détails et particularités de l'invention ressortiront de la description donnée ci-après à titre d'exemple non limitatif de quelques formes particulières de l'invention. i La description donnée ci-après concernera particulière ment la mise en forme du faisceau laser, le balayage des surfaces irradiées par le déplacement du ou des films irradiés et la reproduction simultanée en un grand nombre d'exemplaires d'un réseau ou circuit ordonné de cristallites sur un seul film (cible) ou un assemblage de films (cibles différentes).

1. Mise en forme du faisceau.

Suivant l'épaisseur des films à traiter, qui est au - 6 - moins égale à 0,015p>, et de préférence comprise entre 1 et 25ylX/, le rayonnement laser peut avoir différentes origines, par exemple : laser pulsé à colorant de moyenne puissance et faible énergie pour des films minces d'épaisseur inférieure ou égale à 0,2JJ/ sur verre, ou laser pulsé à rubis de grande puissance mais faible énergie pour des films d'épaisseur supérieure à Ψ- déposés également sur substrat non cristallin, par exemple du verre ou de la silice fondue .

Quel que soit le faisceau laser, celui-ci est mis en regard d'un assemblage de fibres de quartz parallèles, d'un diamètre inférieur ou égal à assemblées sur un diamètre égal à celui du faisceau, le faisceau laser pénétrant toutes les fibres siwant leur axe longitudinal respectif. Les fibres, par exemple au nombre de 1000 à 2000, ont toutes un diamètre égal, le nombre des fibres étant uniquement limité par le diamètre utile du faisceau sur lequel celui-ci est homogène et par le diamètre des fibres. Chaque fibre est polie à ses extrémités. Ce travail est réalisé en assemblant toutes les fibres de manière compacte, maintenues à chaque extré-, mité par une bague métallique d'un diamètre inférieur ou égal au diamètre utile du faisceau. Ainsi montées, toutes les fibres sont polies ensemble, à leurs deux extrémités successives, par abrasif sur table tournante. Les extrémités respectives des fibres assemblées sont chacune situées dans un même plan disposé perpendiculairement à l'axe longitudinal de chacune de ces fibres. Les extrémités des fibres tournées vers le faisceau laser sont alors maintenues dans leur bague d'assemblage, les extrémités opposées étant libérées de leur bague.

Ainsi qu'on l'a déjà précisé, suivant une forme de - 7 - réalisation préférée de l'invention, avant d'être guidé par l'assemblage de fibres, le faisceau laser peut être rendu homogène par passage au travers de tout moyen optique adéquat connu de l'état de la technique. L'homogénéiseur utilisé est de préférence un barreau cylindrique de quartz, de diamètre d'entrée égal au diamètre du faisceau laser, coudé deux fois à angle droit en directions opposées, recouvert d'une couche métallique, par exemple d'un film d'aluminium, les extrémités d'entrée et de sortie du barreau étant polies, parallèles entre elles et perpendiculaires à son axe. Le faisceau laser peut éventuellement être concentré par un système de lentilles à l'entrée du barreau. Lorsque l'on utilise un barreau homogénéiseur de ce type, les extrémités des fibres tournées vers le faisceau homogénéisé sont maintenues dans leur bague d'assemblage, qui est alors amenée au contact de la sortie du barreau, les extrémités opposées étant bien entendu libérées de leur bague, ainsi qu'on vient de le mentionner.

Etant donné que chacune des fibres reçoit la même énergie (à plus ou moins 1%), la capacité de chaque fibre de transmettre le rayonnement sans pertes (soit par absorption, soit par transmission latérale) permet alors de disposer d'un très grand nombre de sources de lumière d'énergie identique, sur des diamètres identiques. Suivant l'énergie nécessaire, le rayonnement laser peut être réduit par un ou plusieurs filtres calibrés disposés sur le trajet du faisceau, perpendiculairement à celui-ci, avant l'entrée des fibres. Après avoir traversé l'assemblage de fibres optiques, le faisceau laser peut être structuré, par exemple par passage au travers d'un moyen optique agencé pour produire des franges d'in- - 8 - terférence, ce moyen optique pouvant être constitué par un réseau optique en quartz gravé.

