KR980006591A - 납 축전지의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 양극판에 화물질을 도포하여 숙성하고 이 양극판에 전기를 가하여 화성한 후, 양극판과 스트랩을 군용접하여 연결하고 양극판, 케이스 황산 및 격리판을 결합하는 것으로 이루어진 납 축전지의 제조에 있어서, 화성과정 후에 화성된 양극판을 150 내지 300℃의 소결로에서 소결처리하는 것을 특징으로 하는 납 축전지의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따라 화성 과정 후에 양극판을 열처리하여 제조된 납 축전지는 입자들 간에 소결이 일어나 넥 존이 증가하므로, 이 양극판을 이용하여 납 축전지를 제조하므로써 납 축전지의 초기 용량을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 제조된 납 축전지 1셀의 용량 프로파일을 나타낸 것이다.
제2도는 종래의 방법으로 제조된 납 축전지 1셀의 용량 프로파일을 나타낸 것이다.
Claims (1)
- 양극판에 화물질을 도포하여 숙성하고 이 양극판에 전기를 가하여 화성한 후, 양극판과 스트랩을 군용접하여 연결하고 양극판, 케이스 황산 및 격리판을 결합하는 것으로 이루어진 납 축전지의 제조에 있어서, 화성과정 후에 화성된 양극판을 150 내지 300℃의 소결로에서 소결처리하는 것을 특징으로 하는 납 축전지의 제조방법.※ 참고사항 : 최초 출원된 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019960022490A KR100217786B1 (ko) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 납 축전지의 제조방법 |
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KR100217786B1 KR100217786B1 (ko) | 1999-09-01 |
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