Claims (8)
반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 제1절연막을 형성하고, 상기 제1절연막상에 금속 배선을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 제2절연막을 형성하고 표면을 평탄화시킨 후 상기 제2절연막상에 제3절연막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.A method of forming a metal interlayer insulating film of a semiconductor device, the method comprising: forming a first insulating film on a silicon substrate on which an insulating layer is formed, and forming metal wiring on the first insulating film; And forming a third insulating film on the second insulating film after the surface is planarized.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제3절연막은 1.7 이상의 높은 굴절율을 가지는 절연 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the first and third insulating films are insulating materials having a high refractive index of 1.7 or more.
제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 3.5이하의 낮은 유전율을 갖는 절연 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the second insulating layer is an insulating material having a low dielectric constant of 3.5 or less.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2절연막은 고밀도 플라즈마를 이용한 FSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.The method of claim 1 or 3, wherein the second insulating film is an FSG film using a high density plasma.
반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 금속 배선을 형성한 후 전체 상부면에 제1절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1절연막상에 제2절연막을 형성하고, 표면을 평탄화시킨 다음 상기 제2절연막상에 제3절연막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.A method of forming a metal interlayer insulating film of a semiconductor device, the method comprising: forming a metal wiring on a silicon substrate on which an insulating layer is formed, and then forming a first insulating film on the entire upper surface; and from the step, a second insulating film on the first insulating film. And forming a third insulating film on the second insulating film after planarizing the surface thereof.
제5항에 있어서, 상기 제1 및 제3절연막은 1.7 이상의 높은 굴절율을 가지는 절연 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.The method of claim 5, wherein the first and third insulating films are insulating materials having a high refractive index of 1.7 or more.
제5항에 있어서, 상기 제2절연막은 3.5이하의 낮은 유전율을 갖는 절연 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.The method of claim 5, wherein the second insulating film is an insulating material having a low dielectric constant of 3.5 or less.
제5항 또는 제7항에 있어서, 상기 제2절연막은 고밀도 플라즈마를 이용한 FSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성 방법.The method of claim 5 or 7, wherein the second insulating film is an FSG film using a high density plasma.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.