2. Cristallisation et balayage des films.

Si le réseau n'est pas utilisé, le faisceau pulsé qui sort de l'extrémité d'une fibre présente une structure granulaire (ou "speckle"), c'est-à-dire que son impact sur une surface se décompose en un ensemble de tâches sensiblement circulaires réparties de façon homogène et stable d'une pulsation à l'autre. La taille de ces "grains" de lumière est donnée parA = ^ où \ tg a est la longueur d'onde du rayonnement et a l'angle sous lequel } chaque site de la cible ou du film voit le rayon R de la fibre.

|

Si tg a = \ d, où d est la distance entre cible (film) et

| d R

fibre.

On voit que pour une fibre donnée et une longueur d'onde fixée,Δ croît avec d. Par contre l\ diminue si R augmente, à d constant. Une irradiation de ce type produit des cristallites étoilés en nombre et dimension identiques à ceux des tâches du speckle, cou-; vrant toute la surface irradiée dont le diamètre est égal à celui de la fibre. En agissant sur le speckle (donc sur , R et d) , il î est par la suite aisé de faire varier la taille des cristallites, en particulier de produire un seul cristallite étoilé de diamètre égal à celui de la fibre.

En interposant sur le parcours du faisceau un réseau optique, chaque tâche du speckle est frangée et les étoiles produites sont structurées.

Etant donné qu'aucune altération des zones cristallisées produites sur une pulsation n'est observée quand on superpose - 9 - un train de pulsations sur ces mêmes zones, on déplace la surface du film à irradier en regard d'une extrémité de fibre fixe, c'est-à-dire dans un plan perpendiculaire à l'axe de cette fibre, de façon à permettre un recouvrement des zones irradiées d'une pulsation à la suivante, permettant d'obtenir ainsi un réseau ou circuit ordonné de cristallites. Ce recouvrement détermine la finesse de l'impression du circuit cristallisé dans le film, finesse que l'on contrôle en faisant varier la vitesse de déplacement du film, c'est-à-dire en fait la vitesse de balayage de la surface du film au moyen du rayonnement laser transmis par les fibres optiques, et le taux de répétition des pulsations du laser.

3. Procédé permettant la multiplication de l'impression d'un réseau ou circuit ordonné de cristallites.

Ainsi qu'on l'a déjà mentionné ci-dessus, la présente invention prévoit également un procédé permettant de multiplier l'impression d'un réseau ou circuit ordonné de cris-. tallites sur un seul film ou sur un assemblage de films choisis dans le groupe comprenant les films semi-conducteurs élémentaires amorphes et les films polymétalliques composés de deux éléments appartenant respectivement aux Groupes III et V ou aux Groupes II et VI du Tableau Périodique. Dans ce cas, les extrémités de sortie des fibres montées dans l'axe du faisceau mis en forme tel que décrit précédemment, sont assemblées sur un châssis-plan suivant une configuration géométrique adaptée au nombre de fibres et à l'étendue du réseau ou circuit de cris- I.

- 10 - tallites à imprimer. L'assemblage sur le châssis est tel que toutes les fibres sont parallèles entre elles et leurs extrémités dans un même plan parallèle au plan du châssis. En regard de ce châssis et parallèlement à celui-ci, on monte un autre châssis-plan sur lequel est monté soit le film à irradier, couvrant toute la surface du châssis, soit 1'assemblage des films à irra-I dier, distribués suivant une configuration géométrique identique | à celle du montage des fibres sur leur châssis, de manière à accomoder l'étendue du réseau ou circuit de cristallites à réa- { * 1 - liser en un nombre d'exemplaires égal au nombre de fibres i |! (chaque fibre se trouvant en regard direct d'un film donné) . La distance entre les châssis supportant le ou les films (cible) et ; celui des fibres est ajustée de façon à ce que la distance entre fibre et film corresponde à l'impression désirée (se référer, à ce sujet, au chapitre 2 précédent). Le châssis des fibres reste fixe tandis que le châssis supportant le ou les films peut se déplacer dans son plan, à distance fixe du précédent. Un mouve- l! jl ment de translation est alors procuré au châssis-film. Ce mou- îi j ^ vement permet à chaque fibre d'imprimer optiquement un circuit ou réseau ordonné de cristallites semi-conducteurs sur le film unique ou sur chaque film monté sur le châssis.

