KR970054106A

KR970054106A - Semiconductor manufacturing method

Info

Publication number: KR970054106A
Application number: KR1019950065890A
Authority: KR
Inventors: 강성훈; 김경훈; 전인상
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1995-12-29
Filing date: 1995-12-29
Publication date: 1997-07-31

Abstract

본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 하부 전극 위에 질화막을 형성시켜 TA205막 열처리 시 확산된 산소와의 반응을 최소화시켜서 정전 용량을 증가시킬 수 있는 반도체 제조 방법을 제공하는데 그목적을 두고 있다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing method, and the present invention is to provide a semiconductor manufacturing method that can increase the capacitance by forming a nitride film on the lower electrode to minimize the reaction with oxygen diffused during the TA205 film heat treatment. have.

하부 전극 위에 SI 조성을 가지고 있는 유전막(SIN, SION, SIO₂)인 버튼 레이어를 단일막 내지 복합 막으로 형성하는 제1스텝과, 메탈 옥사이드를 이요아여 다층의 고 유전체 막을 형성하는 제2스텝과, 다층의 고 유전체 막위에 상부 전극을 형성하여 커패서터를 완성하는 제3스텝으로 구성됨을 특징으로 한다.A first step of forming a button layer, which is a dielectric film (SIN, SION, SIO ₂ ) having an SI composition, from a single layer to a composite layer on the lower electrode, a second step of forming a multilayer high dielectric film using metal oxide; And a third step of forming a capacitor by forming an upper electrode on the multi-layer high dielectric film.

또한 본 발명에 의한 반도체 제조 방법은 하부 전극 위에 버튼 레이어+고 유전 막을 형성하고 후속 열처리에 의ㅐ 버튼 레이어와 고 유전막 계면에 40Å 이하의 SIO₂(or SION)막이 형ㅅㅇ하는 것을 특징으로 한다.In addition, the semiconductor manufacturing method according to the present invention is characterized in that a button layer + high dielectric film is formed on the lower electrode, and a SIO ₂ (or SION) film having a thickness of 40 m or less is formed at the interface between the button layer and the high dielectric film by subsequent heat treatment.

또한 본 발명에 의한 반도체 제조 방법은 하부 전극(SI계열, SILICIDE계열)위에 버튼 레이어(SI 조성이 포함된 유전막)형성을 N₂O PLASMA, RTN, NH₃+N₂O(O₂) PLASMA, RTN+RTO, NH₃PLASMA+RTO, RTN(NH₃PLASMA+UV-O₃, RTN(NH₃PLASMA)+DRY O₂등과 같은 조건을 한 개 내지 복합적으로 처리하여 단일막 내지 복합 막의 버튼 레이어를 얻는 것을 특징으로 한다.In addition, the semiconductor manufacturing method according to the present invention is formed on the lower electrode (SI series, SILICIDE series) to form a button layer (dielectric layer containing the SI composition) N ₂ O PLASMA, RTN, NH ₃ + N ₂ O (O ₂ ) PLASMA, RTN + RTO, NH ₃ PLASMA + RTO, RTN (NH ₃ PLASMA + UV-O ₃ , RTN (NH ₃ PLASMA) + DRY O ₂ ) It is characterized by obtaining.

Description

반도체 제조 방법Semiconductor manufacturing method

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제1도(A) 내지 (D)도는 본 발명에 의한 반도체 제조 방법을 도시한 공정도.1 (A) to (D) are process drawings showing a semiconductor manufacturing method according to the present invention.

Claims

하부 전극 위에 SI 조성을 가지고 있는 유전막(SIN, SION, SIO₂)인 버튼 레이어를 단일막 내지 복합막으로 형성하는 제1스텝과, 메탈 옥사이드를 이용하여 다층의 고 유전체 막을 형성하는 제2스텝과, 다층의 고 유전체 막위에 상부 전극을 형성하여 커패서터를 완성하는 제3스텝으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.A first step of forming a button layer, which is a dielectric film (SIN, SION, SIO ₂ ) having an SI composition, from a single layer to a composite layer on the lower electrode, a second step of forming a multi-layer high dielectric film using a metal oxide, And a third step of forming a capacitor by forming an upper electrode on the multilayer high dielectric film.

