KR970053499A - 반도체 장치의 아이솔레이션 방법 - Google Patents

반도체 장치의 아이솔레이션 방법 Download PDF

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Abstract

p-bottom층의 확산 및 에피택셜층의 두께를 줄이는 개선된 아이솔레이션 방법이 개시된다.
본 발명에 따른 아이솔레이션 방법은 pn접합 아이솔레이션의 형성 방법에 있어서, 기판 상에 소정 부분에 n'매립층을 형성하는 공정; 기판 상의 상기 n'매립층을 형성 공정에 의해 결과된 n'매립층의 옆부분에 제1p-bottom층을 형성하는 공정; 싱기 제1p-bottom 형성 공정의 결과물상에 소정의 두께를 갖는 제1에피택셜층을 형성하는 공정; 상기 제1에피택셜층에 이르는 제2p-bottom층을 형성하는 공정; 상기 제2p-bottom 형성 공정의 결과물 상에 소정의 두께를 갖는 제2에피택셜층을 형성하는 공정; 및 상기 제2에피택셜층 형성 공정에서 결과된 제2에피택셜층의 표면으로부터 제2p-bottom층에 이르는 트렌치를 형성하는 공정을 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 아이솔레이션 방법은 p-bottom의 확산이 줄어들고, 열확산 과정이 생략되어 아이솔레이션의 형성을 위해 소요되는 시간이 적어지는 효과가 있다.

Description

반도체 장치의 아이솔레이션 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 아이솔레이션 방법을 보이는 단면도이다,
제2도는 본 발명에 따른 아이솔레이션 방법을 보이는 공정단면도이다,
제3도는 제2도에 도시된 아이솔레이션 방법을 적용한 트랜지스터의 구조를 보이는 단면도이다.

Claims (1)

  1. 반도체 장치의 pn접합 아이솔레이션의 형성 방법에 있어서, 기판 상의 소정 부분에 n'매립층을 형성하는 공정; 기판 상의 상기 n'매립층을 형성 공정에 의해 결과된 n'매립층의 옆부분에 제1p-bottom층을 형성하는 공정; 상기 제1p-bottom 형성 공정의 결과물 상에 소정의 두께를 갖는 제1에피택셜층을 형성하는 공정; 상기 제1에피택셜층 형성 공정에서 결과된 제1에피택셜층의 표면으로부터 제1p-bottom층에 이르는 제2p-bottom층을 형성하는 공정; 상기 제2p-bottom 형성 공정의 결과물 상에 소정의 두께를 갖는 제2에피택셜층을 형성하는 공정; 및 상기 제2에피택셜층 형성 공정에서 결과된 제2에피택셜층의 표면으로부터 제2p-bottom층에 이르는 트랜치를 형성하는 공정을 포함하는 아이솔레이션 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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