On constatera, compte tenu de ce qui précède, que la dimension et la répartition des cristallites sur le ou les films à irradier, quel que soit le processus de cristallisation utilisé, sont contrôlables en fonction du diamètre des fibres opti- i ques, de la distance fibres-film, ainsi que de la longueur ! I; | d'onde, de l'énergie et de la puissance du faisceau laser irra- f diant le film.

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La mise en forme du faisceau laser étant stable dans l'espace, il est possible d'irradier successivement dans les mêmes conditions d'énergie, deux films superposés, permettant une cristallisation épitaxique du second film recouvrant le premier, c'est-à-dire une superposition exacte des cris-tallites appartenant à chacun de ces films. Un tel exemple de films superposés est donné par le système Si/Al-Sb, obtenu en évaporant une couche amorphe de Si sur un film Al-Sb, cristallisé suivant l'inveritim , scus la forme du composé semi-conducteur AlSb, le film de Si étant irradié par le même faisceau 3aser de façon identique.

Les exemples qui suivent illustrent l'invention sans toutefois la limiter.

Exemple 1.

Film de germanium.

Les expériences et essais décrits ci-après ont été réalisés avec des fibres optiques d'un diamètre égal à 50jj*', les résultats obtenus étant évidemment extrapolables à n'importe quel diamètre de fibre, en particulier à des fibres d'un diamètre inférieur à 50JM,. Dans ces essais, seul l'effet de speckle a été exploité, l'adjonction d'un moyen optique (par exemple un réseau optique de quartz) de structuration du speckle permettant bien entendu d'améliorer la cristallisation.

Pour le laser utilisé (à colorant, puissance de 6 KW pour des pulsations de 10 ^ sec répétées à un taux de 25 sec , les résultats suivants ont étés enregistrés : - un faisceau homogène de 2 mm de diamètre utile a été produit, pouvant accomoder 300 fibres d'un diamètre utile de 50yy, ; ; - 12 - i I- sur les zones du film de germanium irradiées, d'un diamètre de 50, on a obtenu une distribution homogène de cristallites étoilés, tous d'un même diamètre choisi dans la gamme de 2 i à 25/^suivant les conditions d'irradiation, cette distribution ! homogène étant reproductible. Une étoile unique d'un diamètre de 50JA*a été obtenue en plaçant le film cible à 2 mm de l'extré- ' mité de la fibre et en concentrant légèrement le faisceau, i i I l'énergie par unité de surface étant alors réduite·* ; | . - avec un recouvrement de 90% entre zones irradiées successives, ! ’ le déplacement du film cible à une vitesse de 0,12 mm sec permet une définition des limites de l'impression à - 0,3%, soit 0,13JJj .

Exemple 2.

Film de germanium.

Pour des fibres de de diamètre utile, la miniaturisation des zones cristallisées est la suivante ; - un seul cristallite par impact de dimension égale à 7 pour une distance d film-fibre égale à 40/1 ; : , - pour un recouvrement de 90% entre zones irradiées successives, j " une vitesse de déplacement de 0,017 mm sec ^ permet une défini- + i tion des bords de - 0,25%, soit 0,017//,.

j

On notera que les avantages des fibres d'un très faible diamètre résident dans une meilleure définition des tracés, dans une réduction de l'intensité du rayonnement à sa ’ source, dans une vitesse de balayage plus grande, par rapport aus fibres d'un diamètre de SOJX , et dans une multiplication bien plus importante des circuits réalisés (de l'ordre de 15000,

Claims (28)

1. Procédé de cristallisation d'un film choisi dans le groupe comprenant les films semi-conducteurs élémentaires amorphes et les films polymétalliques composés de deux . éléments appartenant respectivement aux Groupes III et V ou aux Groupes II et VI du Tableau Périodique, caractérisé en ce qu'il consiste à irradier la surface du film par un faisceau laser guidé par un assemblage de fibres optiques disposées parallèlement les unes aux autres, chaque fibre ayant un diamètre n'excédant pas 50 microns, l'irradiation provoquant la cristallisation en cristallites régulièrement répartis et étroitement confinés.