하부 전극 위에 버튼 레이어+고 유전 막을 형성하고 후속 열처리에 의해 버튼 레이어와 고 유전막 계면에 40Å 이하의 SIO₂(or SION)막이 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.A method for fabricating a semiconductor comprising forming a button layer + high dielectric film on a lower electrode and forming a SIO ₂ (or SION) film of 40 占 Å or less at the interface between the button layer and the high dielectric film by subsequent heat treatment.

하부 전극(SI계열, SILICIDE계열)위에 버튼 레이어(SI 조성이 포함된 유전막)형성을 N₂O PLASMA, RTO,RTN, NH₃+N₂O(O₂) PLASMA, RTN+RTO, NH₃PLASMA+RTO, RTN(NH₃PLASMA)+UV-O₃, RTN(NH₃PLASMA)+DRY O₂등과 같은 조건을 한 개 내지 복합적으로 처리하여 단일막 내지 복합 막의 버튼 레이어를 얻는 것을 특징으로 반도체 제조 방법.Forming a button layer (dielectric film containing SI composition) on the lower electrode (SI series, SILICIDE series) N ₂ O PLASMA, RTO, RTN, NH ₃ + N ₂ O (O ₂ ) PLASMA, RTN + RTO, NH ₃ PLASMA Semiconductor manufacturing, characterized in that the button layer of a single film or a composite film is obtained by treating one or more conditions such as + RTO, RTN (NH ₃ PLASMA) + UV-O ₃ , RTN (NH ₃ PLASMA) + DRY O _2, etc. Way.

제1항에 있어서, 상기 하부 전극과 상부 전극은 그 재질을 SINGLE CRYSTAL SILICON, POLLYCRYSTAL LINE SILICON, MO, W, TI, TA, WSI, MOSI, TISI, TASI, TIN, TAN, WN, MON, ALMINUM, ALUMINUM BASED ALLOY를 사용함을 특징으로 반도체 제조 방법.The method of claim 1, wherein the lower electrode and the upper electrode is made of SINGLE CRYSTAL SILICON, POLLYCRYSTAL LINE SILICON, MO, W, TI, TA, WSI, MOSI, TISI, TASI, TIN, TAN, WN, MON, ALMINUM, Semiconductor manufacturing method characterized by using ALUMINUM BASED ALLOY.

제3항에 있어서, 상기 하부 전극은 그 사용 물질을 단일 전극으로 사용하거나 조합하여 사용함을 특징으로 반도체 제조 방법.The method of claim 3, wherein the lower electrode uses a material used as a single electrode or a combination thereof.

제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 버튼 레이어는 그 형성을 단일막 내지 다층 막으로 형성 가능함을 특징으로 반도체 제조 방법.The semiconductor manufacturing method according to claim 2 or 3, wherein the button layer can be formed into a single film or a multilayer film.

제6항에 있어서, 상기 버튼 레이어는 그 형성 후 TA205막 형성 전에 열처리(DRY O₂WET OX, N₂ANNEL) 및 N₂O PLASMA, NH₃+N₂O(O₂) PLASMA, RTN+RTO, NH₃PLASMA+RTO, RTN(NH₃PLASMA)+UV-O₃, RTN(NH₃PLASMA)+DRY O₂등을 처리하여 버튼 레이어를 DENSIFICATION 시키는 것을 특징으로 반도체 제조 방법.The method of claim 6, wherein the button layer is formed after the heat treatment before the formation of the TA205 film (DRY O ₂ WET OX, N ₂ ANNEL) and N ₂ O PLASMA, NH ₃ + N ₂ O (O ₂ ) PLASMA, RTN + RTO , NH ₃ PLASMA + RTO, RTN (NH ₃ PLASMA) + UV-O ₃ , RTN (NH ₃ PLASMA) + DRY O _2, etc. to process the button layer DENSIFICATION.

제7항에 있어서, 상기 버튼 레이어는 그 전체 두께가 100Å 이하인 것을 특징으로 반도체 제조 방법.8. The method of claim 7, wherein the button layer has a total thickness of about 100 GPa or less.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.