2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les fibres optiques ont un diamètre égal à 50 microns.

3. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les fibres optiques ont un diamètre compris entre 4 et 25 microns.

4. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les fibres optiques ont chacune un diamètre égal.

5. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'on utilise comme fibres optiques, des fibiæ de quartz. !

16. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'assemblage de fibres optiques parallèles a un diamètre sensiblement égal à celui du j faisceau laser. !

7. Procédé suivant la revendication 6, caractérisé ! en ce que l'assemblage de fibres comprend de 300 à 15000 fibres.

18. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 7f caractérisé en ce que le faisceau laser est mis I en regard des fibres optiques assemblées de manière à pénétrer r, celles-ci suivant leur axe longitudinal. *1 9. Procédé suivant l'une quelconque des revendi- cations 1 à 8, caractérisé en ce que les fibres optiques sont ’ assemblées de manière compacte, polies à chacune de leurs extré- :i mités et maintenues par leur extrémité orientée vers le faisceau au moyen d'une bague métallique d'un diamètre n'excédant pas le diamètre utile du faisceau laser. i

10. Procédé suivant la revendication 9, caracté- 1. t; 'j risé en ce que les extrémités respectives des fibres assemblées I sont situées dans un même plan disposé sensiblement perpendicu- | ‘ lairement à l'axe longitudinal de ces fibres.

111. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le faisceau laser est | homogénéisé avant d'être guidé par l'assemblage de fibres. *ΐ ïi

12. Procédé suivant la revendication 11, caracté- ^ risé en ce que le faisceau laser est homogénéisé par passage j ïi au travers d'un barreau cylindrique de quartz d'un diamètre 1 d'entrée sensiblement égal au diamètre du faisceau laser, coudé i ! * - 15 - deux fois à angle droit en directions opposées, recouvert d'une couche métallique, les extrémités d'entrée et de sortie du barreau étant polies, parallèles entre elles et perpendiculaires à son axe.

13. Procédé suivant la revendication 12, caractérisé en ce que le faisceau laser est concentré par un système de lentilles avant d'être homogénéisé.

14. Procédé suivant l'une quelconque des revendi- e cations 1 à 13, caractérisé en ce que le rayonnement du faisceau laser est réduit par un ou plusieurs filtres disposés sur le trajet du faisceau, perpendiculairement à celui-ci, avant son entrée dans l'assemblage de fibres optiques.

15. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que le faisceau laser est structuré après avoir traversé l'assemblage de fibres optiques.

16. Procédé suivant la revendication 15, caractérisé en ce que le faisceau laser est structuré par passage au travers d'un moyen optique agencé pour produire des franges d'interférence.

17. Procédé suivant la revendication 16, caractérisé en ce que le moyen optique agencé pour produire des·franges d'interférence est constitué par un réseau optique en quartz gravé.

18. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que le film est déposé sur un substrat non cristallin. ί - 16 - , 19. Procédé suivant l'une quelconque des revendi cations 1 à 18, caractérisé en ce que le film a une épaisseur au moins égale à 0,015 micron.

20. Procédé suivant la revendication 19, caracté risé en ce que l'épaisseur du film est comprise entre 1 et 25 microns.

21. Procédé suivant l'une quelconque des revendi- ! cations 1 à 20, caractérisé en ce que l'on contrôle la dimension et la répartition des cristallites sur le film en fonction du diamètre des fibres optiques, de la distance fibres-film ainsi j que de la longueur d'onde, de l'énergie et de la puissance du faisceau laser irradiant le film.

22. Procédé suivant la revendication 21, caractérisé en ce que la distance fibres-film est de l'ordre de 0,5 à 5 mm.

23. Procédé suivant l'une ou l'autre des revendications 21 et 22, caractérisé en ce que l'énergie du faisceau 2 laser est comprise entre 50 et 100 mj/cm .

24. Procédé suivant l'une quelconque des revendi- : . cations 1 à 23, caractérisé en ce que l'on déplace le film dans un plan perpendiculaire à l'axe des fibres de manière à obtenir | un réseau ou circuit ordonné de cristallites.

25. Procédé suivant la revendication 24, caracté- / \ risé en ce que l'on contrôle la finesse d'impression du réseau i ou circuit de cristallites par la vitesse de déplacement du film et le taux de répétition des pulsations du laser.

26. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 25, caractérisé en ce que l'on utilise un film semi-conducteur élémentaire amorphe formé de silicium ou de germanium. - 17 -

27. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 25, caractérisé en ce que l'on utilise un film poly-métallique composé d'une alternance de couches d'aluminium et d'antimoine, d'aluminium et d'arsenic, de galium et d'arsenic, d'indium et de phosphore (Groupes III et V), ou de cadmium et de soufre (Groupes II et VI).

28. Procédé permettant de multiplier l'impression d'un réseau ou circuit ordonné de cristallites sur un seul film » ou sur un assemblage de films choisis dans le groupe comprenant les films semi-conducteurs élémentaires amorphes et les films polymétalliques composés de deux éléments appartenant respectivement aux Groupes III et V ou aux Groupes II et VI du Tableau Périodique, caractérisé en ce qu’il consiste à irradier la surface du ou des films semi-conducteurs par un faisceau laser guidé par l'assemblage de fibres optiques suivant l'une quelconque des revendications 1 à 23, en assemblant les extrémités de sortie des fibres montées dans l'axe du faisceau sur un châssis-plan fixe suivant une configuration géométrique adaptée « au nombre de fibres et à l'étendue du réseau ou circuit imprimé, les fibres sur le châssis étant parallèles les unes aux autres et leurs extrémités étant disposées dans un même plan parallèle au plan du châssis, et en agençant parallèlement au châssis de fibres et en regard de celui-ci, un châssis-plan mobile sur leque] est monté le film précité, couvrant toute la surface du châssis, ou l'assemblage de films précités, distribués suivant une configuration géométrique identique à celle du montage de fibres sur leur châssis, chaque fibre faisant face à un film donné, et à déplacer le châssis supportant le film ou l'assemblage de films i -18 - Idans un mouvement de translation par rapport au châssis de fibres, le châssis-film restant à distance fixe du châssis-fibre, permettant ainsi à chaque fibre d'imprimer un réseau ou circuit ordonné de cristallites sur le film unique ou sur chaque film monté sur le châssis.

29. Procédé suivant la revendication 28, caracté-risé en ce que l'on ajuste la distance entre les châssis film j] et fibre de façon à ce que la distance entre fibre et film Ij · ; % corresponde à l'impression désirée. il - Μ * 30. Procédé de cristallisation de deux films super- i posés choisis dans le groupe comprenant les films semi-conduc- i ’ j i'; teurs élémentaires amorphes et les films polymétalliques composés ,, de deux éléments appartenant respectivement aux Groupes III et V \ j jj ou aux Groupes II et VI du Tableau Périodique, caractérisé en ce i i qu'il consiste à cristalliser un premier film suivant l'une quelconque des revendications 1 à 27, à lui superposer par évaporation un second film, et à irradier ce second film de la j même manière que le premier de façon à obtenir une cristallisa- i j . # tion épitaxique de ce second film sur le premier. i ! i 31. Procédé suivant la revendication 30, caracté- risé en ce que le premier film est un film composé d'une alter- i ij nance de couches d'aluminium et d'antimoine et en ce que le second film est formé de silicium ou de germanium.

32. Procédé de cristallisation de films et films P j] ainsi obtenus, tels que décrits ci-dessus , notamment dans les l· exemples donnés. Dsssins . plancher i .....:a-L. pages dont —A...... page de garde i .....yiy.. pages de description I pages de revendication ......Λ— abrégé descriptif Luxembourg, ie U SEr; ί§5£